專利名稱：用于檢測無機涂敷的聚合物表面中的缺陷的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于檢測涂敷的基材(例如無機涂敷的聚合物表面)中的表面缺陷的 方法，更具體地說，涉及疏水熒光材料用于檢測表面缺陷的用途。
背景技術(shù)：
聚合物由于其柔性、輕的重量和低的成本而成為常用材料。很多聚合物性能可以 通過在其表面上加入無機涂層而得以強化。對于多種包裝應(yīng)用，這種無機膜可以充當氣體 擴散阻隔物。該無機層也可以用于保護下層的聚合物并給予聚合物更高的強度。不幸的是， 無機層難以沉積在聚合物上，因為無機材料的沉積通常在聚合物熔融溫度以上的溫度下進 行。氧化鋁涂敷的聚合物表面廣泛用于工業(yè)和消費產(chǎn)品中。原子層沉積(“ALD”，有時 也稱為化學(xué)氣相沉積“CLD”)用于在聚合物表面上沉積氧化鋁或其它無機或金屬材料的納 米薄層。ALD涂層可用于MEMS (微電機系統(tǒng))器件表面的隔離、電荷耗散的促進和官能化。 聚酰亞胺通常用作該聚合物。諸如氧化鋁涂敷的聚酰亞胺的材料在半導(dǎo)體工業(yè)中用于制備 半導(dǎo)體晶片的高真空、耐蒸氣的密封包裝。由于原子層沉積中的固有的限制和可變性，在大規(guī)模生產(chǎn)中會引入多種缺陷，例 如未涂敷區(qū)域、表面不規(guī)則、裂縫或劃痕。這些缺陷可以在無機層的沉積過程中引入，或者 之后在進一步加工或操作過程中弓丨入。存在多種質(zhì)量控制測試程序，但是它們往往高價、耗時且昂貴。一個例子是氦泄露 測試。該測試測量通過聚合物的蒸氣傳輸速率以作為無機涂層完整性的指標。該測試可以 指示缺陷的存在，但是不能檢測缺陷的確切位置。針對水蒸氣透過的其它測試包括重力(P2O5上的得水或失水)、電容或電阻(使用 濕度傳感器)譜，鈣降解(光學(xué)的或電阻變化)，以及放射性(使用氚或14CO)。一件出版物記載了使用手持UV燈檢測膜下腐蝕的方法(D. E. Bryant和 D. Greenfield, Progress in Organic Coatings, 57 (4) :416_420 (2006))?；瘜W(xué)品 8-羥基 喹啉-5-磺酸水合物用于研究涂敷的鋁的腐蝕，9-蒽基(anthyl)-5-(2-硝基苯甲酸)二硫 化物用于鐵。將多種聚合物涂敷的金屬用解剖刀刻劃，使得發(fā)生腐蝕。原子力顯微鏡(“AFM”)用于檢驗已進行了彎曲周期的氧化銦錫涂敷聚碳酸酯 基材上的表面裂縫(L Ke 等人，Applied Physics A =Materials Science & Processing， 81 (5) =969-974(2005)) 0 AFM表明，彎曲提高了無機涂層表面的粗糙度。鈣降解測試表明， 表面裂縫垂直于彎曲方向，并且在彎曲后阻隔性能劣化。在該表面上制備的有機發(fā)光器件 (“0LED”或“有機LED”)表現(xiàn)出降低的電學(xué)和光學(xué)性能，這是由于水分和氧氣的透過。
D. B. Perng 等人的 Journal of Physics =Conference Series, 13 353-356 (2005) 記載了用于檢測OLED中的缺陷的自動光學(xué)檢測系統(tǒng)(“Α0Ι”)。該文獻指出，OLED缺陷通 常包括暗點、非均勻發(fā)光、表面刮痕、不足的膠寬和缺乏顏色均勻性。計算機控制的AOI基 于包括導(dǎo)電固定物(conducting fixture)、UV光、同軸LED光和背光在內(nèi)的發(fā)光機理。已授權(quán)的多件美國專利提供了檢測材料的表面缺陷的方法。美國專利No. 4，968，892(1990年11月6日授權(quán))記載了用于識別工件中的表面 缺陷的測試裝置。將該工件用熒光物質(zhì)處理，該熒光物質(zhì)截留于表面中的瑕疵中。該裝置 包括用于掃描表面的濾波器、透鏡和光源。美國專利No. 5，723,976(1998年3月3日授權(quán))記載了用于檢測封裝的電子元件 中的缺陷的方法。該方法包括將該元件浸入當變濕時發(fā)熒光但是當干燥時不發(fā)熒光的水溶 性熒光物質(zhì)的熒光水溶液中。將該元件在濕空氣中造影，然后在干空氣中造影，以檢測缺陷 處的熒光(當潮濕時)和熒光的缺乏(當干燥時)。美國專利No. 5，965，446 (1999年10月12日授權(quán))提出了檢測表面中的缺陷的方 法。制備熒光分子在揮發(fā)性有機溶劑中的溶液，然后使用一片紙施加到整個表面上。該紙 用于在有機溶劑蒸發(fā)之前將該溶液均勻分布到整個表面上。美國專利No. 6，097，784 (2000年8月1日授權(quán))提供了用于將與半導(dǎo)體器件的上 表面相關(guān)的缺陷放大的方法。將染料施加到該上表面上，并吸入顯影凝膠中。凝膠顯現(xiàn)出 缺陷信息，它比缺陷本身更容易造影。該染料可以是熒光染料。美國專利No. 6，427，544 (2002年8月6日授權(quán))提出了用于檢測部件中的缺陷的 環(huán)境友好的方法。將該部件浸沒到滲透性染料和超臨界二氧化碳的混合物中。將該部件取 出，并檢查任何缺陷中存在的染料。該染料可以是用UV光造影的滲透性熒光染料。美國專利No. 6，677，584(2004年1月14日授權(quán))提供了含有熒光染料的生產(chǎn)用流 體。將元件在該生產(chǎn)用流體的存在下研磨或切割，然后對該元件檢查表面裂縫或缺陷。該 生產(chǎn)用流體尤其可用于陶瓷部件的加工。美國專利No. 6，916，221 (2005年7月12日授權(quán))記載了用于確定OLED中的缺陷 的光學(xué)方法。獲得激發(fā)的OLED表面的數(shù)字圖像，并由計算機或使用者檢查圖像以確定缺 陷。美國專利No. 6，943，902(2005年9月13日授權(quán))記載了確定材料層中的層厚度 或者填充物、層厚度分布、缺陷、積聚物或非均勻性的各自的量的方法。將該材料在層的制 備之前與吸收輻射的試劑混合。照射該層，并檢測發(fā)射的光。在該方法中，該試劑永久性地 嵌入整個層中。盡管無機涂敷的聚合物廣泛用于工業(yè)中，但是表面缺陷降低并且可能消除材料的 有利性能。例如，缺陷可以使水滲透材料，或者可以降低材料保持真空的能力。因此，盡管 迄今為止進行了很多嘗試，但是還需要檢驗材料完整性的簡單、可靠的方法，或者相反地檢 測材料的表面缺陷的簡單、可靠的方法。此外，需要能夠檢測缺陷的位置的方法。

發(fā)明內(nèi)容
具有用親水層(例如無機物質(zhì)的表面層)涂敷的聚合物層的材料中的表面缺陷可 以用至少一種親脂熒光物質(zhì)進行檢測和定位。材料與熒光物質(zhì)的接觸使得任何表面缺陷具有熒光性，同時不具有缺陷的其余表面未被標記。一方面，提供一種用于識別表面中的缺陷的方法。該方法包括a)提供具有至少部 分地用親水層涂敷的疏水表面的基材，其中該親水層在其中具有缺陷；b)使該基材與親脂 熒光物質(zhì)接觸足夠的時間以使該物質(zhì)與缺陷接觸；c)用合適波長的能量激發(fā)該熒光物質(zhì)， 以生成可檢測的熒光響應(yīng)；以及d)檢測該物質(zhì)的熒光響應(yīng)。該方法可以進一步包括在使 該基材與該親脂熒光物質(zhì)接觸之后洗滌該基材。該基材可以包含聚合物。該親水層可以是 或者包含無機材料(例如金屬氧化物)。該親水層通常厚度小于10 λ。該親脂熒光物質(zhì)可 以是包含4，4-二氟-4-硼雜_3a，4a_ 二氮雜-S-引達省(indacene)結(jié)構(gòu)部分的熒光化合 物。該親脂熒光物質(zhì)可以進一步包含親脂結(jié)構(gòu)部分或者可以包含兩個或更多個親脂結(jié)構(gòu)部 分。例如，親脂結(jié)構(gòu)部分可以是具有1-20個碳原子的烴，例如具有1-20個碳原子的烷基或 苯基或苯乙烯基。該親脂熒光物質(zhì)可以與微顆?；虬雽?dǎo)體納米晶體結(jié)合。另一方面，提供包含4，4- 二氟-4-硼雜_3a，4a- 二氮雜_s_引達省結(jié)構(gòu)部分和親 脂結(jié)構(gòu)部分的親脂熒光物質(zhì)。該親脂結(jié)構(gòu)部分可以是具有1-20個碳原子的烴，例如具有 1-20個碳原子的烷基或苯基或苯乙烯基。該親脂熒光物質(zhì)可以與微顆粒結(jié)合。再一方面，提供包含可識別的缺陷的基材。該基材可以包含至少部分地用其中存 在缺陷的親水層(例如無機材料)涂敷的疏水表面。親脂熒光物質(zhì)可以與該缺陷接觸。任何 脂水熒光物質(zhì)可以與該缺陷接觸，包括例如包含4，4- 二氟-4-硼雜_3a，4a- 二氮雜_s_弓丨 達省結(jié)構(gòu)部分和親脂結(jié)構(gòu)部分的物質(zhì)。再一方面，提供包含親脂熒光物質(zhì)和任選的附加組分的試劑盒，以實施所公開的 方法。本文中提供的組合物、試劑盒和方法提供了相對于使表面缺陷造影的常規(guī)途徑的 多種優(yōu)點，并提供了對現(xiàn)有途徑的廉價、快速且相對易用的替代方案。


圖1的圖像顯示了親脂熒光分子選擇性地粘附于引入ALD氧化鋁涂層中的劃痕上。圖2顯示了通過親脂熒光物質(zhì)而變得可見的ALD氧化鋁涂層中的裂縫的圖像(A) 在5%的外加應(yīng)變后在試樣內(nèi)生成的一系列溝道(channel)裂縫，(B)由樣品制備過程中的 剪切產(chǎn)生的試樣邊緣的裂縫，(C)顯示單個剪切裂縫的真實尺寸的FESEM圖像。圖3顯示了通過親脂熒光標記而變得可見的Al2O3 ALD膜中/上的單個缺陷的圖 像(A)通過共焦顯微術(shù)以低放大率相對于標志物揭示的缺陷密度和位置；(B，C)通過高放 大率FESEM識別的(A)中的#1位置和#2位置處的缺陷的尺寸和形貌的細節(jié)。
具體實施例方式在詳細說明本發(fā)明之前，應(yīng)當理解，本發(fā)明不限于具體的組合物或方法步驟。應(yīng)當 注意，在本說明書和附帶的權(quán)利要求書中使用的單數(shù)形式的“一種”、“一個”和“該”包括復(fù) 數(shù)形式，除非上下文中清楚地給出相反的指示。還應(yīng)當理解，當用于描述數(shù)值時，術(shù)語“約” 應(yīng)當包括該數(shù)值的最高達士 15%的范圍，除非上下文中清楚地給出相反的指示。盡管組合 物和方法以“包含”各種組分或步驟(解釋為“包括但不限于”)的方式進行說明，但是這些組合物和方法也可以“由”或“基本上由”各種組分和步驟“組成”，該術(shù)語應(yīng)當解釋為限定 基本上封閉的成員組。組合物和使用方法提供了用于檢測材料中的缺陷的方法。本發(fā)明的一種實施方案涉及檢測材料中的 表面缺陷的方法。該材料可以包含例如用無機層涂敷的聚合物層。該方法可以包括使該材 料與至少一種親脂熒光物質(zhì)接觸，以使得該物質(zhì)局域化于該缺陷處，并檢測局域化的該物 質(zhì)。該方法可以用于檢測多種類型的表面缺陷，包括但不限于機械缺陷，例如裂縫、針孔、表 面不規(guī)則、劃痕、未涂敷區(qū)域、剝落，或者可以在該材料的生產(chǎn)或操作過程中產(chǎn)生的任何其 它類型的缺陷。還提供了用于檢測表面顆?；蛭廴疚?例如脂、油、灰塵、纖維等)的存在的 方法。本方法可以用于檢測穿過基材上的表面層的整個厚度的缺陷。例如，親水涂層中的 使一部分下層疏水基材暴露的裂縫或針孔可以使用本發(fā)明的親脂熒光物質(zhì)進行檢測。所公 開的熒光物質(zhì)可以標記從幾納米到幾百納米到幾微米或更大的尺寸范圍內(nèi)的表面缺陷。例 如，可以識別具有約500nm或更小；或者約250nm或更?。换蛘呒sIOOnm或更?。换蛘?0nm 或更小的寬度或直徑(例如在針孔缺陷的情況下)的缺陷。該材料通常可以是任何材料。材料的實例包括OLEDs (有機發(fā)光二極管)、熱地平 面(thermal ground plane)、太陽能電池板、膜和袋(例如電子裝置、食品包裝或醫(yī)療器械 工業(yè)中使用的)、纖維光學(xué)裝置、柔性顯示器、液晶顯示器(LCD)組件、平板顯示器、磁信息 存儲介質(zhì)(MIS)、微電機系統(tǒng)(MEMS)和超大規(guī)模集成(ULSI)電路。該材料可以包含聚合物或聚合物的組合。聚合物可以是表面層的形式。該聚合物 或聚合物層通?？梢允侨魏尉酆衔铩Ｔ摼酆衔飪?yōu)選是疏水的。聚合物的實例包括聚苯乙 烯、聚氨酯、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、HSPEN(熱穩(wěn)定 化聚萘二甲酸乙二醇酯)、ΚΑΡΤ0Ν(可從DuPont商購的聚酰亞胺膜)、聚醚醚酮(PEEK)、聚 砜(PSF)、聚醚酰亞胺、聚鄰苯二甲酸乙二醇酯和聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。該聚合物 通?？梢允侨魏稳S構(gòu)造。構(gòu)造的實例包括平片、膜、涂層、管、纖維和珠。該材料(例如由聚合物形成的基材)可以進一步包含至少一層涂層。該涂層可以 是連續(xù)的涂層(例如膜)或者可以僅覆蓋基材的一部分。該涂層可以包含任何類型的材料 (例如聚合物或無機材料)，只要它比基材材料的疏水性低。例如，該涂層可以是親水材料 (例如親水聚合物或無機材料)。在某些實施方案中，該涂層是無機層。該無機層通?？梢?是任何無機層。該無機層優(yōu)選是親水的。無機層可以是金屬氧化物層。無機層可以是金 屬_陰離子固體例如ZnS、GaP、Ta2O3> A1203(氧化鋁)、Ti02、GeO2和V0X。該涂層可以具有 一定的厚度范圍。例如，該涂層可以小于約1微米；或者小于約500nm ；或者小于約IOOnm ； 或者小于約50nm。該涂層可以通過本領(lǐng)域中使用的任何已知手段施加或者沉積到基材上。 在某些實施方案中，將無機涂層通過原子層沉積(ALD)進行施加以在基片上形成具有50nm 或更小(例如約25nm)的厚度的膜。親脂熒光物質(zhì)通常可以是任何親脂熒光物質(zhì)。親脂熒光物質(zhì)的實例包括熒光染 料、熒光微球和量子點(有時稱為半導(dǎo)體納米晶體)。熒光物質(zhì)可以在施加到樣品上之前 產(chǎn)生熒光，或者可以在使用過程中(例如在與樣品接觸后)產(chǎn)生熒光。例如，親脂熒光物質(zhì) 可以在溶解于含水溶液例如水或緩沖液中時表現(xiàn)為非熒光性或最低程度的熒光性。然而， 當在疏水環(huán)境中時(例如當與疏水表面接觸時)，某些親脂熒光物質(zhì)(例如二氮雜引達省(indacene)、角鯊烯(squarenes)和一些苯乙烯染料)可以產(chǎn)生強的熒光信號。在本方法 中使用的親脂熒光物質(zhì)的類型可以根據(jù)例如基材和涂層的組成和構(gòu)造、涂層的厚度以及缺 陷的類型和尺寸而變化。親脂熒光物質(zhì)通常具有使得可以容易地進入納米尺度缺陷中的尺 寸。本文中提供的某些物質(zhì)為較小的分子(例如約200-400的分子量)。然而，具有納米或 微米范圍內(nèi)的尺寸的較大熒光物質(zhì)對于檢測較大的缺陷可能是有利的。親脂熒光物質(zhì)通常 是往往非極性并且被認為不溶于水的疏水化合物或物質(zhì)。親脂物質(zhì)往往溶于非極性溶劑， 例如二氯甲烷、異丙醇、乙醇、己烷等，并且對于親水表面不具有親和性或具有可忽略的親 和性。熒光物質(zhì)本身可以是親脂的?；蛘?，熒光物質(zhì)包含熒光結(jié)構(gòu)部分和親脂結(jié)構(gòu)部分(例 如親脂側(cè)基)。某些熒光結(jié)構(gòu)部分可以是親脂的。在某些實施方案中，熒光結(jié)構(gòu)部分具有比 親脂結(jié)構(gòu)部分相對較小的親脂性。某些熒光結(jié)構(gòu)部分可以是親水的。當希望熒光物質(zhì)相對 于表面使其自身取向時，可以使用這樣的熒光物質(zhì)它具有疏水性比該側(cè)掛結(jié)構(gòu)部分相對 較低的熒光結(jié)構(gòu)部分。例如，當沉積在疏水表面上時，親脂側(cè)基可以粘附到表面上(例如通 過疏水相互作用)，而具有相對較低的疏水性的熒光結(jié)構(gòu)部分可以自身遠離表面。親脂結(jié)構(gòu) 部分可鍵合(例如共價鍵合)到熒光分子上并可進一步包括可使親脂結(jié)構(gòu)部分與熒光結(jié)構(gòu) 部分遠離的間隔物。在某些實施方案中，熒光分子可以包括多于一個側(cè)基，其中該側(cè)基可以 是相同或不同的。例如，該化合物可以包含2或3或4或更多個親脂基團，它們可以是相同 或不同的。通常選擇親脂基團以使得不妨礙熒光分子的熒光性能。任何類型的親脂或疏水 基團可以用于親脂熒光物質(zhì)的制備中，并且是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的。一類代表性的親脂 結(jié)構(gòu)部分包括烴。烴可以是飽和的或不飽和的，線形、支化或環(huán)狀的，并且可以包括脂族和/ 或芳族結(jié)構(gòu)部分。某些烴包括共軛的烴鏈。示例性的親脂烴結(jié)構(gòu)部分包括具有1-20個碳 原子的烷基。例如，親脂結(jié)構(gòu)部分可以是具有10個或更少的(例如1至3;或3至5;或5 至7 ；或7至9 ；或10)碳原子的飽和烷基，它可以是取代的或未取代的(例如甲基、乙基、丙 基、丁基等)?；蛘撸H脂結(jié)構(gòu)部分可以是不飽和烴，它可以是取代的或未取代的，或者是具 有交替的單鍵和雙鍵的共軛烴。其它示例性親脂結(jié)構(gòu)部分為或者包含芳族結(jié)構(gòu)部分，例如 苯基或苯乙烯基。其它種類的親脂結(jié)構(gòu)部分包括含有雜原子例如N、S、0或鹵素的化合物。 再其它類的親脂物質(zhì)包括脂肪酸、脂肪磺酸(fatty sulfonic acids)或脂肪硫酸鹽(例如 十二烷基硫酸鈉)。在某些實施方案中，熒光物質(zhì)被2至4個或更多個親脂側(cè)基取代，這些 側(cè)基可以是相同或不同的。例如熒光物質(zhì)可以被2或3或4個烷基取代，其中每個烷基具 有1-20個碳原子(例如甲基、乙基、丙基、丁基等)。在其它實施方案中，熒光物質(zhì)被多于一 種的親脂基團取代。例如，熒光物質(zhì)可以被多種結(jié)構(gòu)部分例如烴結(jié)構(gòu)部分(例如線形或支 化的烷基、苯基、苯乙烯基等)的組合所取代。 親脂熒光物質(zhì)的實例包括熒光染料、熒光微球或微顆粒，以及量子點(有時也稱 為半導(dǎo)體納米晶體)。任何類型的熒光染料都可以用于實施所述方法。在某些實施方案中， 熒光染料可以在電磁波譜的可見光范圍內(nèi)吸收或發(fā)射輻射?；蛘撸瑹晒馊玖峡梢栽谠摬ㄗV 的近IR區(qū)域內(nèi)吸收或發(fā)射輻射。近IR染料可以有效地用于使產(chǎn)生背景熒光的基材中的缺 陷造影。很多熒光化合物傾向于在持續(xù)的發(fā)光(例如從幾秒到更長的曝光時間)后損失熒 光發(fā)射強度(稱為“光致褪色”)。光致褪色由于多種原因而發(fā)生，包括例如染料結(jié)構(gòu)的不 可逆的改變。提供了耐光致褪色并因此很適合用于根據(jù)本文中提供的方法進行的缺陷檢測 和表征的親脂熒光物質(zhì)。
7
當熒光物質(zhì)以高濃度或團聚體形式存在時，也可以發(fā)生熒光發(fā)射強度的損失。因 此，通常希望在所公開方法的實施中使用這樣的親脂熒光化合物當以高濃度存在時(例 如局域化于缺陷中或缺陷上時)它表現(xiàn)出最小的熒光發(fā)射強度損失或者不表現(xiàn)出熒光發(fā) 射強度損失，或者以比檢測周期的時標慢的速率顯示出強度損失(使得強度的損失不影響 測量)。本文中提供了這樣的熒光物質(zhì)它具有足夠的親脂性以粘附到疏水基材(例如聚 合物)上，并且當沉積到表面缺陷中或表面缺陷上時還保持其熒光發(fā)射強度。與很多熒光 化合物相反，已發(fā)現(xiàn)本文中提供的某些親脂熒光化合物(例如BODIPY染料)在以高濃度存 在時實際上表現(xiàn)出熒光信號強度的提高。本文中提供的特定染料(其中該染料是疏水的) (例如B0DIPY)當用于檢測表面缺陷時保持或提高熒光信號強度。該獨特特征在含有微量 熒光材料的微米或納米尺寸缺陷的成像中是特別有利的。盡管對于所說明的方法的實施是 非必需的，但是本文中提供的特定親脂熒光化合物也可以當局限于缺陷中時表現(xiàn)出發(fā)射波 長的移動(例如紅移)?？梢允褂帽憩F(xiàn)出向更長波長的特定移動的化合物，以便例如使產(chǎn)生 背景熒光的基材中的缺陷造影。適合用于檢測表面缺陷的一類代表性的疏水熒光染料包括具有氟化硼絡(luò)合二 吡咯甲川(boron dipyrromethene)(簡稱B0DIPY)核結(jié)構(gòu)的化合物(例如具有4，4_ 二 氟-4-硼雜-3a，4a- 二氮雜_s_引達省核的化合物)?；贐ODIPY的化合物可以被一個或 多個親脂側(cè)基取代，如本文中所述。可用于所述方法中的基于BODIPY的熒光化合物的具體 實例包括被例如烴基例如甲基、丙基、苯基或苯乙烯基取代的那些。例如，代表性的BODIPY 化合物包括1，3，5，7，8-五甲基BODIPY和1，3-二正丙基BODIPY?？梢杂糜谒龇椒ㄖ械幕贐ODIPY的熒光化合物的其它實例包括4，4_ 二氟-1， 3，5，7，8-五甲基-4-硼雜-3a，4a- 二氮雜 _s_ 引達??；4，4- 二氟-1，3- 二甲基-5，7- 二 苯基-4-硼雜-3a，4a- 二氮雜-S-弓丨達??；4，4_ 二氟_1，3，5，7-四苯基-4-硼雜_3a，4a, 8-三氮雜-s-引達??；4，4_ 二氟-1，3- 二苯基-5-(2-吡咯基)_4_硼雜-3a，4a- 二氮 雜-S-引達?。?，4-二氟-1，3-二丙基-4-硼雜-3a，4a-二氮雜-S-引達省；4，4-二氟-1， 3，5，7-四甲基-4-硼雜-3a，4a- 二氮雜-s_引達?。?，4- 二氟-1，3- 二苯基-5，7- 二丙 基-4-硼雜-3a，4a- 二氮雜_s_引達省；4，4_ 二氟苯基-3- (4-甲氧基苯基)-5- (2-吡 咯基)-4_硼雜-3a，4a-二氮雜-S-引達省；二氟(1_((3_(4_甲氧基苯基)_2H_異吲 哚-1-基)亞甲基)-3-(4-甲氧基苯基)-IH-異吲哚根合(isoindolatd-NSN2)硼；二氟 (5-甲氧基-l-((5-甲氧基-3-(4-甲氧基苯基)-2H-異吲哚-1-基)亞甲基)-3-(4-甲 氧基苯基)-1Η-異吲哚根合-N1，N2)硼；4，4_ 二氟-2-乙基-1，3，5，7，8-五甲基-4-硼 雜_3a，4a- 二氮雜-s_引達??；4，4_ 二氟_1，3_ 二甲基-5-苯乙烯基_4_硼雜_3a，4a- 二 氮雜-S-引達?。?，4_ 二氟-3，5-二(4-甲氧基苯基)-4-硼雜-3a，4a-二氮雜-S-引達 ?。?-癸基-4,4- 二氟-5-苯乙烯基-4-硼雜-3a, 4a- 二氮雜-s-引達?。?，4- 二氟-1， 3- 二甲基-5- (4-甲氧基苯基)-4-硼雜-3a, 4a- 二氮雜-s-引達省；4，4- 二氟-1，3- 二甲 基-5-(2-噻吩基)-4_硼雜-3a，4a-二氮雜-S-引達?。欢?1_((3-(2-(5_己基)噻吩 基)-2H-異吲哚-1-基)亞甲基)-3-(2-(5-己基)噻吩基)-IH-異吲哚根合-NSN2)硼； 4，4- 二氟-1，3，5，7-四苯基-4-硼雜-3a，4a- 二氮雜 _s_ 引達?。?，4- 二氟-1，3- 二甲 基-5-(2-(5-甲氧基羰基-4-甲基-2-噁唑基)乙烯基)-4-硼雜-3a，4a-二氮雜-S-引 達省和二氟(5-甲氧基-l-((5-甲氧基-3-(2-(5-(4-甲氧基苯基))噻吩基)-2H-異吲哚-1-基)亞甲基)_3 (2-(5-(4-甲氧基苯基))噻吩基)-IH-異吲哚根合-NSN2)硼?？捎糜趯嵤┧龇椒ǖ氖杷疅晒馊玖系钠渌鼘嵗▽Π被交柞?膽堿、萘、蒽、菲、吲哚、咔唑、芪、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、喹啉、苯并咕噸酮 (benzoxanthrones)、噁唑、異噁唑、噁二唑、苯并呋喃、芘、二萘嵌苯、暈苯、香豆素、羰苯乙 烯類(carbostyryls)、雙滿類(bimanes)、吖啶、聚亞苯基例如三聯(lián)苯、烯基或聚烯基染料 (包括1,6-二苯基-1，3，5-己三烯和1,1,4,4-四苯基-1，3-丁二烯)。其它長波長染料例如發(fā)光吩噁嗪酮、噁嗪和焦寧(包括尼羅紅)；卟吩、嚇啉、酞菁 和它們的金屬配合物，包括與稀土離子如Eu3+和Tb3+的配合物；咕噸(包括熒光素和若丹 明)；花青、羰花青和部花青(包括苯乙烯基染料)、烴衍生物例如紅熒烯和甘菊環(huán)是合適 的，條件是它們是電中性的；或者它們的離子電荷被親脂抗衡離子所平衡，其包括但不限于 親脂銨鹽(例如十六烷基三甲基銨或芐基三甲基銨)、脂肪酸、脂肪磺酸或脂肪硫酸鹽(例 如十二烷基硫酸鈉)，清潔劑例如膽酸的陰離子或陽離子衍生物，四芳基鱗或四芳基硼化 物；或者它們含有用于共聚合的合適官能團(如上所述)。該熒光親脂物質(zhì)可以包含在微顆粒(例如球形顆粒)中或該微顆粒上。微顆粒包 括其尺寸使其能夠容易地進入表面中的缺陷(例如裂縫或針孔)中的那些微顆粒。在某 些實施方案中，熒光親脂物質(zhì)包含在具有低的表面電荷的微顆粒(例如具有親脂表面的顆 粒)中或該微顆粒上。微顆粒通常可以具有任何形狀或尺寸。例如，微顆粒的尺寸可以沿著 最長軸具有可為約5nm至約20 μ m的尺寸。某些微顆?？梢允乔蛐蔚?稱為微球)。球形 微球通常可以具有任何直徑。通常，該直徑(或者在非球形顆粒的情況下為穿過最長尺寸 的長度)可以為約5nm至約20 μ m。目前優(yōu)選的直徑為約10 μ m至約lOOnm。直徑的具體 實例包括約 5nm、約 6nm、約 7nm、約 8nm、約 9nm、約 10nmJ々 IlnmJA 12nm、約 13nm、約 14nm、 約 16nm、約 17nm、約 18nm、約 19nm、約 20nm、約 21nm、約 22nm、約 23nm、約 24nm、約 25nm、 約 26nm、約 27nm、約 28nm、約 29nm、約 30nm、約 40nm、約 50nm、約 60nm、約 70nm、約 80nm、 約 90nm、約 100nm、約 200nm、約 300nm、約 400nm、約 500nm、約 600nm、約 700nm、約 800nm、約 900nm、約 1 μ m、約 2 μ m、約 3 μ m、約 4 μ m、約 5 μ m、約 6 μ m、約 10 μ m、約 20 μ m、約 30 μ m、約 1 μ m、約2 μ m、約3 μ m、約4 μ m、約10 μ m、約20 μ m和這些值中任何兩個之間的范圍。在某 些實施方案中，小于1微米或小于500nm或小于IOOnm的顆粒適合用于該方法以使微米至 納米尺寸的缺陷造影。球形微球通?？梢杂扇魏尾牧现苽洹Ｄ壳皟?yōu)選的是球形標準由聚合物材料制備。 聚合物材料的實例包括下列物質(zhì)的聚合物和共聚物苯乙烯和二乙烯基苯；丙烯酸酯或甲 基丙烯酸酯；丙烯酸或甲基丙烯酸；丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺；丙烯腈或甲基丙烯腈；乙烯 基和亞乙烯基商化物、酯和醚；烯烴，包括乙烯、丙烯、丁二烯和異戊二烯；環(huán)氧化合物和尿焼。球形微球可以用至少一種熒光化合物例如上述染料進行染色。可以選擇球形微球 中的一種或多種熒光染料以匹配激發(fā)源(例如激光器，如氬離子激光器、氪氬激光器或氦 氖激光器，LED, UV燈等)，和/或掃描儀中常用的濾波器、熒光顯微鏡或共焦激光掃描顯微 鏡。例如，用于根據(jù)所述方法使用的某些微球具有約IOnm或更低的直徑和低的表面電荷， 其負載有在電磁波譜的綠色區(qū)域中發(fā)射熒光的熒光染料。親脂熒光物質(zhì)可以是量子點(也稱為“半導(dǎo)體納米晶體”或“納米晶體”)。量子點是由核(通常為硫化鋅)、半導(dǎo)體殼和涂層形成的納米尺度的原子簇。親脂結(jié)構(gòu)部分可以 粘附到聚合物涂層上或直接粘附到半導(dǎo)體殼上，以形成滿足特異性缺陷檢測要求的納米晶 體，并將量子點向表面的非特異性粘附最小化。量子點的表面可以較為疏水，并且可以通過 疏水相互作用與未涂敷的(ALD沉積的缺陷)聚合物(例如膜)表面相互作用并導(dǎo)致缺陷 檢測。通常，量子點可以用較短波長的激發(fā)源進行激發(fā)，例如UV或紫色激光，并且可以以電 磁波譜的可見區(qū)域到近紅外區(qū)域內(nèi)的波長(例如約500至約SOOnm)進行發(fā)射。量子點可 以產(chǎn)生明亮的熒光信號，并且通常具有比常規(guī)的有機熒光團更高的光穩(wěn)定性并且更不易褪 色，即使在高功率激發(fā)下經(jīng)歷長的時間(例如最高達幾小時)。此外，當以高濃度聚集時，量 子點通常不表現(xiàn)出熒光發(fā)射強度的顯著降低。如參照某些種類的親脂熒光染料所討論的， 在使用過程中保持熒光發(fā)射強度的量子點對于在表面缺陷造影中的用途是有利的。量子點 通?？梢允侨魏晤伾牧孔狱c。目前可商購的適合用于所公開方法中的量子點的實例包括 QDOT納米晶體產(chǎn)品，例如QDOT 525納米晶體、QDOT 545納米晶體、QDOT 565納米晶體、QDOT 585納米晶體、QDOT 605納米晶體、QDOT 625納米晶體、QDOT 655納米晶體、QDOT 705納米 晶體和QDOT 800納米晶體，它們均可以從Invitrogen公司(Carlsbad，CA)獲得。親脂熒光物質(zhì)可以直接施加到待分析的材料上?；蛘?，該熒光物質(zhì)可以存在于液 體溶液或懸浮液中。例如，該液體或懸浮液可以包含水和有機溶劑，例如DMSO、DMF、甲苯、 醇(例如甲醇、乙醇或2-丙醇)、二氯甲烷等，或其混合物。提供了使用親脂熒光物質(zhì)識別涂敷的基材上或基材中的缺陷的方法。該基材的表 面可以全部被涂敷，或者僅將該表面的一部分用涂料涂敷。在一種方法中，將用親水涂料例 如氧化鋁涂敷的疏水聚合物基材用親脂熒光物質(zhì)的溶液處理。該熒光分子或材料可以基于 體系的表面粘附特征而選擇性地結(jié)合到缺陷位點。接觸步驟通?？梢园ㄈ魏魏线m的施用 步驟，例如將該材料浸到液體溶液或懸浮液中，將液體溶液或懸浮液噴到該材料上，將親脂 熒光物質(zhì)直接噴到該材料上，將該熒光物質(zhì)直接輥壓到該材料上，或其組合。該親脂物質(zhì)可 以接觸缺陷(例如裂縫)并粘附到因缺陷而暴露的下層聚合物基材上。提供了能夠容易地 進入納米尺度的缺陷中的親脂物質(zhì)，該缺陷例如為ALD阻隔涂層中常見的。該親脂物質(zhì)可 以借助其疏水性通過任何類型的非共價相互作用(例如疏水鍵合)而粘附到疏水基材上。 此外，對于親水表面涂層，該親脂物質(zhì)具有很少的親和性或者不具有親和性，并且可以容易 地從親水表面上去除。該方法可以進一步包括在接觸步驟之后并且在檢測步驟之前洗滌該材料，以去除 任何未局域化的物質(zhì)。該洗滌步驟可以進行一次或多次。檢測步驟可以定性檢測局域化親脂熒光物質(zhì)的存在或不存在，或者可以定量檢測 局域化親脂熒光物質(zhì)的量。檢測步驟也可以確定材料上的局域化親脂熒光物質(zhì)的位置。檢 測步驟可以包括向該材料施加輻射，以便檢測從局域化的親脂熒光物質(zhì)發(fā)射的熒光。根據(jù) 熒光物質(zhì)的光譜特征選擇輻射的具體類型和波長，這完全在本領(lǐng)域技術(shù)人員的技藝范圍 內(nèi)。輻射源的實例包括UV光、激光、LED光和可見光。檢測步驟還可以包括制備材料的圖 像。該圖像可以是膜圖像或電子圖像。根據(jù)缺陷的尺寸，顯微鏡可以用于檢測和制備缺陷 的圖像。局域化親脂熒光物質(zhì)的熒光發(fā)射使得可以直接識別并定位缺陷。該方法可以用于 將很多類型的材料中的缺陷造影，并且可以用于例如開發(fā)和生產(chǎn)薄膜氣體擴散阻隔物，該 阻隔物用于有機發(fā)光二極管(OLEDs)、光伏(PV)器件和液晶顯示器(LCD)工業(yè)以及醫(yī)療器
10械、傳感皮膚、電子電路、微米系統(tǒng)和納米系統(tǒng)的包裝。試劑盒本發(fā)明的另一實施方案涉及可用于檢測材料中的表面缺陷的試劑盒。該試劑盒可 以包含至少一種如上所述的親脂熒光物質(zhì)(例如染料、熒光微球或量子點)。該試劑盒可 以包括對實施上述方法的使用說明。該試劑盒可以包含含有至少一個表面缺陷的“陽性對 照”材料。該試劑盒可以包含不含表面缺陷的“陰性對照”材料。該試劑盒可以包含用于從 材料上去除未局域化熒光物質(zhì)的洗滌材料。以下實施例用于說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方案。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解的是，以 下實施例中公開的技術(shù)代表本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)的在本發(fā)明的實施中良好地起作用的技術(shù)，因此 可以視為構(gòu)成其實施的優(yōu)選方式。然而，在本說明書公開內(nèi)容的教導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員將 會理解，在不偏離本發(fā)明范圍的情況下，可以在公開的具體實施方式
中進行多種改變并且 仍然獲得同樣的或類似的結(jié)果。實施例實施例1 親脂熒光物質(zhì)向聚合物上的結(jié)合一片尺寸為2cmX2cm的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料薄膜在一側(cè)用氧化鋁 涂敷。該膜的提升側(cè)(lift side)的約3mm寬的邊緣未被涂敷。將該膜在1，3-二甲基-5-苯 乙烯基 BODIPY 溶液(Invitrogen Corp.，Carlsbad, CA ；0. 04mg/ml 于 70% 乙醇、30%去離 子水(v/v)中)中浸3分鐘。將該膜取出并用70%的乙醇(ν/ν)洗滌三次，并用具有550nm 激發(fā)/570nm發(fā)射濾波器組的Nikon熒光顯微鏡檢驗。聚合物膜的未涂敷邊緣變成發(fā)紅色 熒光；氧化鋁涂層未染色。實施例2 使用染料檢測表面缺陷在一片氧化鋁涂敷的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料薄膜上做出等邊三角形 劃痕(約ImmX ImmX Imm;劃痕線具有約0. Imm的寬度)，以模擬涂層缺陷。將該膜在1， 3_ 二正丙基 BODIPY 溶液(Invitrogen Corp. ,Carlsbad, CA ；0. 04mg/ml 于 70% 乙醇、30% 去離子水中)中浸2分鐘。將該膜取出并用70%的乙醇(ν/ν)洗滌三次，并使用標準FITC 濾波器組(490nm激發(fā)/515nm發(fā)射)用Nikon熒光顯微鏡檢驗。根據(jù)破壞的深度，劃痕變 成發(fā)綠色熒光。其余的無劃痕的氧化鋁涂層未染色。該結(jié)果表明，大的氧化鋁涂敷膜中的 缺陷可以1)用熒光染料標記，2)容易地檢測并且3)容易地定位。實施例3 使用熒光微球檢測表面缺陷通過用尖銳的2 2號注射器針刻劃一片氧化鋁涂敷的聚對苯二甲酸乙二醇酯 (PET)薄膜而做出幾個劃痕(約2mm長、0. 02mm寬)，以模擬缺陷。通過將2%的微球原料加入50%乙醇、50%去離子水混合物(ν/ν)中以獲得0. 5% 的微球最終濃度，制備具有低表面電荷的20 nm綠色熒光微球(最大發(fā)射在515nm)的懸浮液。將膜樣品在室溫下浸入微球懸浮液中3分鐘。將該膜取出并用50%乙醇(ν/ν)洗 滌三次。使該膜在空氣中干燥，并使用具有FITC濾波器組(激發(fā)490nm/發(fā)射515nm)的 Nikon熒光顯微鏡檢驗。劃痕變成發(fā)明亮的綠色熒光，并且容易地在膜上造影并定位。實施例4 使用雙重?zé)晒馕⑶驒z測表面缺陷通過用尖銳的22號注射器針刻劃一片氧化鋁涂敷的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜而做出幾個劃痕(約2mm長、0. 02mm寬)，以模擬缺陷。通過將5%的微球原料加入50%乙醇、50%去離子水混合物(ν/ν)中以獲得 0. 5%的微球最終濃度，制備具有低表面電荷的IlOnm雙重發(fā)射微球(最大發(fā)射在565nm和 755nm)的懸浮液。將膜樣品在室溫下浸入微球懸浮液中3分鐘。將該膜取出并用50%乙醇(ν/ν)洗 滌三次。使該膜在空氣中干燥，并使用具有XFlOl濾波器組(激發(fā)543nm/發(fā)射565nm)和 XF48-2濾波器組(激發(fā)635士25nm/發(fā)射725nm長通)的Nikon熒光顯微鏡檢驗。當在 XFlOl濾波器下檢驗時劃痕變成發(fā)橙色熒光，當在XF48-2濾波器組下檢驗時變成發(fā)紅色熒 光。實施例5 機械裂縫的造影使用具有疏水取代基的二氮雜引達省熒光團使機械裂縫造影。將25nm厚的ALD氧 化鋁阻隔膜沉積在聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基材上(Teonex Q65,Dupont Teijin, Inc.)。 然后將涂敷的試樣(對其中的一些進行機械操縱以有意地產(chǎn)生缺陷)在熒光標記溶液中 浸泡5分鐘。將含有70%乙醇和30%水的溶劑溶液用于洗去未粘附到膜上的過量標記分 子。然后將樣品用清潔的干空氣干燥，并保持在防紫外線的環(huán)境中。將LSM 510共焦顯微 鏡(Carl Zeiss，Inc.)用于檢查標記的樣品。將488nm氬12激光源用于激發(fā)標記物，并用 505-530nm帶通濾波器測量熒光發(fā)射(最大在515nm)。將無涂層的PEN基材、具有ALD氧 化鋁涂層的PEN基材和同樣地進行涂敷并具有有意地形成的劃痕的PEN基材進行對比。標 記分子良好地粘附到裸露的PEN膜上，在整個樣品上產(chǎn)生明亮的區(qū)域，而全暗區(qū)域圖像表 明標記物沒有粘附到ALD氧化鋁上(沒有給出數(shù)據(jù))。圖1表明熒光分子僅僅選擇性地粘 附到疏水PEN基材上，其中它通過親水ALD氧化鋁涂層中的劃痕而暴露。實施例6 機械“溝道裂縫”的造影“溝道開裂”的失效模式是當脆的無機涂層經(jīng)歷機械應(yīng)變或熱循環(huán)時經(jīng)常遇到的。 然而，在透明的膜中不容易觀察到一系列這樣的裂縫。為了展示親脂熒光標記物的使用，將 外部拉伸載荷施加到涂敷了 25nm ALD氧化鋁的PEN基材上。然后將熒光標記物根據(jù)實施 例5中所述的步驟施加到這些試樣上。圖2顯示了在伸長到5%應(yīng)變的試樣的整個測量截 面(gage section)上識別的裂縫。當脆的膜中的應(yīng)力超過其臨界閾限值時，在垂直于施加 的載荷的方向上傳播的這種裂縫是常見的。圖2A中的裂縫可以與圖2B中所示的試樣邊緣 的裂縫相區(qū)別，后者在樣品制備過程中產(chǎn)生。具體地說，這些位于邊緣的裂縫在進行測試之 前將氧化鋁ACD涂敷的試樣切割以調(diào)整尺寸時產(chǎn)生。圖2B識別了剪切裂縫的獨特特征，它 快速地在試樣的邊緣附近終止。在所有的共焦測量中獲得出色的圖像對比度，使得盡管只 有最少的樣品制備，仍然可以容易地識別裂縫。使用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)測量 裂縫的寬度。在剪切裂縫的完全形成的區(qū)域，使用JSM-7401F場發(fā)射掃描電子顯微鏡(JE0L Limited)觀察到約20nm的裂縫寬度，見圖2C。實施例7 單個缺陷和顆粒的造影與機械裂縫相反，單個缺陷或針孔通常是由微粒污染和/或基材表面粗糙性導(dǎo)致 的。亞微米/納米尺度的微小單個缺陷是限制阻隔物性能的關(guān)鍵特征。必須檢查并控制這 些缺陷，以保證阻隔物質(zhì)量和高產(chǎn)率的阻隔物生產(chǎn)。將ALD氧化鋁阻隔膜沉積在PEN基材上 并用熒光標記物處理，如實施例5中所述。圖3A是使用具有20x物鏡的共焦顯微鏡采集的圖像，顯示出25nm厚的Al2O3 ALD膜中富含缺陷的區(qū)域。圖3A中的白色箭頭表示預(yù)設(shè)的標 志物特征，它用于方便進一步的FESEM成像的缺陷定位。為驗證單個缺陷并確定缺陷尺寸， 然后用FESEM觀察分別表示在圖3B和3C中的#1位置和#2位置。對于#1位置和#2位置， 確定了 200nm和 1. 2μπι的直徑，如圖3Β和3C中所示。然而，通過用熒光標記分子處 理，也使得小于200nm的缺陷變得可見。這些圖像表明，在用親脂熒光標記物質(zhì)處理后，可 以容易地使尺寸在幾十和幾百納米之間的缺陷造影。圖3也提供了關(guān)于單個缺陷的形貌的 信息。從圖3B中可以看出，橢圓形缺陷在其上端帶有微小的裂縫。圖3C中的缺陷顯示了 其中Al2O3 ALD膜不能與聚合物表面結(jié)合的區(qū)域，這可能是顆粒污染的結(jié)果。盡管識別的缺 陷可能能夠使用SEM進行觀察，但是缺陷的檢查變得非常麻煩，因為缺陷位置以及缺陷密 度不能夠在低的放大率下確定。此外，小區(qū)域尺寸、高放大率的檢驗是非常耗時的。與SEM 和AFM觀察相比，根據(jù)本發(fā)明方法的親脂熒光物質(zhì)的造影使得可以檢驗大區(qū)域尺寸并提供 了以低放大率連續(xù)檢查的優(yōu)點。本文中公開的和要求保護的所有組合物和/或方法可以在本公開內(nèi)容的教導(dǎo)下 在沒有過多室驗的情況下制得和實施。盡管已按照優(yōu)選實施方案說明了本發(fā)明的組合物和 方法，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不偏離本發(fā)明的概念和范圍的情況下，可 以對本文中所述組合物和/或方法以及方法的步驟或步驟序列進行改變。更具體地說，顯 而易見的是，可以用某些在化學(xué)上相關(guān)的試劑來替代本文中所述的試劑，同時將獲得相同 或相似的結(jié)果。所有這些對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的類似的替代或修改被認為在 本發(fā)明的范圍和概念之內(nèi)。在本說明書中提及的所有美國專利、美國專利申請公開、美國專利申請、外國專 利、外國專利申請和非專利文獻的全部內(nèi)容通過引用納入本文中。如果需要，可以修改實施 方案的各方面，以使用多種專利、申請和公開中的概念，以提供進一步的實施方案。
權(quán)利要求
識別表面中的缺陷的方法，包括a)提供具有至少部分地用親水層涂敷的疏水表面的基材，其中該親水層在其中具有缺陷；b)使該基材與親脂熒光物質(zhì)接觸足夠的時間，以使該物質(zhì)與缺陷接觸；c)用合適波長的能量激發(fā)熒光物質(zhì)，以產(chǎn)生可檢測的熒光響應(yīng)；以及，d)檢測該物質(zhì)的熒光響應(yīng)。
2.權(quán)利要求1的方法，進一步包括在使該基材與該親脂熒光物質(zhì)接觸后洗滌該基材。
3.權(quán)利要求1的方法，其中該基材包含聚合物。
4.權(quán)利要求1的方法，其中該親水層是或者包含無機材料。
5.權(quán)利要求1的方法，其中該親脂熒光物質(zhì)是包含4，4-二氟-4-硼雜-3a，4a-二氮 雜-S-引達省結(jié)構(gòu)部分的熒光化合物。
6.權(quán)利要求1的方法，其中該親脂熒光物質(zhì)進一步包含親脂結(jié)構(gòu)部分。
7.權(quán)利要求6的方法，其中該親脂熒光物質(zhì)進一步包含兩個或更多個親脂結(jié)構(gòu)部分。
8.權(quán)利要求6的方法，其中該親脂結(jié)構(gòu)部分是具有1-20個碳原子的烴。
9.權(quán)利要求6的方法，其中該親脂結(jié)構(gòu)部分是具有1-20個碳原子的烷基。
10.權(quán)利要求6的方法，其中該親脂結(jié)構(gòu)部分是苯基或苯乙烯基。
11.權(quán)利要求1的方法，其中該親水層厚度小于10人。
12.權(quán)利要求1的方法，其中該親脂熒光物質(zhì)與微顆粒相結(jié)合。
13.權(quán)利要求1的方法，其中該親脂熒光物質(zhì)是半導(dǎo)體納米晶體。
14.包含4，4-二氟-4-硼雜-3a，4a- 二氮雜_s_引達省結(jié)構(gòu)部分和親脂結(jié)構(gòu)部分的親 脂熒光物質(zhì)。
15.權(quán)利要求14的親脂熒光物質(zhì)，其中該親脂結(jié)構(gòu)部分是具有1-20個碳原子的烴。
16.權(quán)利要求14的親脂熒光物質(zhì)，其中該親脂結(jié)構(gòu)部分是具有1-20個碳原子的烷基。
17.權(quán)利要求14的親脂熒光物質(zhì)，其中該親脂結(jié)構(gòu)部分是苯基或苯乙烯基。
18.權(quán)利要求14的親脂熒光物質(zhì)，其中該物質(zhì)與微顆粒相結(jié)合。
19.包含可識別的缺陷的基材a)疏水表面，具有至少部分地用親水層涂敷的疏水表面的基材，其中該親水層在其中 具有缺陷；以及b)與該缺陷接觸的親脂熒光物質(zhì)。
20.權(quán)利要求19的基材，其中該親脂熒光物質(zhì)包含4，4-二氟-4-硼雜-3a，4a- 二氮 雜-S-引達省結(jié)構(gòu)部分和親脂結(jié)構(gòu)部分。
全文摘要
親脂熒光物質(zhì)可用于檢測具有親水(例如無機)涂層的材料中的表面缺陷。所記載方法的使用使得表面缺陷表現(xiàn)為熒光性，而其余的表面未被標記。所公開的方法是現(xiàn)有途徑的廉價、快速且易用的替代方案。
文檔編號C07F5/02GK101918817SQ200880125148
公開日2010年12月15日 申請日期2008年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月17日
發(fā)明者張玉中 申請人:生命技術(shù)公司