專利名稱：一種福沙那韋鈣晶體及其制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及福沙那韋鈣技術領域，特別涉及福沙那韋鈣晶型技術領域，具體是指一種福沙那韋鈣晶體及其制備方法。
背景技術：
福沙那韋鈣，商品名LEXIVA，化學名[(3S)-氧雜環(huán)戊_3_基]N_[ (2S， 3R) -4- [ (4-氨基苯基)磺酰-O-甲基丙基)氨基]-1-苯基-3-磷酰氧基-丁烷-2-基] 氨基甲酸酯鈣鹽，其結構式如下式I所示
權利要求
1.一種福沙那韋鈣晶體，具有式I所示的結構式，
2.根據(jù)權利要求1所述的福沙那韋鈣晶體，其特征在于，所述福沙那韋鈣晶體的第四晶面間距為3.2724Α,第四布拉格角為27. 229°。
3.一種根據(jù)權利要求1所述的福沙那韋鈣晶體的制備方法，其特征在于，將福沙那韋鈣成品和干燥劑放入真空烘箱中，在20 150°C溫度下烘至水分< 5%。
4.根據(jù)權利要求3所述的福沙那韋鈣晶體的制備方法，其特征在于，所述溫度為60 110°C。
5.根據(jù)權利要求3所述的福沙那韋鈣晶體的制備方法，其特征在于，所述干燥劑選自物理吸附干燥劑和化學吸附干燥劑一種或兩種。
6.根據(jù)權利要求5所述的福沙那韋鈣晶體的制備方法，其特征在于，所述物理吸附干燥劑選自硅膠、氧化鋁凝膠、分子篩、活性炭、骨炭、木炭、礦物干燥劑和活性白土一種或幾種。
7.根據(jù)權利要求5所述的福沙那韋鈣晶體的制備方法，其特征在于，所述化學吸附干燥劑選自酸性干燥劑、堿性干燥劑和中性干燥劑的一種或幾種。
8.根據(jù)權利要求7所述的福沙那韋鈣晶體的制備方法，其特征在于，所述酸性干燥劑選自濃硫酸、五氧化二磷和高氯酸鎂的一種或幾種；所述堿性干燥劑選自氫氧化鉀、燒堿、 氧化鋇、石灰和堿石灰的一種或幾種；所述中性干燥劑選自無水硫酸鈣、無水氯化鈣、無水硫酸鎂和硅膠的一種或幾種。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種福沙那韋鈣晶體，具有式I所示的結構式，福沙那韋鈣晶體的第一晶面間距為第一布拉格角為5.441°；第二晶面間距為第二布拉格角為9.357°；第三晶面間距為第三布拉格角為14.369°，較佳地，福沙那韋鈣晶體的第四晶面間距為第四布拉格角為27.229°，還提供了一種上述的福沙那韋鈣晶體的制備方法，將福沙那韋鈣成品和干燥劑放入真空烘箱中，在20～150℃溫度下烘至水分≤5％，本發(fā)明的福沙那韋鈣晶體與現(xiàn)有的晶型相比具有全新晶型，水分更低，溶解度更好，更適于藥用或形成制劑，適于大規(guī)模推廣應用。
文檔編號C07F9/655GK102453053SQ20101052563
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月29日 優(yōu)先權日2010年10月29日
發(fā)明者葉美其, 姚慶旦, 徐建康, 李桂明, 賈永雷 申請人:浙江九洲藥業(yè)股份有限公司