專(zhuān)利名稱(chēng)：芳香族胺衍生物以及應(yīng)用該衍生物的有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芳香族胺衍生物以及應(yīng)用該衍生物的有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件，特別涉及保持高發(fā)光效率的同時(shí)壽命長(zhǎng)的有機(jī)EL元件以及實(shí)現(xiàn)該元件的芳香族胺衍生物。

背景技術(shù)：
有機(jī)EL元件為一種自發(fā)發(fā)光元件，原理是在施加電場(chǎng)時(shí)，熒光物質(zhì)利用從陽(yáng)極注入的空穴和從陰極注入的電子的復(fù)合能進(jìn)行發(fā)光。自從伊斯特曼可德(イストマンコダツク社)的C.W.Tang等人報(bào)導(dǎo)了利用層疊型元件的低壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件(C.W.Tang，S.A.Vanslyke，AppliedPhysics Letters(應(yīng)用物理)，第51卷，第913頁(yè)，1987年等)以來(lái)，有關(guān)把有機(jī)材料作為結(jié)構(gòu)材料的有機(jī)EL元件的研究方興未艾。Tang等人將三(8-羥基喹啉)合鋁用于發(fā)光層，將三苯基二胺衍生物用于空穴輸送層。作為層疊結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)，可列舉提高將空穴注入發(fā)光層的效率、提高通過(guò)阻斷并復(fù)合從陰極注入的電子形成的激子的生成效率、將發(fā)光層中形成的激子封閉起來(lái)等。如同上述的例子，作為有機(jī)EL元件的元件結(jié)構(gòu)，熟知的是空穴輸送(注入)層、電子輸送發(fā)光層的兩層型結(jié)構(gòu)或者空穴輸送(注入)層、發(fā)光層、電子輸送(注入)層的三層型結(jié)構(gòu)等。為了提高這種層疊型元件中所注入的空穴和電子的復(fù)合效率，對(duì)元件結(jié)構(gòu)及形成方法進(jìn)行的研究也較活躍。
通常，在高溫環(huán)境下驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件或者保管有機(jī)EL元件時(shí)，會(huì)產(chǎn)生發(fā)光色改變、發(fā)光效率下降、驅(qū)動(dòng)電壓上升、發(fā)光壽命時(shí)間縮短等不好的影響。為了防止這種不好的影響，需要提高空穴輸送材料的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)。因此，需要在空穴輸送材料的分子內(nèi)具有大量的芳香族基(例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)1的芳香族二胺衍生物、專(zhuān)利文獻(xiàn)2的芳香族稠環(huán)二胺衍生物)，通常使用的是具有8-12個(gè)苯環(huán)的結(jié)構(gòu)。
但是，如果在分子內(nèi)具有大量的芳香族基，則使用這些空穴輸送材料形成薄膜來(lái)制作有機(jī)EL元件時(shí)易于產(chǎn)生結(jié)晶化，堵塞用于蒸鍍的坩堝的出口，或者薄膜中因結(jié)晶化產(chǎn)生缺陷，產(chǎn)生導(dǎo)致有機(jī)EL元件的合格率下降等問(wèn)題。另外，雖然在分子內(nèi)具有大量的芳香族基的化合物的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)通常較高，但是其升華溫度高，會(huì)產(chǎn)生蒸鍍時(shí)分解和蒸鍍不均勻等現(xiàn)象，因此存在壽命短的問(wèn)題。
另一方面，公知文獻(xiàn)中公開(kāi)了非對(duì)稱(chēng)的芳香族胺衍生物的。例如，在專(zhuān)利文獻(xiàn)3中，記載了具有非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物，但是沒(méi)有具體的實(shí)施例，關(guān)于非對(duì)稱(chēng)化合物的特征也沒(méi)有任何記載。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)4中，雖然作為實(shí)施例記載了具有菲的非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物，但是其是與對(duì)稱(chēng)化合物列于同列的，同時(shí)關(guān)于非對(duì)稱(chēng)化合物的特征沒(méi)有任何記載。此外，盡管非對(duì)稱(chēng)化合物需要特殊的合成方法，但是在這些專(zhuān)利中并沒(méi)有明確的關(guān)于非對(duì)稱(chēng)化合物的制備方法的記載。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)5中，雖然對(duì)具有非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物的制備方法有記載，但是關(guān)于非對(duì)稱(chēng)化合物的特征沒(méi)有記載。在專(zhuān)利文獻(xiàn)6中，雖然對(duì)玻璃轉(zhuǎn)化溫度高的熱穩(wěn)定的非對(duì)稱(chēng)化合物有記載，但是僅列舉了具有咔唑的化合物。另外，本發(fā)明者等使用該化合物制作元件之后發(fā)現(xiàn)，存在壽命短的問(wèn)題。
如上所述，雖然出現(xiàn)了有關(guān)壽命長(zhǎng)的有機(jī)EL元件的報(bào)道，但是還不能說(shuō)是很充分的。因此，迫切希望開(kāi)發(fā)出一種具有更優(yōu)異性能的有機(jī)EL元件。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1美國(guó)專(zhuān)利第4720432號(hào)說(shuō)明書(shū)
專(zhuān)利文獻(xiàn)2美國(guó)專(zhuān)利第5061569號(hào)說(shuō)明書(shū)
專(zhuān)利文獻(xiàn)3特開(kāi)平8-48656號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)4特開(kāi)平11-135261號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)5特開(kāi)2003-171366號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)6美國(guó)專(zhuān)利第6242115號(hào)說(shuō)明書(shū)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述課題而提出的，目的是提供壽命長(zhǎng)的有機(jī)EL元件以及實(shí)現(xiàn)該元件的芳香族胺衍生物。
本發(fā)明者等為了實(shí)現(xiàn)上述目的，進(jìn)行了反復(fù)專(zhuān)心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)把下述通式(1)表示的具有間三聯(lián)苯基的特定結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物用作有機(jī)EL元件用材料，特別是用作空穴輸送材料時(shí)，可以解決上述課題，至此完成了本發(fā)明。
另外，還得知由于被間三聯(lián)苯基取代的氨基的立體阻礙性高，分子間的相互作用小，所以具有抑制結(jié)晶化、提高制備有機(jī)EL元件的合格率、延長(zhǎng)得到的有機(jī)EL元件的壽命的效果，尤其是通過(guò)使其與藍(lán)色發(fā)光元件組合，可獲得明顯延長(zhǎng)壽命的效果。
即，本發(fā)明提供了下述通式(1)表示的芳香族胺衍生物。

[通式(1)中，R1-R6分別獨(dú)立地表示取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷氧基、或者取代或未取代的苯基，R7是取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷基或者取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷氧基。
a，b，d，e和g分別是0-4的整數(shù)，c和f分別是0-5的整數(shù)，m是1-3的整數(shù)。
Ar1和Ar2是下述通式(2)、(3)或者(4)表示的基團(tuán)。

{通式(2)中，R8表示取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷氧基、或者取代或未取代的苯基。Ar3是取代或未取代的苯基、取代或未取代的α-萘基、取代或未取代的β-萘基、或者取代或未取代的鄰-，間-或?qū)?聯(lián)苯基，結(jié)合位置是鄰位或間位。n是0-4的整數(shù)。
通式(3)中，R9和R10分別獨(dú)立地表示取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷氧基、或者取代或未取代的苯基。Ar4是取代或未取代的苯基，結(jié)合位置是鄰位或?qū)ξ?。i和j分別是0-4的整數(shù)。
通式(4)中，R11和R12分別獨(dú)立地表示取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷氧基、或者取代或未取代的苯基。p是0-3的整數(shù)，q是0-4的整數(shù)。R13和R14分別獨(dú)立地表示單鍵、氫原子、取代或未取代的碳原子數(shù)1-6的烷基、或者下述通式(5)表示的基，r是1-2的整數(shù)。
-(CR15R16)s-(5) (通式(5)中，R15和R16分別獨(dú)立地表示氫原子、或者取代或未取代的碳原子數(shù)1-6的烷基，s是3-6的整數(shù)。)}] 另外，本發(fā)明提供了一種有機(jī)EL元件，其中在陰極和陽(yáng)極間挾持有至少含有發(fā)光層的由一層或多層組成的有機(jī)薄膜層，該有機(jī)薄膜層的至少一層中單獨(dú)或者作為混合物的成分含有上述芳香族胺衍生物。
發(fā)明效果 應(yīng)用本發(fā)明芳香族胺衍生物的有機(jī)EL元件可以在保持高發(fā)光效率的同時(shí)具有長(zhǎng)壽命。

具體實(shí)施例方式 本發(fā)明的芳香族胺衍生物，是用下述通式(1)表示的化合物。

通式(1)中，R1-R6分別獨(dú)立地表示取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷氧基、或者取代或未取代的苯基，R7是取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷基或者取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷氧基。
作為R1-R7的烷基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基、1-羥乙基、2-羥乙基、2-羥基異丁基、1，2-二羥基乙基、1，3-二羥基異丙基、2，3-二羥基叔丁基、1，2，3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1，2-二氯乙基、1，3-二氯異丙基、2，3-二氯叔丁基、1，2，3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1，2-二溴乙基、1，3-二溴異丙基、2，3-二溴叔丁基、1，2，3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1，2-二碘乙基、1，3-二碘異丙基、2，3-二碘叔丁基、1，2，3-三碘丙基、氨基甲基、1-氨基乙基、2-氨基乙基、2-氨基異丁基、1，2-二氨基乙基、1，3-二氨基異丙基、2，3-二氨基叔丁基、1，2，3-三氨基丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1，2-二氰基乙基、1，3-二氰基異丙基、2，3-二氰基叔丁基、1，2，3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1，2-二硝基乙基、1，3-二硝基異丙基、2，3-二硝基叔丁基、1，2，3-三硝基丙基等。
R1-R7的烷氧基是用-OY表示的基團(tuán)，作為Y的例子，可以舉出與上述烷基相同的例子。
通式(1)中，a，b，d，e和g分別是0-4的整數(shù)，c和f分別是0-5的整數(shù)，m是1-3的整數(shù)。
另外，通式(1)中，優(yōu)選b和e分別是1，R2和R5都是苯基，更優(yōu)選b和e分別是1，R2和R5都是苯基且結(jié)合位置是其間位。
通式(1)中，Ar1和Ar2是下述通式(2)、(3)或者(4)表示的基。

通式(2)中，R8表示取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷氧基、或者取代或未取代的苯基，作為上述烷基和烷氧基的具體例，可列舉與上述R1-R7相同的例子。
通式(2)中，n是0-4的整數(shù)。
通式(2)中，Ar3是取代或未取代的苯基、取代或未取代的α-萘基、取代或未取代的β-萘基、或者取代或未取代的鄰-，間-或?qū)?聯(lián)苯基，優(yōu)選取代或未取代的α-萘基或者取代或未取代的β-萘基。另外，Ar3相對(duì)于苯環(huán)的結(jié)合位置是鄰位或間位，優(yōu)選為間位。
另外，通式(2)中，優(yōu)選Ar3是取代或未取代的α-萘基且其結(jié)合位置是對(duì)位，更優(yōu)選Ar3的結(jié)合位置是間位，n是1，R8是苯基且其結(jié)合位置是間位。
通式(3)中，R9和R10分別獨(dú)立地表示取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷氧基、或者取代或未取代的苯基，作為上述烷基和烷氧基的具體例可列舉與上述R1-R7相同的例子。
通式(3)中，Ar4是取代或未取代的苯基，結(jié)合位置是鄰位或?qū)ξ唬瑑?yōu)選為對(duì)位。i和j分別是0-4的整數(shù)。
通式(4)中，R11和R12分別獨(dú)立地表示取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)1-10的烷氧基、或者取代或未取代的苯基，作為上述烷基和烷氧基的具體例可列舉與上述R1-R7相同的例子。p是0-3的整數(shù)，q是0-4的整數(shù)。
通式(4)中，R13和R14分別獨(dú)立地表示單鍵、氫原子、取代或未取代的碳原子數(shù)1-6的烷基、或者下述通式(5)表示的基，作為上述烷基的具體例可列舉上述R1-R7中列舉的例子之中碳原子數(shù)適合的例子。r是1-2的整數(shù)，優(yōu)選為1。
-(CR15R16)s-(5) (通式(5)中，R15和R16分別獨(dú)立地表示氫原子、或者取代或未取代的碳原子數(shù)1-6的烷基，s是3-6的整數(shù)。作為上述烷基的具體例可列舉上述R1-R7中列舉的例子之中碳原子數(shù)適合的例子。) 上述通式(1)中，Ar1和Ar2的環(huán)碳原子數(shù)分別獨(dú)立地優(yōu)選為7-17，更優(yōu)選為12-16，特別優(yōu)選Ar1和Ar2都是對(duì)聯(lián)苯基。
作為上述通式(1)-(5)中的R1-R16和Ar1-Ar4表示的各基團(tuán)的取代基，可列舉取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)5-50的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)1-50的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)1-50的烷氧基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6-50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)5-50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)5-50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)1-50的烷氧基羰基、氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基、羧基等。
其中，優(yōu)選碳原子數(shù)1-10的烷基、碳原子數(shù)5-7的環(huán)烷基、碳原子數(shù)1-10的烷氧基，更優(yōu)選碳原子數(shù)1-6的烷基、碳原子數(shù)5-7的環(huán)烷基，特別優(yōu)選甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、環(huán)戊基、環(huán)己基。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物優(yōu)選為有機(jī)EL元件用材料，更優(yōu)選為有機(jī)EL元件用空穴輸送材料。
本發(fā)明通式(1)表示的芳香族胺衍生物的具體例如下所示，但是并不限于這些列舉化合物。

下面，對(duì)本發(fā)明的有機(jī)EL元件進(jìn)行說(shuō)明。
本發(fā)明的有機(jī)EL元件在陰極和陽(yáng)極間挾持有至少具有發(fā)光層的由一層或多層組成的有機(jī)薄膜層，該有機(jī)薄膜層的至少一層中單獨(dú)或者作為混合物的成分含有上述芳香族胺衍生物。
本發(fā)明的有機(jī)EL元件中，優(yōu)選上述有機(jī)薄膜層具有空穴輸送層，該空穴輸送層單獨(dú)或者作為混合物的成分含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物。另外，優(yōu)選上述空穴輸送層作為主成分含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物特別優(yōu)選用于進(jìn)行藍(lán)色系發(fā)光的有機(jī)EL元件。
另外，本發(fā)明的有機(jī)EL元件的發(fā)光層優(yōu)選含有芳胺化合物和/或苯乙烯基胺化合物。
作為苯乙烯基胺化合物，可列舉下述通式(A)表示的化合物等，作為芳胺化合物，可列舉下述通式(B)表示的化合物等。

[通式(A)中，Ar8是選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、茋基和二苯乙烯基芳基的基團(tuán)；Ar9和Ar10各自獨(dú)立是氫原子或碳原子數(shù)6-20的芳香族基；Ar9-Ar10可以被取代。p’是1-4的整數(shù)。還優(yōu)選Ar9和/或Ar10被苯乙烯基取代。] 其中，作為碳原子數(shù)6-20的芳香族基，可列舉苯基、萘基、蒽基、菲基、三聯(lián)苯基等。

(通式(B)中，Ar11-Ar13分別是可以被取代基取代的環(huán)碳原子數(shù)5-40的芳基。q’是1-4的整數(shù)。) 其中，作為環(huán)原子數(shù)5-40的芳基，可列舉例如苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、蔻基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、噁二唑基、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、熒蒽基、苊并熒蒽基、茋基等。另外，環(huán)原子數(shù)5-40的芳基還可以被取代基取代，作為優(yōu)選的取代基，可列舉碳原子數(shù)1-6的烷基(乙基、甲基、異丙基、正丙基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)戊基、環(huán)己基等)、碳原子數(shù)1-6的烷氧基(乙氧基、甲氧基、異丙氧基、正丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)戊氧基、環(huán)己氧基等)、環(huán)原子數(shù)5-40的芳基、被環(huán)原子數(shù)5-40的芳基取代的氨基、包含環(huán)原子數(shù)5-40的芳基的酯基、包含碳原子數(shù)1-6的烷基的酯基、氰基、硝基、鹵原子(氯、溴、碘等)等。
下面，對(duì)本發(fā)明有機(jī)EL元件的元件結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
(1)有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu) 作為本發(fā)明有機(jī)EL元件的具代表性的元件結(jié)構(gòu)，可列舉如下的結(jié)構(gòu)。
(1)陽(yáng)極/發(fā)光層/陰極； (2)陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極； (3)陽(yáng)極/發(fā)光層/電子注入層/陰極； (4)陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極； (5)陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/發(fā)光層/陰極； (6)陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/電子阻擋層/發(fā)光層/陰極； (7)陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/發(fā)光層/粘附改善層/陰極； (8)陽(yáng)極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極； (9)陽(yáng)極/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極； (10)陽(yáng)極/無(wú)機(jī)半導(dǎo)體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極； (11)陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極； (12)陽(yáng)極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/絕緣層/陰極； (13)陽(yáng)極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極。
其中，通常優(yōu)選使用(8)的結(jié)構(gòu)，但是，并不限于這些結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物無(wú)論用于上述有機(jī)EL元件的哪個(gè)有機(jī)薄膜層皆可，可用于發(fā)光區(qū)或空穴輸送區(qū)域中，優(yōu)選用于空穴輸送區(qū)域中，特別優(yōu)選用于空穴輸送層中，由此可以使分子難以結(jié)晶，提高制造有機(jī)EL元件時(shí)的合格率。
作為本發(fā)明的芳香族胺衍生物在有機(jī)薄膜層中的含量?jī)?yōu)選為30-100％摩爾。
(2)透光性基板 本發(fā)明的有機(jī)EL元件是在透光性基板上制作的。其中所述的透光性基板是支撐有機(jī)EL元件的基板，優(yōu)選在400-700nm的可見(jiàn)光區(qū)內(nèi)的光透過(guò)率為50％以上的平滑的基板。
具體地，可列舉玻璃板、聚合物板。作為玻璃板，特別列舉鈉鈣玻璃、含鋇和鍶的玻璃、鉛玻璃、硅鋁酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、硼硅酸鋇玻璃、石英等。另外，作為聚合物玻璃板，可列舉聚碳酸酯、丙烯酸類(lèi)板、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚醚硫化物、聚砜等。
(3)陽(yáng)極 本發(fā)明的有機(jī)EL元件的陽(yáng)極具有將空穴注入空穴輸送層或發(fā)光層的功能，有效的是具有4.5eV以上功函數(shù)的。作為用于本發(fā)明的陽(yáng)極材料的具體例子，可列舉氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、銦-鋅氧化物(IZO)、金、銀、鉑、銅等。
陽(yáng)極可以通過(guò)將這些電極物質(zhì)采用蒸鍍法或?yàn)R射法等方法形成薄膜來(lái)制備。
如上所述，當(dāng)從陽(yáng)極取出從發(fā)光層發(fā)出的光時(shí)，優(yōu)選陽(yáng)極的光透過(guò)率大于10％。另外，優(yōu)選陽(yáng)極的片材電阻率為數(shù)百Ω/□以下。陽(yáng)極的膜厚根據(jù)材料而不同，通常選擇為10nm-1μm，優(yōu)選10-200nm。
(4)發(fā)光層 有機(jī)EL元件的發(fā)光層同時(shí)具有以下(1)-(3)的功能 (1)注入功能當(dāng)施加電場(chǎng)時(shí)，可以從陽(yáng)極或空穴注入層注入空穴，從陰極或電子注入層注入電子的功能； (2)輸送功能在電場(chǎng)力的作用下，輸送己注入的電荷(電子和空穴)的作用；和 (3)發(fā)光功能提供電子和空穴復(fù)合的場(chǎng)，并通過(guò)復(fù)合發(fā)光的功能。
其中，可以在注入空穴的容易程度和注入電子的容易程度方面存在區(qū)別，另外，也可以在用空穴和電子的遷移率表示的輸送能力方面存在大小之分，但是優(yōu)選輸送其中任一方的電荷。
作為形成發(fā)光層的方法，可適宜使用例如蒸鍍法、旋涂法、LB法等公知的方法。發(fā)光層特別優(yōu)選為分子沉積薄膜。其中所述分子沉積薄膜是由氣相狀態(tài)的材料化合物沉積形成的薄膜，或者由溶液狀態(tài)或液相狀態(tài)的材料化合物進(jìn)行固體化形成的薄膜，通常該分子沉積薄膜與由LB法形成的薄膜(分子累積膜)可以根據(jù)凝集結(jié)構(gòu)和高次結(jié)構(gòu)的差異或由結(jié)構(gòu)引起的功能性差異進(jìn)行區(qū)分。
另外，還可以如特開(kāi)昭57-51781號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的那樣，通過(guò)將樹(shù)脂等結(jié)合劑和材料化合物溶解于溶劑中形成溶液后將其用旋涂法等進(jìn)行薄膜化來(lái)形成發(fā)光層。
將本發(fā)明的芳香族胺衍生物用作發(fā)光材料時(shí)，也可以含有其它公知的發(fā)光材料，另外，也可以在含有由本發(fā)明的芳香族胺衍生物組成的發(fā)光材料的發(fā)光層上層疊含有其它公知的發(fā)光材料的發(fā)光層。
作為可與本發(fā)明的芳香族胺衍生物一起用于發(fā)光層的基質(zhì)材料或摻雜材料，可列舉例如蒽、萘、菲、芘、并四苯、蔻、

熒光素、苝、phthaloperylene、naphthaloperylene、perynone、酞并周因酮(phthaloperynone)、naphthaloperynone、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素、噁二唑、醛連氮(aldazine)、二苯并噁唑啉、聯(lián)苯乙烯、吡嗪、環(huán)戊二烯、喹啉金屬配位化合物、氨基喹啉金屬配位化合物、苯并喹啉金屬配位化合物、亞胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、聚甲炔、份菁、咪唑螯合化喔星化合物、喹吖酮、紅熒烯和熒光色素等，但是并不限于此。
作為可與本發(fā)明的芳香族胺衍生物一起用于發(fā)光層的基質(zhì)材料，優(yōu)選下述(i)-(ix)表示的化合物。
下述通式(i)表示的非對(duì)稱(chēng)蒽；
(式中，Ar為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為10～50的稠合芳香族基。
Ar’為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳香族基。
X是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳香族基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳香族雜環(huán)基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為6～50的芳烷基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳氧基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基羰基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。
a、b和c分別為0～4的整數(shù)。
n為1～3的整數(shù)。另外，當(dāng)n是2以上時(shí)，[]內(nèi)可以相同或不同。) 下述通式(ii)表示的非對(duì)稱(chēng)單蒽衍生物；
(式中，Ar1和Ar2彼此獨(dú)立，為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳香族環(huán)基，m和n分別是1-4的整數(shù)。其中，當(dāng)m＝n＝1且Ar1和Ar2在苯環(huán)上的結(jié)合位置是左右對(duì)稱(chēng)型時(shí)，Ar1和Ar2不相同，當(dāng)m或者n是2-4的整數(shù)時(shí)，m和n是不同的整數(shù)。
R1～R10彼此獨(dú)立，是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳香族基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳香族雜環(huán)基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷基、取代或者未取代的環(huán)烷基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為6～50的芳烷基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳氧基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基羰基、取代或者未取代的甲硅烷基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。) 下述通式(iii)表示的非對(duì)稱(chēng)芘衍生物；
[式中，Ar和Ar’分別表示取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6-50的芳香族基。
L和L’分別獨(dú)立地表示取代或未取代的亞苯基、取代或未取代的亞萘基、取代或未取代的亞芴基或者取代或未取代的dibenzosilolylene基。
m是0-2的整數(shù)，n是1-4的整數(shù)，s是0-2的整數(shù)，t是0-4的整數(shù)。
另外，L或Ar結(jié)合在芘的1-5位的任一位置，L’或者Ar’結(jié)合在芘的6-10位的任一位置。
其中，n+t為偶數(shù)時(shí)，Ar，Ar’，L，L’滿足下述(1)或(2)。
(1)Ar≠Ar’和/或L≠L’(其中≠表示是不同結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。) (2)Ar＝Ar’且L＝L’時(shí) (2-1)m≠s和/或n≠t，或者 (2-2)m＝s且n＝t時(shí)， (2-2-1)L和L’、或者芘分別結(jié)合在Ar和Ar’上的不同的結(jié)合位置上，或者(2-2-2)L和L’、或者芘在Ar和Ar’上的相同的結(jié)合位置上結(jié)合時(shí)，L和L’、或者Ar和Ar’在芘上的取代位置不是1位和6位、或者2位和7位。] 下述通式(iv)表示的非對(duì)稱(chēng)蒽衍生物；
[式中，A1和A2彼此獨(dú)立，為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為10～20的稠合芳香族環(huán)基。
Ar1和Ar2彼此獨(dú)立，為氫原子、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳香族環(huán)基。
R1～R10彼此獨(dú)立，是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳環(huán)基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳香族雜環(huán)基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷基、取代或者未取代的環(huán)烷基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為6～50的芳烷基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳氧基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～50的烷氧基羰基、取代或者未取代的甲硅烷基、羧基、鹵原子、氰基、硝基或者羥基。
Ar1、Ar2、R9和R10分別可以是多個(gè)，相鄰的基團(tuán)彼此可以結(jié)合形成飽和或者不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
但是，不包括通式(1)中在中心的蒽的9位和10位上結(jié)合相對(duì)于該蒽上所示出的X-Y軸呈對(duì)稱(chēng)型的基團(tuán)的情況。] 下述通式(v)表示的蒽衍生物；
(式中，R1～R10彼此獨(dú)立地表示氫原子，烷基，環(huán)烷基，可以被取代的芳基，烷氧基，芳氧基，烷基氨基，烯基，芳基氨基或者可以被取代的雜環(huán)基，a和b分別表示1-5的整數(shù)，當(dāng)它們是2以上時(shí)，各個(gè)R1或者各個(gè)R2分別可以相同或不同，各個(gè)R1或者各個(gè)R2可以經(jīng)結(jié)合形成環(huán)，R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R10彼此可以結(jié)合形成環(huán)，L1是單鍵、-O-、-S-、-N(R)-(R是烷基或者可以被取代的芳基)亞烷基或者亞芳基。) 下述通式(vi)表示的蒽衍生物；
(式中，R11～R20彼此獨(dú)立地表示氫原子，烷基，環(huán)烷基，芳基，烷氧基，芳氧基，烷基氨基，芳基氨基或者可以被取代的雜環(huán)基，c、d、e和f分別表示1-5的整數(shù)，當(dāng)它們是2以上時(shí)，各個(gè)R11、各個(gè)R12、各個(gè)18或者各個(gè)R17分別可以相同或不同，各個(gè)11、各個(gè)R12、各個(gè)R16或者各個(gè)R17可以經(jīng)結(jié)合形成環(huán)，R13和R14、R18和R19彼此可以結(jié)合形成環(huán)。L2是單鍵、-O-、-S-、-N(R)-(R是烷基或者可以被取代的芳基)亞烷基或者亞芳基。) 下述通式(vii)表示的螺芴衍生物；
(式中，A5-A8分別獨(dú)立地是取代或未取代的聯(lián)苯基或者取代或未取代的萘基。) 下述通式(viii)表示的含有稠環(huán)的化合物。

(式中，A9-A14與上述相同，R21～R23彼此獨(dú)立地表示氫原子、碳原子數(shù)1-6的烷基、碳原子數(shù)3-6的環(huán)烷基、碳原子數(shù)1-6的烷氧基、碳原子數(shù)5-18的芳氧基、碳原子數(shù)7-18的芳烷氧基、碳原子數(shù)5-16的芳基氨基、硝基、氰基、碳原子數(shù)1-6的酯基或者鹵原子，A9-A14之中至少一個(gè)是具有3環(huán)以上的稠合芳香環(huán)的基團(tuán)。) 下述通式(ix)表示的芴化合物。

(式中，R1和R2表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代氨基、氰基或者鹵原子。與不同的芴基結(jié)合的各個(gè)R1、各個(gè)R2可以相同或不同，與相同芴基結(jié)合的R1和R2可以相同或不同。R3和R4表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜環(huán)基，與不同的芴基結(jié)合的各個(gè)R3、各個(gè)R4可以相同或不同，與相同芴基結(jié)合的R3和R4可以相同或不同。Ar1和Ar2表示苯環(huán)總計(jì)為3個(gè)以上的取代或未取代的稠合多環(huán)芳香族基或者苯環(huán)和雜環(huán)總計(jì)為3個(gè)以上的取代或未取代的用碳與芴基結(jié)合的稠合多環(huán)雜環(huán)基，Ar1和Ar2可以相同或不同。n表示1-10的整數(shù)。) 以上的基質(zhì)材料中，優(yōu)選蒽衍生物，更優(yōu)選單蒽衍生物，特別優(yōu)選非對(duì)稱(chēng)蒽。
另外，作為摻雜劑的發(fā)光材料，也可以使用磷光發(fā)光性的化合物。作為磷光發(fā)光性的化合物，優(yōu)選基質(zhì)材料中含有咔唑環(huán)的化合物。摻雜劑是可以由三重態(tài)激子發(fā)光的化合物，只要可由三重態(tài)激子發(fā)光就沒(méi)有特別限制，優(yōu)選為含有選自Ir、Ru、Pd、Os和Re的至少一種金屬的金屬配位化合物，優(yōu)選卟啉金屬配位化合物或者原金屬化(ortho metals)金屬配位化合物。
由含有咔唑環(huán)的化合物組成的適于磷光發(fā)光的基質(zhì)是，具有使能量由其激發(fā)狀態(tài)向磷光發(fā)光性化合物移動(dòng)時(shí)使磷光發(fā)光性化合物發(fā)光的功能的化合物。作為基質(zhì)化合物(host compound，主體化合物)，只要是可以使激子能量移動(dòng)到磷光發(fā)光性化合物上的化合物就沒(méi)有特別限制，可以根據(jù)需要適當(dāng)選擇。除了咔唑環(huán)以外可以具有任意的雜環(huán)等。
作為這樣的基質(zhì)化合物的具體例，可列舉咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基鏈烷烴衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨基取代查爾酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、硅氨烷衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二次甲基(メチリデン)系化合物、卟啉系化合物、蒽基二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯基醌衍生物、硫代吡喃二氧化物衍生物、碳化二亞胺衍生物、亞芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘苝等雜環(huán)四羧酸酐、酞菁衍生物、8-羥基喹啉衍生物的金屬配位化合物、把金屬酞菁、苯并噁唑或苯并噻唑作為配位基的金屬配位化合物為代表的各種金屬配位化合物聚硅烷系化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺系共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等導(dǎo)電性高分子低聚物、聚噻吩衍生物、聚亞苯基衍生物、聚亞苯基亞乙烯基衍生物、聚芴衍生物等高分子化合物等?；|(zhì)化合物可以單獨(dú)使用，也可以二種以上并用。
作為具體例，可列舉如下的化合物。

磷光發(fā)光性的摻雜劑是可以由三重態(tài)激子發(fā)光的化合物。只要可由三重態(tài)激子發(fā)光就沒(méi)有特別限制，優(yōu)選為含有選自Ir、Ru、Pd、Pt、Os和Re的至少一種金屬的金屬配位化合物，優(yōu)選卟啉金屬配位化合物或者原金屬化金屬配位化合物。作為卟啉金屬配位化合物，優(yōu)選卟啉鉑配位化合物。磷光發(fā)光性化合物可以單獨(dú)使用，也可以二種以上并用。
作為形成原金屬化金屬配位化合物的配位基有各種配位基，作為優(yōu)選的配位基，可列舉2-苯基吡啶衍生物、7，8-苯并喹啉衍生物、2-(2-噻吩基)吡啶衍生物、2-(1-萘基)吡啶衍生物、2-苯基喹啉衍生物等。這些衍生物可以根據(jù)需要具有取代基。氟化物、引入三氟甲基的化合物特別優(yōu)選作為藍(lán)色系摻雜劑。此外，作為輔助配位基也可以具有乙酰丙酮配位基、苦味酸等上述配位基以外的配位基。
作為磷光發(fā)光性的摻雜劑在發(fā)光層中的含量，沒(méi)有特別限制，可以根據(jù)需要適當(dāng)選擇，例如為0.1-70質(zhì)量％，優(yōu)選為1-30質(zhì)量％。磷光發(fā)光性化合物的含量低于0.1質(zhì)量％時(shí)，發(fā)光微弱且其含有效果不能充分地發(fā)揮出來(lái)，而超過(guò)70質(zhì)量％時(shí)，被稱(chēng)為濃度消光的現(xiàn)象明顯且元件性能下降。
另外，發(fā)光層也可以根據(jù)需含有空穴輸送材料、電子輸送材料、聚合物粘合劑。
此外，發(fā)光層的膜厚優(yōu)選為5-50nm，更優(yōu)選為7-50nm，最優(yōu)選為10-50nm。低于5nm時(shí)，發(fā)光層難以形成，色度的調(diào)整變得困難，而超過(guò)50nm時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓有可能上升。
(5)空穴注入/輸送層(空穴輸送區(qū)) 空穴注入/輸送層是有助于空穴向發(fā)光層的注入，并輸送至發(fā)光區(qū)的層，空穴遷移率高，并且電離能通常小，為5.5eV以下。作為這樣的空穴注入/輸送層，優(yōu)選在較低的電場(chǎng)強(qiáng)度下將空穴輸送至發(fā)光層的材料，進(jìn)一步優(yōu)選例如在施加104～106V/cm的電場(chǎng)時(shí)，其空穴的遷移率至少為10-4cm2/V·s的材料。
當(dāng)將本發(fā)明的芳香族胺衍生物用于空穴輸送區(qū)時(shí)，本發(fā)明的芳香族胺衍生物可以單獨(dú)形成空穴注入/輸送層，也可以與其它的材料混合使用。
作為與本發(fā)明的芳香族胺衍生物混合形成空穴注入/輸送層的材料，只要是具有上述優(yōu)選的性質(zhì)的材料，就沒(méi)有特別限制，可以從現(xiàn)有光傳導(dǎo)材料中作為空穴的電荷輸送材料常用的材料和有機(jī)EL元件的空穴注入/輸送層中使用的公知的材料中選擇任意的材料來(lái)使用。
作為具體例子，可列舉三唑衍生物(參閱美國(guó)專(zhuān)利3,112,197號(hào)說(shuō)明書(shū)等)、噁二唑衍生物(參閱美國(guó)專(zhuān)利3,189,447號(hào)說(shuō)明書(shū)等)、咪唑衍生物(參閱特公昭37-16096號(hào)公報(bào)等)、多芳基鏈烷烴衍生物(參閱美國(guó)專(zhuān)利3,615,402號(hào)說(shuō)明書(shū)、同第3,820,989號(hào)說(shuō)明書(shū)、同第3,542,544號(hào)說(shuō)明書(shū)、特公昭45-555號(hào)公報(bào)、同51-10983號(hào)公報(bào)、特開(kāi)昭51-93224號(hào)公報(bào)、同55-17105號(hào)公報(bào)、同56-4148號(hào)公報(bào)、同55-108667號(hào)公報(bào)、同55-156953號(hào)公報(bào)、同56-36656號(hào)公報(bào)等)、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物(參閱美國(guó)專(zhuān)利第3,180,729號(hào)說(shuō)明書(shū)、同第4,278,746號(hào)說(shuō)明書(shū)、特開(kāi)昭55-88064號(hào)公報(bào)、同55-88065號(hào)公報(bào)、同49-105537號(hào)公報(bào)、同55-51086號(hào)公報(bào)、同56-80051號(hào)公報(bào)、同56-88141號(hào)公報(bào)、同57-45545號(hào)公報(bào)、同54-112637號(hào)公報(bào)、同55-74546號(hào)公報(bào)等)、苯二胺衍生物(參閱美國(guó)專(zhuān)利第3,615,404號(hào)說(shuō)明書(shū)、特公昭51-10105號(hào)公報(bào)、同46-3712號(hào)公報(bào)、同47-25336號(hào)公報(bào)、特開(kāi)昭54-53435號(hào)公報(bào)、同54-110536號(hào)公報(bào)、同54-119925號(hào)公報(bào)等)、芳胺衍生物(參閱美國(guó)專(zhuān)利第3,567,450號(hào)說(shuō)明書(shū)、同第3,180,703號(hào)說(shuō)明書(shū)、同第3,240,597號(hào)說(shuō)明書(shū)、同第3,658,520號(hào)說(shuō)明書(shū)、同第4,232,103號(hào)說(shuō)明書(shū)、同第4,175,961號(hào)說(shuō)明書(shū)、同第4,012,376號(hào)說(shuō)明書(shū)、特公昭49-35702號(hào)公報(bào)、同39-27577號(hào)公報(bào)、特開(kāi)昭55-144250號(hào)公報(bào)、同56-119132號(hào)公報(bào)、同56-22437號(hào)公報(bào)、西德專(zhuān)利第1,110,518號(hào)說(shuō)明書(shū)等)、氨基取代查耳酮衍生物(參閱美國(guó)專(zhuān)利第3,526,501號(hào)說(shuō)明書(shū)等)、噁唑衍生物(美國(guó)專(zhuān)利第3,257,203號(hào)說(shuō)明書(shū)等中公開(kāi)的物質(zhì))、苯乙烯蒽衍生物(參閱特開(kāi)昭56-46234號(hào)公報(bào)等)、芴酮衍生物(參閱特開(kāi)昭54-110837號(hào)公報(bào)等)、腙衍生物(參閱美國(guó)專(zhuān)利第3,717,462號(hào)說(shuō)明書(shū)、特開(kāi)昭54-59143號(hào)公報(bào)、同55-52063號(hào)公報(bào)、同55-52064號(hào)公報(bào)、同55-46760號(hào)公報(bào)、同55-85495號(hào)公報(bào)、同57-11350號(hào)公報(bào)、同57-148749號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平2-311591號(hào)公報(bào)等)、茋衍生物(參閱特開(kāi)昭61-210363號(hào)公報(bào)、同第61-228451號(hào)公報(bào)、同61-14642號(hào)公報(bào)、同61-72255號(hào)公報(bào)、同62-47646號(hào)公報(bào)、同62-36674號(hào)公報(bào)、同62-10652號(hào)公報(bào)、同62-30255號(hào)公報(bào)、同60-93455號(hào)公報(bào)、同60-94462號(hào)公報(bào)、同60-174749號(hào)公報(bào)、同60-175052號(hào)公報(bào)等)、硅氨烷衍生物(美國(guó)專(zhuān)利第4,950,950號(hào)說(shuō)明書(shū))、聚硅烷類(lèi)(特開(kāi)平2-204996號(hào)公報(bào))、苯胺類(lèi)共聚物(特開(kāi)平2-282263號(hào)公報(bào))、特開(kāi)平1-211399號(hào)公報(bào)公開(kāi)的導(dǎo)電性高分子低聚物(特別是噻吩低聚物)等。
作為空穴注入/輸送層的材料可以使用上述的物質(zhì)，但是優(yōu)選使用卟啉化合物(特開(kāi)昭63-2956965號(hào)公報(bào)等公開(kāi)的物質(zhì))、芳香族叔胺化合物及苯乙烯胺化合物(參閱美國(guó)專(zhuān)利第4,127,412號(hào)說(shuō)明書(shū)、特開(kāi)昭53-27033號(hào)公報(bào)、同54-58445號(hào)公報(bào)、同54-149634號(hào)公報(bào)、同54-64299號(hào)公報(bào)、同55-79450號(hào)公報(bào)、同55-144250號(hào)公報(bào)、同56-119132號(hào)公報(bào)、同61-295558號(hào)公報(bào)、同61-98353號(hào)公報(bào)、同63-295695號(hào)公報(bào)等)，特別優(yōu)選使用芳香族叔胺化合物。
還可以例舉美國(guó)專(zhuān)利第5,061,569號(hào)所述的分子內(nèi)具有2個(gè)稠合芳香環(huán)的化合物，例如4，4’-雙(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯(以下縮寫(xiě)為NPD)，還有特開(kāi)平4-308688號(hào)公報(bào)所述的3個(gè)三苯基胺單元連結(jié)成了星爆(star burst)型的4，4’，4”-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)三苯基胺(以下縮寫(xiě)為MTDATA)等。
而且，除了作為發(fā)光層材料所示過(guò)的上述芳香族二亞甲基類(lèi)化合物以外，p型Si、p型SiC等無(wú)機(jī)化合物也可以用作空穴注入/輸送層的材料。
空穴注入/輸送層可以通過(guò)將本發(fā)明的芳香族胺衍生物用例如真空蒸鍍法、旋涂法、澆注法、LB法等公知的方法進(jìn)行薄膜化形成。作為空穴注入/輸送層的膜厚沒(méi)有特別限制，通常為5nm-5μm。該空穴注入/輸送層只要在空穴輸送區(qū)含有本發(fā)明的蒽衍生物，則可以由上述材料中的一種或兩種以上構(gòu)成的一層而構(gòu)成，也可以是將由不同于上述空穴注入/輸送層中的化合物的化合物構(gòu)成的空穴注入/輸送層層疊而成的。
另外，也可以設(shè)置有機(jī)半導(dǎo)體層作為幫助向發(fā)光層的空穴注入或電子注入的層，適宜使用具有10-10S/cm以上的電導(dǎo)率的物質(zhì)。作為這樣的有機(jī)半導(dǎo)體層的材料，可以使用含噻吩低聚物、特開(kāi)平8-193191號(hào)公報(bào)所述的含芳基胺低聚物等導(dǎo)電性低聚物，含芳基胺型樹(shù)枝狀高分子(デンドリマ一)等導(dǎo)電性樹(shù)枝狀高分子等。
(6)電子注入/輸送層 電子注入/輸送層是，有助于電子向發(fā)光層的注入，并將電子輸送至發(fā)光區(qū)的層，電子遷移率大，另外，粘著改善層是該電子注入層中由與陰極的粘著性特別好的材料組成的層。
另外，由于有機(jī)EL元件發(fā)出的光由電極(此時(shí)是陰極)進(jìn)行反射，所以直接從陽(yáng)極取出的發(fā)光和經(jīng)過(guò)電極反射取出的發(fā)光之間會(huì)產(chǎn)生干涉。為了有效地利用該干涉效果，電子輸送層的膜厚可在數(shù)nm-數(shù)μm內(nèi)適當(dāng)選擇，但是膜厚特別厚時(shí)，為了避免電壓升高，優(yōu)選在外加104～106V/cm的電場(chǎng)時(shí)電子遷移率至少為10-5cm2/Vs以上。
作為用于電子注入層的材料，8-羥基喹啉或其衍生物的金屬配位化合物、噁二唑衍生物是適宜的。作為上述8-羥基喹啉或其衍生物的金屬配位化合物具體例子，可以使用含喔星(一般為8-羥基喹啉)的螯合物的金屬螯合喔星化合物，例如可將三(8-羥基喹啉)合鋁用作電子注入材料。
另一方面，作為噁二唑衍生物，可列舉用下述通式表示的電子傳遞化合物。

(式中，Ar1，Ar2 Ar3，Ar5，Ar6，Ar9分別表示取代或未取代的芳基，分別可以相同或不同。另外，Ar4，Ar7，Ar8表示取代或未取代的亞芳基，分別可以相同或不同。) 在此，作為芳基，可列舉苯基、聯(lián)苯基、蒽基、苝基、芘基。另外，作為亞芳基，可列舉亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞蒽基、亞苝基、亞芘基等。另外，作為取代基可列舉碳原子數(shù)1～10的烷基、碳原子數(shù)1～10的烷氧基或氰基等。該電子傳遞化合物優(yōu)選薄膜形成性的物質(zhì)。
作為上述電子傳遞性化合物的具體例，可以例舉下述物質(zhì)。

另外，作為可用于電子注入層和電子輸送層的材料，也可以使用下述通式(A)-(F)表示的化合物。
用下式表示的含氮雜環(huán)衍生物；
(通式(A)和(B)中，A1～A3分別獨(dú)立地是氮原子或碳原子。
Ar1是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～60的芳基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為3～60的雜芳基，Ar2是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～60的芳基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為3～60的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～20的烷基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為1～20的烷氧基、或者它們的二價(jià)基。其中，Ar1和Ar2的任意一方為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為10～60的稠環(huán)基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為3～60的單雜稠環(huán)基。
L1、L2和L分別獨(dú)立地是單鍵、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～60的亞芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為3～60的雜亞芳基或者取代或未取代的亞芴基。
R為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～60的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為3～60的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～20的烷基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為1～20的烷氧基，n為0～5的整數(shù)，在n為2以上的情況下，多個(gè)R可以相同或不同，此外，相鄰的多個(gè)R基彼此可以結(jié)合，形成碳環(huán)式脂肪族環(huán)或碳環(huán)式芳香族環(huán)。) 用下述式表示的含氮雜環(huán)衍生物； HAr-L-Ar1-Ar2(C) (式中，HAr是可以具有取代基的碳原子數(shù)為3～40的含氮雜環(huán)，L是單鍵、可以具有取代基的碳原子數(shù)為6～60的亞芳基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為3～60的雜亞芳基或可以具有取代基的亞芴基，Ar1是可以具有取代基的碳原子數(shù)為6～60的2價(jià)芳香族烴基，Ar2是可以具有取代基的碳原子數(shù)為6～60的芳基、或可以具有取代基的碳原子數(shù)為3～60的雜芳基。) 用下述式表示的硅雜環(huán)戊二烯衍生物；
(式中，X和Y相互獨(dú)立，是碳原子數(shù)為1～6的飽和或不飽和的烴基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、羥基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)，或者X和Y相結(jié)合而形成飽和或不飽和的環(huán)的結(jié)構(gòu)，R1～R4分別獨(dú)立，表示氫原子、鹵原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為1～6的烷基、烷氧基、芳氧基、全氟代烷基、全氟代烷氧基、氨基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、偶氮基、烷基羰基氧基、芳基羰基氧基、烷氧基羰基氧基、芳氧基羰基氧基、亞磺酰基、磺?；?、氨磺?；?スルファニル)、甲硅烷基、氨基甲?；⒎蓟?、雜環(huán)基、烯基、炔基、硝基、甲?；喯趸?、甲酰氧基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基或者氰基，或者相鄰時(shí)取代或者未取代的環(huán)進(jìn)行稠合形成的結(jié)構(gòu)。) 用下述式表示的硼烷衍生物；
(式中，R1～R8和Z2分別獨(dú)立，表示氫原子、飽和或不飽和的烴基、芳香族基、雜環(huán)基、取代氨基、取代氧硼基、烷氧基或芳氧基，X、Y和Z1分別獨(dú)立，表示飽和或不飽和的烴基、芳香族基、雜環(huán)基、取代氨基、烷氧基或芳氧基，Z1和Z2的取代基可以相互結(jié)合而形成稠環(huán)，n表示1～3的整數(shù)，當(dāng)n為2以上時(shí)，Z1可以不同。其中，不包括n是1且X、Y和R2是甲基并且R8是氫原子或取代氧硼基的情況以及n為3且Z1為甲基的情況。)
[式中，Q1和Q2分別獨(dú)立，表示用下述通式(G)表示的配位基，L表示鹵原子、取代或者未取代的烷基、取代或者未取代的環(huán)烷基、取代或者未取代的芳基、取代或者未取代的雜環(huán)基、或者用-OR1(R1是氫原子、取代或者未取代的烷基、取代或者未取代的環(huán)烷基、取代或者未取代的芳基、取代或者未取代的雜環(huán)基)或-O-Ga-Q3(Q4)(Q3和Q4與Q1和Q2同義)表示的配位基。]
(式中，環(huán)A1和A2是可以具有取代基的相互稠合的六員芳環(huán)結(jié)構(gòu)。) 這種金屬配位化合物，作為n型半導(dǎo)體的性質(zhì)較強(qiáng)，電子注入能力大。進(jìn)而，形成配位化合物時(shí)的生成能量也低，所以形成的金屬配位化合物的金屬和配位基的鍵合性也變得牢固，作為發(fā)光材料的熒光量子效率也會(huì)增大。
如果列舉形成上述通式(G)的配位基的環(huán)A1和A2的取代基的具體例子，有氯、溴、碘、氟等鹵原子；甲基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂基、三氯甲基等取代或者未取代的烷基；苯基、萘基、3-甲基苯基、3-甲氧基苯基、3-氟苯基、3-三氯甲基苯基、3-三氟甲基苯基、3-硝基苯基等取代或者未取代的芳基；甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2，2，3，3-四氟丙氧基、1，1，1，3，3，3-六氟-2-丙氧基、6-(全氟乙基)己氧基等取代或者未取代的烷氧基；苯氧基、對(duì)硝基苯氧基、對(duì)叔丁基苯氧基、3-氟苯氧基、五氟苯基、3-三氟甲基苯氧基等取代或者未取代的芳氧基；甲硫基、乙硫基、叔丁基硫基、己基硫基、辛基硫基、三氟甲基硫基等取代或者未取代的烷硫基；苯硫基、對(duì)硝基苯硫基、對(duì)叔丁基苯硫基、3-氟苯硫基、五氟苯硫基、3-三氟甲基苯硫基等取代或者未取代的芳硫基；氰基、硝基、氨基、甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基等單或二取代氨基；雙(乙酰氧基甲基)氨基、雙(乙酰氧基乙基)氨基、雙(乙酰氧基丙基)氨基、雙(乙酰氧基丁基)氨基等?；被涣u基，甲硅烷氧基，酰基，甲基氨基甲?；?、二甲基氨基甲酰基、乙基氨基甲?；⒍一被柞；⒈被柞；⒍』被柞；⒈交被柞；劝被柞；?；羧酸基，磺酸基，亞氨基，環(huán)戊烷基、環(huán)己基等環(huán)烷基；苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等芳基；吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、吲哚基、喹啉基、吖啶基、吡咯烷基、二烷基、哌啶基、morpholidinyl基、哌嗪基、triathinyl基、咔唑基、呋喃基、硫苯基、唑基、二唑基、苯并唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、planyl基等雜環(huán)基等。另外，以上的取代基之間也可以通過(guò)結(jié)合進(jìn)一步形成六員芳環(huán)或者雜環(huán)。
作為本發(fā)明的有機(jī)EL元件的優(yōu)選形式，有在輸送電子的區(qū)域或者陰極和有機(jī)層的界面區(qū)域含有還原性摻雜劑的元件。在這里，所謂的還原性摻雜劑是指可以將電子輸送性化合物還原的物質(zhì)。因而，只要是具有一定的還原性的物質(zhì)都可以，可使用各種各樣的物質(zhì)，例如，可以適當(dāng)?shù)厥褂眠x自堿金屬、堿土類(lèi)金屬、稀土類(lèi)金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的鹵化物、堿土類(lèi)金屬的氧化物、堿土類(lèi)金屬的鹵化物、稀土類(lèi)金屬的氧化物、稀土類(lèi)金屬的鹵化物、堿金屬的有機(jī)配位化合物、堿土類(lèi)金屬的有機(jī)配位化合物和稀土類(lèi)金屬的有機(jī)配位化合物的至少一種物質(zhì)。
另外，更加具體地講，作為優(yōu)選的還原性摻雜劑，可列舉選自Na(功函數(shù)2.36eV)、K(功函數(shù)2.28eV)、Rb(功函數(shù)2.16eV)及Cs(功函數(shù)1.95eV)的至少一種堿金屬、選自Ca(功函數(shù)2.9eV)、Sr(功函數(shù)2.0-2.5eV)及Ba(功函數(shù)2.52eV)的至少一種堿土類(lèi)金屬，特別優(yōu)選功函數(shù)為2.9eV以下的物質(zhì)。這些物質(zhì)中，更優(yōu)選的還原性摻雜劑為選自由K、Rb及Cs構(gòu)成的一組中的至少一種堿金屬，進(jìn)一步優(yōu)選Rb或Cs，最優(yōu)選為Cs。這些堿金屬的還原能力特別高，通過(guò)向電子注入?yún)^(qū)域的比較少量的添加，可以提高有機(jī)EL元件中的發(fā)光亮度，延長(zhǎng)其壽命。另外，作為功函數(shù)為2.9eV以下的還原性摻雜劑，也優(yōu)選這些兩種以上的堿金屬的組合，特別優(yōu)選包含Cs的組合，例如Cs和Na、Cs和K、Cs和Rb或Cs和Na和K的組合。通過(guò)包含Cs進(jìn)行組合，可以有效地發(fā)揮其還原能力，通過(guò)向電子注入?yún)^(qū)域的添加，可以提高有機(jī)EL元件中的發(fā)光亮度，延長(zhǎng)其壽命。
本發(fā)明中可以在陰極和有機(jī)層之間進(jìn)一步設(shè)置由絕緣體或半導(dǎo)體構(gòu)成的電子注入層。此時(shí)，可以有效地防止電流的泄漏，提高電子注入性。作為這樣的絕緣體，優(yōu)選使用由堿金屬硫?qū)倩衔?、堿土類(lèi)金屬硫?qū)倩衔?、堿金屬的鹵化物及堿土類(lèi)金屬的鹵化物構(gòu)成的一組中的至少一種金屬化合物。電子注入層只要是由這些堿金屬硫?qū)倩衔锏葮?gòu)成的，就可以進(jìn)一步提高電子注入性，故優(yōu)選。具體來(lái)講，作為優(yōu)選的堿金屬硫?qū)倩衔?，可列舉例如Li2O、LiO、Na2S、Na2Se及NaO，作為優(yōu)選的堿土類(lèi)金屬硫?qū)倩衔?，可列舉例如CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及CaSe。另外，作為優(yōu)選的堿金屬的鹵化物，可列舉例如LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及NaCl等。另外，作為優(yōu)選的堿土類(lèi)金屬的鹵化物，可列舉例如CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及BeF2等氟化物和氟化物以外的鹵化物。
另外，構(gòu)成電子輸送層的半導(dǎo)體，可列舉例如包含Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn的至少一種元素的氧化物、氮化物或氮氧化物等的單獨(dú)一種或兩種以上的組合。另外，構(gòu)成電子輸送層的無(wú)機(jī)化合物，優(yōu)選微結(jié)晶或非晶質(zhì)的絕緣性薄膜。電子輸送層只要是由這些絕緣性薄膜構(gòu)成的，由于可以形成更均勻的薄膜，因此，可以減少黑點(diǎn)等像素缺陷。另外，作為這樣的無(wú)機(jī)化合物，可列舉例如上述的堿金屬硫?qū)倩衔?、堿土類(lèi)金屬硫?qū)倩衔?、堿金屬的鹵化物及堿土類(lèi)金屬的鹵化物等。
(7)陰極 作為陰極，為了將電子注入到電子注入/輸送層或者發(fā)光層，使用功函數(shù)小的(4eV以下)金屬、合金、導(dǎo)電性化合物或這些的混合物作為電極物質(zhì)。作為這種電極物質(zhì)的具體例子，可列舉鈉、鈉-鉀合金、鎂、鋰、鎂-銀合金、鋁/氧化鋁、鋁-鋰合金、銦、稀土金屬等。
該陰極可以通過(guò)將這些電極物質(zhì)用蒸鍍法或?yàn)R射法等方法形成薄膜來(lái)制備。
其中，當(dāng)從陰極取出發(fā)光層發(fā)出的光時(shí)，優(yōu)選陰極的光透過(guò)率大于10％。
還優(yōu)選陰極的片材電阻率為數(shù)百Ω/□以下，膜厚通常為10nm-1μm，優(yōu)選50-200nm。
(8)絕緣層 由于對(duì)超薄薄膜施加電場(chǎng)，有機(jī)EL元件易因漏電和短路而產(chǎn)生象素缺陷。為了防止形成這些缺陷，優(yōu)選在電極對(duì)之間插入絕緣薄膜層。
作為用于絕緣層的材料，可列舉例如氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氮化鋁、二氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕或氧化釩等，還可使用它們的混合物和層疊材料。
(9)有機(jī)EL元件的制造方法 通過(guò)用上述列舉的材料和形成方法形成陽(yáng)極、發(fā)光層、根據(jù)需要設(shè)置的空穴注入/輸送層以及根據(jù)需要設(shè)置的電子注入/輸送層，進(jìn)而形成陰極，可以制作有機(jī)EL元件。也可采用從陰極到陽(yáng)極的、與上述相反的順序，制作有機(jī)EL元件。
下面，記載了在透光性基板上依次設(shè)置陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極的結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL元件的制作例。
首先，在合適的透光性基板上采用蒸鍍法或?yàn)R射法等方法形成由陽(yáng)極材料組成的薄膜，使得所形成的薄膜厚度為1μm以下，優(yōu)選為10-200nm，從而制作陽(yáng)極。接著，在該陽(yáng)極上設(shè)置空穴注入層?？刹捎萌缟纤龅恼婵照翦兎?、旋涂法、澆鑄法、LB法等方法形成空穴注入層，但是從易得到均勻的薄膜且難以形成針孔等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選用真空蒸鍍法形成。當(dāng)采用真空蒸鍍法形成空穴注入層時(shí)，該蒸鍍條件根據(jù)使用的化合物(空穴注入層的材料)、作為目標(biāo)的空穴注入層的晶體結(jié)構(gòu)和復(fù)合結(jié)構(gòu)等的不同而不同，但通常優(yōu)選適當(dāng)?shù)卦谝韵路秶鷥?nèi)選擇蒸鍍?cè)吹臏囟?0-450℃、真空度10-7-10-3乇、蒸鍍速率0.01-50nm/s、基板溫度-50℃至300℃、膜厚5nm-5μm。
隨后，在空穴注入層上設(shè)置發(fā)光層，所述發(fā)光層的形成也可以通過(guò)使用所希望的有機(jī)發(fā)光材料采用真空蒸鍍法、濺射法、旋涂法、澆注法等方法將有機(jī)發(fā)光材料薄膜化來(lái)制備，但是從易得到均勻的薄膜且難以形成針孔等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選用真空蒸鍍法形成。當(dāng)采用真空蒸鍍法形成發(fā)光層時(shí)，該蒸鍍條件根據(jù)使用的化合物的不同而不同，通?？蛇x擇與空穴注入層相同的條件范圍。
接著，在該發(fā)光層上設(shè)置電子注入層。與空穴注入層和發(fā)光層相同，為了得到均勻的薄膜，優(yōu)選采用真空蒸鍍法形成所述電子注入層。蒸鍍條件可選擇與空穴注入層、發(fā)光層相同的條件范圍。
本發(fā)明的芳香族胺衍生物使用方法隨含于發(fā)光區(qū)和空穴輸送區(qū)中的哪一層而不同，在使用真空蒸鍍法時(shí)可以與其它材料同時(shí)蒸鍍。另外，使用旋涂法時(shí)，可以與其它材料混合而含有。
最后層疊陰極，可以制得有機(jī)EL元件。
陰極由金屬構(gòu)成，可采用蒸鍍法、濺射法形成。但是，為了使底層的有機(jī)物層免于制膜時(shí)的損傷，優(yōu)選使用真空蒸鍍法。
該有機(jī)EL元件的制作優(yōu)選在一次抽真空之后，連續(xù)地從陽(yáng)極制備至陰極。
本發(fā)明的有機(jī)EL元件的各層的形成方法沒(méi)有特別限定?？墒褂靡酝恼婵照翦兎?、旋涂法等形成方法?？刹捎靡韵鹿姆椒ㄐ纬捎糜诒景l(fā)明有機(jī)EL元件的包含本發(fā)明上述通式(1)表示的混合物的有機(jī)薄膜層，所述方法為真空蒸鍍法、分子束蒸鍍法(MBE法)或者將溶解于溶劑而成的溶液用浸涂法、旋涂法、澆鑄法、棒涂法、輥涂法等涂布的方法等。
本發(fā)明的有機(jī)EL元件的各有機(jī)層的膜厚沒(méi)有特別限定，通常膜厚過(guò)薄時(shí)，易產(chǎn)生針孔等缺陷，相反過(guò)厚時(shí)，需要施加高電壓，導(dǎo)致效率下降，因此通常優(yōu)選膜厚為數(shù)nm-1μm。
另外，當(dāng)向有機(jī)EL元件施加直流電壓時(shí)，通過(guò)使陽(yáng)極的極性為正極，使陰極的極性為負(fù)極，施加5-40V電壓時(shí)，可以觀察到發(fā)光。另外，以相反的極性即使施加電壓也不會(huì)流過(guò)電流，根本不發(fā)光。此外，施加交流電壓時(shí)，只有在陽(yáng)極的極性為正，而陰極的極性為負(fù)時(shí)，才能觀察到均勻的發(fā)光。施加的交流電的波形可以是任意的。
實(shí)施例 下面，利用實(shí)施例更加詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。
合成例1(中間體1、中間體2的合成) 將間三聯(lián)苯250g(ァルドリツチ社制)、氫碘酸·二水合物50g、碘75g、醋酸750ml和濃硫酸25ml裝入三口燒瓶中，在70℃下反應(yīng)3小時(shí)。反應(yīng)后，注入甲醇5L，然后攪拌1小時(shí)。將其濾出，將得到的晶體使用柱色譜法精制，用乙腈重結(jié)晶，獲得下述3’-苯基-4-碘聯(lián)苯64g(中間體1)和下述3-苯基-5-碘聯(lián)苯17g(中間體2)。
合成例2(中間體3的合成) 在氬氣流下，在1000ml的三口燒瓶中加入2-溴芴50g(東京化成社制)、二甲基亞砜(DMSO)100ml、芐基三乙基氯化銨0.95g(廣島和光社制)和50重量％的氫氧化鈉水溶液65g。
將該反應(yīng)容器裝入水浴中，邊攪拌邊加入1，5-二溴戊烷44g(廣島和光社制)。
反應(yīng)5小時(shí)后加入1000ml的水，用甲苯500ml進(jìn)行萃取。將有機(jī)層用硫酸鎂干燥，用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器餾出溶劑，獲得56g油狀的下述中間體3。
合成例3(中間體4的合成) 除了在合成例2中，使用1，6-二溴己烷47g(廣島和光社制)代替1，5-二溴戊烷以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得49g油狀的下述中間體4。
合成例4(中間體5的合成) 在氬氣流下，在300ml的三口燒瓶中加入2-萘硼酸7.1g、4-碘溴苯12.9g、Pd(PPh3)4(Ph是苯基)0.6g、2M的Na2CO3溶液60ml、二甲氧基乙烷60ml，然后回流8小時(shí)。將反應(yīng)液用甲苯/水進(jìn)行萃取，用無(wú)水硫酸鈉干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗生成物進(jìn)行柱精制，從而獲得8.0g白色粉末的下述中間體5。
合成例5(中間體6的合成) 在氬氣流下，在500ml的三口燒瓶中加入35.6g中間體1、脫水乙醚80ml和脫水甲苯80ml。在-30℃下投入n-BuLi/己烷溶液120ml，在0℃下反應(yīng)1小時(shí)。冷卻至-70℃，投入70ml的B(OiPr)3(iPr是異丙基)，慢慢地升溫至室溫并攪拌1小時(shí)。將加入10％鹽酸80ml形成的溶液用醋酸乙酯/水進(jìn)行萃取，然后用無(wú)水硫酸鈉干燥。將溶液濃縮，用己烷進(jìn)行洗滌，從而獲得硼酸化合物21.4g。
在氬氣流下，在500ml的三口燒瓶中加入上述得到的硼酸化合物21.4g、4-碘溴苯18.6g、Pd(PPh3)43.8g、2M的Na2CO3溶液100ml、二甲氧基乙烷160ml，然后回流8小時(shí)。將反應(yīng)液用甲苯/水進(jìn)行萃取，用無(wú)水硫酸鈉干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗生成物進(jìn)行柱精制，從而獲得15.0g白色粉末的下述中間體6。
合成例6(中間體7的合成) 在氬氣流下，在200ml的三口燒瓶中加入苯甲酰胺(東京化成社制)5.7g、4-溴聯(lián)苯(東京化成社制)10g、碘化銅(I)(廣島和光社制)0.82g、N，N’-二甲基乙二胺(ァルドリツチ社制)0.76g、碳酸鉀(廣島和光社制)11.8g和二甲苯60ml，在130℃下反應(yīng)36小時(shí)。
冷卻后，過(guò)濾并用甲苯洗滌。再用水和甲醇洗滌，然后干燥，結(jié)果獲得10.5g淡黃色粉末的下述中間體7。
合成例7(中間體8的合成) 除了在合成例6中，使用15.2g中間體2代替10g的4-溴聯(lián)苯以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得16.1g白色粉末的下述中間體8。
合成例8(中間體9的合成) 在氬氣流下，在300ml的三口燒瓶中加入21.0g中間體8、4-溴聯(lián)苯(東京化成社制)16.8g、碘化銅(I)(廣島和光社制)1.14g、N，N’-二甲基乙二胺(ァルドリツチ社制)1.06g、碳酸鉀(廣島和光社制)20.0g和二甲苯100ml，在130℃下反應(yīng)36小時(shí)。
冷卻后，過(guò)濾并用甲苯洗滌。再用水和甲醇洗滌，然后干燥，結(jié)果獲得14.0g淡黃色粉末。
在300ml的三口燒瓶中加入上述粉末18.0g、氫氧化鉀(廣島和光社制)15.1g、離子交換水13ml、二甲苯(廣島和光社制)17ml、C2H5OH(廣島和光社制)9ml，回流36小時(shí)。反應(yīng)結(jié)束后，用甲苯進(jìn)行萃取，用硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗生成物進(jìn)行柱精制。用甲苯進(jìn)行重結(jié)晶，將其濾出，然后干燥，結(jié)果獲得9.0g白色粉末的下述中間體9。
合成例9(中間體10的合成) 除了在合成例8中，使用25.6g中間體1代替16.8g的4-溴聯(lián)苯(東京化成社制)以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得8.6g白色粉末的下述中間體10。
合成例10(中間體11的合成) 除了在合成例8中，使用4-溴-對(duì)-三聯(lián)苯(東京化成社制)22.3g代替16.8g的4-溴聯(lián)苯(東京化成社制)以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得8.1g白色粉末的下述中間體11。
合成例11(中間體12的合成) 除了在合成例8中，使用21.5g中間體3代替16.8g的4-溴聯(lián)苯(東京化成社制)以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得10.3g白色粉末的下述中間體12。
合成例12(中間體13的合成) 除了在合成例8中，使用22.5g中間體4代替16.8g的4-溴聯(lián)苯(東京化成社制)以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得8.2g白色粉末的下述中間體13。
合成例13(中間體14的合成) 除了在合成例8中，使用2-溴-9，9-二甲基芴18.0g代替16.8g的4-溴聯(lián)苯(東京化成社制)以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得10.1g白色粉末的下述中間體14。
合成例14(中間體15的合成) 除了在合成例8中，使用20.4g中間體5代替16.8g的4-溴聯(lián)苯(東京化成社制)以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得7.3g白色粉末的下述中間體15。
合成例15(中間體16的合成) 除了在合成例8中，使用中間體7代替中間體8、使用27.7g中間體6代替16.8g的4-溴聯(lián)苯(東京化成社制)以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得11.2g白色粉末的下述中間體16。

中間體1 中間體2 中間體3中間體4
中間體5中間體6 中間體7中間體8
中間體9中間體10中間體11 中間體12
中間體13 中間體14中間體15 中間體16 合成實(shí)施例1(化合物H1的合成) 在氬氣流下，加入4，4’-二碘聯(lián)苯3.2g、7.0g中間體9、叔丁醇鈉4.0g(廣島和光社制)、雙(三苯基膦)氯化鈀(II)0.66g(東京化成社制)和脫水二甲苯300ml，在130℃下反應(yīng)24小時(shí)。
冷卻后，加入水500ml，將混合物進(jìn)行硅藻土(celite)過(guò)濾，將濾液用甲苯萃取，用無(wú)水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將得到的粗生成物進(jìn)行柱精制，用甲苯進(jìn)行重結(jié)晶，將其濾出，然后干燥，結(jié)果獲得5.8g淡黃色粉末。經(jīng)FD-MS(場(chǎng)解離質(zhì)譜)分析，相對(duì)于C72H52N2＝944，獲得m/z＝944的主峰，所以鑒定為是上述化合物H1。
合成實(shí)施例2(化合物H2的合成) 除了在合成實(shí)施例1中，使用8.3g中間體10代替中間體9以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得6.5g淡黃色粉末。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C84H60N2＝1096，獲得m/z＝1096的主峰，所以鑒定為是上述化合物H2。
合成實(shí)施例3(化合物H3的合成) 除了在合成實(shí)施例1中，使用8.3g中間體11代替中間體9以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得7.1g淡黃色粉末。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C84H60N2＝1096，獲得m/z＝1096的主峰，所以鑒定為是上述化合物H3。
合成實(shí)施例4(化合物H4的合成) 除了在合成實(shí)施例1中，使用7.9g中間體12代替中間體9以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得6.2g淡黃色粉末。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C82H64N2＝1076，獲得m/z＝1076的主峰，所以鑒定為是上述化合物H4。
合成實(shí)施例5(化合物H5的合成) 除了在合成實(shí)施例1中，使用8.2g中間體13代替中間體9以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得6.8g淡黃色粉末。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C84H68N2＝1104，獲得m/z＝1104的主峰，所以鑒定為是上述化合物H5。
合成實(shí)施例6(化合物H6的合成) 除了在合成實(shí)施例1中，使用7.7g中間體14代替中間體9以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得5.8g淡黃色粉末。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C78H60N2＝1024，獲得m/z＝1024的主峰，所以鑒定為是上述化合物H6。
合成實(shí)施例7(化合物H7的合成) 除了在合成實(shí)施例1中，使用7.9g中間體15代替中間體9以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得7.1g淡黃色粉末。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C80H56N2＝1044，獲得m/z＝1044的主峰，所以鑒定為是上述化合物H7。
合成實(shí)施例8(化合物H8的合成) 除了在合成實(shí)施例1中，使用8.3g中間體16代替中間體9以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得6.4g淡黃色粉末。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C84H60N2＝1096，獲得m/z＝1096的主峰，所以鑒定為是上述化合物H8。
合成實(shí)施例9(化合物H9的合成) 除了在合成實(shí)施例1中，使用4，4’-二溴三聯(lián)苯3.1g代替4，4’-二碘聯(lián)苯以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得6.0g淡黃色粉末。通過(guò)FD-MS分析，相對(duì)于C78H56N2＝1020，獲得m/z＝1020的主峰，所以鑒定為是上述化合物H9。
實(shí)施例1(有機(jī)EL元件的制造) 將25mm×75mm×1.1mm厚的帶有ITO透明電極的玻璃基板(吉奧馬德克(ジオマテイツク)社制)在異丙醇中進(jìn)行超聲波洗滌5分鐘，然后進(jìn)行UV臭氧洗滌30分鐘。
將洗滌后的帶有透明電極線的玻璃基板裝在真空蒸鍍裝置的基板架上，首先在形成有透明電極線的一側(cè)的表面上按照覆蓋上述透明電極的方式使膜厚60nm的下述化合物H232成膜。該H232膜具有空穴注入層的作用。在該H232膜上使作為空穴輸送材料的膜厚20nm的上述化合物H1層成膜。該膜具有空穴輸送層的作用。再將膜厚40nm的下述化合物EM1蒸鍍成膜。同時(shí)將作為發(fā)光分子的下述具有苯乙烯基的胺化合物D1按照EM1和D1的重量比為40∶2的方式進(jìn)行蒸鍍。該膜具有發(fā)光層的作用。
在該膜上使膜厚10nm的下述Alq膜成膜。其具有電子注入層的作用。然后，使作為還原性摻雜劑的Li(Li源(沙司哥特(サエスゲツタ一)社制)和Alq進(jìn)行二元蒸鍍，形成作為電子注入層(陰極)的Alq:Li膜(膜厚為10nm)。在該Alq:Li膜上使金屬Al蒸鍍形成金屬陰極，從而形成有機(jī)EL元件。
對(duì)得到的有機(jī)EL元件，測(cè)量發(fā)光效率，觀察發(fā)光色。測(cè)量發(fā)光效率時(shí)，應(yīng)用米諾盧特(ミノルタ)制CS1000測(cè)量亮度，計(jì)算10mA/cm2下的發(fā)光效率。另外，測(cè)量初始亮度5000nit、室溫、DC恒電流驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的半衰期，結(jié)果如表1所示。

實(shí)施例2-9(有機(jī)EL元件的制造) 除了在實(shí)施例1中，使用表1記載的化合物代替化合物H1作為空穴輸送材料以外，相同地制作有機(jī)EL元件。
對(duì)得到的有機(jī)EL元件，測(cè)量發(fā)光效率，觀察發(fā)光色，另外，測(cè)量初始亮度5000nit、室溫、DC恒電流驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的半衰期，結(jié)果如表1所示。
比較例1-4 除了在實(shí)施例1中，使用比較化合物1(比較例1)、比較化合物2(比較例2)、比較化合物3(比較例3)、比較化合物4(比較例4)代替化合物H1作為空穴輸送材料以外，相同地制作有機(jī)EL元件。其中，比較化合物3和比較化合物4蒸鍍時(shí)發(fā)生結(jié)晶化，未能制作成元件。
對(duì)得到的有機(jī)EL元件，測(cè)量發(fā)光效率，觀察發(fā)光色，另外，測(cè)量初始亮度5000nit、室溫、DC恒電流驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的半衰期，結(jié)果如表1所示。

比較化合物1 比較化合物2
比較化合物3 比較化合物4 表1 實(shí)施例10(有機(jī)EL元件的制造) 除了在實(shí)施例1中，使用下述芳胺化合物D2代替具有苯乙烯基的胺化合物D1以外，相同地制作有機(jī)EL元件。Me是甲基。
對(duì)得到的有機(jī)EL元件，測(cè)量發(fā)光效率，結(jié)果是5.2cd/A，發(fā)光色是藍(lán)色。另外，測(cè)量初始亮度5000nit、室溫、DC恒電流驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的半衰期，結(jié)果是430小時(shí)。

比較例5 除了在實(shí)施例10中，使用上述比較化合物1代替化合物H1作為空穴輸送材料以外，相同地制作有機(jī)EL元件。
對(duì)得到的有機(jī)EL元件，測(cè)量發(fā)光效率，結(jié)果是4.9cd/A，發(fā)光色是藍(lán)色。另外，測(cè)量初始亮度5000nit、室溫、DC恒電流驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的半衰期，結(jié)果是270小時(shí)。
由以上的結(jié)果可以判斷，將本發(fā)明的芳香族胺衍生物用于有機(jī)EL元件的空穴輸送材料時(shí)，不僅可以使其以與公知的材料同等的發(fā)光效率發(fā)光，而且蒸鍍時(shí)也不會(huì)發(fā)生結(jié)晶化，對(duì)延長(zhǎng)有機(jī)EL元件的壽命非常有效。
工業(yè)上的可利用性 如上所述，本發(fā)明的芳香族胺衍生物由于空間阻礙性高，分子間的相互作用小，所以可以抑制結(jié)晶化，提高制備有機(jī)EL元件的合格率，得到保持高發(fā)光效率的同時(shí)壽命長(zhǎng)的有機(jī)EL元件。
權(quán)利要求
1.一種芳香族胺衍生物，其結(jié)構(gòu)如下述通式(1)所示，
通式(1)中，R1-R6分別獨(dú)立地表示取代或未取代的碳原子數(shù)為1-10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1-10的烷氧基、或者取代或未取代的苯基，R7是取代或未取代的碳原子數(shù)為1-10的烷基或者取代或未取代的碳原子數(shù)為1-10的烷氧基，
a、b、d、e和g分別是0-4的整數(shù)，c和f分別是0-5的整數(shù)，m是1-3的整數(shù)，
Ar1和Ar2是下述通式(2)、(3)或者(4)所示的基團(tuán)，
通式(2)中，R8表示取代或未取代的碳原子數(shù)為1-10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1-10的烷氧基、或者取代或未取代的苯基，Ar3是取代或未取代的苯基、取代或未取代的α-萘基、取代或未取代的β-萘基、或者取代或未取代的鄰-，間-或?qū)?聯(lián)苯基，結(jié)合位置是鄰位或間位，n是0-4的整數(shù)，
通式(3)中，R9和R10分別獨(dú)立地表示取代或未取代的碳原子數(shù)為1-10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1-10的烷氧基、或者取代或未取代的苯基，Ar4是取代或未取代的苯基，結(jié)合位置是鄰位或?qū)ξ唬琲和j分別是0-4的整數(shù)，
通式(4)中，R11和R12分別獨(dú)立地表示取代或未取代的碳原子數(shù)為1-10的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1-10的烷氧基、或者取代或未取代的苯基，p是0-3的整數(shù)，q是0-4的整數(shù)，R13和R14分別獨(dú)立地表示單鍵、氫原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為1-6的烷基、或者下述通式(5)所示的基團(tuán)，r是1-2的整數(shù)，
-(CR15R16)s-(5)
通式(5)中，R15和R16分別獨(dú)立地表示氫原子、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為1-6的烷基，s是3-6的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(1)中，Ar1和Ar2的環(huán)碳原子數(shù)分別獨(dú)立地為7-17。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(1)中，Ar1和Ar2都是對(duì)-聯(lián)苯基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(1)中，b和e分別為1，R2和R5均為苯基。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(1)中，b和e分別為1，R2和R5均為苯基且結(jié)合位置是其間位。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(2)中，Ar3是取代或未取代的α-萘基或者取代或未取代的β-萘基。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(2)中，Ar3是取代或未取代的α-萘基且其結(jié)合位置是對(duì)位。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(2)中，Ar3的結(jié)合位置是間位，n是1，R8是苯基且其結(jié)合位置是間位。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(3)中，Ar4的結(jié)合位置是對(duì)位。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(4)中，r是1。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其是有機(jī)電致發(fā)光元件用材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其是有機(jī)電致發(fā)光元件用空穴輸送材料。
13.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其中在陰極和陽(yáng)極間挾持有至少含有發(fā)光層的由一層或多層組成的有機(jī)薄膜層，該有機(jī)薄膜層的至少一層中單獨(dú)或者作為混合物的成分含有權(quán)利要求1記載的芳香族胺衍生物。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述有機(jī)薄膜層具有空穴輸送層，該空穴輸送層中單獨(dú)或者作為混合物的成分含有權(quán)利要求1記載的芳香族胺衍生物。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述發(fā)光層中含有芳胺化合物和/或苯乙烯胺化合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其進(jìn)行藍(lán)色系發(fā)光。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有間三聯(lián)苯基的特定結(jié)構(gòu)的新的芳香族胺衍生物、以及一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其中在陰極和陽(yáng)極間挾持有至少含有發(fā)光層的由一層或多層組成的有機(jī)薄膜層，該有機(jī)薄膜層的至少一層中單獨(dú)或者作為混合物的成分含有上述芳香族胺衍生物。根據(jù)本發(fā)明可以提供一種壽命長(zhǎng)的有機(jī)電致發(fā)光元件以及實(shí)現(xiàn)該元件的芳香族胺衍生物。
文檔編號(hào)C07C211/54GK101155774SQ20068001026
公開(kāi)日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2006年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月30日
發(fā)明者藪內(nèi)伸浩, 川村久幸, 細(xì)川地潮 申請(qǐng)人:出光興產(chǎn)株式會(huì)社