有機(jī)薄膜晶體管用化合物及其使用的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種式I所示化合物，其可用于有機(jī)薄膜晶體管。I
【專利說(shuō)明】有機(jī)薄膜晶體管用化合物及其使用的有機(jī)薄膜晶體管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)薄膜晶體管用化合物和在有機(jī)半導(dǎo)體層中利用其的有機(jī)薄膜晶體管。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管(TFT)作為液晶顯示裝置等的顯示用的開(kāi)關(guān)元件而廣泛使用。代表性的TFT在基板上依次具有柵電極、絕緣體層、半導(dǎo)體層，并在半導(dǎo)體層上具有隔開(kāi)規(guī)定的間隔形成的源電極和漏電極。有機(jī)半導(dǎo)體層形成溝道區(qū)域，通過(guò)施加于柵電極的電壓對(duì)在源電極和漏電極之間流動(dòng)的電流進(jìn)行控制，從而進(jìn)行開(kāi)/關(guān)動(dòng)作。
[0003]以往，該TFT使用無(wú)定形硅或多晶硅制作，但是在這種使用硅的TFT的制作中應(yīng)用的CVD裝置，價(jià)錢(qián)非常高昂，使用了 TFT的顯示裝置等的大型化存在伴有制造成本的大幅增加的問(wèn)題。另外，將無(wú)定形硅或多晶硅成膜的工藝在非常高的溫度下進(jìn)行，因此可作為基板使用的材料的種類受限，所以存在不能使用輕質(zhì)的樹(shù)脂基板等的問(wèn)題。
[0004]為了解決上述問(wèn)題，提出了代替無(wú)定形硅或多晶硅而使用有機(jī)物的TFT (以下，有時(shí)簡(jiǎn)稱為有機(jī)TFT。作為利用有機(jī)物形成TFT時(shí)所使用的成膜方法，己知有真空蒸鍍法、涂布法等，根據(jù)這些成膜方法，既可以抑制制造成本的上升又可以實(shí)現(xiàn)元件的大型化，也可以便成膜時(shí)必要的工藝溫度降至較低的溫度。因此，對(duì)于有機(jī)TFT而言，具有基板中選擇使用的材料時(shí)限制少的優(yōu)點(diǎn)，其實(shí)用化備受期待，有大量積極的研究報(bào)道。
[0005]作為有機(jī)TFT中使用的有機(jī)物半導(dǎo)體，作為P型FET (電場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的材料，可以單體或與其他化合物的混合物的狀態(tài)使用共輒系聚合物或瞎吩等多聚體、金屬四大菁化合物、并五苯等稠合芳香族侄等。另外，作為η型FET的材料,例如己知有1，4，5,8-荼四甲酸二酰亞胺(NTCDI)、1 1，11，12，12-四氰基荼-2，6-醌二甲烷(TCNNQD)、1，4，5，8-荼四甲酸二酰亞胺(NT⑶I)或氟化酞菁。
[0006]另一方面，同樣地，作為使用電傳導(dǎo)的裝置，有有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件。在有
機(jī)EL元件中，通常沿IOOnm以下的超薄膜的膜厚方向施加105V/cm以上的強(qiáng)電場(chǎng)強(qiáng)制性地使電荷流動(dòng)，相對(duì)于此，在有機(jī)TFT的情況下，需要在105V/cm以下的電場(chǎng)中使電荷高速地流過(guò)數(shù)μπι以上的距離，使用于有機(jī)TFT的有機(jī)物本身還必須具有導(dǎo)電性。但是，現(xiàn)有的有機(jī)TFT中的所述化合物的場(chǎng)效應(yīng)遷移率小、響應(yīng)速度慢，在作為晶體管的高速響應(yīng)性方面存在問(wèn)題。另外，開(kāi)/關(guān)比也小。
[0007]另外，這里所述的開(kāi)/關(guān)比，是指施加?xùn)烹妷?0Ν，開(kāi))時(shí)在源極一漏極間流動(dòng)的電流除以沒(méi)有施加?xùn)烹妷?OFF，關(guān))時(shí)在源極漏極間流動(dòng)的電流所得的值，所謂通態(tài)電流(0N電流)，通常指隨著柵電壓的增加，源極一漏極間流動(dòng)電流達(dá)到飽和時(shí)的電流值(飽和電流)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于，具有高遷移率、驅(qū)動(dòng)電壓低或能應(yīng)用涂布工藝的有機(jī)薄膜晶體管，以及用于制作該有機(jī)薄膜晶體管的有機(jī)薄膜晶體管用化合物。
[0009]本發(fā)明人等，為了實(shí)現(xiàn)上述目的而不斷進(jìn)行深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在苯結(jié)構(gòu)上進(jìn)一步結(jié)合芳香環(huán)而擴(kuò)大了化合物的H共軛系的式(I)所表示的有機(jī)化合物，作為具有高遷移率、驅(qū)動(dòng)電壓低的有機(jī)薄膜晶體管的材料非常合適，從而完成本發(fā)明。
[0010]即，本發(fā)明是具有下述式(I)的結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜晶體管用化合物。
【權(quán)利要求】
1.一種化合物,其特征在于以式I表不:
2.一種有機(jī)薄膜晶體管用材料，其特征在于，含有權(quán)利要求1所述的式I化合物。
3.一種有機(jī)薄膜晶體管，其是至少基板上設(shè)有柵電極、源電極和漏電極這三個(gè)端子，以及絕緣體層和有機(jī)半導(dǎo)體層，并通過(guò)柵電極施加電壓來(lái)控制源一漏間電流的有機(jī)薄膜晶體管，其中所述有機(jī)半導(dǎo)體層含有權(quán)利要求1所述的式I化合物。
【文檔編號(hào)】C07C319/20GK103833617SQ201210491949
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月28日
【發(fā)明者】張曉鳳 申請(qǐng)人:張曉鳳