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      導(dǎo)電高分子單體的合成方法

      文檔序號(hào):3572589閱讀:323來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:導(dǎo)電高分子單體的合成方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明是關(guān)于一種導(dǎo)電高分子單體的合成方法,特別是關(guān)于一種制備高
      純度3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-ethylenedioxythiophene, EDT)的導(dǎo)電高分子單體 的合成方法。
      背景技術(shù)
      1958年,納塔(Natta)利用含鋁及鈦的有機(jī)物為觸媒,亦即所謂的齊格-納塔(Ziegler-Natta)觸媒,將乙炔氣體聚合成為聚乙炔(polyacetylene, PA)。當(dāng) 時(shí)他己發(fā)覺(jué)此共軛高分子具有導(dǎo)電性,但并未繼續(xù)深入研究。在1970年代初 期,任教于東京工業(yè)大學(xué)的日本化學(xué)家白川英樹(shù)(Hideki Shimkawa)博士的 韓國(guó)學(xué)生誤將觸媒用量多加1000倍,得到銀白色的順式聚乙炔(cis-PA)薄膜, 若在真空或惰性氣體中加熱此薄膜,順式聚乙炔將轉(zhuǎn)變?yōu)榻瘘S色的反式聚乙 炔(trans-PA)。當(dāng)時(shí)他并不知悉此膜可做為導(dǎo)電體。
      2000年日本化學(xué)家白川英樹(shù)、美國(guó)化學(xué)家麥克戴密(Alan G. MacDiarmid) 及物理學(xué)家希格(Alan J. Heeger)發(fā)現(xiàn)若將聚乙炔(PA)曝露于碘蒸氣中進(jìn)行氧 化反應(yīng)處理,聚乙炔(PA)的導(dǎo)電度將大幅提升近十億(109)倍,因而獲頒諾貝 爾化學(xué)獎(jiǎng)。這三位科學(xué)家在導(dǎo)電高分子的發(fā)現(xiàn)及發(fā)展上有革命性的貢獻(xiàn),并引導(dǎo)工業(yè)上實(shí)用化的進(jìn)展。他們的研究改變了一般人將高分子(塑料)視為絕 緣體的印象,導(dǎo)電高分子可同時(shí)具有半導(dǎo)體及導(dǎo)體的特性。此后,在國(guó)際上
      對(duì)導(dǎo)電高分子的研究即快速成長(zhǎng),并發(fā)現(xiàn)了許多新而重要的應(yīng)用。
      近年來(lái),由于導(dǎo)電高分子材料的快速發(fā)展,使得一般利用金屬材料的電 子與信息產(chǎn)品能進(jìn)一步朝向更輕薄短小的方向發(fā)展。因?yàn)閷?dǎo)電高分子具備特
      殊的光電特性,故其應(yīng)用領(lǐng)域極為廣泛,例如(l)發(fā)光二極管(Light-emitting diode, LED); (2)場(chǎng)效晶體管(Field effect transistor, FET); (3)電致變色組件 (Electrochromic); (4)可反復(fù)充放電電池;(5)太陽(yáng)能電池;(6)生醫(yī)傳感器;(7) 固態(tài)電容器(Solid capacitor);及(8)抗靜電及電磁波遮蔽涂布(EMI shielding)等。
      在過(guò)去的30年里, 一些有用的導(dǎo)電高分子己經(jīng)成功的被開(kāi)發(fā)出來(lái),例如 聚苯胺(polyaniline)、聚吡咯(polypyrrolidone)及聚噻吩(polythiophene)等。其 中,噻吩(thiophene)為聚噻吩的單體,是較早期的材料,其缺點(diǎn)為溶解度低 且顏色深暗,不利于加工與應(yīng)用。
      在1980年代后期,德國(guó)拜耳(Bayer)公司成功的發(fā)展出一種新的聚噻吩 衍生物,亦即聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene),PEDT)。 其中,3,4-乙烯二氧噻吩(EDT)則為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)的單體??茖W(xué)家最初 發(fā)現(xiàn)PEDT是一種不溶于水的高分子聚合物,然而它呈現(xiàn)一些獨(dú)特的特性, 例如具有非常高的電導(dǎo)率(300S/cm)及薄膜透明度,且不容易被氧化等。 由于PEDT及其衍生物具有良好的導(dǎo)電特性,因此在固體電解電容器、塑料 抗靜電涂層及照相膠巻涂層等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
      就電容器的領(lǐng)域而言,傳統(tǒng)的鋁電解電容器受限于液態(tài)電解液的特性而存在著數(shù)種缺點(diǎn),例如(l)電容量易受使用時(shí)周圍溫度及濕度的影響而變化, 以致于穩(wěn)定性不佳;(2)電容器會(huì)隨著累積使用時(shí)間而退化、壽命有限;(3)
      電容器中存在著電阻損失(resistance loss)和介質(zhì)損失(dielectric loss)現(xiàn)象,會(huì) 消耗電力轉(zhuǎn)變成熱,而使溫度上升,加速電容器的劣化;及(4)高頻特性差、 呈現(xiàn)電感性,以致于限制此類電容器在高頻線路上的使用。因此,新世代的 鋁電解電容器開(kāi)始采用具有高導(dǎo)電度及優(yōu)異熱穩(wěn)定性的導(dǎo)電高分子材料作為 固態(tài)電解質(zhì),以代替?zhèn)鹘y(tǒng)式鋁電解電容器內(nèi)的電解液,其大幅改善傳統(tǒng)液態(tài) 鋁電解電容器的缺點(diǎn),并展現(xiàn)出極為優(yōu)異的電器特性與可靠度,例如導(dǎo)電 性高分子固態(tài)鋁電解電容器的漣波電流承受力約為同規(guī)格的傳統(tǒng)液態(tài)鋁電解 電容器的10倍,且不受溫度的影響;電容器的高頻阻抗不及傳統(tǒng)電容器的一 半,同時(shí)具備極為優(yōu)異的使用壽命。因此,導(dǎo)電性高分子鋁固態(tài)電解電容器 已成為下一世代固態(tài)電解電容器的開(kāi)發(fā)主流,導(dǎo)電性高分子固態(tài)電容器也成 為尖端先進(jìn)的電容器代名詞。
      2003年頒予拜耳公司的美國(guó)公告第6,528,662號(hào)發(fā)明專利則公開(kāi)一種 3,4-烯基二氧噻吩-2,5- 二羧酸衍生物(3,4-alkylenedioxythiophene -2,5-dicarboxylic acid derivatives)的制備方法,其中3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二 羧酸衍生物則是經(jīng)由亞硫基二乙酸二酯(thiodiacetic acid diesters)與草酸二酯 (oxalic acid diesters)形成 3,4- 二羥基噻吩-2,5- 二羧酸酯 (3,4-dihydroxythiophene國(guó)2,5畫(huà)dicarboxylic acid esters), 再禾U用二卣烷基 (dihaloalkanes,例如二氯乙烷dichloroethane)得到3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧 酸酉旨(3,4畫(huà)alkylenedioxythiophene-2,5-dicarboxylic acid esters),最后纟圣由酸4t反 應(yīng)獲得3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸。再者,2002年頒予拜耳公司的美國(guó)公告第6,369,239號(hào)發(fā)明專利公開(kāi)一 種二垸基噻吩(dialkylthiophenes)及烯基二氧噻吩(alkylenedioxythiophenes)的 制備方法,其中3,4-二垸氧基噻吩或3,4-烯基二氧噻吩是利用3,4-二烷氧基 -2,5-噻吩二羧酸(3,4-(^11 丫-2,541^0 1^1^(1^31^0乂^^ acid)或3,4-烯基二氧 畫(huà)2,5陽(yáng)噻吩二羧酸(3,4-alkylenedioxy-2,5畫(huà)thiophenedicarboxylic acid)于高沸點(diǎn)溶 劑中,經(jīng)由脫羧反應(yīng)所合成者。此高沸點(diǎn)溶劑的沸點(diǎn)需比脫羧反應(yīng)后的產(chǎn)物 (3,4-二垸氧基噻吩或3,4-烯基二氧噻吩)為高,且不屬于苯胺類(aromatic amine) 化合物。
      如上所述,結(jié)合該第6,528,662號(hào)及第6,369,239號(hào)的發(fā)明專利的制備過(guò) 程可用以制備3,4-乙烯二氧噻吩。然而,在該第6,528,662號(hào)發(fā)明專利的制備 過(guò)程中,其必需使用二鹵垸基(例如二氯乙烷)制備中間產(chǎn)物(3,4-烯基二氧噻 吩-2,5-二羧酸酯),以致于其最終產(chǎn)物(3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸)或其后續(xù) 產(chǎn)物(二垸基噻吩)可能含有殘留的鹵素反應(yīng)物,其無(wú)法符合日趨嚴(yán)格的環(huán)保 法規(guī)的有毒物質(zhì)含量規(guī)定。再者,上述使用二鹵烷基制備中間產(chǎn)物的步驟必 需在80至125-C的溫度下進(jìn)行反應(yīng),需耗費(fèi)較多能源。有鑒于導(dǎo)電高分子單 體(3,4-乙烯二氧噻吩,EDT)具備廣泛的材料應(yīng)用性,因此確實(shí)有必要提供改 良其合成方法,以進(jìn)一步在確保其產(chǎn)率與純度的前題下,改進(jìn)其實(shí)驗(yàn)條件及 原料。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的主要目的在于提供一種導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其制備 3,4-乙烯二氧噻吩(3,4- ethylenedioxythiophene, EDT)的閉環(huán)反應(yīng)步驟不使用任何鹵素反應(yīng)物,使得整個(gè)制備過(guò)程僅需在最后的脫羧反應(yīng)步驟進(jìn)行蒸餾純 化以得到產(chǎn)物,進(jìn)而有利于提高產(chǎn)品純度。
      本發(fā)明的次要目的在于提供一種導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其制備
      3,4-乙烯二氧噻吩(EDT)的閉環(huán)反應(yīng)步驟僅需在相對(duì)較低溫度下進(jìn)行反應(yīng),進(jìn) 而有利于降低制備過(guò)程耗電及提高操作安全性。
      為達(dá)上述的目的,本發(fā)明提供一種導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其是以 硫代二甘酸(thiodiglycolic acid)為起始物,依序進(jìn)行酯化反應(yīng)(esterification)、 環(huán)化反應(yīng)(cyclization)、閉環(huán)反應(yīng)(ring closure reaction)、酸化反應(yīng)(acidization) 與脫羧反應(yīng)(decarboxylation),該閉環(huán)反應(yīng)不使用鹵素反應(yīng)物,有利于得到具 高純度的3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-ethylenedioxythiophene, EDT)的導(dǎo)電高分子 單體產(chǎn)物。
      在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中,該導(dǎo)電高分子單體的合成方法包含下列步

      步驟l:以硫代二甘酸(thiodiglycolic acid, formula I)為起始物,與醇類 進(jìn)行酯化反應(yīng)(esterification),得到硫代二甘酸酯(thiodiglycolic acid ester, formula II);
      步驟2:將硫代二甘酸酯(formula II)與酯類進(jìn)行環(huán)化反應(yīng)(cyclization), 得到二烷基-3,4-二羥基噻吩-2,5-二羧酸酯(dialkyl 3,4-dihydroxythiophene-2,5-dicarboxylate, formula III);
      步驟3:將二烷基-3,4-二羥基噻吩-2,5-二羧酸酯(formula III)利用偶氮二 甲酸二異丙酯(diisopropylazodicarboxylate, DIAD)、乙二醇(ethylene glycol) 與三苯基憐(triphenyl phosphine, Pph3)進(jìn)行閉環(huán)反應(yīng)(ring closure reaction),得到3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(formulalV);
      步驟4:對(duì)3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(formula IV)進(jìn)行酸化反應(yīng) (acidization),得到3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(formula V);及
      步驟5:對(duì)3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(formula V)進(jìn)行脫羧反應(yīng) (decarboxylation),得到3,4-乙烯二氧噻吩(formula VI)。
      <formula>formula see original document page 10</formula>
      其中,R可選自垸基,可以是甲基或乙基或丙基或丁基。
      具體實(shí)施例方式
      為了讓本發(fā)明的上述及其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文將特 舉本發(fā)明較佳實(shí)施例,并配合所附圖
      式,作詳細(xì)說(shuō)明如下。
      在本發(fā)明的導(dǎo)電高分子單體的合成方法中,其是以硫代二甘酸 (thiodiglycolic acid)為起始物,依序進(jìn)行酯化反應(yīng)(esterification)、環(huán)化反應(yīng) (cyclization)、 閉環(huán)反應(yīng)(ring closure reaction)、酸j七反應(yīng)(acidization)與脫羧反 應(yīng)(decarboxylation),以得到3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-ethylenedioxythiophene, EDT)的導(dǎo)電高分子單體產(chǎn)物。更具體而言,在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中,該導(dǎo)電高分子單體的合成方法包含下列步驟
      步驟l:以硫代二甘酸(thiodiglycolic acid, formula I)為起始物,與醇類 進(jìn)行酯化反應(yīng)(esterification),得到硫代二甘酸酯(thiodiglycolic acid ester , formula II);
      HOOC八S八COOH ① R"iOOC八S八COOF^ (n)
      步驟2:將硫代二甘酸酯(formula II)與酯類進(jìn)行環(huán)化反應(yīng)(cyclization), 得到二烷基-3,4-二羥基噻吩-2,5-二羧酸酯(dialkyl 3,4-dihydroxythiophene-2,5-dicarboxylate, formula III); HO QH
      R2O2CSCO2R2 (in)
      步驟3:將二烷基-3,4-二羥基噻吩-2,5-二羧酸酯(formula III)利用偶氮二 甲酸二異丙酉旨(diisopropylazodicarboxylate, DIAD)、 乙二醇(ethylene glycol) 與三苯基磷(triphenylphosphine, Pph3)進(jìn)行閉環(huán)反應(yīng)(ring closure reaction),得 到3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(formulalV);
      R2O2CSCO2R2 (iv)
      步驟4:對(duì)3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(foramla IV)進(jìn)行酸化反應(yīng) (acidization),得到3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(formula V);及HOOC 、S COOH (V)
      步驟5:對(duì)3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(formula V)進(jìn)行脫羧反應(yīng) (decarboxylation),得到3,4-乙烯二氧噻吩(formula VI)。
      其中,R^及R2可選自垸基,例如甲基、乙基、丙基或丁基。 上述步驟l的醇類較佳是選自CrC4的醇類,例如甲醇(methanol)、乙醇 (ethanol)、丙醇(propyl alcohol)或丁醇,其中丙醇可選自正丙醇(n-propyl alcohol)或異丙醇(isopropanol),及丁醇可選自直鏈或支鏈的各種丁醇,例如 正丁醇(n-butanol)、異丁醇(isobutanol)或叔丁醇(tert-butanol)。
      上述步驟2的酯類較佳是選自選自d-Q的酯類,例如草酸二甲酯 (dimethyl oxalate)、草酸二乙酯(diethyl oxalate)或草酸二丁酯(dibutyl oxalate) 等。
      上述步驟3較佳是在25 — 65。C的溫度下利用偶氮二甲酸二異丙酯 (DIAD)、乙二醇與三苯基磷(Pph3)進(jìn)行閉環(huán)反應(yīng)(ring closure reaction)。
      上述步驟4較佳是先以堿金屬的氫氧化物處理,再以鹽酸(HC1)進(jìn)行酸化 反應(yīng)(acidization),其中所述的堿金屬的氫氧化物可選自氫氧化鈉(NaOH)、氫 氧化鉀(KOH)或氫氧化鋰(LiOH)等;所述的堿金屬的氫氧化物(如氫氧化鈉) 的水溶液濃度較佳約5—90wt%;所述的鹽酸的水溶液濃度較佳約5—37wt。/。。
      上述步驟5較佳是以重金屬化合物、重金屬粉末與二甲基甲酰胺(dimethylformamide, DMF)進(jìn)行脫羧反應(yīng)(decarboxylation),其中所述的重金 屬化合物較佳選自氧化銅、碳酸銅、硫酸銅或氫氧化銅等,所述的重金屬粉 末較佳選自銅粉。
      本發(fā)明的導(dǎo)電高分子單體的合成方法將于下文列舉第一至第五實(shí)施例, 以依序詳細(xì)說(shuō)明步驟1至5的具體實(shí)施內(nèi)容,然而該第一至第五實(shí)施例僅為 本發(fā)明的其中一種實(shí)施方式,其并非用以限制本發(fā)明,亦即本發(fā)明仍可以其 它實(shí)施方式實(shí)施步驟1至5,在此聲明。
      <formula>formula see original document page 13</formula>[第一實(shí)施例]
      步驟l:硫代二甘酸酯(formulall)的合成反應(yīng)
      在氮?dú)庀到y(tǒng)下,將75克的硫代二甘酸(formulal)、 82.5克的丁醇(BuOH) 與60mL的甲苯(tolueiie)置入至三頸瓶中,架設(shè)冷凝管、油水分離器及溫控器 接至三頸瓶,并開(kāi)始攪拌。加熱至120。C,回流18小時(shí),去除產(chǎn)生的水。接 著,降溫至10(TC,將溶劑以減壓蒸餾方式分離出,直至溶劑完全蒸出為止。過(guò)濾后烘干,得到133克硫代二甘酸酯(formulall)。
      步驟2: 二烷基-3,4-二羥基噻吩-2,5-二羧酸酯(formula III)的合成反應(yīng) 在氮?dú)庀到y(tǒng)下,將483mL的甲醇(CH30H)置入至三頸瓶中,降溫至10 °C,倒入44克的鈉金屬,于室溫下攪拌l小時(shí)。架設(shè)冷凝管、溫控器及加料 管至三頸瓶,將200克的硫代二甘酸酯(formula II)與123克草酸二乙酯 (Et02C-C02Et)置于加料管,慢慢加進(jìn)三頸瓶中。加熱至80。C,回流4小時(shí)。 降溫至35。C,并加入1.5L去離子7K,攪拌30分鐘。繼續(xù)降低三頸瓶的溫度 至l(TC。接著,將158mL的37。/。鹽酸(HC1)加入加料管內(nèi),慢慢滴入三頸瓶。 攪拌10分鐘,再以酸堿度pH試紙測(cè)定pH值是否為酸性。接著,過(guò)濾并得 到固體產(chǎn)物,產(chǎn)物加入500mL去離子水中攪拌30分鐘后,進(jìn)行過(guò)濾。接著, 烘干,得151克二垸基-3,4-二羥基噻吩-2,5-二羧酸酯(formulain)。
      步驟3: 3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(formula IV)的合成反應(yīng) 在氮?dú)庀到y(tǒng)下,將193克的二烷基-3,4-二羥基噻吩-2,5-二羧酸酉旨(fommla
      III) 、 480克的三苯基磷(Pph3)<image>image see original document page 14</image>
      、52克的乙二醇(ethylene
      glycol)<image>image see original document page 14</image>
      與333mL的四氫呋喃(tetrahydrofliran,THF)<image>image see original document page 14</image>
      加入三頸瓶中,并架設(shè)冷凝管、溫控器及加料管,開(kāi)始攪拌。將363mL的偶氮二甲酸二異丙酯(diisopropylazodicarboxylate, DIAD) S 置
      于加料管,慢慢加進(jìn)三頸瓶中。然后,加熱至4(TC,持續(xù)攪拌反應(yīng)24小時(shí)。 接著,回溫至室溫,加入正已烷(n-hexane),攪拌30分鐘。過(guò)濾后,烘干得 到644克的白色固體產(chǎn)物(formula IV)。
      步驟4: 3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(formula V)的合成反應(yīng) 在氮?dú)庀到y(tǒng)下,將215克的白色固體產(chǎn)物與618mL的10%氫氧化鈉 (NaOH)溶液加入三頸瓶中,架設(shè)冷凝管及溫控器,開(kāi)始攪拌,且加熱至100 °C,回流24小時(shí)?;販刂潦覝?,慢慢加入618mL的37n/。濃鹽酸,固體析出, 直到pH值小于4。固體過(guò)濾后,以去離子水清洗,烘干得到160克白色固體 產(chǎn)物(V)。
      步驟5: 3,4-乙烯二氧噻吩(formulaVI)的合成反應(yīng)
      在氮?dú)庀到y(tǒng)下,將192克的白色固體產(chǎn)物、3.3克的氧化銅(CuO)、 2.7 克的銅粉(Cu)與417mL的二甲基甲酰胺(dimethylformamide , DMF)
      O
      H人Z
      I 置入三頸瓶中,架設(shè)冷凝管及溫控器,開(kāi)始攪拌。加熱至155。C, 回流24小時(shí)?;販刂潦覝?,移除冷凝管及溫控器,將減壓蒸餾設(shè)備架設(shè)于三 頸瓶,純化后得到透明無(wú)色液體3,4-乙烯二氧噻吩(formulaVI),其產(chǎn)率約為53°/。,以氣相層析儀(gas chromatography, GC)檢測(cè)的純度約為99.67%,含水 率約為0.0763%。
      如上所述,相比6,528,662號(hào)發(fā)明專利的制備過(guò)程使用二鹵垸基制備中間 產(chǎn)物(3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸酯),而導(dǎo)致.產(chǎn)物可能含有殘留的鹵素反應(yīng) 物,并可能提高安全風(fēng)險(xiǎn)等缺點(diǎn),本發(fā)明在制備3,4-乙烯二氧噻吩的閉環(huán)反 應(yīng)步驟中利用偶氮二甲酸二異丙酯(DIAD)、乙二醇與三苯基磷(Pph3)取代鹵 素反應(yīng)物,使得整個(gè)制備過(guò)程僅需在最后的脫羧反應(yīng)步驟進(jìn)行蒸餾純化以得 到產(chǎn)物,進(jìn)而有利于提高產(chǎn)品純度,并能符合日趨嚴(yán)格的環(huán)保法規(guī)的有毒物 質(zhì)含量規(guī)定。再者,本發(fā)明的閉環(huán)反應(yīng)步驟僅需在相對(duì)較低溫度下進(jìn)行反應(yīng), 其亦有利于降低制備過(guò)程耗電及提高操作安全性。
      雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例揭露,然其并非用以限制本發(fā)明,任何熟習(xí) 本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作各種更動(dòng)與潤(rùn) 飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
      權(quán)利要求
      1.一種導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其包含以硫代二甘酸(I)為起始物,與醇類進(jìn)行酯化反應(yīng),得到硫代二甘酸酯(II);將硫代二甘酸酯(II)與酯類進(jìn)行環(huán)化反應(yīng),得到二烷基-3,4-二羥基噻吩-2,5-二羧酸酯(III);將二烷基-3,4-二羥基噻吩-2,5-二羧酸酯(III)利用偶氮二甲酸二異丙酯、乙二醇與三苯基磷進(jìn)行閉環(huán)反應(yīng),得到3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(IV);對(duì)3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(IV)進(jìn)行酸化反應(yīng),得到3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(V);及對(duì)3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(V)進(jìn)行脫羧反應(yīng),得到3,4-乙烯二氧噻吩(VI);其中,R1及R2是選自烷基,包含甲基或乙基或丙基或丁基。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其中所述的酯化 反應(yīng)的醇類是選自甲醇、乙醇、丙醇或丁醇。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其中所述的丙醇 選自正丙醇或異丙醇;所述的丁醇選自直鏈或支鏈的丁醇,其包含正丁醇、 異丁醇或叔丁醇。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其中所述的環(huán)化 反應(yīng)的酯類是選自CrQ的酯類。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其中所述的d-C4 的酯類包含草酸二甲酯或草酸二乙酯或草酸二丁酯。
      6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其中所述的閉環(huán) 反應(yīng)是在25—65 °C的溫度下進(jìn)行。
      7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其中所述的酸化 反應(yīng)是先以堿金屬的氫氧化物處理,再以鹽酸進(jìn)行反應(yīng)。
      8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其中所述的堿金 屬的氫氧化物選自氫氧化鈉或氫氧化鉀或氫氧化鋰。
      9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其中所述的堿金 屬的氫氧化物的水溶液濃度為5—90%。
      10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其中所述的鹽 酸的水溶液濃度為5—37%。
      11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其中所述的脫 羧反應(yīng)是以重金屬化合物、重金屬粉末與二甲基甲酰胺進(jìn)行反應(yīng)。
      12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的導(dǎo)電高分子單體的合成方法,其中所述的重金屬化合物選自氧化銅或碳酸銅或硫酸銅或氫氧化銅;所述的重金屬粉末選 自銅粉。
      全文摘要
      一種導(dǎo)電高分子單體的合成方法,它是以硫代二甘酸(thiodiglycolic acid)為起始物,依序進(jìn)行酯化反應(yīng)(esterification)、環(huán)化反應(yīng)(cyclization)、閉環(huán)反應(yīng)(ring closure reaction)、酸化反應(yīng)(acidization)與脫羧反應(yīng)(decarboxylation),該閉環(huán)反應(yīng)不使用鹵素反應(yīng)物,以得到具有高純度的3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-ethylenedioxythiophene,EDT)的導(dǎo)電高分子單體產(chǎn)物。
      文檔編號(hào)C07D495/00GK101591345SQ20081010952
      公開(kāi)日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2008年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月27日
      發(fā)明者佘怡璇, 許光美, 陳尹晨 申請(qǐng)人:豐笙科技工業(yè)股份有限公司
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