一種用于鑄造準(zhǔn)單晶的異形坩堝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型設(shè)及一種異形相蝸，用于準(zhǔn)單晶鑄錠，改善產(chǎn)品質(zhì)量，屬于光伏、新能 源領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著環(huán)境污染和資源短缺問(wèn)題的日益嚴(yán)峻，需要積極尋求一種替代能源，太陽(yáng)能 電池作為一種對(duì)環(huán)境友好的新型能源器件受到大家的青睞。太陽(yáng)能電池片作為影響太陽(yáng)能 電池效率的重要因素，如何提高電池片的質(zhì)量和效率成為國(guó)內(nèi)外光伏廠家的研究重點(diǎn)。近 年來(lái)，在多晶鑄錠的基礎(chǔ)上逐漸成長(zhǎng)的準(zhǔn)單晶鑄錠技術(shù)，使用一整塊單晶塊作為巧晶，運(yùn)有 別于傳統(tǒng)多晶鑄錠技術(shù)使用粒料巧晶，生產(chǎn)的娃片的效率介于多晶和單晶之間。
[0003] 但是傳統(tǒng)相蝸因?yàn)檫吘墏?cè)壁導(dǎo)致斜向晶，使得準(zhǔn)單晶的得率很低，降低了娃片的 效率，增加了鑄錠成本。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)W上弊端提供一種用于鑄造準(zhǔn)單晶的異 形相蝸，準(zhǔn)單晶的得率更高，與現(xiàn)有G6傳統(tǒng)相蝸的準(zhǔn)單晶娃片相比，提高準(zhǔn)單晶得率12~ 15〇/〇。
[0005] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：
[0006] -種用于鑄造準(zhǔn)單晶的異形相蝸，包括相蝸主體，所述相蝸主體為上大下小的梯 形體結(jié)構(gòu)。
[0007] 上述一種用于鑄造準(zhǔn)單晶的異形相蝸，其中，所述相蝸主體包括底板和四塊側(cè)板， 所述側(cè)板為梯形結(jié)構(gòu)，側(cè)板頂邊的長(zhǎng)度11>側(cè)板底邊的長(zhǎng)度L2,四塊側(cè)板分別傾斜的固定 在底板的四周，側(cè)板與底板之間的傾斜角度為a，90°<a<180°。
[000引本實(shí)用新型的有益效果為：
[0009] 本實(shí)用新型相蝸采用上大下小的梯形設(shè)計(jì)，相蝸側(cè)板的傾斜角度在90~180°，同樣 裝料量的情況下，節(jié)約巧晶的用量；
[0010] 相蝸開口采用上大下小設(shè)計(jì)，巧晶引晶后，有利于形核點(diǎn)隨固液界面更好的生長(zhǎng)， 減少了傳統(tǒng)相蝸因邊緣側(cè)壁導(dǎo)致斜向晶，提高了準(zhǔn)單晶的得率；
[0011] 相蝸側(cè)板的斜向晶更容易去除，提高了電池效率，但是工序更簡(jiǎn)單易行、成本更低 廉。
【附圖說(shuō)明】
[0012] 圖1為本實(shí)用新型剖視圖。
[0013] 圖2為本實(shí)用新型側(cè)板結(jié)構(gòu)圖。
[0014] 圖3為本實(shí)用新型底板剖視圖。
【具體實(shí)施方式】 [001引實(shí)施例一
[0016]如圖所示一種用于鑄造準(zhǔn)單晶的異形相蝸，包括相蝸主體1，相蝸主體W石英為材 料制成，所述相蝸主體1為上大下小的梯形體結(jié)構(gòu)，所述相蝸主體1包括底板2和四塊側(cè)板3， 所述底板2為正方形結(jié)構(gòu)，所述側(cè)板3為等腰梯形結(jié)構(gòu)，側(cè)板3頂邊的長(zhǎng)度Ll>側(cè)板底邊的長(zhǎng) 度L2,四塊側(cè)板3分別傾斜的固定在底板2的四周，側(cè)板3與底板2之間的傾斜角度a為135% 所述側(cè)板和底板固定成一體式結(jié)構(gòu)。
[0017]實(shí)施例二
[0018] 如圖所示一種用于鑄造準(zhǔn)單晶的異形相蝸，包括相蝸主體1，相蝸主體W石英為材 料制成，所述相蝸主體1為上大下小的梯形體結(jié)構(gòu)，所述相蝸主體1包括底板2和四塊側(cè)板3， 所述底板2為正方形結(jié)構(gòu)，所述側(cè)板3為等腰梯形結(jié)構(gòu)，側(cè)板3頂邊的長(zhǎng)度Ll>側(cè)板底邊的長(zhǎng) 度L2,四塊側(cè)板3分別傾斜的固定在底板2的四周，側(cè)板3與底板2之間的傾斜角度a為140% 所述側(cè)板和底板固定成一體式結(jié)構(gòu)。
[0019] 作為進(jìn)一步的優(yōu)化，所述底板2上設(shè)有吸熱腔4,所述吸熱腔4內(nèi)填充有吸熱棉5,吸 熱棉可W充分吸收相蝸內(nèi)的余熱，減慢相蝸降溫的過(guò)程，進(jìn)一步提高了存活率。
[0020] 現(xiàn)使用實(shí)施例一、實(shí)施例二的異形相蝸與傳統(tǒng)G6相蝸進(jìn)行長(zhǎng)晶，經(jīng)對(duì)比，S者單晶 存活率如下：
10022]由上表可W得出，實(shí)用本專利的異形相蝸鑄造準(zhǔn)單晶，由于側(cè)板是傾斜設(shè)置的，其 存活率大幅增加，且當(dāng)傾斜角度為135°與140°運(yùn)一傾斜角度時(shí)，最能貼合準(zhǔn)單晶生長(zhǎng)所需， 在運(yùn)角度所能達(dá)到的存活率明顯優(yōu)于其他相蝸。
[0023]運(yùn)里本實(shí)用新型的描述和應(yīng)用是說(shuō)明性的，并非想將本實(shí)用新型的范圍限制在上 述實(shí)施例中，因此，本實(shí)用新型不受本實(shí)施例的限制，任何采用等效替換取得的技術(shù)方案均 在本實(shí)用新型保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于鑄造準(zhǔn)單晶的異形坩堝，包括坩堝主體，其特征為，所述坩堝主體為上大下 小的梯形體結(jié)構(gòu)。2. 如權(quán)利要求1所述的一種用于鑄造準(zhǔn)單晶的異形坩堝，其特征為，所述坩堝主體包括 底板和四塊側(cè)板，所述側(cè)板為梯形結(jié)構(gòu)，側(cè)板頂邊的長(zhǎng)度L1 >側(cè)板底邊的長(zhǎng)度L2，四塊側(cè)板 分別傾斜的固定在底板的四周，側(cè)板與底板之間的傾斜角度為a，90° <a<180°。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種用于鑄造準(zhǔn)單晶的異形坩堝，包括坩堝主體，所述坩堝主體為上大下小的梯形體結(jié)構(gòu)，所述坩堝主體包括底板和四塊側(cè)板，所述側(cè)板為梯形結(jié)構(gòu)，側(cè)板頂邊的長(zhǎng)度L1＞側(cè)板底邊的長(zhǎng)度L2，四塊側(cè)板分別傾斜的固定在底板的四周，側(cè)板與底板之間的傾斜角度為a，90°＜a＜180°，準(zhǔn)單晶的得率更高，與現(xiàn)有G6傳統(tǒng)坩堝的準(zhǔn)單晶硅片相比，提高準(zhǔn)單晶得率12~15%。
【IPC分類】C30B28/06, C30B29/06, C30B11/00
【公開號(hào)】CN205258659
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520989167
【發(fā)明人】馬翔宇, 王海慶, 王祿寶, 吳明山
【申請(qǐng)人】江蘇美科硅能源有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2015年12月3日