流化床裝置和生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種流化床裝置和生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)，流化床裝置包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有至少一個折流機構(gòu)，所述折流機構(gòu)用于將所述反應(yīng)腔室分隔為互相連通的至少兩個子腔室。本實用新型中的流化床裝置內(nèi)的折流機構(gòu)延長了原料在反應(yīng)腔室內(nèi)的停留時間，從而延長了接觸時間，控制反應(yīng)速率，有利于延長反應(yīng)時間提高反應(yīng)效率，縮短生產(chǎn)周期，進一步提高了流化床裝置內(nèi)的物料反應(yīng)生成產(chǎn)物的產(chǎn)率和均一性。本實用新型中的生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)實現(xiàn)了氮化硅的連續(xù)生產(chǎn)，且生產(chǎn)周期短，極大地降低了生產(chǎn)成本，適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
【專利說明】
流化床裝置和生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型屬于多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種流化床裝置和生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]氮化硅突出的優(yōu)點包括機械強度高、熱穩(wěn)定性好、化學性能穩(wěn)定，這些優(yōu)點使得它廣泛的應(yīng)用在冶金、機械、能源、化工、半導體、航空航天、汽車工業(yè)、核動力工程和醫(yī)學工程領(lǐng)域，氮化硅完全滿足現(xiàn)代技術(shù)經(jīng)常遇到的高溫、高速、強腐蝕介質(zhì)和高磨損的工作環(huán)境，且工作壽命長，技術(shù)性能穩(wěn)定，可以與高溫合金媲美，應(yīng)用效果令人滿意。隨著氮化硅材料的應(yīng)用范圍不斷擴大，高性能、低成本的氮化硅粉體的制備越來越引起人們的重視。
[0003]盡管Si3N4粉的制備方法多種多樣，但普遍存在的問題是無法大規(guī)模連續(xù)化生產(chǎn)，生產(chǎn)成本高，周期長，限制了它的大規(guī)模應(yīng)用。一般來說制備高質(zhì)量的Si3N4陶瓷制品，需要優(yōu)質(zhì)的Si3N4粉體。因此，如何快速生產(chǎn)出高純度的Si3N4粉是研究的核心。
[0004]相對于氮化硅的其他生產(chǎn)方法，直接氮化法生產(chǎn)成本較低，生產(chǎn)氮化硅產(chǎn)品的質(zhì)量能夠滿足廣泛工程應(yīng)用的要求，同時直接氮化硅粉過程沒有副產(chǎn)品，對環(huán)境也沒有污染。但是直接氮化法勞動強度大，生產(chǎn)效率低。同時，產(chǎn)品質(zhì)量不均勻，每批次的氮化硅晶體含量都在變化。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種流化床裝置和生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)，流化床裝置內(nèi)的折流機構(gòu)延長了原料在反應(yīng)腔室內(nèi)的停留時間，從而延長了接觸時間，控制反應(yīng)速率，有利于延長反應(yīng)時間提高反應(yīng)效率。
[0006]解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種流化床裝置，包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有至少一個折流機構(gòu)，所述折流機構(gòu)用于將所述反應(yīng)腔室分隔為互相連通的至少兩個子腔室。
[0007]優(yōu)選的是，所述折流機構(gòu)包括至少一個折流板，所述折流板設(shè)置于所述反應(yīng)腔室的內(nèi)壁上，所述折流板用于減緩所述反應(yīng)腔室內(nèi)物料的流動速度。
[0008]優(yōu)選的是，所述折流板至少為兩個，所述折流板交錯設(shè)置。
[0009]優(yōu)選的是，交錯設(shè)置的折流板的投影面積的重疊部分為所述反應(yīng)腔室的端面面積的 1/4 ?4/5 0
[0010]優(yōu)選的是，同一個折流機構(gòu)的兩個相鄰的折流板之間的距離為100?200mm，所述折流板的厚度為10?20mm。
[0011]優(yōu)選的是，所述折流機構(gòu)為2?5個。
[0012]優(yōu)選的是，所述反應(yīng)腔室為臥式筒狀結(jié)構(gòu)。
[0013]優(yōu)選的是，每個所述子腔室的長度相同。
[0014]優(yōu)選的是，所述反應(yīng)腔室內(nèi)還設(shè)置有:振動器，所述振動器用于在所述反應(yīng)腔室內(nèi)進行振動；
[0015]和/或用于進行加熱的加熱器；
[0016]和/或用于進行檢測溫度的溫度檢測器。
[0017]本實用新型還一種生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)，包括:
[0018]機械破碎裝置，用于對硅進行機械破碎；
[0019]氣流粉碎裝置，與所述機械破碎裝置連接，所述氣流粉碎裝置用于對硅進行氣流破碎；
[0020]供氣裝置，與流化床裝置連接，所述供氣裝置用于向流化床裝置內(nèi)通入氮氣；
[0021]流化床裝置，該流化床裝置為上述的流化床裝置，所述流化床裝置與所述氣流粉碎裝置連接，所述流化床裝置用于硅和氮氣進行反應(yīng)生成氮化硅。
[0022]優(yōu)選的是，所述的生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)還包括布料裝置，該布料裝置設(shè)置于所述氣流粉碎裝置上，所述布料裝置用于將添加劑加入到所述氣流粉碎裝置，使得硅與添加劑混合。在流化床裝置內(nèi)添加劑用于分離或疏散硅固體相，防止硅粉與氮氣反應(yīng)時，硅粉結(jié)團。
[0023]更優(yōu)選的是，布料裝置設(shè)置于接近于氣流粉碎裝置的出口處，靠近流化床裝置，這樣可使得進入由布料裝置進入到氣流粉碎裝置內(nèi)的添加劑幾乎不經(jīng)過氣流粉碎裝置的粉碎，但是添加劑卻可以很好的與氣流粉碎裝置內(nèi)的硅進行混合。在氣流粉碎裝置內(nèi)高速碰撞，有利于提尚混合的均勾性，進而提尚了后續(xù)反應(yīng)的均勾性。
[0024]優(yōu)選的是，所述的生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)，還包括:冷卻裝置，與所述供氣裝置連接，所述冷卻裝置用于冷卻從所述流化床裝置出來的混合物；
[0025]分離裝置，與所述冷卻裝置連接，所述分離裝置用于分離混合物，將混合物中的氮化娃與氮氣分離。
[0026]本實用新型中的流化床裝置內(nèi)的折流機構(gòu)延長了原料在反應(yīng)腔室內(nèi)的停留時間，從而延長了接觸時間，控制反應(yīng)速率，有利于延長反應(yīng)時間提高反應(yīng)效率，縮短生產(chǎn)周期，進一步提高了流化床裝置內(nèi)的物料反應(yīng)生成產(chǎn)物的產(chǎn)率和均一性。本實用新型中的生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)實現(xiàn)了氮化硅的連續(xù)生產(chǎn)，且生產(chǎn)周期短，極大地降低了生產(chǎn)成本，適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0027]圖1是本實用新型實施例1中的包括流化床裝置的生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2是本實用新型實施例2中的包括流化床裝置的生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖中:1-機械破碎裝置；11-破碎機；12-料倉；13-篩分機；14-上料機;2_氣流粉碎裝置；3-布料裝置;4-供氣裝置;41-預(yù)熱器；42-進氣管；43-流量控制器；5-流化床裝置；502-反應(yīng)腔室；503-折流機構(gòu)；504-溫度檢測器；505-加熱器；506-第一入口 ； 507-第二入口 ； 508-出口 ； 509-均分器;510-導流管；511-第一子腔室；512-第二子腔室；513-第三子腔室;514-振動器;515-折流板;6-冷卻裝置;61-進料管;62-冷卻管;7-分離裝置;71-分離器；72-引風機。
【具體實施方式】
[0030]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細描述。
[0031]實施例1
[0032]如圖1所示，本實施例提供一種流化床裝置5，包括反應(yīng)腔室502，所述反應(yīng)腔室502內(nèi)設(shè)置有至少一個折流機構(gòu)503，所述折流機構(gòu)503用于將所述反應(yīng)腔室502分隔為互相連通的至少兩個子腔室。
[0033]優(yōu)選的是，所述折流機構(gòu)503包括至少一個折流板515，所述折流板515設(shè)置于所述反應(yīng)腔室502的內(nèi)壁上，所述折流板515用于減緩所述反應(yīng)腔室502內(nèi)物料的流動速度。所述折流板515使得物料在反應(yīng)腔室502內(nèi)流動形成阻力，從而減少流動速度，提高物料在反應(yīng)腔室502內(nèi)的停留時間。
[0034]優(yōu)選的是，所述折流板515至少為兩個，所述折流板515交錯設(shè)置。
[0035]優(yōu)選的是，交錯設(shè)置的折流板515的投影面積的重疊部分為所述反應(yīng)腔室502的端面面積的I/4?4/5。
[0036]優(yōu)選的是，同一個折流機構(gòu)503的兩個相鄰的折流板515之間的距離為100?200mm，所述折流板515的厚度為10?20mm。
[0037]優(yōu)選的是，所述折流機構(gòu)503為2?5個。
[0038]優(yōu)選的是，所述反應(yīng)腔室502為臥式筒狀結(jié)構(gòu)。
[0039]優(yōu)選的是，每個所述子腔室的長度相同。流化床裝置5中的反應(yīng)腔室502為臥式筒狀結(jié)構(gòu)，長度一定，通過一組或者幾組折流機構(gòu)503將反應(yīng)腔室502分隔為兩個或者多個子腔室，即形成串聯(lián)的流化床裝置5，通過折流機構(gòu)503分隔開的每個子腔室的長度相同，即反應(yīng)腔室502內(nèi)的物料硅粉與氮氣或者硅粉、氮化硅與氮氣的停留時間基本相同，因此，總的反應(yīng)時間可以視為串聯(lián)級數(shù)的倍數(shù)。
[0040]優(yōu)選的是，所述反應(yīng)腔室502內(nèi)還設(shè)置有:振動器514，所述振動器514用于在所述反應(yīng)腔室502內(nèi)進行振動；
[0041 ] 和/或用于進行加熱的加熱器505;
[0042]和/或用于進行檢測溫度的溫度檢測器504。其中，振動器514由振動電機與彈簧組成，振動器514用于加強物料的流化態(tài)。
[0043]流化床裝置5的反應(yīng)腔室502上設(shè)置有:用于通入固體物料的第一入口506;用于通入氣體的第二入口 507 ；出口 508。所述流化床裝置5還包括:設(shè)置于反應(yīng)腔室502的第一入口506的均分器509，設(shè)置于反應(yīng)腔室502的出口 508的導流管510。優(yōu)選的是，加熱器505在反應(yīng)腔室502內(nèi)均勻分布。流化床裝置5與物料接觸部分的內(nèi)襯的材質(zhì)包括聚氨酯，耐納特，氧化鋯，瓷剛玉，氮化硅中的一種或幾種。所述流化床裝置5的均分器509包括至少兩個進料孔，通過進料孔使混合好的硅粉均勻進入流化床裝置5。優(yōu)選的是，所述進料孔為10?30個，進料孔的孔徑為6?40mm。
[0044]優(yōu)選的是，反應(yīng)腔室502內(nèi)等角度布置有至少兩個加熱器505。加熱器505均勻設(shè)置于反應(yīng)腔室502的內(nèi)壁上，加熱器505并聯(lián)布置，可單獨控制；流化床裝置5底部接有氣體進料管61。優(yōu)選的是，加熱器505為2?6個。
[0045]如圖1所示，生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)包括流化床裝置5，該流化床裝置5的反應(yīng)腔室502內(nèi)設(shè)置有一個折流機構(gòu)503，該折流機構(gòu)503將反應(yīng)腔室502分隔為互相連通的兩個子腔室，由第一入口 506到出口 508依次排布為第一子腔室511、第二子腔室512，該流化床裝置5為二級串聯(lián)的整體裝置，其中，折流機構(gòu)503包括兩個折流板515，兩個折流板515交錯設(shè)置，從而形成曲線的流通通道，同一個折流機構(gòu)503的兩個折流板515之間的距離為100?200mm，所述折流板515的厚度為10?20mm。物料在這兩個子腔室內(nèi)分別建立床層，在氮氣的作用下形成流化態(tài)，并進行反應(yīng)。折流機構(gòu)503的作用實現(xiàn)串級的流化床裝置5，改變物料的流向，使得物料分別在不同的子腔室建立床層，通過兩級串聯(lián)的流化床裝置5從而延長了原料硅和氮氣在其內(nèi)的停留時間，從而提高了原料硅和氮氣的接觸時間，有利于延長反應(yīng)時間提高反應(yīng)效率，進一步提高了生成的氮化硅的產(chǎn)率。硅粉、氮氣、添加劑進入第一子腔室511建立床層，建立流化態(tài)，娃粉與氮氣反應(yīng)生成氮化娃，得到氣固相流體，通過折流機構(gòu)503后流體速度下降，反應(yīng)后的氮化硅及未反應(yīng)的硅粉混合物落入后續(xù)的第二子腔室512，并建立床層，然后與通入的氮氣建立流化態(tài)，繼續(xù)反應(yīng)，直到反應(yīng)結(jié)束，成品排出。
[0046]如圖1所示，本實施例提供一種生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)，包括:
[0047]機械破碎裝置I，用于對硅進行機械破碎；
[0048]氣流粉碎裝置2，與所述機械破碎裝置I連接，所述氣流粉碎裝置2用于對硅進行氣流破碎；
[0049]供氣裝置4，與流化床裝置5連接，所述供氣裝置4用于向流化床裝置5內(nèi)通入氮氣；
[0050]流化床裝置5，該流化床裝置5為上述的流化床裝置5，所述流化床裝置5與所述氣流粉碎裝置2連接，所述流化床裝置5用于硅和氮氣進行反應(yīng)生成氮化硅。
[0051]優(yōu)選的是，所述的生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)還包括布料裝置3，該布料裝置3設(shè)置于所述氣流粉碎裝置2上，所述布料裝置3用于將添加劑加入到所述氣流粉碎裝置2，使得硅與添加劑混合。在流化床裝置5內(nèi)添加劑用于分離或疏散硅固體相，防止硅粉與氮氣反應(yīng)時，硅粉結(jié)團。
[0052]更優(yōu)選的是，布料裝置3設(shè)置于接近于氣流粉碎裝置2的出口508處，靠近流化床裝置5，這樣可使得進入由布料裝置3進入到氣流粉碎裝置2內(nèi)的添加劑幾乎不經(jīng)過氣流粉碎裝置2的粉碎，但是添加劑卻可以很好的與氣流粉碎裝置2內(nèi)的硅進行混合。在氣流粉碎裝置2內(nèi)尚速碰撞，有利于提尚混合的均勾性，進而提尚了后續(xù)反應(yīng)的均勾性。
[0053]優(yōu)選的是，所述的生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)還包括:冷卻裝置6，與所述供氣裝置4連接，所述冷卻裝置6用于冷卻從所述流化床裝置5出來的混合物；
[0054]分離裝置7，與所述冷卻裝置6連接，所述分離裝置7用于分離混合物，將混合物中的氮化娃與氮氣分離。
[0055]將硅粉放入到機械破碎裝置I中進行破碎，放入到機械破碎裝置I中的硅粉是指多晶娃棒在破碎過程所廣生粒徑<2 5mm的娃粉和/或多晶娃在反應(yīng)時廣生的超細無定型娃粉，機械破碎裝置I通過調(diào)整磨輪間隙來控制破碎的粒徑至300μπι?ΙΟΟΟμπι之間。經(jīng)過機械破碎裝置I破碎合格的硅粉進入到氣流粉碎裝置2內(nèi)，添加劑由布料裝置3加入到氣流粉碎裝置2內(nèi)與硅粉混合，混合后的硅粉和部分添加劑在氣流粉碎裝置2內(nèi)在高壓氣流的作用下再次破碎，并使得硅粉和添加劑充分混合后進入流化床裝置5，供氣裝置4向流化床裝置5內(nèi)通入氮氣，在流化床裝置5內(nèi)添加劑分離或疏散硅粉防止結(jié)團，硅粉與氮氣反應(yīng)得到氣-固混合物，氣-固混合物再進入到冷卻裝置6冷卻降溫，最后在分離裝置7中氣-混合物分離為氮氣、氮化硅氣固兩相，可以將固體的氮化硅收集包裝起來。
[0056]所述的機械破碎裝置I包括用于進行破碎的破碎機11、用于向破碎機11內(nèi)加料的料倉12、與破碎機11連接的篩分機13，分別連接篩分機13與料倉12的上料機14，篩分機13用于將經(jīng)過破碎機11破碎過的硅粉進行篩分，經(jīng)過篩分機13不合格的硅粉由上料機14通過負壓將其再送回到料倉12繼續(xù)進入破碎機11進行二次破碎，合格的硅粉進入氣流粉碎裝置2，機械破碎裝置I與物料接觸部分的內(nèi)襯的材質(zhì)包括聚氨酯，耐納特，氧化鋯，瓷剛玉，氮化硅中的一種或幾種。其中，機械破碎裝置I還具有氮氣保護機構(gòu)，上料機14具有自動上料功能，生產(chǎn)過程可實現(xiàn)連續(xù)自動化，全程密閉，杜絕粉塵污染。
[0057]優(yōu)選的是，所述氣流粉碎裝置2帶有計量機構(gòu)用于對經(jīng)過氣流粉碎裝置2粉碎前的物料稱重計量；
[0058]優(yōu)選的是，所述布料裝置3帶有計量機構(gòu)用于對進入氣流粉碎裝置2內(nèi)的添加劑稱重計量;布料裝置3需要加入的添加劑均勻的加入到氣流粉碎裝置2內(nèi)，以保證硅粉和添加劑能均勻的混合。布料裝置3設(shè)置于氣流混合裝置的前端接近其入口的部分，可以完全保證硅粉與添加劑混合的比例的準確性，同時，添加劑與硅粉只有充分混合，添加劑才能更好的發(fā)揮其分離或疏散硅粉的作用，這樣才能保證在后續(xù)的硅粉與氮氣的反應(yīng)過程，硅粉與氮氣的反應(yīng)速度。相對于現(xiàn)有技術(shù)中的布料裝置3設(shè)置于機械破碎裝置I上，使得添加劑由布料裝置3進入到機械破碎裝置I來說，現(xiàn)有技術(shù)的這種進料方式，會造成硅粉與添加劑的比例不好控制。而本實用新型中，將添加劑由布料裝置3進入到氣流粉碎裝置2中，可以更好的控制硅粉與添加劑的比例。
[0059]所述的供氣裝置4包括預(yù)熱器41，與流化床裝置5連接的進氣管42，以及設(shè)置在進氣管42上的流量控制器43，預(yù)熱器41用于對通入進氣管42的氮氣進行預(yù)熱；流量控制器43采用單回路控制流量計進行氮氣流量的調(diào)節(jié)。所述的進氣管42與流化床裝置5連接，進氣管42的數(shù)量為2?6根。所述的氣體預(yù)熱器41包括電加熱器505、微波加熱器505、等離子加熱器505中的一種或幾種。所述的供氣裝置4將來自工輔工程的常溫氮氣氣體加熱至200°C?1200°C，將氣體預(yù)熱到這么高的溫度，能夠減少流化床裝置5的加熱時間，縮短反應(yīng)前的周期。一般情況下，流化床裝置5加熱其反應(yīng)腔室502內(nèi)的硅粉床層，是從外到內(nèi)，反應(yīng)腔室502及硅粉床層均存在著溫度梯度，而高溫熱氮氣從床層底部穿透床層的過程不光是參與反應(yīng)，還有加熱的作用。
[0060]優(yōu)選的是，冷卻裝置6包括進料管61和與所述進料管61接觸的冷卻管62，進料管61與冷卻管62接觸進行傳熱，從而通過冷卻管62內(nèi)的冷媒對進料管61內(nèi)的物料進行冷卻，冷卻裝置6與物料接觸部分的內(nèi)襯的材質(zhì)包括聚氨酯，耐納特，氧化鋯，瓷剛玉，氮化硅中的一種或幾種。具體的，本實施例中的冷卻裝置6使用循環(huán)水進行冷卻，冷卻后的物料溫度<1000C，再進入后續(xù)的分離裝置7進行分離。
[0061]分離裝置7包括分離器71和與分離器71連接對其引風的引風機72，分離裝置7與物料接觸部分的內(nèi)襯的材質(zhì)包括聚氨酯，耐納特，氧化鋯，瓷剛玉，氮化硅中的一種或幾種。所述的分離裝置7的作用是將氮化硅與氮氣進行分離，氮氣從分離裝置7的頂部排出，為了防止細小的氮化硅粉體從頂部排出，分離裝置7頂部出風口安裝有過濾網(wǎng)，固體的氮化硅則從分離裝置7底部排出。
[0062]實施例2
[0063]如圖2所示，本實施例中的流化床裝置與實施例1中的流化床裝置的區(qū)別在于:本實施例中的流化床裝置5的反應(yīng)腔室502內(nèi)設(shè)置有兩個折流機構(gòu)503，折流機構(gòu)503將反應(yīng)腔室502分隔為互相連通的三個子腔室，由第一入口 506到出口 508依次排布為第一子腔室511、第二子腔室512、第三子腔室513，該流化床裝置5為三級串聯(lián)的整體裝置，其中，每個折流機構(gòu)503包括一個折流板515，兩個折流機構(gòu)503交錯設(shè)置，從而在子腔室之間形成曲線的流通通道。物料在這三個子腔室內(nèi)分別建立床層，在氮氣的作用下形成流化態(tài)，并進行反應(yīng)。折流機構(gòu)503的作用實現(xiàn)串級的流化床裝置5，改變物料的流向，使得物料分別在不同的子腔室建立床層，通過三級串聯(lián)的流化床裝置5從而延長了原料硅和氮氣在其內(nèi)的停留時間，從而提尚了原料娃和氣氣的接觸時間，有利于延長反應(yīng)時間提尚反應(yīng)效率，進一步提尚了生成的氮化硅的產(chǎn)率。物料進入第一子腔室511建立床層，建立流化態(tài)，反應(yīng)，通過第一組折流機構(gòu)503后流體速度下降，物料落入后續(xù)的第二子腔室512，并建立床層，建立流化態(tài)，繼續(xù)反應(yīng)，通過第二組折流機構(gòu)503后流體速度下降，物料進入后續(xù)的第三子腔室513，并建立床層，建立流化態(tài)，繼續(xù)反應(yīng)，直到反應(yīng)結(jié)束，成品排出。
[0064]如圖2所示，本實施例提供一種生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)，本實施例與實施例1中的系統(tǒng)的區(qū)別為:本實施例中的生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)中的流化床裝置5為本實施例中的流化床裝置5。
[0065]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本實用新型的原理而采用的示例性實施方式，然而本實用新型并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實用新型的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本實用新型的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種流化床裝置，包括反應(yīng)腔室，其特征在于，所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有至少一個折流機構(gòu)，所述折流機構(gòu)用于將所述反應(yīng)腔室分隔為互相連通的至少兩個子腔室； 所述折流機構(gòu)包括折流板，所述折流板設(shè)置于所述反應(yīng)腔室的內(nèi)壁上，所述折流板用于減緩所述反應(yīng)腔室內(nèi)物料的流動速度； 所述折流板至少為兩個，所述折流板交錯設(shè)置； 交錯設(shè)置的折流板的投影面積的重疊部分為所述反應(yīng)腔室的端面面積的1/4?4/5。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流化床裝置，其特征在于，同一個折流機構(gòu)的兩個相鄰的折流板之間的距離為10?200mm，所述折流板的厚度為1?20mm。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的流化床裝置，其特征在于，所述折流機構(gòu)為2?5個。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的流化床裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔室為臥式筒狀結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的流化床裝置，其特征在于，每個所述子腔室的長度相同。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的流化床裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔室內(nèi)還設(shè)置有:振動器，所述振動器用于在所述反應(yīng)腔室內(nèi)進行振動； 和/或用于進行加熱的加熱器； 和/或用于進行檢測溫度的溫度檢測器。7.一種生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)，其特征在于，包括: 機械破碎裝置，用于對娃進行機械破碎； 氣流粉碎裝置，與所述機械破碎裝置連接，所述氣流粉碎裝置用于對硅進行氣流破碎； 供氣裝置，與流化床裝置連接，所述供氣裝置用于向流化床裝置內(nèi)通入氮氣； 流化床裝置，該流化床裝置為權(quán)利要求1?6任意一項所述的流化床裝置，所述流化床裝置與所述氣流粉碎裝置連接，所述流化床裝置用于硅和氮氣進行反應(yīng)生成氮化硅。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)，其特征在于，還包括布料裝置，該布料裝置設(shè)置于所述氣流粉碎裝置上，所述布料裝置用于將添加劑加入到所述氣流粉碎裝置，使得硅與添加劑混合。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)氮化硅的系統(tǒng)，其特征在于，還包括:冷卻裝置，與所述供氣裝置連接，所述冷卻裝置用于冷卻從所述流化床裝置出來的混合物； 分離裝置，與所述冷卻裝置連接，所述分離裝置用于分離混合物，將混合物中的氮化硅與氮氣分尚。
【文檔編號】C01B21/068GK205634895SQ201620277120
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年4月5日
【發(fā)明人】潘小龍, 黃彬, 張吉武, 劉興平, 宋娟娟
【申請人】新特能源股份有限公司