專利名稱：亞甲基吡咯硼配位化合物及使用了其的有機電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及亞甲基吡咯硼配位化合物及使用了其的有機電致發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
使用了有機物質(zhì)的有機電致發(fā)光元件(有機EL元件)有望用作固體發(fā)光型的廉價的大面積全色顯示元件，并且進行了大量的開發(fā)。通常的有機EL元件由發(fā)光層及夾持該發(fā)光層的一對對置電極構(gòu)成對上述對置電極間施加電場時，從陰極側(cè)注入電子，從陽極側(cè)注入空穴。該電子在發(fā)光層與空穴再結(jié)合，生成激發(fā)態(tài)，從激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時的能量以光的形式被放出。以往的有機EL元件與無機發(fā)光二極管比較，驅(qū)動電壓高，發(fā)光亮度及發(fā)光效率也較低。另外，特性劣化也明顯且沒有達到實用化的程度。然而，對構(gòu)成有機EL元件的有機材料進行研究的結(jié)果是，在最近的有機EL元件中上述問題被逐漸改善。作為構(gòu)成有機EL元件的有機材料，例如，研究了具有亞甲基吡咯骨架的化合物 (例如，專利文獻1 5)。但是，還需要更進一步改善發(fā)光效率等。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 國際公開第2008/047744號小冊子專利文獻2 日本特開2005-53900號公報專利文獻3 日本專利第4000893號
專利文獻4 日本專利第3853038號專利文獻5 日本專利第3129200號

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為提供可以作成發(fā)光效率高、色純度優(yōu)異、發(fā)光壽命長的有機EL元件的亞甲基吡咯硼配位化合物。本發(fā)明的目的為提供作為摻雜劑使用時即便提高摻雜濃度也難以發(fā)生濃度消光的亞甲基吡咯硼配位化合物。本發(fā)明的目的為提供揮發(fā)性高，可以較低地設(shè)定蒸鍍溫度，并且即便長時間加熱， 也難以熱分解的亞甲基吡咯硼配位化合物。根據(jù)本發(fā)明，提供了以下的亞甲基吡咯硼配位化合物等。1.下述式(1)所示的亞甲基吡咯硼配位化合物。
權(quán)利要求
1.一種下述式(1)所示的亞甲基吡咯硼配位化合物，
2.如權(quán)利要求1所述的亞甲基吡咯硼配位化合物，所述亞甲基吡咯硼配位化合物如下述式⑵所示，
3.如權(quán)利要求1或者2所述的亞甲基吡咯硼配位化合物，其中，在所示式(1)或者式 (2)中，X為碳，Y為氫。
4.如權(quán)利要求3所述的亞甲基吡咯硼配位化合物，其中，在所述式(1)中，R1、! 3、! 4及 R6分別為取代或未取代的芳基，或者在所述式(2)中，R1、! 3及R4分別為取代或未取代的芳基。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項所述的亞甲基吡咯硼配位化合物，其中，在所述式(1)或者式(2)中，Z1及Z2中的至少1個為被氟原子取代的烷氧基。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項所述的亞甲基吡咯硼配位化合物，其為有機電致發(fā)光元件用的摻雜劑。
7.一種有機電致發(fā)光元件，其在陰極和陽極之間夾持有由一層或多層構(gòu)成的至少含有發(fā)光層的有機薄膜層， 所述有機薄膜層的至少一層含有權(quán)利要求1 6中任一項所述的亞甲基吡咯硼配位化合物。
8.如權(quán)利要求7所述的有機電致發(fā)光元件，所述發(fā)光層含有所述亞甲基吡咯硼配位化合物。
9.如權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光元件，所述發(fā)光層還含有下述式(3)所示的并四苯衍生物，
10.如權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述式(3)所示的并四苯衍生物的 QkQ^Q3及Q4中的至少1個為芳基。
11.如權(quán)利要求9或者10所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述式(3)所示的并四苯衍生物為下述式(4)所示的并四苯衍生物，
12.如權(quán)利要求11所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述式(4)所示的并四苯衍生物的Qi^Cf^Cf11及Q2tl5中的至少1個為取代或未取代的碳數(shù)1 20的烷基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為6 20的芳基、氨基、取代或未取代的碳數(shù)1 20的烷氧基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為6 20的芳氧基、取代或未取代的碳數(shù)1 20的烷硫基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為6 20的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)2 20的烯基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為7 20的芳烷基、或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5 20的雜環(huán)基。
全文摘要
本發(fā)明提供下述式(1)所示的亞甲基吡咯硼配位化合物。(式中，Z1及Z2分別為鹵原子、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基，Z1及Z2中的至少1個為被氟原子取代的烷氧基、或者被氟原子或氟烷基取代的芳氧基，Z1及Z2也可以形成環(huán)結(jié)構(gòu)。)
文檔編號C07D403/06GK102333783SQ20108000932
公開日2012年1月25日 申請日期2010年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月27日
發(fā)明者佐土貴康, 奧田文雄, 池田潔, 澤野文二, 田邊良滿, 越智貴彥 申請人:三井化學(xué)株式會社, 出光興產(chǎn)株式會社