專利名稱：電活性材料的制作方法
電活性材料相關(guān)專利申請資料本專利申請根據(jù)35U. S. C. § 119(e)，要求2009年4月3日提交的美國臨時申請 61/166，400的優(yōu)先權(quán)，所述文獻(xiàn)全文以引用方式并入本文。背景信息公開領(lǐng)域本公開涉及新型電活性化合物。本公開還涉及具有包含此類電活性化合物的至少一個活性層的電子器件。相關(guān)領(lǐng)域說明在諸如構(gòu)成OLED顯示器的有機發(fā)光二極管(“0LED”)的有機電活性電子器件中， 有機活性層夾置在OLED顯示器的兩個電接觸層之間。在OLED中，當(dāng)在整個電接觸層上施加電流時，有機電活性層透過所述透光的電接觸層發(fā)射光。已知在發(fā)光二極管中將有機電致發(fā)光化合物用作活性組分。簡單有機分子、共軛聚合物、以及有機金屬絡(luò)合物已經(jīng)得到應(yīng)用。在一些情況下，電致發(fā)光化合物以摻雜劑形式存在于電活性基質(zhì)材料中。采用電致發(fā)光材料的器件通常包括一層或多層電荷傳輸層，所述電荷傳輸層位于電活性(例如發(fā)光)層與接觸層(空穴注入接觸層)之間。器件可包含兩個或更多個接觸層?？昭▊鬏攲涌梢晕挥陔娭掳l(fā)光層與空穴注入接觸層之間?？昭ㄗ⑷虢佑|層也可以稱為陽極。電子傳輸層可位于電致發(fā)光層與電子注入接觸層之間。電子注入接觸層也可以稱為陰極。對用于電子器件中的電活性材料存在持續(xù)需求。發(fā)明概述提供了具有至少兩個二芳基氨基部分并且具有至少10%氘代度的化合物。還提供了具有式I、式II、或式III的化合物(Ar2) J-(Ar1)a-[T1-T2]-(Ar1)a-N (Ar2)2(I)
權(quán)利要求
1.化合物，所述化合物具有至少兩個二芳基氨基部分和至少10%的氘代度。
2.權(quán)利要求1的化合物，所述化合物具有至少50%的氘代度。
3.具有式I、式II或式III的化合物
4.權(quán)利要求3的化合物，所述化合物在芳環(huán)上具有至少一個取代基，其中氘代存在于芳環(huán)的取代基上。
5.權(quán)利要求3的化合物，其中Ar1和Ar2中的至少一個為氘代芳基。
6.權(quán)利要求5的化合物，其中Ar1和Ar2是至少20%氘代的。
7.權(quán)利要求3的化合物，所述化合物在芳環(huán)上具有至少一個取代基，其中氘代存在于至少一個取代基和至少一個芳環(huán)上。
8.權(quán)利要求3的化合物，其中氘代存在于[T1-T2]上。
9.權(quán)利要求8的化合物，其中[T1-T2]是至少20%氘代的。
10.權(quán)利要求8的化合物，其中Ar1和Ar2中的至少一個為氘代芳基。
11.權(quán)利要求9的化合物，其中Ar1和Ar2是至少20%氘代的。
12.權(quán)利要求3的化合物，其中[T1-T2]選自
13.權(quán)利要求12的化合物，其中R選自C1-10烷基和C1-10烷氧基。
14.權(quán)利要求3的化合物，其中a為1-3。
15.權(quán)利要求3的化合物，其中Ar2具有式a
全文摘要
本發(fā)明涉及化合物，所述化合物具有至少兩個二芳基氨基部分和至少10％的氘代度。
文檔編號C07C211/54GK102369255SQ200980158603
公開日2012年3月7日 申請日期2009年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月3日
發(fā)明者A·費尼莫爾, D·D·萊克洛克斯, M·H·小霍華德, N·S·拉杜, 高衛(wèi)英 申請人:E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司