專利名稱：：無(wú)定形Ge/Te的沉積方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于在襯底上形成包括鍺、碲和/或銻的無(wú)定形膜(例如，包括碲化鍺(GeTe)和石帝化鍺銻(GST)膜)的化學(xué)氣相沉積法，以及相位變換隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置(phasechangerandomaccessmemorydevice),及其他包括該膜的裝置。特別地，本發(fā)明涉及由CVD方法形成的無(wú)定形GeTe和GST膜，以及由這些膜形成的裝置。
背景技術(shù)：
：近來(lái)，用于高度集成非易失性存儲(chǔ)器裝置的相位變換隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)已經(jīng)引起了大量的關(guān)注。在PCRAM電池中，用于將GST材料從結(jié)晶態(tài)轉(zhuǎn)換至無(wú)定形態(tài)所需要的高水平的復(fù)位電流(resetcurrent)是PCRAM的進(jìn)一步定標(biāo)(scaling)的主要障礙。將鍺、銻、和碲(GST)材料的合金封閉(confining)在接觸插頭中，其極大降低了向周圍材料的熱耗散，很大程度減小了復(fù)位電流。因此，使用提供良好均勻性的方法，諸如原子層沉積(ALD)或4匕學(xué)氣相沉積(CVD)方法，來(lái)沉積GST月莫是必要的。該ALD方法非常耗費(fèi)時(shí)間，因?yàn)槠涫?一層挨一層"來(lái)形成該膜。相反的，該CVD方法提供了高的沉積速率。遺憾的是，該CVD方法容易產(chǎn)生結(jié)晶態(tài)GeTe。該結(jié)晶態(tài)的GeTe明顯地降^f氐了GST膜的均勻性，且通常會(huì)在接觸插頭內(nèi)產(chǎn)生空隙。為形成GST、GeTe、和其他無(wú)定形形式的膜纟是供新的方法是有利的，但要有相對(duì)高的沉積速率。本發(fā)明4是供了這種方法。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明披露了改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積法，其用于在襯底上形成無(wú)定形GeTe和GST膜，用于諸如PCRAM高度集成非易失性存儲(chǔ)器裝置的應(yīng)用。本文描述的鍺和碲前體可以在還原環(huán)境下與氨反應(yīng)，或在一些實(shí)施方案中，在氮?dú)鈿夥罩性谑芸氐臏囟群蛪毫ο?，?lái)產(chǎn)生無(wú)定形GeTe。在一種實(shí)施方案中，沉積的溫度為320。C以下，且壓力為8托以下。在另一種實(shí)施方案中，溫度為350。C以下，且壓力為0.8托以下。Ge從鍺前體(諸如GeM或脒基鍺(或鍺的脒基化合物，Geamidinate))的沉積在低溫下是快的。然而，Te的引入需要相對(duì)高的沉積溫度和壓力，這就易于造成結(jié)晶態(tài)GeTe的形成。通過(guò)控制溫度和壓力，可以得到無(wú)定形的GeTe膜。該無(wú)定形GeTe膜在結(jié)晶化之后仍保持相對(duì)平滑。該工藝還可以擴(kuò)展至其他的二烷基碲前體，諸如二異丙基碲。在另一方面，本發(fā)明涉及一種用于通過(guò)〗匕學(xué)氣相沉積法由前體在襯底上進(jìn)行沉積無(wú)定形GeTe材料的工藝，該前體進(jìn)行蒸氣化(或蒸發(fā))，以形成前體蒸氣，然后4吏該前體蒸氣與^H"底相4妻觸。用于沉積該無(wú)定形GeTe膜的代表性前體包括丁基脒基鍺(GeBAMDN)和[(nBuC(iPrN)2;hGe]，且本文中還表示為GeM。在本發(fā)明的一個(gè)特定的方面，已經(jīng)開發(fā)了丁基脒基4者或GeM({nBuC(iPrN)2}2Ge)，和^又丁基Te—起，以便在320。C和8托壓力下，和在350。C和0.84乇壓力下，使用氨共反應(yīng)物來(lái)產(chǎn)生無(wú)定形GeTe。在本發(fā)明的另一個(gè)方面，描述了用于使無(wú)定形GeTe膜結(jié)晶化以產(chǎn)生相對(duì)平滑GeTe膜的方法。Ge從脒基鍺或GeM的沉積在低溫下是快的，而Te的引入則需要相對(duì)高的沉積溫度和壓力，這就易于造成結(jié)晶態(tài)GeTe的形成。結(jié)晶態(tài)GeTe形成的薄膜并不平滑。通過(guò)控制溫度和壓力，可以得到無(wú)定形的GeTe膜。該無(wú)定形GeTe膜在結(jié)晶化之后仍保持相對(duì)平滑。在本發(fā)明的另一個(gè)方面，該工藝還可以擴(kuò)展至其他的二烷基碲前體，諸如二異丙基碲。在再一方面，本發(fā)明涉及一種在襯底上形成GeTe、GST、銻、或其他這樣的膜的方法，所述方法包括蒸發(fā)這里描述的4者、4弟、或石帝前體，以形成前體蒸氣，將這樣的前體蒸氣與^H"底相4妄觸以1"更在其上形成含鍺、銻、和/或碲的膜。在另一方面，本發(fā)明涉及用于形成含鍺膜的前體組合物，包括[{nBuC(iPrN)2}2Ge]，這里還表示為GeM。本發(fā)明的另一個(gè)方面涉及平滑無(wú)定形^帝化4者或碲化4者銻膜。本發(fā)明的其他的方面涉及一種形成平滑無(wú)定形碲化^者膜的方法，包括蒸發(fā)[(nBuC(iPrN)2;bGe]和二烷基(diakyl)碲前體以形成前體蒸氣，并^f吏前體蒸氣與^)"底相接觸以^更在襯底上形成平滑無(wú)定形碲化4者。在另一方面，本發(fā)明還涉及一種形成相位變換隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置的方法，包括形成具有無(wú)定形特性的碲化鍺膜，包括從鍺前體(包括[(nBuC(iPrN)2hGe]或丁基脒基鍺)的4^的化學(xué)氣相沉積。本發(fā)明在另一方面涉及一種制作PCRAM裝置的方法，包括在襯底上形成GeTe或GST膜，以制造所述裝置，其中，所述形成包括在襯底上由本文所描述的前體的蒸氣來(lái)沉積膜層，使用了用于沉積這里所描述的無(wú)定形鍺、碲和/或銻層的工藝。該前體可用于在襯底上形成GST膜，通過(guò)由包括該前體的蒸氣來(lái)在襯底上沉積一種或多種本文所描述的含銻前體，連同一種或多種含4者和碲的前體。該前體還可用于形成PCRAM裝置，通過(guò)在襯底上形成GST膜，用于制造如上所述的裝置。在另一方面，本發(fā)明涉及本文所描述的前體在氣相沉積工藝中的對(duì)抗(combating)預(yù)反應(yīng)的方法，用于在襯底上形成月莫，其中，該前體易于進(jìn)4亍預(yù)反應(yīng)，該預(yù)反應(yīng)對(duì)膜有不利的影響，所述方法包4舌向戶斤述工藝中引入予貞反應(yīng)只于4元?jiǎng)?pre-reaction畫combatingagent)，其選自由(i)雜原子(O，N,S)的有機(jī)路易斯石咸化合物，(ii)自由基抑制劑，和(iii)含氖試劑組成的組。本發(fā)明的另一方面涉及一種本文所描述的前體在氣相沉積工藝中的對(duì)抗預(yù)反應(yīng)的方法，其中，將多個(gè)進(jìn)并牛流(feedstream)流至沉積位置(locus),以<更在4于底上形成力莫，其中，至少一種所述多個(gè)進(jìn)料流包括易于進(jìn)行預(yù)反應(yīng)的前體，該預(yù)反應(yīng)對(duì)膜有不利的影響，所述方法包括向至少一種所述多個(gè)進(jìn)坤牛流或向其供應(yīng)的材料中、或向所述;兄積^f立置S1入予貞反應(yīng)對(duì)抗齊'J(pre匿reaction畫combatingagent)，其選自由(i)雜原子(O，N,S)有機(jī)路易斯石咸化合物，(ii)自由基4中制劑，和(iii)含氘試劑組成的組。本發(fā)明的再一方面涉及一種組合物，包括前體和用于所述前體的予貞反應(yīng)只于4元?jiǎng)?pre隱reaction-combatingagent)，戶斤述予貞反應(yīng)^j"4元?jiǎng)┻x自由(i)雜原子(O,N,S)有機(jī)路易斯堿化合物，(ii)自由基抑制劑，和(iii)含氘-試劑纟且成的纟且。在其他方面，本發(fā)明涉及一種本文所描述的蒸氣相前體的對(duì)抗預(yù)反應(yīng)的方法，該前體與襯底相接觸，用于在其上沉積膜成分，該方法包括在所述蒸氣相前體與所述襯底接觸之前，將所述襯底與預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑相4妾觸，該預(yù)反應(yīng)對(duì):坑劑選自由(i)雜原子(O,N,S)有機(jī)路易斯堿化合物，(ii)自由基抑制劑，和(iii)含氘試劑組成的組。在另一方面，本發(fā)明涉及一種方法，其中引入該預(yù)反應(yīng)乂于^U式劑以便鈍化生長(zhǎng)膜的表面或減慢沉積速率，隨后，使用可替換的前體或共反應(yīng)物(例如H2、NH3、等離子體、H20、硫化氫、砷化氫、二有機(jī)碲化物、二有機(jī)-克化物、二有機(jī)砷化物等)進(jìn)行再活化。在這種鈍化/抑制之后，進(jìn)行再活化，因此在ALD或類似ALD工藝中，這種鈍化/抑制可在可替換的重復(fù)性次序中進(jìn)行，重復(fù)性循環(huán)可如所希望的一樣多。該預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑選自由(i)雜原子(O，N,S)有機(jī)路易斯石咸化合物，(ii)自由基抑制劑，和(iii)含氖試劑組成的組。本發(fā)明的另一方面涉及用于在村底上形成力莫的蒸氣相沉積方法，包括襯底與至少一種本文所描述的膜前體的循環(huán)接觸，這是在氣相中不希望進(jìn)行的預(yù)反應(yīng)，這種方法包括在所述膜的生長(zhǎng)過(guò)程中，向所述膜中引入預(yù)反應(yīng)對(duì)抗試劑，該預(yù)反應(yīng)對(duì)抗試劑對(duì)于^/f匕所述膜的表面或是所述膜前體的沉積速率減慢是有效的，在引入所述預(yù)反應(yīng)對(duì)抗試劑之后，利用不同膜前體將所述膜再活化。本發(fā)明涉及的又一方面提供一種通過(guò)氣相沉積工藝在村底上形成含鍺膜的方法，包括蒸發(fā)鍺前體以形成鍺前體蒸氣，可選使所述鍺前體蒸氣與選自由氨、氫、氦、氬、和氮構(gòu)成的組中的組份化合，并且使所述前體蒸氣與用于在其上氣相沉積所述含鍺膜的襯底接觸，其中所述鍺前體選自由以下4者合成物構(gòu)成的組中<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>其中R!和R2可以彼此相同或不同，并且獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、C2-C5烯基、C5-C,o環(huán)烷基、C6-d。芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自d-C6烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>RII狡其中R和R，可以;波此相同或不同，并且每個(gè)R和R，獨(dú)立選自H、d-C6烷基、C2-Cs烯基、C5-do環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C,-C6烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>其中R、R，、R,和R2可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C「C6烷基、C2-Cs烯基、Cs-do環(huán)烷基、CVC,o芳基、和-Si(R3)3,其中每個(gè)R3獨(dú)立選自d-Q烷基；其中R、R,和R2可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、d-C6烷基、CVC5烯基、Cs-d。環(huán)烷基、CVd。芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C,-C6烷基；以及n是從0至4并包括邊界的整數(shù)；其中R1、R2、R3、R4、W和W可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C2-Cs烯基、CVC,o環(huán)烷基、CVC,o芳基和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自CrC6烷基；其中R選自H、C廣C6烷基、和C6-C,o芳基；以及x是O、1或2;G—M、其中R,、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、Cs-do環(huán)烷基、C6-Cu)芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自d-C6烷基；謂l其中R,、R2、R3、R4和Rs可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、CrQ烷基、甲硅烷基、-Si(R，)3、C6-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、-(CH2)XNR，R，，、和-(CH2)xOR"，，其中x二l、2或3,而R，、R"和R，"可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自C!-Q烷基；其中R，和R"可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、C5-Co環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3選自C,-C6烷基；以及每個(gè)X獨(dú)立選自C,-C6烷基、C,-C6烷氧基、-NR1112、和-C(R3)3，其中每個(gè)R1、112和尺3獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、C5-do環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R4)3,其中每個(gè)R4獨(dú)立選自d-Q烷基；乂\一其中R,、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、C5-C10環(huán)烷基、C6畫C,o芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自CVC6烷基；其中Rj、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、d-C6烷基、C5-C,o環(huán)烷基、Q-C,。芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C,-C6烷基；、V'4XII其中:RpR2、R3和R4可以彼此相同或不同，升且每個(gè)獨(dú)立選自H、C,-C,烷基、CrC,()環(huán)烷基、C6-do芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R"獨(dú)立選自C廣C,烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>其中R,、R2、R3、和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、d-C,烷基、C5-C10環(huán)烷基、CVCo芳基、和-Si(R3)3,其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C廣G烷基，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>、、、'NEt，Ge(NMe2)4、Ge(NEtMe)4、Ge(NEt2)4、iPr3GeCl、iPr3GeNMe2iPr3GeNEtMe、iPr3GeNEt2、丁基脒基鍺、以及[(nBuC(iPrN)"2Ge]。本發(fā)明的另一方面涉及一種鍺前體，選自由上面列明的鍺前體物種構(gòu)成的組中。本發(fā)明的再一方面涉及一種平滑的無(wú)定形碲化鍺或碲化銻鍺膜，利用包括丁基脒基鍺或[(nBuC(iPrN)2;hGe]的鍺前體，通過(guò)上面描述的方法形成。本發(fā)明的其它方面、特征和具體實(shí)施方式由后續(xù)的披露和所附的權(quán)利要求將會(huì)更加清楚和明確。圖1是在其一實(shí)施方案中的包含本發(fā)明的前體的材料存儲(chǔ)和分配包裝物的示意性表示。圖2是碲化鍺在400。C下在氮?dú)夥罩型嘶鹨恍r(shí)后的掃描電子顯微鏡圖。圖3是圖2中的碲化鍺膜的截面立式SEM圖，示出了沉積在形成于二氧化硅襯底上的氮化鈦層上的碲化鍺膜的平滑特性。圖4是碲化鍺膜的x-射線衍射(XRD)圖，示出了其在400°F下退火之后的結(jié)晶態(tài)。圖5是在CVD工藝中具有氮共反應(yīng)物沉積的碲化鍺膜的XRD圖。圖6是在CVD工藝中使用氮共反應(yīng)物沉積的碲化鍺膜的XRD圖。圖7是在CVD工藝中使用氨共反應(yīng)物沉積的碲化鍺膜的XRD圖。圖8是在CVD工藝中使用氫作為共反應(yīng)物沉積形成的結(jié)晶態(tài)碲化鍺膜的掃描電子顯微鏡圖。圖9是在CVD工藝中使用氮作為共反應(yīng)物形成的結(jié)晶態(tài)碲化鍺膜的掃描電子顯微鏡圖。圖10是在50納米厚的氮化鈦上形成的無(wú)定形碲化鍺膜的掃描電子顯微鏡圖。圖ll是圖10中的碲化鍺膜的截面立式圖。圖12是碲化鍺和標(biāo)準(zhǔn)GST膜的EDS能譜圖。圖13是沉積在微電子器件(或裝置)結(jié)構(gòu)上的碲化鍺膜的掃描電子顯微鏡圖。圖14是在340。C下沉積的結(jié)晶態(tài)碲化鍺膜的掃描電子顯微鏡圖。圖15是圖14中的碲化鍺膜的XRD圖。圖16是多種碲化鍺膜的XRD圖，包括無(wú)定形膜、在350。C下退火10分鐘的膜、在350。C下退火接著在400°C下暴露10分鐘的碲化鍺膜。圖17是無(wú)定形碲化鍺膜的掃描電子顯微鏡圖。圖18是在400。C下退火之后的碲化鍺膜的掃描電子顯微鏡圖。圖19是維電子裝置結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微鏡圖，作為其上GeTe已經(jīng)通過(guò)化學(xué)氣相沉積而進(jìn)行沉積的"活潑性(aggressive)"襯底的實(shí)例，使用了丁基脒基鍺前體和二烷基碲前體。圖20是根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案的氣相沉積體系的示意性代表，其中，通過(guò)向氣相沉積體系中的一種或多種進(jìn)料流中添加預(yù)反應(yīng)對(duì)抗試劑，可實(shí)現(xiàn)前體預(yù)反應(yīng)的抑制。具體實(shí)施例方式本發(fā)明涉及多種鍺、碲、和銻前體的應(yīng)用，在用于形成含鍺膜的方法中，可通過(guò)低溫(<300°C)氣相沉積工藝，諸如CVD和ALD，用于形成高度一致的含鍺膜。在其他方面，本發(fā)明涉及使用該方法形成的膜，以及引入這樣的膜的微電子器件(或裝置)產(chǎn)品。本文中所描述的前體可用于化學(xué)氣相沉積中和原子層沉積工藝中，以便形成含鍺膜，諸如GeTe、GST等的膜。該GeTe膜可以是GexTei—x體系，如這些在Schamhorst和Riedl,"PhotoconductivityintheamorphousGe-richGexTe!.xsystem,"JournalofAppliedPhysics,Vol.45,p.2971-2979(1974)中所定義的，或者GexSbyTez膜、如這些例如在Tsu,JournalofVacuumScience&TechnologyA:Vacuum,Surfaces,andFilms,Volume17，Issue4,July1999，pp.1854-1860(1999)中所描述的，兩者的內(nèi)容均引入于此作為參考。使用本文所描述的方法可有效地形成該膜，以形成基本上無(wú)定形的膜層。通過(guò)參考以下定義可更好地理解本發(fā)明。定義如本文所用的，術(shù)語(yǔ)"膜"是指具有厚度為低于IOOO微米的材料的沉積層，例如從這個(gè)值降至原子單層厚度值。在多種實(shí)施方案中，根據(jù)所涉及的特定應(yīng)用，在本發(fā)明的實(shí)施中的沉積材料的層的膜厚度為例如低于100、10或1微米，或在多種薄膜體系(regime)中低于200、100或50納米。如這里所用的，術(shù)語(yǔ)"薄膜"是指具有厚度低于1微米的材料的層。如本文所用的，除非上下文中有清楚的指示，否則單數(shù)形式"一個(gè)"、"一種"和"該"也包括復(fù)數(shù)的指代。如本文所用的，碳數(shù)目范圍的限定，例如C,-C,2烷基，意在包括在該范圍內(nèi)的碳數(shù)目部分的各個(gè)成分，以便包括介于其間的碳數(shù)目及任意其他的表述或在該表述范圍內(nèi)的介于其間的碳數(shù)目數(shù)值，可以進(jìn)一步理解，在特定的碳數(shù)目范圍內(nèi)的碳數(shù)目的次范圍，可獨(dú)立地被包括在更小的碳數(shù)目范圍內(nèi)，在本發(fā)明的范圍內(nèi)，特定排除的碳數(shù)目或多數(shù)的碳數(shù)目的該范圍也包括于本發(fā)明內(nèi)，且排除的特定范圍的碳數(shù)目的一種或兩種限制的次范圍也包含于本發(fā)明內(nèi)。因此，C廣C,2烷基意在包括曱基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基和十二烷基，包括這些類型的直鏈以及支鏈基團(tuán)。因此，應(yīng)該理解，區(qū)分碳數(shù)目范圍，例如C,-C,2，如可廣泛地應(yīng)用于取代基部分，能夠在本發(fā)明的特定實(shí)施方案中對(duì)碳數(shù)目范圍進(jìn)一步進(jìn)行限制，作為具有處于取代基部分的更寬的說(shuō)明(specification)范圍內(nèi)的碳數(shù)目的部分的次基團(tuán)。例如，在本發(fā)明的特定的實(shí)施方案中，碳數(shù)目范圍，例如C,-C，2烷基，可進(jìn)行更受限制的具體化，以便包括次范圍，諸如C,-C4烷基、C2-C8烷基、C2-C4烷基、C3-C5烷基、或在該寬泛碳數(shù)目范圍內(nèi)的任意其他的次范圍。在特定的實(shí)施方案中，本發(fā)明的前體可進(jìn)一步具體化，條件或限制是對(duì)于本文所解釋的多種說(shuō)明以及范例，排除的特定的取代基、基團(tuán)、部分或結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明涉及受限制地限定的合成物(composition),例如一種這樣的合成物，其中Ri是CrC,2烷基，條件是當(dāng)RJ為曱硅烷基時(shí)，RJ#C4烷基。"烷基"，如本文所用的，包括但不限于，曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基和異戊基等等。"芳基"，如本文所用的，包括由苯或苯衍生物衍生得來(lái)的烴，其為具有6至10個(gè)碳原子的不飽和芳香族碳環(huán)基團(tuán)。該芳基可具有單一的或多個(gè)環(huán)。術(shù)語(yǔ)"芳基"，如本文所用的，還包括取代的芳基。實(shí)例包括但不限于，苯基、萘基、二曱苯基、苯乙烷、取代的苯基、取代的萘基、取代的二曱苯基、取代的苯乙烷基等等。"環(huán)烷基"，如本文所用的，包括但不限于，環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基等等。在本文所有的化學(xué)式中，可以認(rèn)為碳數(shù)目的范圍使一系列的連續(xù)的可選擇的含碳部分具體化，并包括含碳原子的數(shù)目介于在特定范圍內(nèi)的碳數(shù)目的端值之間的所有部分，以及含有碳原子的數(shù)目等于特定范圍端值的部分，例如，C,-C6包括d、C2、C3、C4、Cs和C6，且每個(gè)這樣較寬的范圍可按照這樣的范圍內(nèi)的碳數(shù)目進(jìn)一步進(jìn)行限定性的具體化，作為其次范圍。因此，例如，范圍d-C6可包括或進(jìn)一步受到在更寬范圍的幅度內(nèi)的次范圍的說(shuō)明(諸如C廣C3、C廣C(、C2-C6、CrQ等)的限制。如本文所進(jìn)行的不同的描述，在特定的實(shí)施例中，關(guān)于本發(fā)明的特征、方面和實(shí)施方案的構(gòu)成，可包括一些或所有的特征、方面和實(shí)施方案，以及其要素和組成部分(其集合起來(lái)，以便構(gòu)成本發(fā)明的多種其他的實(shí)施例)，由這些組成，或基本由這些組成。文中，按照本發(fā)明的多種特征和方面，在多種實(shí)施方案中對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述。在本發(fā)明的范圍內(nèi)，本發(fā)明考慮了這些特征、方面和和實(shí)施方案的多種變換和組合。因此，本發(fā)明還可具體化，包括這些特定特征、方面和實(shí)施方案的任意的這樣的組合和變換，或選自其的一種或多種，由這些組成，或基本由這些組成。I.鍺前體本發(fā)明的前體包括鍺合成物的各個(gè)種類。在一個(gè)具體實(shí)施方式中，鍺前體為[(nBuC(iPrN)2hGe]，在文中也表示為GeM。本發(fā)明的另一方面涉及對(duì)于在襯底上CVD和ALD沉積鍺膜有用的錯(cuò)前體，為下式I-XVI:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>其中R!和R2可以彼此相同或不同，并且獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C2-C5烯基、CVdo環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C,-C6烷基；其中R和R，可以彼此相同或不同，并且每個(gè)R和R，獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C2-Cs烯基、Cs-d。環(huán)烷基、C6-do芳基、和-Si(R3)3,其中每個(gè)R3獨(dú)立選自CrQ烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>其中R、R，、R,和R2可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、C2-Cs烯基、C5-C,o環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自d-Q烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>其中R、R,和R2可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C2-Cs烯基、Crdo環(huán)烷基、Qrd。芳基、—-Si(R3)3，其中每個(gè)113獨(dú)立選自C廣C6烷基；以及n是從0至4并包括邊界的整數(shù)；其中R1、R2、R3、R4、115和W可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣Q烷基、C2-Cs烯基、CrC,o環(huán)烷基、C6-C10芳基和-Si(R3)3,其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C,-Q烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>其中R選自H、C廣C6烷基、和C6-do芳基；以及x是O、1或2;、、爭(zhēng)《G牽""-勤VII其中R,、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C,烷基、Q-d。環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3,其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C,-C,烷基；額其中R,、R2、R3、R4和R5可以-波此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、曱硅烷基、-Si(R，)3、C6-do環(huán)烷基、Q-C,o芳基、-(CH2)XNR，R，，、和-(CH2)xOR"，，其中x:l、2或3，而R，、R"和R，"可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自d-C6烷基；其中R，和R"可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、d-C6烷基、Crdo環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)113選自C廣Q烷基；以及每個(gè)X獨(dú)立選自d-Q烷基、C廣Q烷氧基、-NR1！12、和-C(R3)3，其中每個(gè)R1、112和113獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、Q-do環(huán)烷基、CVC,o芳基、和-Si(R4)3,其中每個(gè)R4獨(dú)立選自C廣C6烷基；4.、y4-cn—o趁—gm/\X其中Rj、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、CrC1()環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3,其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C,-C6烷基；R4其中:Rj、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣Q烷基、Cs-do環(huán)烷基、C6-do芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自d-C6烷基；R*、L/Z、N院4XII其中R!、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、Cs-C,o環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自d-C6烷基；XVI其中R,、R2、R3、和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、CrC6烷基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自CVC6烷基。上面描述的鍺前體的合成可以以現(xiàn)有的各種方式來(lái)實(shí)施，下面示出各種可利用的合成制備的類型。在每種情況下，RMgCl、RMgBr、RMgI、RLi、和RNa可以用作可選擇的試劑。而且，GeBr4可以用來(lái)代替GeCl4;LiNR2可以被NaNR2或KNR2代替；并且Na(CsR5)可以用作K(C5R5>々另一種選擇。此外，也可以采用多步驟合成方案以通過(guò)對(duì)Ge(II)絡(luò)合物氧化加成產(chǎn)生Ge(IV)前體來(lái)產(chǎn)生混合的烷基物種，如下所示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>其中:R、R，、和R，，可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、(:2《6烯基、Crdo環(huán)烷基、C6-do芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C廣C6烷基，而M是Li、Na、MgCl、MgBr、或Mgl。用于GST膜的鍺(IV)前體<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>Ge(NR2)4R=Me、Et、iPr、t-Bu或組合<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula>以及相對(duì)應(yīng)的四烷基鍺絡(luò)合物、、、可以由這樣的四氯化鍺起始原料利用對(duì)應(yīng)的烯丙基格氏試劑(Grignardreagent)R*MgCl，其中R*為烯丙基<formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula>用于GST膜的鍺(IV)前體<formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>括如下化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>在本發(fā)明的各種具體實(shí)施方式中，二烷基氨基異丙基鍺烷前體被用于CVD/ALD形成GST薄膜。這樣的前體可以通過(guò)如下所示的反應(yīng)流程來(lái)合成/iP,CiG.e-^~~a'、GeLiNR2(R2N)<3e-'CIL1AIH4」4-x用以形成鍺絡(luò)合物，如:_、、、國(guó)e，GeNe2■pe:|-引M,SiMe3上述的這前體#1用于CVD和ALD應(yīng)用場(chǎng)合，用以在襯底上沉積含鍺膜。四氨基鍺烷和三異丙胺被用于這種場(chǎng)合并用加熱的鼓泡器傳輸送，包括例如，Ge(NMe2)4、Ge(NEtMe)4、Ge(NEt2)4、iPr3GeCl、iPr3GeNMe2、iPr3GeNEtMe、和iPr3GeNEt2。本發(fā)明的鍺前體的揮發(fā)性可以通過(guò)STA熱重技術(shù)很容易被測(cè)量(例如通過(guò)測(cè)定在大氣壓下物質(zhì)在氬氣中的轉(zhuǎn)移)以及氣相色譜(GC)分析。在特定的具體實(shí)施方式中，本發(fā)明的鍺前體包括烷基取代基，在很多情況下異丙基取代基比曱基更優(yōu)選，是由于異丙基取代基對(duì)于承受P-氫消除的能力，從而促進(jìn)了鍺前體的低溫分解過(guò)程而不產(chǎn)生顯著的碳?xì)埩?。本發(fā)明的含氮鍺前體在很多用來(lái)介導(dǎo)在最終的膜中結(jié)合氮的應(yīng)用場(chǎng)合具有固有的有益之處。在這個(gè)方面，Si-和N-摻雜的GST材料具有更低的復(fù)位電流(resetcurrent)從而能夠發(fā)生低溫相變。作為附加的優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明的各種鍺烷前體經(jīng)歷鍺氫化偶聯(lián)反應(yīng)以形成Ge-Ge鍵，經(jīng)過(guò)如下反應(yīng)R3GeNR，2+R3GeH—R3Ge-GeR3，相對(duì)于單鍺烷前體，用以產(chǎn)生二鍺烷CVD前體能夠?qū)崿F(xiàn)高效的含鍺膜沉積。本發(fā)明的鍺前體可以含有寬范圍的各種配體物種作為其中的部分。這樣的配體可以例如包括，但不限于烯丙基、千基、叔丁基、環(huán)戊二基、氫化物、苯基、和烷基。也可以使用二齒胺(例如N，N-二烷基亞乙基二胺)。鍺前體可以以溶液形式遞送或者利用合適的溶劑介質(zhì)利用液體遞送如如上所述的關(guān)于本發(fā)明的銻前體。在用作CVD/ALD的前體中，Ge前體可以單獨(dú)被沉積或者與其他前體例如與Sb和Te絡(luò)合物，如iPr3Sb、Sb(NR2)3、iPr2Te和Te(NR2)2—起沉積以形成GST膜。本發(fā)明的一種示例性鍺前體是Ge(三異丙基)(甲基乙基胺)，有時(shí)文中也表示為GePNEM。這種前體可以被用來(lái)在合適的沉積工藝條件下在襯底上沉積鍺，例如沉積溫度在300。C至450。C的范圍內(nèi)、在從低于大氣壓到高于大氣壓的壓力范圍內(nèi)(例如，在從約0.5托至15大氣壓或更高)。在下面的表l中列出了膜沉積率，以埃/分表示，在不同的溫度和壓力條件下由GePNEM前體用于在襯底上沉積一睹，在200標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘的氫氣載氣流中被遞送到襯底。表1.在不同的溫度和壓力條件下被沉積的鍺的膜沉積率<table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>利用200SCCMH2的GePNEM沉積通過(guò)由GePNEM前體的沉積完成這鍺的膜厚度的測(cè)定，沉積在16分鐘的期間進(jìn)行，并給出了下述結(jié)果(i)溫度=400°C，壓力=800毫米汞柱，反應(yīng)物氣體H2，膜厚度=57A;(ii)溫度=400。C,壓力=800毫米汞柱，反應(yīng)物氣體NH3，膜厚度=94A;以及(iii)溫度=400。C，壓力=8000毫米汞柱，反應(yīng)物氣體H2，膜厚度=36A。這些結(jié)果證明了GePNEM通過(guò)氣相沉積技術(shù)用于在襯底上形成鍺或含鍺薄膜的適用性。在這種特定的具體實(shí)施方式中，本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種包括鍺前體、銻前體、和碲前體的前體混合物，其中至少一種4者前體和銻前體包括選自上文中描述的式(A)、(B)、(C)、(D)和(E)(I)-(XVI)的金屬絡(luò)合物中的前體。II,銻前體為了形成含銻膜，人們可以使用含銻前體，例如下式(A)、(B)和(C)的銻前體Sb(NI^R2)(R3N(CR5R6)mNR4)(A)其中R1、R2、R3、和W可以彼此相同或不同，并獨(dú)立選自C,-C6烷基、C3-Q環(huán)烷基、C2-C6烯基(例如乙烯基、烯丙基等)、CrC6烷基曱硅烷基、C6-do芳基，每個(gè)115和W可以彼此相同或不同，并獨(dú)立選自氫、C廣C6烷基、CrC6環(huán)烷基、CVC6烯基(例如乙烯基、烯丙基等)、C3-C6烷基曱硅烷基、和C6-C,o芳基；以及m是從1至4并包括邊界的整數(shù)；Sb(的(R2N(CR4R5)mNR3)(B)其中R1、R2、和RS可以彼此相同或不同，并獨(dú)立選自C,-C6烷基、C3-C6環(huán)烷基、C2-C6烯基(例如乙烯基、烯丙基等)、CVC6烷基曱硅烷基和C6-Ci0芳基；每個(gè)尺4和Rs可以彼此相同或不同，并獨(dú)立選自氫、C廣C6烷基、C3-C6環(huán)烷基、C2-C6烯基(例如乙烯基、烯丙基等)、C3-Q烷基曱硅烷基和C6-do芳基；以及m是從1至4并包括邊界的整數(shù)；Sb(R、響JNR2R3)n(C)其中R1、112和113可以彼此相同或不同，并獨(dú)立選自氫、C廣C6烷基、C3-C6環(huán)烷基、C2-Q烯基(例如乙烯基、烯丙基等)、曱硅烷基、CyC6烷基曱硅烷基、Q-Ch)芳基和-NR4115，其中每個(gè)W和rs選自H和C,-C4;以及n是從0至3并包括邊界的整數(shù)；(R、Sb(E(R'R2R3))3-n(D)其中r1、r2、rS和W可以彼此相同或不同，并獨(dú)立選自C廣C6烷基。C3-C6環(huán)烷基、CVC6烷基曱硅烷基(alylsilyl)、C6-C,o芳基、和式-NR5R6的烷基胺基，其中每個(gè)115和116獨(dú)立選自H和C,-c4烷基；E是硅(Si)或鍺(Ge);以及n是0至3并包括邊界的整數(shù)。前述的前體可以被用于用來(lái)形成CVD和ALDSb、Sb/Ge、Sb/Te和GST膜。這樣的前體也可以被用來(lái)在低溫沉積場(chǎng)合利用減少的共反應(yīng)物如氫、氫等離子體、胺、亞胺、肼、硅烷、曱硅烷基硫族元素化物(例如(Me3Si)2Te)、鍺烷(例如GeH4)、氨、烷烴、烯烴、和炔烴。當(dāng)特定的前體是液態(tài)時(shí)，它們可以以純液形式被用來(lái)用于液體遞送?？蛇x擇地，當(dāng)這樣的前體是液態(tài)或固態(tài)時(shí)，它們可以在合適的溶劑中作為前體的溶液或懸浮液被采用。在特定的應(yīng)用場(chǎng)合，用于這種目的的合適的溶劑包括烷烴(例如正己烷、庚烷、辛烷和戊烷)、芳烴溶劑(例如苯、曱苯)、胺(例如三乙胺、叔丁胺)、亞胺、肼和醚。用于特殊銻前體或用于特定銻前體與其他4者前體和碲前體組合的特定，用以選擇合適的單組分或多組分溶劑介質(zhì)用于液體遞送汽化器以及所涉及的特定前體組分的輸送。在不同的具體實(shí)施方式中，其中銻前體是固態(tài)時(shí)，可以采用固體遞送系統(tǒng)用于遞送銻前體，例如由美國(guó)康涅狄格州的ATMI公司(ATMI,Inc.，Danbury，Connecticut,USA)商購(gòu)得到的ProE-Vap固體遞送和蒸發(fā)系統(tǒng)。中進(jìn)行"精細(xì)調(diào)整(fine-tuned)",用以提供熱穩(wěn)定性、揮發(fā)性以及與其他共反應(yīng)物或在多組分前體系統(tǒng)中其他各組分的相容性。本發(fā)明的銻前體通過(guò)在下面描述的合成路線4艮容易被合成。通式(A)的銻前體(nrW)R3"~N/Sb——N—R4可以例如根據(jù)下面的反應(yīng)流程(A)來(lái)合成SbX3-Li(NR'R2)+Li(R3N(Ol5RS)mNR4)'以及通式(B)的銻前體:(NR1R2)Sb——N—R4R3^^_N/(CR5R6)'R1Sb——N—R3R2—N/可以例如根據(jù)下面的反應(yīng)流程(B)來(lái)合成:SbX;-R'MgX+Li(RN(Cr4r、NR3)RiSb——N—R3R2—N/或者通過(guò)下面的反應(yīng)流程(C):SbX;-mR2(CR4R5)R3NSiMe3XSb——R3R2——N、/<formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula>通式(C)的銻前體可以通過(guò)對(duì)應(yīng)的方式來(lái)合成,通式(D)的銻前體具有如下結(jié)構(gòu):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula>例如可以當(dāng)n為0時(shí)根據(jù)下面的反應(yīng)流程(D)，或者當(dāng)n為2時(shí)根據(jù)下面的反應(yīng)流程(E)來(lái)合成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula>在前述的合成實(shí)例中，RMgX和RLi可以被用作另一種可選擇的合成試劑。作為本發(fā)明的前體的特定的示例性實(shí)例，前體Sb(NMeEt)3、Sb(CH=CMe2)3、Sb(CH2CHK:H2)3和Sb(NMe2)3被合成和表征。確定了前體Sb(NMe2)3和Sb(NMeEt)3顯示出光敏性，因此需要儲(chǔ)存在經(jīng)保護(hù)不暴露在光線中的容器中或者儲(chǔ)存在其他的避光包裝中，以避免由光誘導(dǎo)的分解。類似的考慮也可以應(yīng)用于Sb(CH=CMe2)3和Sb(CH2CH=CH2)3。圖1示出了Sb(NMeEt)3的核磁共振譜而圖2示出了Sb(NMe2)3的核》茲共振語(yǔ)。圖3是用于這兩種前體Sb(NMeEt)3和Sb(NMe2)3的同步熱分析圖(STA)，其中繪出了熱重百分比(TG)作為溫度(以攝氏度表示)的函數(shù)的曲線。銻前體的其它種類也可以使用。這種銻前體適于與合適的鍺前體及碲前體一起用于形成GST膜。這種銻前體的其它種類包括如下所限定的化學(xué)式(F)、(G)、(H)、(1)、(J)、(K)、(L)和(M)的那些前體(F)下式的脒基化合物、胍基化合物和異脲化合物R、Sb[RC(X)NR2^其中每個(gè)R'和R2獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C5-C，o環(huán)烷基、c6-c10芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)W獨(dú)立選自Q-C6烷基；每個(gè)X獨(dú)立選自d-C6烷氧基、-NR4R5、和-C(R6)3，其中每個(gè)R4、R5和R6獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、CrCu)環(huán)烷基、(VCk)芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)RS獨(dú)立選自C,-Q烷基；每個(gè)R、蟲立選自d-C6烷氧基、-NR8R9、和-C(R'g)3，其中每個(gè)R8、R9和R^獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、CrCm環(huán)烷基、C6-C,o芳基、-Si(R3)3、和-Ge(R3)3，其中每個(gè)113獨(dú)立選自Q-C6烷基；以及n是從0至3的整數(shù)。(G)下式的四烷基胍基化合物R5nSb[(RiR2)NC(NR3R4)N)3—n其中每個(gè)R'和R2獨(dú)立選自H、d-Q烷基、Crdo環(huán)烷基、(36-(:1()芳基、和-Si(R9)3，其中每個(gè)R"獨(dú)立選自C,-C6烷基；每個(gè)113和114獨(dú)立選自H、C廣Q烷基、Cs-do環(huán)烷基、CVC,o芳基、和-Si(R9)3,其中每個(gè)W獨(dú)立選自C廣C6烷基；每個(gè)115獨(dú)立選自C,-Q烷氧基、-NRSr"和-C(R8)3，其中每個(gè)R6、R7和R8獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、Cs-do環(huán)烷基、CVdo芳基、-Si(R9)3、和-Ge(R9)3，其中每個(gè)R9獨(dú)立選自C廣C6烷基；以及n是從0至3的整數(shù)。(H)下式的氨基曱酸酯(鹽)類或硫代氨基曱酸酯(鹽)類R4nSb[(EC(X)E3—n其中每個(gè)X獨(dú)立選自C廣Q烷氧基、-NR1112、和-C(R3)3，其中每個(gè)R1、R2和R3獨(dú)立選自H、C廣Q烷基、CVCo環(huán)烷基、CVdo芳基、和-Si(R5)3，其中每個(gè)RS獨(dú)立選自C,-C6烷基；每個(gè)W獨(dú)立選自CVQ烷氧基、-NR1112、和-C(R3)3，其中每個(gè)R1、R2和R3獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、Cs-C,o環(huán)烷基、C6-do芳基、和-Si(R5)3、-Ge(R5)3,其中每個(gè)RS獨(dú)立選自C,-Q烷基；E是O或S;以及n是從0至3的整數(shù)。(I)下式的p-二酮化合物、二酮亞酰胺化合物、和二酮亞胺化合物[OC(R3)C(X)C(R2)0]3—nSb(R5)n。本發(fā)明因此涉及使用[(nBuC(iPrN)2hGe]作為前體，用于沉積無(wú)定形光滑鍺碲膜，在沉積過(guò)程中在高溫和低壓下用氨氣作為共反應(yīng)物。圖19是一個(gè)微電子器件結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微圖，作為一個(gè)上面已經(jīng)通過(guò)化學(xué)氣相沉積，采用丁基脒基鍺前體和二烷基碲前體沉積有GeTe的"活潑性"襯底的實(shí)例。該GeTe材料的特性使得相位轉(zhuǎn)變隨機(jī)存取儲(chǔ)存器(PCRAM)器件可以采用無(wú)定形鍺碲膜(利用本發(fā)明的鍺BAMDN前體制造)來(lái)形成。通過(guò)例舉型的實(shí)例，該GeTe膜可以在320°C的溫度、7托的壓力每分鐘5毫摩爾的GeBAMDN、20sccm的承載流量通過(guò)Te(tBu)2起泡器以及50sccm的氨氣的條件下形成。一般而言，有利的工藝條件可以包括在約280至350。C的范圍溫度，每分鐘1-10毫摩爾Ge的流量，l-100sccm的承載流量，1-1OOOsccm麗3和1-20托的壓力范圍?？梢岳斫?，有關(guān)采用本發(fā)明的[仏BuC(iPrN)2)2Ge]形成光滑的鍺碲(或碲化鍺)無(wú)定形膜的工藝條件在實(shí)際中是可以廣泛變化的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在本發(fā)明披露的基礎(chǔ)上不需要過(guò)度勞動(dòng)就可以輕易確定形成該無(wú)定形膜的具體工藝條件。預(yù)反應(yīng)控制本發(fā)明的另一方面涉及使用控制劑來(lái)對(duì)抗本文所述的前體的氣相預(yù)反應(yīng)的應(yīng)用，該氣相預(yù)反應(yīng)導(dǎo)致在襯底上的不均勻成核，沉積反應(yīng)較長(zhǎng)的培育時(shí)間，以及較低質(zhì)量的產(chǎn)品膜。這種預(yù)反應(yīng)例如可能在涉及硫族元素化物(或硫?qū)倩?膜、相關(guān)原料(O、S、Se、Te、Ge、Sb、Bi等)、和/或制造相位轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)器(phasechangememory)以及熱電器件(thermoelectricdevice)的應(yīng)用中特別成問(wèn)題。如在化學(xué)氣相沉積中，當(dāng)本文所述的前體反應(yīng)物被？1入沉積室時(shí)，可能發(fā)生預(yù)反應(yīng)，并且在原子層沉積(ALD)過(guò)程中，依賴于ALD循環(huán)步驟的特定安排以及涉及的特定反應(yīng)物，也可能發(fā)生預(yù)反應(yīng)。因此，本發(fā)明期望應(yīng)用關(guān)于本文所述的前體的控制劑，由此抑制、減輕或消除有害的氣相預(yù)反應(yīng)，因而導(dǎo)致/促進(jìn)在襯底表面上的沉積反應(yīng)，并且有效地形成較高質(zhì)量的膜。為此目的，關(guān)于本文所述的前體能夠使用的控制劑包括選自由(i)雜原子(O、N、S)有機(jī)路易斯堿化合物、(ii)自由基抑制劑、以及(iii)含氘反應(yīng)物所組成的組中的試劑。可以使用這些試劑，通過(guò)各種方法來(lái)減少本文所述前體的有害的氣相預(yù)反應(yīng)，這些方法包括(1)向前體組合物(或合成物)中添加預(yù)反應(yīng)抑制劑，包括一種或多種雜原子(O、N、S)有機(jī)路易斯堿化合物如1,4-二噁烷、噻噁烷、醚、聚醚、三乙胺(TEA)、三溱、二胺、N,N,N，,N,-四曱基亞乙基二胺、N，N,N，-三曱基亞乙基二胺、胺、亞胺、以及吡咬；(2)向前體組合物(或合成物)中添加自由基抑制劑，例如丁基化羥基甲苯(BHT)、氫醌、丁基化羥基茴香醚(BHA)、二苯胺、乙基香草醛等；(3)使用改良的硫族元素化物(或硫?qū)倩?前體，其中氬取代基由氘取代基(D)所代替，從而提供用于氣相沉積的氘化類似物；以及(4)向前體組合物(或合成物)中添力。氘源(deuteriumsource)，從而在原位氘化前體?？蓪⑸鲜鲎迂懛磻?yīng)對(duì)抗劑(pre-reaction-combatingagent)(抑制齊'J、自由基抑制劑、氘源和/或氘化前體)引入形成膜的氣相沉積處理的任何原料流中。例如，可將這種預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑引入一個(gè)或多個(gè)前體原料流、惰性載氣流(硫?qū)倩锴绑w或其他反應(yīng)物相繼加入其中而流入沉積室中)、流入沉積室的共反應(yīng)劑原料流、和/或其他的任何流(其流入沉積室，并且其中預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑對(duì)于減少或消除前體的過(guò)早反應(yīng)是有益的，這種過(guò)早反應(yīng)在不存在這種試劑的其他情況下可能發(fā)生)。在具體的實(shí)施方式中，上述抑制劑，自由基抑制劑和/或氘源與前體，例如金屬源反應(yīng)物(metalsourcereagent)進(jìn)4亍共注入，乂人而實(shí)現(xiàn)至少部分地減少涉及前體和反應(yīng)物的預(yù)反應(yīng)?？商鎿Q地，預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑可定向地加入沉積位置，例如，沉積室(將前體氣相引入其中以與襯底反應(yīng)從而將膜沉積于其上)，從而抑制涉及前體和/或其他反應(yīng)物的有害的氣相預(yù)反應(yīng)。作為另一種方法，在本發(fā)明的廣泛實(shí)施中，可以將抑制劑、自由基抑制劑和/或氖源加入含前體和/或其他金屬源反應(yīng)物的溶液中，并且可以應(yīng)用獲得的溶液進(jìn)行液體遞送處理，其中液體流入蒸發(fā)器中以形成源蒸氣，源蒸氣用于與村底接觸以將沉積物沉積在襯底上?？商鎿Q地，如果前體和/或其他金屬源試劑不在現(xiàn)有的溶液中，依賴于涉及材料各自的狀態(tài)及其相容性/溶解性，可以加入抑制劑、自由基抑制劑和/或氘源，從而與前體和/或其他金屬源試劑形成混合物或溶液。作為另一種方法，在襯底與前體和/或其他金屬源試劑接觸之前，可以應(yīng)用抑制劑、自由基抑制劑和/或氘源對(duì)襯底進(jìn)行表面處理。因此，本發(fā)明考慮了多種用于在襯底上形成膜的氣相沉積組合物和方法，其中前體的預(yù)反應(yīng)至少部分地被一種或多種預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑所減弱，預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑選自雜原子(O、N、S)有機(jī)路易斯堿化合物中，這里有時(shí)指抑制劑、自由基抑制劑、和/或氖源反應(yīng)物。并且也考慮到使用預(yù)先合成的氘化前體或有機(jī)金屬化合物作為可替代物從而用氘源進(jìn)行原位氘化。通過(guò)用這些手段來(lái)抑制前體的預(yù)反應(yīng)，能夠有效地形成具有較高品質(zhì)的產(chǎn)品膜?？刂苿┛梢杂脕?lái)在多種原料流流至沉積位置以在襯底上形成膜的過(guò)程中對(duì)抗硫?qū)倩锏念A(yù)反應(yīng)，其中多種原料流中的至少一種包括前體，其易受有害影響膜的預(yù)反應(yīng)影響，其中該方法涉及將控制劑引入這些多種原料流中的至少一種中或因而引入供應(yīng)的材料中、或引入沉積位置中?？商鎿Q地，可將預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑引入使生長(zhǎng)硫?qū)倩锬さ谋砻驸g化或者減慢沉積速率，然后使用可替代的前體或共反應(yīng)物(例如H2、NH3、等離子體、H20、硫化氬、竭化氫、二有機(jī)碲化物、二有機(jī)硫化物、二有機(jī)石西化物等)進(jìn)行再活化，從而例如按照交替重復(fù)的順序在鈍化/延遲后進(jìn)行再活化步驟。在ALD或ALD類似過(guò)程中，這種在鈍化/延遲后進(jìn)行再活化的順序，可以根據(jù)需要進(jìn)行多次重復(fù)循環(huán)。該步驟可以在整個(gè)沉積操作中，或者在其中的某個(gè)初始、中間或最后的部分中進(jìn)行。因此，本發(fā)明涉及包括前體和預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑的前體組合物。在前述預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑的范疇(即，(i)雜原子(O、N、S)有機(jī)路易斯堿化合物、(ii)自由基抑制劑、以及(iii)含氘反應(yīng)物)內(nèi)，基于本文所披露的內(nèi)容，在本領(lǐng)域的技術(shù)中可容易地確定用于特定應(yīng)用的合適的預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑。雜原子(0、N、S)有機(jī)路易斯堿化合物可具有多種類型，例如，包含含氧(-O-)部分、氮環(huán)原子或側(cè)懸氨基(或側(cè)氨基，pendantamino)或酰胺取代、硫環(huán)原子或側(cè)懸硫化物(或側(cè)硫化物)、磺酸鹽或硫醇基，其在處理系統(tǒng)中對(duì)于至少部分地減少前體和其他有才幾金屬反應(yīng)物的預(yù)反應(yīng)是有效的。在本發(fā)明的具體應(yīng)用中使用的雜原子(O、N、S)有機(jī)路易斯堿化合物的示例性實(shí)例包括，但不限于，1，4-二噁烷、噻噁烷、醚、聚醚、三乙胺(TEA)、三。秦、二胺、N,N,N，,N，-四曱基亞乙基二胺、N,N，N，-三甲基亞乙基二胺、胺、亞胺、吡咬等等。在本發(fā)明的各種具體實(shí)施方式中，雜原子(O、N、S)有機(jī)路易斯堿化合物可包括胍基化合物，例如，(Me2N)2C=NH。為此目的，雜原子(O、N、S)有枳J各易斯^喊化合物的一種優(yōu)選類型包括R3N、R2NH、RNH2、R2N(CH2)XNR2、R2NH(CH2)XNR2、R2N(CR2)XNR2、以及環(huán)胺-N(CH2)x-、咪唑、噻吩、吡咯、噻唑、脲、噁溱、吡喃、呋喃、p引哚、三唑、三喚、p塞唑啉、噁唑、二p塞烷、三瘞烷、冠醚、1,4,7-三氮雜環(huán)丙烷、1,5,9-三氮雜環(huán)十二烷、環(huán)烯(cyclen)、琥珀酰胺，以及上述物質(zhì)的取代衍生物，其中R可以是氫或任意適合的有機(jī)部分，例如，氫、C,-Cs烷基、C廣C8烷氧基、C,-C8烯基、CrCs炔基、以及C廣Q羧基，并且其中x是值為1至6的整數(shù)。通過(guò)連續(xù)的沉積作用，主要憑經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行確定，可以將雜原子(O、N、S)有機(jī)路易斯堿化合物以任何適合的濃度應(yīng)用在前體組合物中(其中雜原子(O、N、S)有機(jī)路易斯堿化合物濃度是可變化的)并且評(píng)定獲得的膜的特性，以確定適合的濃度。在各種實(shí)施方式中，雜原子(O、N、S)有機(jī)路易斯石咸化合物可以以前體量的1-300%的濃度進(jìn)行應(yīng)用?；诒疚乃兜膬?nèi)容，不需要過(guò)度的實(shí)驗(yàn)，即可對(duì)于特定種類的前體而確立雜原子(0、N、S)有機(jī)路易斯堿化合物在0.01-3等同范圍內(nèi)濃度值的特定子范圍。預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑可另外或可替換地包括自由基抑制劑，其對(duì)于降低前體和另一種有機(jī)金屬反應(yīng)物之間的預(yù)反應(yīng)程度是有效的。這種自由基抑制劑可以具有任何適合的類型，并且例如可包括受阻酚(hinderedphenols)。示例性自由基抑制劑包括，但不限于，選自由以下構(gòu)成的組中的自由基清除劑2,6-二叔丁基-4-曱基苯酚、2，2，6，6-四曱基-1-派咬基氧自由基、2,6-二曱苯酚、2-叔丁基-4-羥基茴香醚、3-叔丁基-4-羥基茴香醚、3,4,5-三羥基-苯曱酸丙酯、2-(l，l-二曱基乙基)-l，4-苯二醇、二苯基-l-苦肼基、4-叔丁基鄰苯二酚、N-曱基苯胺、2，6-二曱基苯胺、p-曱氧基二苯胺、二苯胺、N,N'-二苯基-p-苯二胺、p-羥基二苯胺、苯酚、十八烷基-3-(3，5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯、四(亞甲基(3,5-二叔丁基-4-羥基-氫化肉桂酸酯基)曱烷、吩p塞漆、烷基氨基異脲(alkylamidonoisoureas)、碌^代二乙烯(thiodiethylene)雙(3,5-二叔丁基-4-羥基-氫化肉桂酸酯、1,2,-雙(3,5-二叔丁基-4-羥基氫化肉桂?；?肼、三(2-曱基-4-羥基-5-叔丁基苯基)丁烷、環(huán)狀新戊烷四基(cyclicneopentanetetrayl)雙(十八烷基亞磷酸酯)、4，4'-硫代雙(6-叔丁基-m-曱酚、2,2'-亞曱基雙(6-叔丁基-p-曱酚)、乙二酰雙(苯亞曱基酰肼)以及它們的混合物。優(yōu)選的自由基抑制劑包括BHT、BHA、二苯胺、乙基香草醛等等。在各種具體的實(shí)施方式中，自由基抑制劑的有益濃度，以前體重量的重量計(jì)，可在O.OOl至約0.10%的范圍內(nèi)。更廣泛地，可以采用自由基抑制劑的任何適合的量，其在膜形成過(guò)程中所涉及的遞送和沉積操作中對(duì)于對(duì)抗前體的預(yù)反應(yīng)是有效的。氖源化合物提供了另一種抑制硫?qū)倩锴绑w預(yù)反應(yīng)的方法。這種氘源化合物可具有任何適合的類型，例如可包括氘化吡啶、氘化嘧啶、氘化吲咮、氖化咪唑、氖化胺和酰胺化合物、氘化烷基反應(yīng)物等，以及在其他情況用作含氫或質(zhì)子取代基的前體的氘化類似物。在本發(fā)明的全面實(shí)施中，氘化物作為預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑是有益的，包括但不限于，具有式RxGeD^和RxSbD3.x的鍺和銻化合物，其中R可以是氫或任何適合的有機(jī)部分(organomoieties)，例如氫、d-C8烷基、C「Cs烷氧基、C廣Cs烯基、C廣Cs炔基、以及C,-Cs羧基，并且其中x是值為1至6的整數(shù)。氘源反應(yīng)物可以以對(duì)于對(duì)抗前體的預(yù)反應(yīng)有效的任何適合濃度進(jìn)行使用。在本發(fā)明的具體實(shí)施方式中，示例性氘源反應(yīng)物的濃度，基于前體的重量，以重量計(jì)可以在0.01至約5%的范圍內(nèi)。因此，可以將氘源化合物加入一種或多種至氣相沉積處理的原料流中，和/或可首先將前體或其他原料流組分中的一種進(jìn)行氘化。為了至少部分地消除前體的預(yù)反應(yīng)，在本發(fā)明的實(shí)踐中使用的預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑的濃度，可以在本發(fā)明的大體實(shí)踐中依賴于所涉及的溫度、壓力、流速以及具體組分而進(jìn)行改變。因此，應(yīng)當(dāng)明了的是，本發(fā)明的預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑的上述濃度范圍僅僅作為示例性特征，基于本文所披露的內(nèi)容，在本領(lǐng)域的技術(shù)范圍內(nèi)，能夠容易地確定適用的濃度。將預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑引入或加入至沉積處理的一種或多種原料流中的具體方式可進(jìn)行相應(yīng)地變化，并且例如可在正常的膜形成操作中，在連接預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑來(lái)源與流至沉積處理的物流的流動(dòng)循環(huán)中采用質(zhì)量流量控制器、流量控制閥、定量注射器、或其他的控制或調(diào)節(jié)部件。如果對(duì)于給定的本發(fā)明的實(shí)施是必需或者適當(dāng)?shù)?，處理系統(tǒng)可另外包括分析器、監(jiān)控器、控制器、使用儀器等。代替將預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑引入或加入一種或多種至氣相沉積處理的原料流中，可以首先將預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑與前體混合，作為用于處理的起始反應(yīng)物材料。例如，可以在液體溶液中將預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑與前體混合，以將獲得的前體溶液液態(tài)遞送至蒸發(fā)器中，采用蒸發(fā)器來(lái)產(chǎn)生前體蒸氣用于與襯底接觸從而將膜沉積在村底上。如所述的，可以將預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑加入沉積位置中，從而提供對(duì)前體蒸氣預(yù)反應(yīng)的活性氣相抑制作用，其在其他情況下易受這種有害的相互作用的影響。作為另一種可替代方式，預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑在預(yù)先的表面處理時(shí)進(jìn)行使用，隨后前體和共反應(yīng)物((例如H2、NH3、等離子體、H20、硫化氫、竭化氫、二有機(jī)碲化物、二有機(jī)硫化物、二有機(jī)竭化物等)被遞送至襯底表面，從而在這樣的表面上進(jìn)行沉積。為此目的，在任何前體開始流動(dòng)之前，可將預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑引入一種或多種抵達(dá)沉積處理的流線(flowline)中，并流入沉積處理室中的襯底中。在4吏襯底與這種預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑接觸的必需時(shí)期結(jié)束之后，可開始將常規(guī)的原料流輸送至沉積室中。通過(guò)以上描述可明了，在沉積系統(tǒng)中，能夠以多種方式中的任一種將預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑引入，從而實(shí)現(xiàn)前體預(yù)反應(yīng)的減少。在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，預(yù)期的氣相沉積系統(tǒng)包括氣相沉積室，適于容納至少一個(gè)用于在其上沉積膜的襯底；化學(xué)反應(yīng)物供應(yīng)管，包含用于形成膜的反應(yīng)物；第一流動(dòng)循環(huán)，安排為從所述化學(xué)反應(yīng)物供應(yīng)管向氣相沉積室遞送所述反應(yīng)物；預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑供應(yīng)管，包含預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑；第二流動(dòng)循環(huán)，安排為從預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑供應(yīng)管向第一流動(dòng)循環(huán)、所述化學(xué)反應(yīng)劑供應(yīng)管和/或氣相沉積室遞送預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑。再次參照附圖，圖20是其中的一種實(shí)施方式中的氣相沉積系統(tǒng)100的示意性圖示。在這種示例性系統(tǒng)中，預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑包含在供應(yīng)管110中。預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑可包括預(yù)反應(yīng)抑制劑、自由基抑制劑、氘源、或這種試劑和/或具有這種試劑類型的兩種或多種的組合。預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑供應(yīng)管通過(guò)各自的流線112、114以及116連接至鍺、銻以及碲反應(yīng)物供應(yīng)管中，分別標(biāo)記為"G"、"S"以及"T"。在管"G，，中的鍺前體可以是四烷基或四氨基鍺化合物，例如四甲基鍺、四乙基鍺、四烯丙基鍺、四(二曱基氨基)鍺烷或其他的有機(jī)鍺化合物。此外，前體"G"可以是鍺歸化合物，其中Ge(II)上的未共用電子對(duì)在不存在預(yù)反應(yīng)抑制劑的情況下，可在氣相中與硫?qū)倩锴绑w反應(yīng)。管"S"中的銻前體可以是三烷基或三氨基銻化合物，例如三丁基銻、三異丙基銻、三(二曱基氨基)銻或其他有機(jī)銻化合物。在管"T，，中的碲前體可以是二烷基或二氨基碲化合物，例如二異丙基碲、二丁基碲、雙[雙(三曱基曱硅烷基)氨基]碲或其他的有機(jī)碲化合物。因此，可將預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑通過(guò)相應(yīng)的流線加入分別在"G"、"S"、以及"T，，管中的鍺、銻和/或碲前體中的任一種中，為此流線中可具有流動(dòng)控制閥或其他流動(dòng)部件。在示出的具體處理實(shí)施方式中，鍺、銻和碲前體分別在注入線路(feedline)118、120以及122中以液體形式流入混合室124中，然后獲得的前體混合物在線路126中從混合室124流入蒸發(fā)器128。在蒸發(fā)器中，液態(tài)前體混合物和預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑被蒸發(fā)從而形成前體蒸氣。前體蒸氣隨后在線3各130中流入氣相沉積室132中的蓮蓬頭擴(kuò)散器(showerheaddisperse"134中，從而將前體混合物釋放(discharge)至安裝在沉積室中的基座上的晶片4十底(wafersubstrate)136上。與晶片襯底136接觸的前體蒸氣用于將鍺、銻和碲金屬沉積在襯底上，從而形成例如用于制造相位轉(zhuǎn)變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件(phasechangerandomaccessmemorydevice)的4者-4弟-蹄(GST)才才泮牛的薄膜。接觸的前體蒸氣，當(dāng)金屬含量被耗盡時(shí)，在線路140中從氣相沉積室132釋放，并流入排出物清除單元(effluentabatementunit)142中。在排出物清除單元142中，對(duì)釋放的排出蒸氣進(jìn)行處理，例如，通過(guò)凈化(scrubbing)、催化氧化、電化學(xué)處理、或者以其他方式，從而產(chǎn)生可在線路146中從清除單元釋放的最終排出物。將明了的是，在圖20中示出的氣相沉積系統(tǒng)的示意性圖示僅具有示例性特征，并且多種其他的安排可用來(lái)調(diào)度和使用預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑，包括本文先前示例性描述的那些。例如，可直接將預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑引入混合室124中，在那里與各自的GST前體混合?？商鎿Q地，可將預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑引入多支管(manifold)118、和其他混合室、攪拌機(jī)(blender)等中，從而與運(yùn)送至沉積位置中的前體結(jié)合。在圖20中示出的系統(tǒng)是采用各種前體的液體遞送。應(yīng)了解的是，如果采用固相前體，那么可采用固體遞送技術(shù)，其中通過(guò)例如固態(tài)原料的升華作用，使固態(tài)前體蒸發(fā)。代替使用氘化劑作為圖20系統(tǒng)中的預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑，可以首先提供鍺、銻和碲前體中的一種和多種作為有機(jī)鍺、銻和碲前體的氖化類似物，其中有機(jī)部分(organomoiety)中的氫取代基凈皮氘所替代。在本發(fā)明的廣泛實(shí)踐中，可以采用預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑以產(chǎn)生用于制造半導(dǎo)體產(chǎn)品的改良的膜。一般而言，在具體應(yīng)用中，本文所述的預(yù)反應(yīng)對(duì)抗劑可以以各種組合進(jìn)行使用，以抑制或消除前體的預(yù)反應(yīng)并提供較好的成核作用及最終的膜特性。盡管本文已經(jīng)參照本發(fā)明的具體方面、特征和示例性實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，但應(yīng)了解的是，基于本文所披露的內(nèi)容，本發(fā)明的用途并不能因此得到限制，而是擴(kuò)展至并包含多種其他的變化、修改以及可替代實(shí)施方式，本發(fā)明所屬領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員能夠得到這樣的啟示。因此，以下權(quán)利要求所預(yù)保護(hù)的本發(fā)明旨在在其精神和范圍內(nèi)得到最寬廣的解釋和說(shuō)明，包括所有的變化、修改和可替代實(shí)施方式。權(quán)利要求1.一種通過(guò)氣相沉積工藝在襯底上形成含鍺膜的方法，包括蒸發(fā)鍺前體以形成鍺前體蒸氣，可選使所述鍺前體蒸氣與選自由氨、氫、氦、氬、和氮構(gòu)成的組中的組份化合，并且使所述前體蒸氣與用于在其上氣相沉積所述含鍺膜的襯底接觸，其中所述鍺前體選自由以下鍺合成物構(gòu)成的組中其中R1和R2可以彼此相同或不同，并且獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、C2-C5烯基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C1-C6烷基；其中R和R’可以彼此相同或不同，并且每個(gè)R和R’獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、C2-C5烯基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C1-C6烷基；其中R、R’、R1和R2可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、C2-C5烯基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C1-C6烷基；(R)4-nGe(NR1R2)nIV其中R、R1和R2可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、C2-C5烯基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C1-C6烷基；以及n是從0至4并包括邊界的整數(shù)；其中R1、R2、R3、R4、R5和R6可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、C2-C5烯基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C1-C6烷基；其中R選自H、C1-C6烷基、和C6-C10芳基；以及x是0、1或2；其中R1、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C1-C6烷基；其中R1、R2、R3、R4和R5可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、甲硅烷基、-Si(R’)3、C6-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、-(CH2)xNR’R”、和-(CH2)xOR”’，其中x＝1、2或3，而R’、R”和R”’可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自C1-C6烷基；其中R’和R”可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3選自C1-C6烷基；以及每個(gè)X獨(dú)立選自C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、-NR1R2、和-C(R3)3，其中每個(gè)R1、R2和R3獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R4)3，其中每個(gè)R4獨(dú)立選自C1-C6烷基；其中R1、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C1-C6烷基；其中R1、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C1-C6烷基；其中R1、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C1-C6烷基；R1R2R3R4GeXVI其中R1、R2、R3、和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C1-C6烷基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C1-C6烷基，Ge(NMe2)4、Ge(NEtMe)4、Ge(NEt2)4、iPr3GeCl、iPr3GeNMe2、iPr3GeNEtMe、iPr3GeNEt2、丁基脒基鍺、以及[{nBuC(iPrN)2}2Ge]。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含鍺膜進(jìn)一步包括碲，所述方法包括蒸發(fā)碲前體以形成碲前體蒸氣，并且使所述碲前體蒸氣與用于在其上氣相沉積所述膜的襯底接觸。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述碲前體選自由下式的碲合成物構(gòu)成的組中扁其中R!和R2可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、CrQ烷基、Cs-Cu)環(huán)烷基、C6-Ck)芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)113獨(dú)立選自Ci-C^坑^^R!Te(NR2R3)XIV其中:R,、R2和R3可以;波此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、d-Q烷基、C5-Cu)環(huán)烷基、C6-Cu)芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)Ro獨(dú)立選自d-Q烷基;<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>其中R,和R2可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C,-Q烷基、Cs-Cu)環(huán)烷基、CVC,o芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C廣C6坑基S碲絡(luò)合物帶有p-二酮亞胺化合物配體，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>其中R,、R2和R3它們可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自C,-Q烷基、C6-C,o芳基、曱硅烷基和C,-d2烷基胺(其包括單烷基胺以及二烷基胺兩者)；以及其中R,、112和R3它們可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自CVQ烷基、Q-d()芳基、曱硅烷基和d-C,2烷基胺(其包括單烷基胺以及二烷基胺兩者)。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中含鍺和碲的膜進(jìn)一步包括銻，所述方法包括蒸發(fā)4弟前體以形成銻前體蒸氣，并JU吏所述銻前體蒸氣與用于在其上氣相沉積所述膜的襯底4妻觸。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述銻前體選自由下式的銻合成物構(gòu)成的組中Sb(NF^R2)(R3N(CR5R6)mNR4)其中R1、R2、R3、和R"可以彼此相同或不同，并獨(dú)立選自C,-C6烷基、QrC6環(huán)烷基、C2-C6烯基、CrC6烷基曱硅烷基、(26-(310芳基,每個(gè)W和W可以彼此相同或不同，并獨(dú)立選自氫、C，-C6烷基、C3-C6環(huán)烷基、C2-Q烯基(例如乙烯基、烯丙基等)、CrC6烷基曱硅烷基、和C6-do芳基；以及m是從1至4并包括邊界的整數(shù)；Sb(R"(R2]V(CR4R5)mNR3)其中R1、R2、和W可以彼此相同或不同，并獨(dú)立選自C,-C6烷基、CVC6環(huán)烷基、C2-C6烯基(例如乙烯基、烯丙基等)、Q-C6烷基曱硅烷基和C6-C1Q芳基；每個(gè)R4和R5可以彼此相同或不同，并獨(dú)立選自氫、C,-C6烷基、CrC6環(huán)烷基、C2-Q烯基(例如乙烯基、烯丙基等)、C3-C6烷基曱硅烷基和C6-do芳基；以及m是從1至4并包括邊界的整數(shù)；Sb(R')h(NR'R其中r1、！^和rS可以彼此相同或不同，并獨(dú)立選自氫、C廣C6烷基、CrC6環(huán)烷基、CVC6烯基(例如乙烯基、烯丙基等)、曱硅烷基、CVC6烷基曱硅烷基、Q-Cu)芳基和-NR4115，其中每個(gè)R"和RS選自H和C廣C4;以及n是從0至3并包括邊界的整數(shù)；(R、Sb(E(R!R2R3))3n其中R1、R2、113和114可以彼此相同或不同，并獨(dú)立選自C廣C6烷基。CrC6環(huán)烷基、C3-Q烷基曱硅烷基(alylsilyl)、C6-C10芳基、和式-服5116的烷基胺基，其中每個(gè)115和116獨(dú)立選自H和C,-C4烷基；E是硅(Si)或鍺(Ge);以及n是0至3并包括邊界的整數(shù)；下式的脒基化合物、胍基化合物和異脲化合物R7nSb[R'NC(X)NR23-n其中每個(gè)R1和R2獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R3)3,其中每個(gè)113獨(dú)立選自C「Q烷基；每個(gè)X獨(dú)立選自d-Q烷氧基、-NR4R5、和-C(R6)3，其中每個(gè)R4、R5和R6獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、C5-do環(huán)烷基、C6-d。芳基、和-Si(R3)3,其中每個(gè)RS獨(dú)立選自C廣C6烷基；每個(gè)R"蟲立選自C,-C6烷氧基、-NR8R9、和-C(R,3,其中每個(gè)R8、R9和R^獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、Cs-C,o環(huán)烷基、CVdo芳基、-Si(R3)3、和-Ge(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C,-C6烷基；以及n是從0至3的整數(shù)；下式的四烷基胍基化合物RSb[(RiR2)NC(NR3R4)N)]3—n其中每個(gè)R'和R2獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、C5-d。環(huán)烷基、C6-C10芳基和-Si(R9)3，其中每個(gè)R"蟲立選自C廣C6烷基；每個(gè)R3和R4獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、CVC)o環(huán)烷基、C6-C10芳基和-Si(R9)3，其中每個(gè)W獨(dú)立選自C廣C6烷基；每個(gè)RS獨(dú)立選自C,-C6烷氧基、-NI^R"和-C(R8)3，其中每個(gè)R6、R和RS獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、Crdo環(huán)烷基、Q-C,o芳基、-Si(R9)3、和-Ge(R9)3，其中每個(gè)R9獨(dú)立選自C廣C6烷基；以及n是從O至3的整數(shù)；下式的氨基曱酸酯(鹽)類或硫代氨基曱酸酯(鹽)類R4nSb[(EC(X)E3-n其中每個(gè)X獨(dú)立選自C廣C6烷氧基、-NR1112、和-C(R3)3，其中每個(gè)R1、R2和R3獨(dú)立選自H、d-C6烷基、CVd()環(huán)烷基、C6-do芳基、和-Si(R5)3,其中每個(gè)RS獨(dú)立選自C,-Q烷基；每個(gè)W獨(dú)立選自C廣C6烷氧基、-NR'R2、和-C(R3)3,其中每個(gè)R1、R2和R3獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、Q-do環(huán)烷基、Qrd。芳基、和-Si(R5)3、-Ge(R5)3，其中每個(gè)115獨(dú)立選自C廣Q烷基；E是O或S;以及n是從0至3的整數(shù)；下式的p-二酮化合物、二酮亞酰胺化合物、和二酮亞胺化合物:[OC(R3)C(X)C(R2)03—nSb(R5)n[OC(R3)C(X)C(R2)翠i)3-nSb(R5)n[R4NC(R3)C(X)C(R2)N(的3-nSb(R、<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中每個(gè)R1、R2、113和R4獨(dú)立選自H、d-C6烷基、C5-C10環(huán)烷基、Q-d。芳基、和-Si(R6》，其中每個(gè)R6獨(dú)立選自C廣C6烷基;每個(gè)X獨(dú)立選自C,-C6烷氧基、-NR6R7、和-C(R8)3,其中每個(gè)R6、R7和R8獨(dú)立選自H、C,-Q烷基、Cs-Cu)環(huán)烷基、CVC,。芳基、和-Si(R6)3,其中每個(gè)R4蟲立選自C,-C6烷基；每個(gè)R5獨(dú)立選自胍基化合物、脒基化合物、異脲化合物、烯丙基、C,-C6烷氧基、-NR9R1()、和-C(R11)3,其中每個(gè)R9、R"和R"獨(dú)立選自H、C廣Q烷基、Cs-C,o環(huán)烷基、C6-C,o芳基、-Si(R6)3、和-Ge(R6)3,其中每個(gè)W獨(dú)立選自C,-C6烷基；以及n是從0至3的整數(shù)；下式的烯丙基化合物(i):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(ii):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(iii):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(iv):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中每個(gè)R1、R2、R3和R5獨(dú)立選自H、d-Q烷基、Cs-do環(huán)烷基、C6-do芳基、和-Si(R6)3,其中每個(gè)116獨(dú)立選自C,-C6烷基；每個(gè)X獨(dú)立選自C!-Q烷氧基、-NR1112、和-C(R3)3，其中每個(gè)R1、R2和R3獨(dú)立選自H、d-C6烷基、C5-do環(huán)烷基、C6-C!。芳基、和-Si(R6)3,其中每個(gè)I^獨(dú)立選自C,-C6烷基；每個(gè)R4獨(dú)立選自胍基化合物、脒基化合物、和異脲化合物、(3-二酮化合物、二酮亞酰胺化合物、和二酮亞胺化合物、C,-C6烷氧基、-NR7R8、和-C(R9)3，其中每個(gè)R7、118和119獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、Crdo環(huán)烷基、Q-do芳基、-Si(R6)3、和-Ge(R6)3，其中每個(gè)116獨(dú)立選自CrC6烷基；以及n是從0至3的整數(shù)；環(huán)戊二烯基(Cp)銻化合物，其中所述Cp部分為下式:其中每個(gè)r,、r2、r3、R4和R5可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自氫、C廣C,2烷基、C廣C,2烷基氨基、CVC,o芳基、d-C12烷氧基、CrC6烷基曱硅烷基、cvc,2烯基、！^r2nNR3，其中R1、112和113可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自C,-C6烷基，并且側(cè)懸配體包括提供與所述銻中心原子進(jìn)一步配位的官能團(tuán)，并選自氨基烷基、烷氧基烷基、芳氧基烷基、酰亞胺基烷基、和乙酰基烷基，具有下式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>氨基烷基類其中亞甲基(-CH2-)部分可選地是另外的二價(jià)烴基部分；每個(gè)RrR4彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自氫、C,-Q烷基、和Q-C10芳基；每個(gè)Rs和R6彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自C，-C6烷基；n和m每一個(gè)獨(dú)立選自從0至4的值，條件是m和n不能同時(shí)為0,并且x選自1至5;烷氧基烷基類和芳氧基烷基類其中每個(gè)RrR^皮此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自氫、C,-Q烷基、和CVdo芳基；115選自C廣C6烷基、和C6-C,o芳基；并且n和m獨(dú)立選自從0至4的值，條件是m和n不能同時(shí)為0;<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>凡'酰亞胺基烷基類其中每個(gè)R,、R2、R3、R4、Rs彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自氫、C廣C6烷基、和C6-Q。芳基；每個(gè)R,'、R2，彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自C,-C6烷基、和CVC川芳基；并且n和m獨(dú)立選自0至4，條件是m和n不能同時(shí)為0;<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>乙?；榛?lt;formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>其中每個(gè)R,-R4彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自氫、C廣C6烷基、和C6-do芳基；R5選自d-q烷基、CVCh)芳基、和C,-Cs烷氧基；并且n和m獨(dú)立選自0至4，條件是m和n不能同時(shí)為0;其中銻的Cp化合物的非-Cp配體可以可選包括選自由胍基化合物、脒基化合物、異脲化合物、烯丙基化合物、P-二酮化合物、二酮亞酰胺化合物、和二酮亞胺化合物構(gòu)成的組中；以及(M)具有側(cè)懸配體的下式烷基化合物、烷氧基化合物和曱硅烷基化合物(i):R5nSb[(I^R2)N(CH2)mC(R1112)3.。(ii):RSb[(I^R2)N(CH2)mSi(R11^(iii):RSb[(R'R2)N(CH2)mO3—n其中每個(gè)R1和R2獨(dú)立選自H、C,-C6烷基、C5-C10環(huán)烷基、C6-C10烷基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)W獨(dú)立選自C廣C6烷基；每個(gè)RS獨(dú)立選自胍基化合物、脒基化合物、異脲化合物、卩-二酮化合物、二酮亞酰胺化合物、二酮亞胺化合物、CrC6烷氧基、-NR6R7、和-C(R8)3，其中每個(gè)R6、R和RS獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、Crd。環(huán)烷基、C6-do芳基、-Si(R3)3、和-Ge(R3)3，其中每個(gè)113獨(dú)立選自C,-C6烷基；n是從0至3的整數(shù)；m是從0至4的整數(shù)；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>下式的銻的氨基化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>下式的銻(in)烷基/氨基前體:Me3Si、,SiMe3Me3Si、，SiMe3:NMe3Si—rjJ.CHM&Me3Si—N.GH2-GH=CH2SiMe3以及下式的帶有鍺陰離子的銻化物Me3Ge'<3eMe3Me3Ge',Sb——st)\GeMe.'eMe3GeMe3和,Sb、6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鍺前體包括丁基脒基鍺。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鍺前體包括{nBuC(iPrN)2}2Ge。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述膜是無(wú)定形的GeTe或GeSbTe膜。9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述二烷基碲化合物選自二^又丁基碲和二異丙基碲。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述膜被沉積在所述襯底上的填充溝道中或通孔結(jié)構(gòu)中。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括形成相位變換隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置包括無(wú)定形特性的含鍺-和碲-的膜。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括通過(guò)向所述工藝中引入選自由(i)(O，N，S)有機(jī)金屬路易斯堿化合物、(ii)自由基抑制劑、禾口(iii)含氖i式劑構(gòu)成的纟且中的子貞反應(yīng)-乂十4元?jiǎng)┑那绑w乂十抗性子貞反應(yīng)。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，用于形成平滑的無(wú)定形碲化鍺膜包括蒸發(fā)丁基脒基4者和二烷基碲前體以形成所述前體蒸氣，并Y吏所述前體蒸氣與所述^N"底"t妻觸以在所述襯底上形成所述平滑的無(wú)定形碲化4者膜。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，用于形成相位變換隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置包括形成無(wú)定形特性的碲化鍺膜，包括由包括丁基脒基鍺或[{nBuC(iPrN)2}2Ge]的鍺前體氣相沉積鍺，其中所述氣相沉積包^^f吏用二纟克基碲前體，并且進(jìn)4于與包4舌氨的共反應(yīng)物(的反應(yīng))。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述二烷基碲前體選自由二分又丁基》帝和二異丙基^帝構(gòu)成的組中。16.—種4者前體，選自由以下構(gòu)成的組<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>其中R,和R2可以彼此相同或不同，并且獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C2-Cs烯基、C5-C,o環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C,-C6烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>其中R和R，可以;波此相同或不同，并且每個(gè)R和R，獨(dú)立選自H、C廣Q烷基、C2-Cs烯基、Cs-Cu)環(huán)烷基、C6-do芳基、*-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C廣Q烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>其中:R、R，、R!和R2可以」波此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C2-Cs烯基、Cs-d。環(huán)烷基、CVd。芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自d-C6烷基；其中R、R!和R2可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C2-C5烯基、C5-C!o環(huán)烷基、C6-do芳基、和-Si(R3)3,其中每個(gè)R3獨(dú)立選自CrQ烷基；以及n是從0至4并包括邊界的整數(shù)；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>R1、R2、R3、R4、W和W可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C2-C5烯基、CrCu)環(huán)烷基、C6-C,。芳基、和-Si(R3)3,其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C廣C6烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>其中:R選自H、C廣Q烷基、和C6-do芳基；以及X為0、1或2;<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>其中R!、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C5-Co環(huán)烷基、CVd。芳基、和陽(yáng)Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C,-C6烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>其中R"R2、R3、R4、和Rs可以;波此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣Q烷基、曱硅烷基、-Si(R，)3、C6-do環(huán)烷基、C6-C,o芳基、-(CH2)XNR，R，，、和-(CH2)xOR，"，其中x:l、2或3，并且R，、R"和R"，可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自C，-C6烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>其中R，和R，，可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、CrC6烷基、CrC,o環(huán)烷基、Q-Cu)芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C廣Q烷基；以及每個(gè)X獨(dú)立選自C,-C6烷基、d-C6烷氧基、-NR'R2、和-C(R3)3，其中每個(gè)R1、R2和113獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C5-C,o環(huán)烷基、C6-C10芳基、和-Si(R4)3，其中每個(gè)R4獨(dú)立選自C廣Q烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>其中R,、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、CrC,o環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3,其中每個(gè)R3獨(dú)立選自d-Q烷基；其中R,、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、CrQo環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自C,-C6烷基；X紅其中R,、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、C5-C10環(huán)烷基、C6-do芳基、和-Si(R3)3，其中每個(gè)R3獨(dú)立選自d-C6烷基；XVI其中R,、R2、R3、和R4可以-波此相同或不同，并且每個(gè)獨(dú)立選自H、C廣C6烷基、CrC1()環(huán)烷基、C6-C,o芳基、和-Si(R3)3,其中每個(gè)R3獨(dú)立選自d-Ce烷基；N—Ge一NSiMe3,S:iMe3:N—C3e—N、slMe3、SiMe3S股e3"C—Ge—C:-HSiMe3、SiMe3■Si:Me3SiMe3Ge(NMe2)4、Ge(NEtMe)4、Ge(NEt2)4、iPr3GeCl、iPr3GeNMe2、iPr3GeNEtMe、iPr3GeNEt2、丁基脒基鍺、和[(nBuC(iPrN)2〉2Ge]。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的鍺前體，包括丁基脒基鍺。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的鍺前體，包括[(nBuC(iPrN)2hGe]。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的鍺前體，進(jìn)一步包括包括選自由(i)(O，N,S)有機(jī)金屬路易斯堿化合物、(ii)自由基抑制劑、和(iii)含氘試劑構(gòu)成的組中的預(yù)反應(yīng)-對(duì)抗劑。20.—種平滑的無(wú)定形碲化鍺或碲化銻4者膜，通過(guò)權(quán)利要求2所述的方法利用包括丁基脒基鍺或[(nBuC(iPrN)2hGe]的鍺前體形成。全文摘要本發(fā)明涉及有效地利用鍺、碲、和/或銻前體來(lái)形成含有鍺、碲和/或銻的膜，諸如GeTe、GST、以及熱電的含鍺膜。還描述了用于使用這些前體以形成無(wú)定形膜的方法。進(jìn)一步描述了[{nBuC(iPrN)₂}₂Ge]或丁基脒基鍺的使用，以形成GeTe平滑無(wú)定形膜，用于相位變換存儲(chǔ)器應(yīng)用。文檔編號(hào)C07F7/30GK101423929SQ20081017432公開日2009年5月6日申請(qǐng)日期2008年10月31日優(yōu)先權(quán)日2007年10月31日發(fā)明者威廉·亨克斯,李衛(wèi)民,杰弗里·F·羅德,許從應(yīng),陳世輝,陳天牛,馬蒂亞斯·斯滕德申請(qǐng)人:高級(jí)技術(shù)材料公司