專利名稱：：有機(jī)電致發(fā)光器件和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件和顯示裝置。更具體地，本發(fā)明涉及具有長(zhǎng)發(fā)光壽命的有機(jī)電致發(fā)光器件和安裝有該器件的顯示裝置。
背景技術(shù)：
：因?yàn)榫哂休p重量和高效率，所以近來平板型顯示裝置盛行。它們當(dāng)中值得注意的是具有有機(jī)電致發(fā)光器件(所謂的有機(jī)EL器件)的平板型顯示裝置。該有機(jī)電致發(fā)光器件在透明基底如玻璃板上形成。器件本身包括陽極和陰極以及保持在這些電極之間的有機(jī)層?？拷椎年枠O由透明的ITO(氧化銦錫)形成。有機(jī)層由層疊放置的空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層構(gòu)成。陰極在頂部形成?？梢詫⒃摻Y(jié)構(gòu)改變，使得將另外的電子傳輸層放置在發(fā)光層上。如上所述構(gòu)成的有機(jī)電致發(fā)光器件以這樣的方式工作發(fā)光層導(dǎo)致從陰極注入的電子和從陽極注入的空穴之間發(fā)生再結(jié)合，并且該再結(jié)合通過陽極和基底發(fā)光。存在另一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)不同于上述有機(jī)電致發(fā)光器件。它由順序地向上排列的基底、陰極、有機(jī)層和陽極構(gòu)成。頂部電極(陽極或陰極)可以由透明材料形成，使得光從與基底相對(duì)的頂部電極發(fā)出。因?yàn)榫哂写蟮拈_口面積比，頂部發(fā)光(topemission)型器件對(duì)于有源矩陣型顯示裝置是理想的，所述有源矩陣型顯示裝置由基底和設(shè)置在基底上的薄膜晶體管(TFT)構(gòu)成。為使有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置具有實(shí)際用途，有機(jī)電致發(fā)光器件應(yīng)該具有大的開口面積，以得到有效的發(fā)光和可靠的長(zhǎng)壽命。存在數(shù)種對(duì)壽命有害的因素。其中值得注意的是電子傳輸層的劣化，所述電子傳輸層通常由Alq3(8-羥基喹啉鋁)制成。在Science,1999年，第283巻，第1900-1902頁中，Z.D.Popovic等人報(bào)道，空穴注入到Alq3中并由此產(chǎn)生的自由基使有機(jī)電致發(fā)光器件劣化，并且提出了劣化模型?；诹踊Ｐ?，Z.D.Popovic等人試圖通過用低分子量化合物(例如紅焚烯)對(duì)空穴傳輸層進(jìn)行摻雜來抑制空穴注入到Alq3中。這種嘗試成功地將發(fā)射壽命改善了很多。所得的結(jié)果證實(shí)了所述模型(該模型假定摻雜層捕獲過?？昭?，由此防止Alq3形成自由基)。參見ThinSolidFilms,2000年，第363巻，第6-8頁。此夕卜，在AppliedPhysicsLetters,2002，第80巻，第2180-2182頁中報(bào)導(dǎo)，摻雜的紅熒烯在層疊的層之間(例如，在金屬層和有機(jī)層之間或在有機(jī)層和有機(jī)層之間)的界面處不起作用，但是摻雜有紅熒烯的層改變了整體性質(zhì)并捕獲空穴，由此將壽命延長(zhǎng)。涉及紅熒烯的技術(shù)不限于如上所述的電荷捕獲。它也涉及發(fā)白光的有機(jī)電致發(fā)光器件，這是因?yàn)閱钨|(zhì)形式的紅熒烯發(fā)黃光，并因此紅熒烯層和發(fā)藍(lán)光的發(fā)光層的組合將產(chǎn)生白光。參見JP-A-2002-93583;JP-A-2004-47469;JP-A-2004-134396;JP-T-2007-503092;Science,1999年，第283巻，第1900-1902頁；ThinSolidFilms,2000年，第363巻，第6-8頁；AppliedPhysicsLetters,2002年，第80巻，第2180-2182頁；AppliedPhysicsLetters,2003年，第83巻，第5359-5361頁；AppliedPhysicsLetters，2006年，第89巻，第133509頁；和AppliedPhysicsLetters,2006年，第89巻，第243521頁。具有紅焚烯的有機(jī)電致發(fā)光器件將產(chǎn)生白光，白光的純度取決于來自紅熒烯摻雜層的光和來自鄰近的發(fā)藍(lán)光的發(fā)光層的光之間的比率，這是因?yàn)閮蓪油瑫r(shí)發(fā)光。
發(fā)明內(nèi)容近年來對(duì)用于工業(yè)用途的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行構(gòu)造，使得保持在電極之間的有機(jī)層包括數(shù)個(gè)亞層(sublayer)，每一亞層起不同作用。因此，用紅焚烯進(jìn)行摻雜以形成捕獲層會(huì)對(duì)于發(fā)光層的功能產(chǎn)生不利影響。換句話說，因?yàn)榧t焚烯發(fā)光，它發(fā)出的光會(huì)與來自發(fā)光層本身的光進(jìn)行組合，所以為保護(hù)發(fā)光層或它的鄰近層免于劣化而簡(jiǎn)單地用紅熒烯進(jìn)行摻雜以用于空穴捕獲會(huì)對(duì)發(fā)光功能產(chǎn)生不利影響。從鄰近紅熒烯層發(fā)出的光產(chǎn)生不希望的顏色混合，除非用紅熒烯進(jìn)行的摻雜意在產(chǎn)生白光。因此，所得的EL器件發(fā)出的光不具有發(fā)光層所固有產(chǎn)生的顏色。鑒于前述內(nèi)容完成了本發(fā)明。理想的是提供這樣的有機(jī)電致發(fā)光器件，6其發(fā)出沒有顏色混合的具有足夠色純度的光且壽命得到極大地延長(zhǎng)，和提供安裝有該有機(jī)電致發(fā)光器件的顯示裝置。作為深入研究的結(jié)果，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過在電子傳輸層和發(fā)光層之間插入由特定純度的萘并萘化合物形成的具有特定厚度的層解決了上述問題。這個(gè)發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生了本發(fā)明。本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括陽極、陰極和保持在它們之間的有機(jī)層，該有機(jī)層包括發(fā)光層、含萘并萘化合物的萘并萘化合物層和電子傳輸層，所述發(fā)光層由發(fā)光客體材料和具有蒽骨架的芳族烴化合物構(gòu)成，和具有0.5nm至10nm的厚度，并且與電子傳輸層的朝向發(fā)光層的那面接觸。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>的有機(jī)電致發(fā)光器件長(zhǎng)得多的壽命。此外，它僅發(fā)出由發(fā)光層產(chǎn)生的光而不受萘并萘化合物層影響。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置主要由基底和在基底上設(shè)置的多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光器件構(gòu)成。由于所述有機(jī)電致發(fā)光器件是意圖獲得高亮度和高色純度，所以根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置產(chǎn)生具有可再現(xiàn)的顏色的光。色純度的光。因?yàn)榘惭b有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件，所以根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置具有長(zhǎng)壽命并產(chǎn)生具有良好的色純度和色彩重現(xiàn)性的光。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式的顯示裝置的電路的示意圖；圖3是示出可應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置的密封顯示模塊的示意圖；以及圖4A至4C是示出通過激光轉(zhuǎn)移技術(shù)制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的工藝的示意圖。具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件和顯示裝置。有機(jī)電致發(fā)光器件11包括陽極13和陰極15和保持在它們之間的有機(jī)層14。有機(jī)層14包括發(fā)光層14c、萘并萘化合物層14d和電子傳輸層14e。發(fā)光層14c由發(fā)光客體材料和具有蒽骨架的芳族烴化合物構(gòu)成。萘并萘化合物層14d含有不少于80wt。/。的下式(l)表示的萘并萘化合物和具有0.5nm至10nm的厚度，并且與電子傳輸層14e的朝向發(fā)光層14c的那面接觸。R4R3R6廣、、廣、R1R2(1)在式(l)中，R'至RS獨(dú)立地表示氬原子、卣素原子、羥基、氰基、硝基；選自羰基、羰酯基(carbonylestergroup)、烷基、烯基和烷氧基中的任何一個(gè)，所述羰基、羰酯基、烷基、烯基和烷氧基可以取代有具有不超過20個(gè)碳原子的基團(tuán)；和選自曱硅烷基、芳基和雜環(huán)基中的任何一個(gè)，所述曱硅烷基、芳基和雜環(huán)基可以取代有具有不超過30個(gè)碳原子的基團(tuán)。<有機(jī)電致發(fā)光器件>圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)的截面圖。圖1中示出的有機(jī)電致發(fā)光器件11包括順序地層疊放置的基底12、陽極13、有機(jī)層14和陰極15。有機(jī)層14包括在陽極13上順序地層疊放置的空穴注入層14a、空穴傳輸層14b、發(fā)光層14c、萘并萘化合物層14d和電子傳輸層14e。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)層14包括發(fā)光層14c，和與電子傳輸層14e8的朝向發(fā)光層14c的那面接觸的萘并萘化合物層14d。假定具有如上所述層合結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件11是從基底12的反面發(fā)光的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光器件。下面是從基底12開始對(duì)每層進(jìn)行詳細(xì)描述。<基底>基底12是載體，在它的一個(gè)表面上設(shè)置有有機(jī)電致發(fā)光器件11。它可以由任何已知的材料形成，例如石英、玻璃、金屬箔和塑料膜或片材。尤其優(yōu)選的是石英和玻璃。塑料包括曱基丙烯酸類樹脂如聚曱基丙烯酸曱酯(PMMA);聚酯如聚對(duì)苯二曱酸乙二醇酯(PET)、聚萘二曱酸乙二醇酯(PEN)和聚萘二曱酸丁二醇酯(PBN);以及聚碳酸酯樹脂。塑料應(yīng)該優(yōu)選具有層合結(jié)構(gòu)或表面處理以克服水或氣體滲透性。<陽極>陽極13可以由具有對(duì)于有效的空穴注入足夠大的關(guān)于真空能級(jí)的功函數(shù)的任何材料形成。該材料的實(shí)例包括鋁(A1)、4各(Cr)、鉬(Mo)、鴒(W)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、它們的合金和氧化物，以及該合金的氧化物，例如二氧化錫(Sn02)和銻(Sb)的合金、ITO(氧化錫銦)、InZnO(氧化鋅銦)、氧化鋅(ZnO)和鋁(Al)的合金，它們的氧化物，以及它們的混合物。陽極13也可以具有層合結(jié)構(gòu)，所述層合結(jié)構(gòu)包括能高效地反射光的第一層，和置于第一層上的透射光的具有大功函數(shù)的第二層。第一層可以由主要由鋁構(gòu)成的合金形成。次要組分可以是一種或多種具有比鋁小的功函數(shù)的元素。該元素應(yīng)該優(yōu)選為鑭系元素。盡管它們的功函數(shù)小，但是鑭系元素使陽極穩(wěn)定化，且提高陽極的空穴注入能力。次要組分的其它實(shí)例包括硅(Si)和銅(Cu)。如果構(gòu)成第一層的鋁合金中次要組分為使鋁穩(wěn)定化的Nd、Ni或Ti等，則它們的總含量應(yīng)該優(yōu)選為不超過10wt%。該條件對(duì)于鋁合金層具有足夠的反射率，并在有機(jī)電致發(fā)光器件的制造過程中對(duì)于精確的制造保持穩(wěn)定是必要的，因?yàn)樾枰己玫募庸ぞ群突瘜W(xué)穩(wěn)定性。因此，第一層提高陽極13的導(dǎo)電性和與基底12的粘著力。第二層可以由鋁合金氧化物、氧化鉬、氧化鋯、氧化鉻和氧化鉭中的至少一種形成。例如，第二層可以由鋁合金氧化物層(包括自然氧化物膜)和作為次要組分的鑭系元素組成。在該情況中，因?yàn)殍|系元素氧化物具有高透射率，所以第二層具有良好的透射率。因此，第一層的表面具有高反射率。此外，第二層可以是ITO(氧化錫銦)或IZO(氧化鋅銦)的透明導(dǎo)電層。該導(dǎo)電層提高陽極13的電子注入特性?？梢詫⒘硗獾膶?dǎo)電層插在陽極13和基底12之間以改善它們之間的粘合性。例如，它是ITO或IZO的透明導(dǎo)電膜。在將有機(jī)電致發(fā)光器件11施用至有源矩陣型顯示裝置的情況中，將陽極13對(duì)每個(gè)像素構(gòu)圖，并連接至每個(gè)在基底12上形成的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。在該情況中，陽極13配置有絕緣膜(未示出)，該絕緣膜具有開口，陽極13通過所述開口將本身曝露于每個(gè)像素中。<空穴注入層和空穴傳豸#層>空穴注入層14a和空穴傳輸層14b都是為了有效地將空穴注入至發(fā)光層14c。它們可以由以下物質(zhì)形成聯(lián)苯胺、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三亞苯、氮雜三亞苯(azatriphenylene)、四氰基醌二曱烷(tetracyanoquiodimethane)、三峻、口米哇、碌'二峻(oxidiazole)、聚芳基》克烴、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、藥酮、腙、貧和它們的衍生物；聚硅烷化合物、乙烯基葉唑化合物、p塞吩化合物、苯胺化合物，和類似的單體、低聚物和聚合物形式的雜環(huán)共軛化合物。下面列出的是用于空穴注入層14a和空穴傳輸層14b的具體材料。'(x-萘基苯基苯二胺、p卜啉、金屬四苯基卟啉(metaltetraphenylporphyrin)、金屬萘酞菁(metalnaphthalocyanine)、六氰基氮雜三亞笨(hexacyanoazatriphenylene)、7,7,8,8-四氰基醌二曱烷(TCNQ)、7，7,8，8-四氰基-2,3,5，6陽四氟醌二曱烷(F4-TCNQ)、四氰基-4,4，4-三(3-曱基苯基-苯基氨基)三苯胺(tetracyano-4，4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine)、N，N,N，，N，-四(對(duì)-曱苯基)對(duì)-苯二胺、N，N,N，,N，-四苯基-4,4，-二氨基聯(lián)苯、N-苯基啼唑、4-二-對(duì)曱苯基氨基賞、聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)(poly(paraphenylenevinylene))、聚(p塞吩亞乙烯基)(poly(thiophenevinylene))和聚(2,2，-噻吩基吡咯)。它們是非限制性的。<發(fā)光層〉該發(fā)光層14c是當(dāng)向陽極13和陰極15施加電壓時(shí)從陽極13注入的空穴和從陰極15注入的電子發(fā)生再結(jié)合的區(qū)域。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，發(fā)光層14c由作為主體的蒽化合物和摻雜在蒽化合物中作為客體的藍(lán)光熒光染料或綠光焚光染料構(gòu)成。它發(fā)出帶藍(lán)色或帶綠色的光。然而，上述實(shí)施方式是非限制性的。構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式中的發(fā)光層14c的主體材料應(yīng)該優(yōu)選為下式(3)表示的蒽衍生物，其選自具有蒽骨架的芳族烴化合物。在式中(3)，R'至I^獨(dú)立地表示氫原子、卣素原子、羥基、氰基、硝基；選自羰基、羰酯基、烷基、烯基和烷氧基中的任何一個(gè)，所述羰基、羰酯基、烷基、烯基和烷氧基可以取代有具有不超過20個(gè)碳原子的基團(tuán)；以及選自曱硅烷基、芳基、氨基和雜環(huán)基中的任何一個(gè)，所述曱硅烷基、芳基、氨基和雜環(huán)基可以取代有具有不超過30個(gè)碳原子的基團(tuán)。在式(3)中R'至I^表示的芳基包括，例如，苯基、l-萘基、2-萘基、芴基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、l-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基(4-phenathrylgroup)、9-菲基(9-phenathrylgroup)、l-萘并萘基、2-萘并萘基、9-萘并萘基、l-芘基、2-芘基、4-芘基、l-茗基、6-篇基、2-熒蒽基、3-熒蒽基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、鄰-曱苯基、間-甲苯基、對(duì)-曱苯基和對(duì)-叔-丁基苯基。W至RS表示的雜環(huán)基包括含有0、N和S作為雜原子的5-元芳族雜環(huán)基或6-元芳族雜環(huán)基，和具有2至20個(gè)碳原子的稠合的多環(huán)芳族雜環(huán)基。這些雜環(huán)基包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、吡啶基、喹啉基、喹喔啉基、咪唑并吡咬基和苯并p塞唑基。下面列出它們的典型實(shí)例。l-p比咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡溱基、2-p比咬基、3-吡咬基、4-吡啶基、l-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、l-異吲哚基、2-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呔喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、l-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、(5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、l-咔唑基、2-咔峻基、3-呻峻基、4-咔峻基、9-?？ň?carbozolylgroup)、l-菲咬基、2-菲咬基、3-菲嚏基、4-菲。定基、6-菲啶基、7-菲咬基、8-菲咬基、9-菲咬基(phenathrdidinylgroup)、10-菲。定基(phenathrdidinylgroup)、l-吖。定基、2-吖"定基、3-吖"定基、4-吖。定基和9-吖啶基。R'至I^表示的氨基包括烷基氨基、芳基氨基以及芳烷基氨基。它們應(yīng)該優(yōu)選具有含至6個(gè)碳原子的脂肪族基團(tuán)和/或含1至4個(gè)環(huán)的芳基。該基團(tuán)的典型實(shí)例包括二曱基氨基、二乙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基、二曱苯基氨基、二聯(lián)苯基氨基和二萘基氨基。順便提及，上述取代基可以是兩個(gè)或更多個(gè)取代基縮合形成的環(huán)，或者上述取代基可以具有自己的取代基。下表1至3示出上面列出的取代化合物的典型實(shí)例。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>表2結(jié)構(gòu)式A—19結(jié)構(gòu)式A—20結(jié)構(gòu)式A—21結(jié)構(gòu)式A—22結(jié)構(gòu)式A—23結(jié)構(gòu)式A—24結(jié)構(gòu)式A—25結(jié)構(gòu)式A—26結(jié)構(gòu)式A—27結(jié)構(gòu)式A_28結(jié)構(gòu)式A—29結(jié)構(gòu)式A—30結(jié)構(gòu)式A—31結(jié)構(gòu)式A—32結(jié)構(gòu)式A—33結(jié)構(gòu)式A—34結(jié)構(gòu)式A—35結(jié)構(gòu)式A—3614表<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>用于發(fā)光層14C的客體材料是選自低分子量熒光染料、焚光聚合物和金屬絡(luò)合物的能有效地發(fā)光的有機(jī)材料。藍(lán)光客體材料是在約400至490nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有峰的有機(jī)化合物。該化合物的實(shí)例包括萘衍生物、蒽衍生物、萘并萘衍生物、苯乙烯胺彩亍生物和^f匕合物A(^"^,bis(adinyl)metheneboroncomplex)。這些實(shí)例中優(yōu)選的是氨基萘衍生物、氨基蒽衍生物、氨基篇衍生物(aminochrysenederivatives),氨基芘衍生物、苯乙烯胺衍生物和化合物A。綠光客體材料是在約490至580nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有峰的有機(jī)化合物。該化合物的實(shí)例包括萘衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、萘并萘衍生物、熒蒽衍生物、二萘嵌苯衍生物、香豆素衍生物、喹吖啶酮衍生物、茚并[1,2,3-cd]二萘嵌苯衍生物和化合物A。這些實(shí)例中優(yōu)選的是氨基蒽衍生物、熒蒽衍生物、香豆素衍生物、喹吖啶酮衍生物、茚并[l,2，3-cd]二萘嵌苯衍生物和化合物A。<萘并萘化合物層>萘并萘化合物層14d捕獲空穴以防止它們從發(fā)光層14c進(jìn)入電子傳輸層14e,并且萘并萘化合物層14d還促進(jìn)萘并萘化合物層14d所阻擋的空穴與發(fā)光層14c中的電子有效再結(jié)合。因此，它延長(zhǎng)了電致發(fā)光器件的壽命。萘并萘化合物層14d含有不少于80wt。/。的上式(l)表示的萘并萘化合物。在式(1)中，R'至RS表示的芳基包括，例如，苯基、l-萘基、2-萘基、芴基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、l-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基(phenathrylgroup)、9-菲基(phenathrylgroup)、l-萘并萘基、2-萘并萘基、9-萘并萘基、l-芘基、2-芘基、4-芘基、l-篇基、6-篇基、2-熒蒽基、3-熒蒽基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、鄰-曱苯基、間-曱笨基、對(duì)-曱苯基和對(duì)-叔-丁基苯基。R1至R8表示的雜環(huán)基包括含有0、N和S作為雜原子的5-元芳族雜環(huán)基或6-元芳族雜環(huán)基，和具有2至20個(gè)碳原子的稠合的多環(huán)芳族雜環(huán)基。這些雜環(huán)基包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、吡啶基、喹啉基、喹喔啉基、咪唑并吡咬基和苯并p塞唑基。下面列出它們的典型實(shí)例。l-p比咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、他。秦基、2-吡梵基、3-吡咬基、4-吡啶基、l-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、l-異吲哚基、2-異"引哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并吠喃基、4-苯并吹喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并^^喃基、7-異苯并呋喃基、喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、l-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基(isoquinoylgroup)、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-p奎喔啉基、5-卩查喔啉基、6-*喔啉基、l-啼口坐基、2-呼唑基(carbozolylgroup)、3-啼峻基、4-?？ň?、9-啼唑基(carbozolylgroup)、l-菲咬基、2-菲咬基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、10-菲啶基、l-吖啶基、2-吖咬基、3-吖啶基、4-吖啶基和9-吖啶基。上式(1)表示的萘并萘化合物應(yīng)該優(yōu)選為下面示出的式(2)表示的萘并萘化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>在式中(2)，Ri至R"獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的萘基、雜環(huán)基、苯基取代的雜環(huán)基和具有不超過13個(gè)碳原子的稠合的多環(huán)芳族雜環(huán)基中的任何一個(gè)。理想的是，上式(2)中的R"至R"應(yīng)該獨(dú)立地為氫原子、取代或未取代的笨基、取代或未取代的聯(lián)苯基和取代或未取代的萘基中的任何一個(gè)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式，由上述萘并萘化合物形成的萘并萘化合物層14d延長(zhǎng)了有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。下表4至6列出式(2)表示的萘并萘化合物的典型實(shí)例。然而，它們是非限制性的。表4化合物R1R2R3R4結(jié)構(gòu)式-1HHHH結(jié)構(gòu)式-2HCH3CH3H結(jié)構(gòu)式-3HC2H5C2HsH結(jié)構(gòu)式-4C2H5C2H5C2H5C2H6結(jié)構(gòu)式-5C6H5C6HsC6H5C6Hs結(jié)構(gòu)式-6HH結(jié)構(gòu)式-7HH結(jié)構(gòu)式-8o~HH結(jié)構(gòu)式-9o~結(jié)構(gòu)式-10HH結(jié)構(gòu)式-11HH結(jié)構(gòu)式-12HH結(jié)構(gòu)式-13結(jié)構(gòu)式-14結(jié)構(gòu)式-15^^^^結(jié)構(gòu)式-16結(jié)構(gòu)式-17結(jié)構(gòu)式-18HH結(jié)構(gòu)式-19HH結(jié)構(gòu)式-20HH18表5<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>表6化合物結(jié)構(gòu)式-35結(jié)構(gòu)式-36結(jié)構(gòu)式-37結(jié)構(gòu)式-38結(jié)構(gòu)式-39結(jié)構(gòu)式-40結(jié)構(gòu)式-41結(jié)構(gòu)式-42結(jié)構(gòu)式-43結(jié)構(gòu)式一44結(jié)構(gòu)式-45結(jié)構(gòu)式-46結(jié)構(gòu)式-47結(jié)構(gòu)式-48結(jié)構(gòu)式-49R、、S、s、、s一s結(jié)構(gòu)式-50R2HHHHR3、二S1THHHHR4H、、S、、sHH根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式，萘并萘化合物層14d含有的上式(l)表示的萘并萘化合物的量應(yīng)該優(yōu)選為不少于80wt%,更優(yōu)選為不少于90wt%。具有少于80wt。/。的量時(shí)，萘并萘化合物不產(chǎn)生延長(zhǎng)有機(jī)電致發(fā)光器件壽命的效果。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式，萘并萘化合物層14d應(yīng)該優(yōu)選具有0.5至10nm的厚度，更優(yōu)選具有1至5nm的厚度。當(dāng)厚度超過10nm時(shí)，它不提供令人滿意的色純度，這是因?yàn)檩敛⑤粱衔锇l(fā)出的光與發(fā)光層發(fā)出的光混合。當(dāng)厚度小于0.5nm時(shí)，萘并萘化合物層14d不產(chǎn)生延長(zhǎng)有機(jī)電致發(fā)光器件壽命的效果。只要含有的上式(l)表示的萘并萘化合物的量不少于80wt%,萘并萘化合物層14d就是可以接受的。盡管萘并萘化合物層14d可以含有選自蒽化合物、芘化合物和并五苯化合物的其它組分，但是它應(yīng)該優(yōu)選僅由上式(l)表示的萘并萘化合物組成。如同其它有機(jī)層一樣，萘并萘化合物層14d可以通過氣相沉積形成。<電子傳輸層>電子傳輸層14e是意圖用于將從陰極15注入的電子傳輸至發(fā)光層14c。電子傳輸層14e可以由諸如喹啉、二萘嵌苯、菲咯啉、聯(lián)苯乙烯、吡口秦、三唑、碌、唑、碌二唑、藥酮以及它們的衍生物和金屬絡(luò)合物之類的材料形成。它們典型的實(shí)例包括三(8-羥基喹啉)鉆(簡(jiǎn)化為Alq3)、蒽、萘、菲、芘、二萘嵌苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪、1,10-菲咯啉以及它們的衍生物和金屬絡(luò)合物。<有機(jī)層〉根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式，有機(jī)層14包括在陽極13上層疊放置的空穴注入層14a、空穴傳輸層14b、發(fā)光層14c、萘并萘化合物層14d和電子傳輸層14e。順便提及，有機(jī)層14不限于上述的層結(jié)構(gòu)。只要有機(jī)層14至少包括發(fā)光層14c、萘并萘化合物層Md和電子傳輸層14e(其中萘并萘化合物層14d插在發(fā)光層14c和電子傳輸層14e之間)，即可接受。有機(jī)層14可以根據(jù)需要采取另外的層結(jié)構(gòu)。例如，發(fā)光層14c可以是能夠傳輸空穴和電子之一的發(fā)光層，或者是既能夠傳輸空穴又能夠傳輸電子的發(fā)光層。另一種層結(jié)構(gòu)可以是這樣的，即將具有對(duì)本發(fā)明效果無害的主體材料的附加層保持在發(fā)光層14c和萘并萘化合物層14d之間。該附加層包括發(fā)出藍(lán)光或更短波長(zhǎng)的光的輔助發(fā)光層。它應(yīng)該由主體材料和發(fā)光摻雜劑構(gòu)成。該化合物的實(shí)例包括萘衍生物、蒽衍生物、萘并萘衍生物、苯乙烯胺衍生物和化合物A。這些實(shí)例中優(yōu)選的是氨基萘衍生物、氨基蒽衍生物、氨基茗衍生物、氨基芘衍生物、苯乙烯胺衍生物和化合物A。輔助發(fā)光層容許再結(jié)合產(chǎn)生的能量迅速移至發(fā)光層14c，由此有助于發(fā)光。同時(shí)，發(fā)光層通過熱轉(zhuǎn)移法(thermaltransfermethod)或蔭罩法(shadowmaskmethod)形成。與用蔭罩法形成的發(fā)光層相比，用熱轉(zhuǎn)移法形成的發(fā)光層發(fā)光效率和亮度壽命較差。熱轉(zhuǎn)移法的缺點(diǎn)是，當(dāng)將空穴傳輸層14b從真空轉(zhuǎn)移至用于熱轉(zhuǎn)移法的惰性氣體中時(shí)，空穴傳輸層14b的表面捕獲雜質(zhì)而破壞載流子平衡。這個(gè)問題對(duì)于設(shè)計(jì)來使光從空穴傳輸層14b的界面發(fā)出的綠光有機(jī)電致發(fā)光器件是嚴(yán)重的。為了解決這個(gè)問題，應(yīng)該優(yōu)選將根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件設(shè)計(jì)成萘并萘化合物層14d放置在空穴傳輸層14b的朝向發(fā)光層14c的那側(cè)上，并將輔助發(fā)光層插在發(fā)光層14c和萘并萘化合物層14d之間。該結(jié)構(gòu)將再結(jié)合的位置從空穴傳輸層14b移至輔助發(fā)光層，并且在熱轉(zhuǎn)移時(shí)保護(hù)空穴傳輸層14b不受污染，這有助于有效的發(fā)光和延長(zhǎng)壽命。而且，可將層合結(jié)構(gòu)用于構(gòu)成有機(jī)層14的各個(gè)層，例如空穴注入層14a、空穴傳輸層14b、發(fā)光層14c、萘并萘化合物層14d和電子傳輸層14e。<陰極>陰極15在如上所述構(gòu)造的有機(jī)層14上形成。陰極15包括順序地設(shè)置在有機(jī)層14上的第一層15a和第二層15b。第一層15a由具有小功函數(shù)且擅長(zhǎng)光透射的材料形成。該材料的實(shí)例包括氧化鋰(Li20)、碳酸銫(Cs2C03)和它們的混合物。第一層15a也可以由單質(zhì)、混合物或合金形式的堿土金屬如鈣(Ca)和鋇(Ba)、堿金屬如鋰和銫、具有小功函數(shù)的那些金屬如銦(In)和鎂(Mg),以及它們的氧化物、絡(luò)合氧化物和氟化物形成。它們有助于提高穩(wěn)定性。第二層15b是具有良好光透射的MgAg薄膜。第二層15b可以另外含有有機(jī)發(fā)光材料，例如喹啉鋁絡(luò)合物(alumiquinolinecomplex)、苯乙烯胺衍生物和酞菁衍生物。在該情況中，陰極15可以另外具有透明的具有MgAg的第三層。在將有機(jī)電致發(fā)光器件11用于有源矩陣型顯示裝置的情況中，陰極15以連續(xù)膜的形式在基底12上形成，使得通過上述的有機(jī)層14和絕緣膜(未示出)將陰極15與陽極13絕緣。它起著像素的共用電極的作用。陰極15的上述層結(jié)構(gòu)是非限制性的；可根據(jù)待制造的器件結(jié)構(gòu)而使用任何層結(jié)構(gòu)。盡管陰極15包括第一層15a(其是促進(jìn)電子注入到有機(jī)層14中的無機(jī)層)和第二層15b(其是起著電極作用的無機(jī)層)，但是它也可以采取單層結(jié)構(gòu)，在所述單層結(jié)構(gòu)中第一無機(jī)層也起第二無機(jī)層的作用。該單層結(jié)構(gòu)可以覆蓋有透明的ITO電極。22通常對(duì)如上所述構(gòu)造的有機(jī)電致發(fā)光器件供應(yīng)直流電流。然而，可以用交流電流或脈沖電流代替直流電流。電流強(qiáng)度和電壓沒有具體限制，只要它們足夠小，不破壞器件即可?？紤]到器件的功耗和壽命，具有最小可能電能的有效發(fā)光是理想的。在有機(jī)電致發(fā)光器件ll是空腔結(jié)構(gòu)的情況中，陰極15由半-透明的半-反射材料形成，使得光從陰極15發(fā)出之前在陽極13的反射表面和陰極15的反射表面之間發(fā)生多重干涉。多重干涉和所得的頂部發(fā)光將輸出光的強(qiáng)度放大。輸出光的波長(zhǎng)決定陽極13的反射表面和陰極15的反射表面之間的光程(opticaldistance),且相應(yīng)地決定各個(gè)層的厚度?？涨唤Y(jié)構(gòu)使頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光器件能實(shí)施有效的發(fā)光且能發(fā)出具有可控波譜的光。為了防止大氣中的濕氣(moisture)和氧(oxygen)所導(dǎo)致的劣化，應(yīng)該優(yōu)選將如上所述構(gòu)造的有機(jī)電致發(fā)光器件用保護(hù)膜或鈍化膜(未示出)進(jìn)行覆蓋。保護(hù)膜可由氮化硅(通常為Si3N4)、氧化硅(通常為Si02)、氧氮化硅(SiNxOy,x〉y)或氮氧化硅(SiOxNy，x〉y)形成。它也可以由碳如類金剛石的碳(DLC)和碳納米管(CN)形成。應(yīng)該優(yōu)選將這些膜構(gòu)造為單層或多層。在這些實(shí)例中，致密的氮化物是理想的，這是因?yàn)樗哂型怀龅淖钃鯘駳狻⒀鹾推渌鼘?duì)有機(jī)電致發(fā)光器件11有害的雜質(zhì)的能力。在限制本發(fā)明。本發(fā)明包括這樣類型的有機(jī)電致發(fā)光器件，即構(gòu)造為包括發(fā)光層和電子傳輸層的有機(jī)層插在陽極和陰極之間。該器件包括層疊放置的基底、陰極、有機(jī)層和陽極。底部發(fā)光型(所謂的透射型)有機(jī)電致發(fā)光器件也是可能的。在該情況中，鄰近基底的下部電極(為陰極(或陽極))由透明材料形成，以及與基底相對(duì)的上部電極(為陽極(或陰極))由反射材料形成。而且，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件包括具有一對(duì)電極(陽發(fā)明不限于僅包括一對(duì)電極和有機(jī)層的有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明包括具有對(duì)本發(fā)明的效果無害的其它組件(例如無機(jī)化合物層和無機(jī)組分)的有機(jī)電致發(fā)光器件。已證實(shí)，與不具有萘并萘化合物層14d的有機(jī)電致發(fā)光器件相比，如上所述構(gòu)造的有機(jī)電致發(fā)光器件更容易實(shí)現(xiàn)延長(zhǎng)壽命(如隨后的實(shí)施例中所示)。此外，所述有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)出構(gòu)成發(fā)光層14c的材料中固有的純光，不與鄰近發(fā)光層14c的萘并萘化合物層14d(其發(fā)出黃光或紅光)發(fā)出的光混合。這是因?yàn)檩敛⑤粱衔飳?4d捕獲透過發(fā)光層14c的空穴并防止它們進(jìn)入電子傳輸層14e，從而保護(hù)構(gòu)成電子傳輸層14e的材料(例如Alq3)不劣化。此外，被捕獲的空穴使構(gòu)成發(fā)光層14c的主體材料中的電子有效地激發(fā)。結(jié)果是發(fā)光層14c以穩(wěn)定的方式發(fā)光，從而有助于延長(zhǎng)壽命。在客體材料是發(fā)藍(lán)光或綠光的有機(jī)材料的情況中，前述結(jié)構(gòu)對(duì)于延長(zhǎng)壽命產(chǎn)生顯著的效果。從前述明顯看出，如上所述構(gòu)造的有機(jī)電致發(fā)光器件11在保持色純度的同時(shí)具有長(zhǎng)壽命。<顯示裝置>(所謂的有機(jī)EL顯示裝置)的一種實(shí)施方式。圖2是示出顯示裝置的電路的示意圖。本實(shí)施方式的顯示裝置20是由根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件11構(gòu)造的有源矩陣型顯示裝置。如圖2中所示，使顯示裝置20在基底12上形成且分為兩個(gè)區(qū)域由虛線圍繞的顯示區(qū)域12a;和周圍區(qū)域12b。在顯示區(qū)域12a中是水平設(shè)置的掃描線21和垂直設(shè)置的信號(hào)線23。在它們的每個(gè)交叉點(diǎn)處是一個(gè)像素，且所有像素構(gòu)成陣列。在周圍區(qū)域12b中設(shè)置掃描線驅(qū)動(dòng)電路25和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路27，掃描線驅(qū)動(dòng)電路25驅(qū)動(dòng)掃描線21，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路27響應(yīng)于亮度信息將視頻信號(hào)(或輸入信號(hào))提供給信號(hào)線23。在掃描線21和信號(hào)線23交叉點(diǎn)處的像素具有由用于開關(guān)的薄膜晶體管Trl、用于驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管Tr2、存儲(chǔ)電容(storagecapacity)Cs和有機(jī)電致發(fā)光器件11構(gòu)成的電路。掃描驅(qū)動(dòng)電路25以這樣的方式工作將通過用于開關(guān)的薄膜晶體管Trl從信號(hào)線23供給的視頻信號(hào)保持在存儲(chǔ)電容Cs中。將與這樣保持的信號(hào)量成比例的電流通過用于驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管Tr2供應(yīng)至有機(jī)電致發(fā)光器件11,使得有機(jī)電致發(fā)光器件11發(fā)光。順便提及，將用于驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管Tr2和存儲(chǔ)電容Cs連接至共用電源線(Vcc)29。上述像素電路僅是應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施方式的一個(gè)實(shí)例。像素電路也可以用另外的電容元件和晶體管進(jìn)行改變。也可以響應(yīng)于電路的變化而改變周圍區(qū)域12b。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置20中，每個(gè)像素由用于紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的三個(gè)子像素構(gòu)成，且每個(gè)子像素是上面參照?qǐng)Dl解釋的有機(jī)電致發(fā)光器件11。大量像素(每個(gè)像素是一組三個(gè)子像素)設(shè)置在基底12上，使得顯示裝置能夠以良好的色彩重現(xiàn)性進(jìn)行全色顯示。應(yīng)該優(yōu)選對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置進(jìn)行構(gòu)造，使得有機(jī)電致發(fā)光器件是至少部分地發(fā)藍(lán)光的器件。藍(lán)光發(fā)射器件具有長(zhǎng)壽命和高色純度，且因此有助于長(zhǎng)期地以良好的色彩重現(xiàn)性進(jìn)行全色顯示。而且，應(yīng)該優(yōu)選對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置進(jìn)行構(gòu)造，使得有機(jī)電致發(fā)光器件是至少部分地發(fā)綠光的器件。綠光發(fā)射器件具有長(zhǎng)壽命和高色純度，且因此有助于長(zhǎng)期地以良好的色彩重現(xiàn)性進(jìn)行全色顯示。如上所述有機(jī)電致發(fā)光器件11構(gòu)造的顯示裝置20應(yīng)該優(yōu)選安裝有密封膜，所述密封膜保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光器件11免受大氣中濕氣和氧的劣化。圖3是示出適用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置的密封顯示模塊的示意圖。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置可以為圖3中所示的密封模塊的形式。該顯示模塊具有密封部件31，所述密封部件31包圍含有像素(設(shè)置在顯示區(qū)域12a中)的顯示區(qū)域12a。密封部件31是粘合劑，其將顯示區(qū)域12a粘合至密封基底32，所述密封基底32是透明玻璃板。密封基底32可以安裝有濾色片(colorfilter)、保護(hù)膜、屏蔽膜等。用于顯示模塊(在所述顯示模塊中形成顯示區(qū)域12a)的基底12可以安裝有用于在顯示區(qū)域12a(像素陣列)和外部電路之間輸入和輸出信號(hào)的柔性印刷電路板33。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置20由如上所述有效地發(fā)光且具有長(zhǎng)壽命的有機(jī)電致發(fā)光器件構(gòu)成。因此，如果顯示裝置20由各自發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光的三種有機(jī)電致發(fā)光器件構(gòu)成，則它能夠以良好的色彩重現(xiàn)性和高可靠性進(jìn)行全色顯示。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的上述顯示裝置可用于具有顯示裝置的各種電子儀器和設(shè)備中，例如數(shù)碼相機(jī)、筆記本式個(gè)人電腦、便攜式終端設(shè)備如便攜式電話，以及攝像機(jī)，所述顯示裝置用于顯示內(nèi)部產(chǎn)生的圖象信號(hào)或從外部接收的圖象信號(hào)。25實(shí)施例,下面參照?qǐng)D1描述實(shí)施例和對(duì)比例。用器件的評(píng)估結(jié)果對(duì)實(shí)施例和對(duì)比例作出結(jié)論。<實(shí)施例1至4>用以下方式制造有機(jī)電致發(fā)光器件11，該有機(jī)電致發(fā)光器件11的發(fā)光層14c含有用于發(fā)藍(lán)光的客體材料。首先，將基底12(其為30x30mm的玻璃板)用用作反射層的Ag合金薄膜(190nm厚)和用作透明電極的ITO薄膜(12.5nm厚)覆蓋。這兩種膜構(gòu)成陽極13。將其上具有陽極13的基底12用作頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光器件的單元(cell)。在陽極13上通過以0.2至0.4nm/秒的速率真空沉積，由下式(101)表示的m-MTDATA形成空穴注入層14a(12nm厚)作為有機(jī)層14的一個(gè)組件。m-MTDATA代表4,4，，4"-三(苯基-間-曱苯基氨基)三苯胺。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>然后，在空穴注入層14a上通過以0.2至0.4nm/秒的速率真空沉積，由下式(102)表示的a-NPD形成空穴傳輸層14b(120nm厚)。a-NPD代表N，N，-雙(l-萘基)-N，N，-二苯基[l，l，-聯(lián)苯]-4，4，-二胺。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>在空穴傳輸層14b上通過真空沉積，由結(jié)構(gòu)式A-20(如表2中所示)表示的9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)作為主體材料形成發(fā)光層Mc(30nm厚)。主體材料(ADN)用BD-052(IdemitsuKosanCo.,Ltd.制造)作為藍(lán)光摻雜劑進(jìn)行摻雜。依據(jù)厚度比率，摻雜劑的量為5%。在發(fā)光層14c上通過真空沉積，由下面結(jié)構(gòu)式(103)表示的紅熒烯形成萘并萘化合物層14d。在實(shí)施例1至4中萘并萘化合物層14d的厚度分別為1nm、3nm、5nm和10nm。(103)在萘并萘化合物層14d上通過真空沉積，由Alq3(8-羥基喹啉鋁)形成電子傳輸層14e,使得萘并萘化合物層14d和電子傳輸層14e具有28nm的總厚度。因此，在實(shí)施例1至4中電子傳輸層14e的厚度分別為27nm、25nm、23nm和18nm。0々、，0Al——N(104)從而形成有機(jī)層14，其包括層疊放置的空穴注入層14a、空穴傳輸層14b、發(fā)光層14c、萘并萘化合物層14d和電子傳輸層14e。然后，在有機(jī)層14上通過真空沉積(以0.01nm/秒的速率)，由LiF形成陰極15的第一層15a(約0.5nm厚)。在第一層15a上通過真空沉積，由MgAg形成陰極15的第二層I5b(llnm厚)。以這種方式獲得實(shí)施例1至4中每個(gè)的有機(jī)電致發(fā)光器件11。<對(duì)比例1>通過重復(fù)與實(shí)施例1中相同的過程制備有機(jī)電致發(fā)光器件11,所不同的是將萘并萘化合物層14d省略并將電子傳輸層14e的厚度改為28nm，電子傳輸層14e直接在發(fā)光層14c上形成。<對(duì)比例2>通過重復(fù)與實(shí)施例1中相同的過程制備有機(jī)電致發(fā)光器件11，所不同的是將電子傳輸層14e省略并將萘并萘化合物層14d的厚度改為28nm，陰極15直接形成于萘并萘化合物層14d上。在該有機(jī)電致發(fā)光器件11中，萘并萘化合物層14d用作電子傳輸層14e。<對(duì)比例3>通過重復(fù)與實(shí)施例1中相同的過程備有機(jī)電致發(fā)光器件11,所不同的是將萘并萘化合物層14d和電子傳輸層14e的厚度分別改為15nm和13nm。<評(píng)估結(jié)果>對(duì)上述實(shí)施例1至4和對(duì)比例1至3中制備的有機(jī)電致發(fā)光器件在電流密度為10mA/cn^時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓(V)和顏色坐標(biāo)(x，y)進(jìn)行;險(xiǎn)查。還在用電流密度為100mA/cm2的恒定電流進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的情況下對(duì)它們亮度的半衰期進(jìn)行檢查。結(jié)果示于表7。順便提及，所述顏色坐標(biāo)是CIE比色系統(tǒng)的顏色坐標(biāo)。表7萘并萘化合物層14d(紅熒烯)的厚度電壓(V)顏色坐標(biāo)(x，y)亮度的半衰期(hr)實(shí)施例11nm8.0(0.13,0.10)750實(shí)施例23nm8.0(0.13,0.10)720實(shí)施例35nm8,1(0.13,0.10)680實(shí)施例410nm8.2(0.13，0.10)610對(duì)比例1無(Alq328nm)8.1(0.13,0.10)320對(duì)比例228nm8.8(0.13,0.16)80對(duì)比例315nm8.4(0.13,0.14)280從表7看出，與對(duì)比例1中的不具有萘并萘化合物層14d的有機(jī)電致發(fā)光器件相比，實(shí)施例1至4中的有機(jī)電致發(fā)光器件在相同驅(qū)動(dòng)電壓具有長(zhǎng)得多的壽命。與實(shí)施例1至4中的樣品相比，對(duì)比例2中的樣品(該樣品用紅熒烯代替了電子傳輸層14e)的色純度和壽命較差，這是因?yàn)閬碜约t熒烯的光會(huì)混合而增加顏色坐標(biāo)的y值。此外，與對(duì)比例1中的不具有萘并萘化合物層14d的樣品相比，萘并萘化合物層14d的厚度不超過10nm的28那些樣品壽命較長(zhǎng)。與實(shí)施例1至4和對(duì)比例1中的樣品相比，對(duì)比例2和3中的萘并萘化合物層14d不薄于15nm的那些樣品的壽命較差。從前述得到的結(jié)論是，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件11享有由于良好的再結(jié)合電荷平衡所導(dǎo)致的持久亮度，所述有機(jī)電致發(fā)光器件11具有插在電子傳輸層14e和發(fā)光層14c之間的不超過10nm厚的萘并萘化合物層14d。當(dāng)萘并萘化合物層14d具有1nm或3nm的厚度時(shí)，這種效果是顯著的。<實(shí)施例5和6>制備有機(jī)電致發(fā)光器件11,其中在發(fā)光層中的客體材料是發(fā)綠光的化合物。首先，將基底12(其為30x30mm的玻璃板)用用作反射層的Ag合金薄膜(190nm厚)和用作透明電極的ITO薄膜(12.5nm厚)覆蓋。這兩種膜構(gòu)成陽極13。將其上具有陽極13的基底12用作頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光器件的單元。在陽極13上通過以0.2至0.4nm/秒的速率真空沉積，由上式(101)表示的m-MTDATA形成空穴注入層14a(8nm厚)作為有機(jī)層14的一個(gè)組件。然后，在空穴注入層14a上通過以0.2至0.4nm/秒的速率真空沉積，由上式(102)表示的a-NPD形成空穴傳輸層14b(20nm厚)。在空穴傳輸層14b上通過真空沉積，由下面結(jié)構(gòu)式(A)表示的9-(l-萘基)-10-(l-聯(lián)苯基)蒽(ANB)作為主體材料形成發(fā)光層14c(30nm厚)。主體材料(ANB)用下面結(jié)構(gòu)式(B)表示的綠光摻雜劑進(jìn)行摻雜。依據(jù)厚度比率，摻雜劑的量為9%。<image>imageseeoriginaldocumentpage29</image>在發(fā)光層14c上通過真空沉積，由下面結(jié)構(gòu)式(105)表示的化合物形成萘并萘化合物層14d。在實(shí)施例5和6中萘并萘化合物層14d的厚度分別為1nm和5nm。(105)在萘并萘化合物層14d上通過真空沉積，由Alq3(8-羥基喹啉鋁)形成電子傳輸層14e,使得萘并萘化合物層14d和電子傳輸層14e具有40nm的總厚度。因此，在實(shí)施例5和6中電子傳輸層14e的厚度分別為39nm和35nm。從而形成有機(jī)層14，其包括層疊放置的空穴注入層14a、空穴傳輸層14b、發(fā)光層14c、萘并萘化合物層14d和電子傳輸層14e。然后，在有機(jī)層14上通過真空沉積(以0.01nm/秒的速率)，由LiF形成陰極15的第一層15a(約0.5nm厚)。在第一層15a上通過真空沉積，由MgAg形成陰極15的第二層15b(llnm厚)。以這種方式獲得實(shí)施例5和6中每個(gè)的有機(jī)電致發(fā)光器件11。<實(shí)施例7和8>通過重復(fù)與實(shí)施例5和6中相同的過程制備有機(jī)電致發(fā)光器件11,所(:二。、工、、、''、—、'(106)這樣得到根據(jù)實(shí)施例5至8的有機(jī)電致發(fā)光器件11。<實(shí)施例9和10>通過重復(fù)與實(shí)施例5和6中相同的過程制備有機(jī)電致發(fā)光器件11，所不同的是用下式(107)表示的化合物代替用于萘并萘化合物層14d的化合物(105)。(107)<對(duì)比例4>通過重復(fù)與實(shí)施例5中相同的過程制備有機(jī)電致發(fā)光器件11，所不同的是將萘并萘化合物層14d省略并將電子傳輸層14e的厚度改為40nm,電子傳輸層14e直接在發(fā)光層14c上形成。<評(píng)估結(jié)果>使用與上述實(shí)施例1至4和對(duì)比例1至3相同的方式，對(duì)上述實(shí)施例5至10和對(duì)比例4中制備的有機(jī)電致發(fā)光器件在電流密度為10mA/cm2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓(V)和顏色坐標(biāo)(x，y)進(jìn)行檢查。還在用電流密度為100mA/cm2的恒定電流進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的情況下對(duì)它們亮度的半衰期進(jìn)行檢查。結(jié)果示于表8。表8萘并萘化合物萘并萘化合物層14d的厚度電壓(V)顏色坐標(biāo)(x，y)亮度半衰期(hr)實(shí)施例51051nm7.5(0.24,0.67)480實(shí)施例61055nm7.6(0.24，0.67)430實(shí)施例71061nm7.6(0,24,0.67)360實(shí)施例81065nm7.7(0.24，0.67)320實(shí)施例91071nm7.5(0.24,0.67)320實(shí)施例101075nm7.7(0.24，0.67)300對(duì)比例4無無(Alq340nm)7.5(0.24，0.67)240從表8看出，與對(duì)比例4中的不具有萘并萘化合物層14d的有機(jī)電致發(fā)光器件相比，實(shí)施例5至10中用于綠光的有機(jī)電致發(fā)光器件在相同的驅(qū)動(dòng)電壓具有長(zhǎng)得多的壽命。從前述得到的結(jié)論是，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件11享有由于良好的再結(jié)合電荷平衡所導(dǎo)致的持久亮度，所述有機(jī)電致發(fā)光器件11具有插在電子傳輸層14e和發(fā)光層14c之間的萘并萘化合物層14d。<實(shí)施例11至14和對(duì)比例5>如示意性的圖4A至4C中所示，這些實(shí)施例說明了通過激光轉(zhuǎn)移制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。在實(shí)施例11至14和對(duì)比例5中，如與實(shí)施例5和6中相同的方式制備用于頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光器件的單元。在器件的基底12上形成陽極13。通過構(gòu)圖形成絕緣膜20，使得絕緣膜20覆蓋陽極13的周圍，使像素區(qū)域保持開放。如圖4A中所示，在陽極13上通過真空沉積順序形成空穴注入層14a和空穴傳輸層14b。以下面的方式制備用于轉(zhuǎn)移的基底30r。通過普通的濺射用鉻的吸光層33(200nm厚)覆蓋玻璃基底31。通過真空沉積，用具有上面結(jié)構(gòu)式(A)表殺的9-(l-萘基)-10-(l-聯(lián)苯基)蒽(ANB)作為主體材料的發(fā)光層14c(30nm厚)覆蓋吸光層33。ANB用上面結(jié)構(gòu)式(B)表示的綠光摻雜劑進(jìn)行摻雜。依據(jù)厚度比率，摻雜劑的量為9%。32將這樣獲得的用于轉(zhuǎn)移的基底30r以如圖4B中所示使空穴傳輸層14b和發(fā)光層14c彼此面對(duì)的方式放置在器件的基底12上，并且在真空中將它們緊緊粘合在一起。在用于轉(zhuǎn)移的基底30r和空穴傳輸層14b之間有小空隙(約2pm,取決于絕緣層20的厚度而變化)。如圖4C中所示，用波長(zhǎng)為800nm的激光束(hr)對(duì)用于轉(zhuǎn)移的基底30r的反面進(jìn)行輻射，使得激光束的能量由吸光層33吸收。吸收的能量(或熱)用于將發(fā)光層14c從用于轉(zhuǎn)移的基底30r轉(zhuǎn)移到空穴傳輸層14b上。激光束hr具有300x10jim的光點(diǎn)尺寸(spotsize)和2.6e-3mJ/Vm2的能量密度。在垂直于激光束hr的光點(diǎn)的長(zhǎng)(longside)方向上掃描激光束hr。使這樣形成的發(fā)光層14c通過真空沉積用輔助發(fā)光層(30nm厚)覆蓋，所述輔助發(fā)光層含有表2中的結(jié)構(gòu)式A-20表示的9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)作為主體材料。將所述(ADN)用BD-052(IdemitsuKosanCo.，Ltd.制造)作為藍(lán)光摻雜劑進(jìn)行摻雜。依據(jù)厚度比率，摻雜劑的量為5%。輔助發(fā)光層未示出。使這樣形成的輔助發(fā)光層通過真空沉積而用具有上述化合物(105)的萘并萘化合物層14d覆蓋。在實(shí)施例11至14中的萘并萘化合物層14d的厚度分另ll為1nm、3nm、5nm和10nm。然后，通過真空沉積，由Alq3(8-羥基喹啉鋁)形成電子傳輸層14e(39nm厚)。確立電子傳輸層14e的厚度，使得萘并萘化合物層14d和電子傳輸層14e的總厚度為40nm。因此，在實(shí)施例11至14中電子傳輸層14e的厚度分別為39nm、37nm、35nm和30nm。在對(duì)比例5中，將萘并萘化合物層14d省略并且通過真空沉積形成電子傳輸層14e(40nm厚)。從而獲得有機(jī)層14，其包括順序?qū)盈B設(shè)置的空穴注入層14a、空穴傳輸層14b、發(fā)光層14c、萘并萘化合物層14d、輔助發(fā)光層(未示出)和電子傳輸層14e。隨后，通過真空沉積以0.01nm/秒的速率由LiF形成陰極15的第一層15a(約0.5nm厚)。最后，在第一層15a上通過真空沉積由MgAg形成陰極15的第二層15b(llnm厚)。從而獲得有機(jī)電致發(fā)光器件11。<評(píng)估結(jié)果>對(duì)上述實(shí)施例11至14和對(duì)比例5中制備的有機(jī)電致發(fā)光器件檢查以10mA/cm2的電流密度驅(qū)動(dòng)時(shí)的顏色坐標(biāo)(x,y)、在以10mA/cm2的電流密度驅(qū)動(dòng)時(shí)的發(fā)光效率(cd/A)和在用電流密度為100mA/cn^的恒定電流驅(qū)動(dòng)的情況下亮度的半衰期進(jìn)行。結(jié)果示于表9。表9萘并萘化合物萘并萘化合物層14d的厚度發(fā)光效率(cd/A)顏色坐標(biāo)(x，y)亮度半衰期(hr)實(shí)施例111051nm17.7(0.24，0.67)1340實(shí)施例121053nm20.0(0.24,0.67)1380實(shí)施例131055nm20.6(0.24,0.67)1410實(shí)施例1410510nm18.9(0.21,0.67)1380對(duì)比例5無無(Alq340nm)18.9(0.24,0.67)340從表9看出，與對(duì)比例5中的不具有萘并萘化合物層的有機(jī)電致發(fā)光器件相比，在實(shí)施例11至14中用于綠光發(fā)射的有機(jī)電致發(fā)光器件在相同的驅(qū)動(dòng)電壓具有長(zhǎng)得多的壽命。從前述得到的結(jié)論是，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件享有由于良好的再結(jié)合電荷平衡所導(dǎo)致的持久亮度，所述有機(jī)電致發(fā)光器件具有插在電子傳輸層和發(fā)光層之間的萘并萘化合物層。本申請(qǐng)含有與2008年5月16日向日本專利局提交的日本專利優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)JP2008-129592中披露的主題相關(guān)的主題，在此將其全部?jī)?nèi)容通過引用的方式并入本文。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在隨附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其它因素可以進(jìn)行各種改變、組合、二次組合和變更。3權(quán)利要求1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括陽極；陰極；和保持在所述陽極和陰極之間的有機(jī)層，所述有機(jī)層包括發(fā)光層，含萘并萘化合物的萘并萘化合物層，和電子傳輸層；所述發(fā)光層由發(fā)光客體材料和具有蒽骨架的芳族烴化合物構(gòu)成，以及所述萘并萘化合物層含有不少于80wt％的下式(1)表示的萘并萘化合物和具有0.5nm至10nm的厚度，并且與所述電子傳輸層的朝向所述發(fā)光層的那面接觸，其中，R1至R8獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基；選自羰基、羰酯基、烷基、烯基和烷氧基中的任何一個(gè)，所述羰基、羰酯基、烷基、烯基和烷氧基可以取代有具有不超過20個(gè)碳原子的基團(tuán)；以及選自甲硅烷基、芳基和雜環(huán)基中的任何一個(gè)，所述甲硅烷基、芳基和雜環(huán)基可以取代有具有不超過30個(gè)碳原子的基團(tuán)。2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述萘并萘化合物層含有不少于80wt。/。的下式(2)表示的萘并萘化合物，R4R3R，R2(2)其中，R'至R"獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的萘基、雜環(huán)基、苯基取代的雜環(huán)基，和具有不超過13個(gè)碳原子的稠合的多環(huán)芳族雜環(huán)基團(tuán)中的任何一個(gè)。3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中用于所述萘并萘化合物層的式(2)中的R'至W獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基和取代或未取代的萘基中的任何一個(gè)。4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述萘并萘化合物層具有1nm至5nm的厚度。5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其具有在所述發(fā)光層和所述萘并萘化合物層之間形成的輔助發(fā)光層。6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述發(fā)光客體材料是發(fā)藍(lán)光或綠光的有機(jī)材料。7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述發(fā)光層產(chǎn)生的光在保持在所述陽極和陰極之間的任何層之間經(jīng)歷多重干涉，然后從所述陽極或陰極發(fā)出。8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述發(fā)光層產(chǎn)生的光在保持在所述陽極和陰極之間的任何層之間經(jīng)歷多重干涉，然后從所述陰極發(fā)出。9.一種顯示裝置，其包括基底；和設(shè)置在所述基底上的有機(jī)電致發(fā)光器件陣列，至少部分的所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括陽極，陰極，和保持在所述陽極和陰極之間的有機(jī)層，所述有機(jī)層包括發(fā)光層，含萘并萘化合物的萘并萘化合物層，以及電子傳輸層；所述發(fā)光層由發(fā)光客體材料和具有蒽骨架的芳族烴化合物構(gòu)成，以及萘化合物和具有0.5nm至10nm的厚度，并且與所述電子傳輸層的朝向所述發(fā)光層的那面接觸，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>其中，R'至RS獨(dú)立地表示氫原子、囟素原子、羥基、氰基、硝基；選自羰基、羰酯基、烷基、烯基和烷氧基中的任何一個(gè)，所述羰基、羰酯基、烷基、烯基和烷氧基可以取代有具有不超過20個(gè)碳原子的基團(tuán)；以及選自曱硅烷基、芳基和雜環(huán)基中的任何一個(gè)，所述曱硅烷基、芳基和雜環(huán)基可以取代有具有不超過30個(gè)碳原子的基團(tuán)。10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中至少部分的所述有機(jī)電致發(fā)光器件是發(fā)藍(lán)光的有機(jī)電致發(fā)光器件。11.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中至少部分的所述有機(jī)電致發(fā)光器件是發(fā)綠光的有機(jī)電致發(fā)光器件。12.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中在所述基底上設(shè)置有發(fā)藍(lán)光、綠光和紅光的有機(jī)電致發(fā)光器件，并且所述發(fā)藍(lán)光的有機(jī)電致發(fā)光器件和/或所述發(fā)綠光的有機(jī)電致發(fā)光器件構(gòu)成至少部分的所述有機(jī)電致發(fā)光器件。全文摘要本申請(qǐng)披露了有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括陽極；陰極；以及包括發(fā)光層、含萘并萘化合物的萘并萘化合物層和電子傳輸層的有機(jī)層；所述發(fā)光層由發(fā)光客體材料和具有蒽骨架的芳族烴化合物構(gòu)成，以及所述萘并萘化合物層含有不少于80wt％的上式(1)表示的萘并萘化合物和具有0.5至10nm的厚度，并且與電子傳輸層的朝向發(fā)光層的那面接觸。文檔編號(hào)C07C15/38GK101582487SQ20091014107公開日2009年11月18日申請(qǐng)日期2009年5月18日優(yōu)先權(quán)日2008年5月16日發(fā)明者松波成行,肥后智之,鬼島靖典申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社