專利名稱：反應(yīng)性介晶化合物、液晶組合物、顯示面板及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文中公開了反應(yīng)性介晶化合物(reactive mesogen compound)、包括該反應(yīng)性介晶化合物的液晶組合物、制造顯示面板的方法和顯示面板。更具體地，本公開內(nèi)容涉及與光反應(yīng)的反應(yīng)性介晶化合物、包括該反應(yīng)性介晶化合物的液晶組合物、制造顯示面板的方法和顯不面板。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示器(“IXD”)面板包括:包括用于驅(qū)動(dòng)各個(gè)像素的開關(guān)元件的第一顯示基板、面對(duì)第一顯示基板的第二顯示基板、以及介于第一和第二顯示基板之間的液晶(“LC”)層。向LC層施加電壓以控制透光率，使得IXD面板顯示圖像。超垂直定向(超垂直取向，super vertical alignment, “SVA”)模式是在第一和第二顯示基板之間使用反應(yīng)性介晶化合物控制LC分子的預(yù)傾斜的技術(shù)。例如，使LC分子和反應(yīng)性介晶化合物介于第一和第二顯不基板之間，并且在向第一和第二顯不基板施加電壓的同時(shí)向第一和第二顯示基板提供光，使得LC分子預(yù)傾斜。換句話說，反應(yīng)性介晶化合物通過紫外(“UV”)線光進(jìn)行聚合(固化)以預(yù)傾斜。然而，當(dāng)用UV線照射反應(yīng)性介晶化合物以使其聚合時(shí)，光必須穿過第一和第二顯示基板的基礎(chǔ)玻璃基板以到達(dá)反應(yīng)性介晶化合物。玻璃基板可吸收和/或反射UV線，由此降低反應(yīng)性介晶化合物的光反應(yīng)效率。被反應(yīng)性介晶化合物吸收的主要波長大于或等于約200nm并且小于約300nm。結(jié)果，需要增加用于使反應(yīng)性介晶化合物聚合的時(shí)間以補(bǔ)償被玻璃吸收和/或反射的光。這降低了用于生產(chǎn)顯示裝置的制造過程中的生產(chǎn)率。

發(fā)明內(nèi)容
本文中公開了對(duì)于長波長范圍的UV線具有高吸收的反應(yīng)性介晶化合物。本文中也公開了包括所述反應(yīng)性介晶化合物的液晶組合物。本文中也公開了使用所述反應(yīng)性介晶化合物制造顯示面板的方法。本文中也公開了顯示面板。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，反應(yīng)性介晶化合物由化學(xué)式1-1表示。〈化學(xué)式1-1>
權(quán)利要求
1.由化學(xué)式1-1表示的反應(yīng)性介晶化合物 <化學(xué)式1-1>
2.權(quán)利要求1的反應(yīng)性介晶化合物，其中所述反應(yīng)性介晶化合物選自化學(xué)式2-1、化學(xué)式2-2和化學(xué)式2-3， <化學(xué)式2-1>
3.權(quán)利要求1的反應(yīng)性介晶化合物，其中所述反應(yīng)性介晶化合物選自化學(xué)式3-1、化學(xué)式3-2、化學(xué)式3-3和化學(xué)式3-4， <化學(xué)式3-1>
4.權(quán)利要求1的反應(yīng)性介晶化合物，其中所述反應(yīng)性介晶化合物選自化學(xué)式4-1、化學(xué)式4-2、化學(xué)式4-3和化學(xué)式4-4， <化學(xué)式4-1>
5.權(quán)利要求1的反應(yīng)性介晶化合物，其中所述反應(yīng)性介晶化合物選自化學(xué)式5-1、化學(xué)式5-2、化學(xué)式5-3和化學(xué)式5-4,
6.權(quán)利要求1的反應(yīng)性介晶化合物，其中所述反應(yīng)性介晶化合物選自化學(xué)式6-1、化學(xué)式6-2、化學(xué)式6-3和化學(xué)式6-4, <化學(xué)式6-1>
7.權(quán)利要求1的反應(yīng)性介晶化合物，其中所述反應(yīng)性介晶化合物通過具有300nm-700nm的波長的光活化。
8.液晶組合物,包括: 具有至少一個(gè)碳環(huán)的液晶分子；和 根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的反應(yīng)性介晶化合物。
9.權(quán)利要求8的液晶組合物，其中所述液晶分子的量為基于所述液晶組合物的總重量的95重量％-99.9重量％,所述反應(yīng)性介晶化合物的量為基于所述液晶組合物的總重量的0.1重量％-5重量％。
10.制造顯示面板的方法，所述方法包括: 形成第一顯示基板，其包括像素電極和設(shè)置在所述像素電極上的第一定向?qū)樱? 形成面對(duì)所述第一顯示基板并且包括第二定向?qū)拥牡诙@示基板； 使根據(jù)權(quán)利要求8-9中任一項(xiàng)的液晶組合物介于所述第一和第二顯示基板之間。
11.權(quán)利要求10的方法，進(jìn)一步包括在將所述光照射到所述液晶組合物上之后，在所述第一和第二顯示基板之間的非電狀態(tài)下，將光照射到所述液晶組合物上。
12.權(quán)利要求10的方法，其中所述光具有在300nm-700nm范圍內(nèi)的波長。
13.權(quán)利要求10的方法，其中所述反應(yīng)性介晶化合物由化學(xué)式2-1表示， <化學(xué)式2-1>
14.權(quán)利要求10的方法，其中將光照射到所述液晶組合物上包括: 當(dāng)用光照射時(shí)使所述反應(yīng)性介晶化合物反應(yīng)以在所述第一定向?qū)由闲纬傻谝唤榫Ь酆衔飳?，所述第一介晶聚合物層將設(shè)置靠近所述第一顯示基板的液晶分子固定，使得所述液晶分子在所述第一介晶聚合物層的表面上具有預(yù)傾斜角；和 當(dāng)用所述光照射時(shí)使所述反應(yīng)性介晶化合物反應(yīng)以在所述第二定向?qū)由闲纬傻诙榫Ь酆衔飳?，所述第二介晶聚合物層將設(shè)置靠近所述第二顯示基板的液晶分子固定，使得所述液晶分子在所述第二介晶聚合物層的表面上具有預(yù)傾斜角。
15.制造顯示面板的方法，所述方法包括: 使用用于制造定向?qū)拥慕M合物在第一顯示基板的像素電極上形成第一定向?qū)?，所述組合物包括具有由化學(xué)式1-2表示的官能團(tuán)的定向聚合物； 使用所述組合物形成面對(duì)所述第一顯示基板的第二顯示基板的第二定向?qū)樱? 使液晶組合物介于所述第一和第二顯示基板之間；和 向在其之間形成電場的所述第一和第二顯示基板提供光，以引起所述第一和第二定向?qū)拥乃龉倌軋F(tuán)的光反應(yīng)， <化學(xué)式1_2>
16.權(quán)利要求15的方法,其中提供所述光包括: 在所述第一定向?qū)由闲纬傻谝唤榫Ь酆衔飳?，所述第一介晶聚合物層將設(shè)置靠近所述第一顯示基板的液晶分子固定，使得所述液晶分子在所述第一介晶聚合物層的表面上具有預(yù)傾斜角；和 在所述第二定向?qū)由闲纬傻诙榫Ь酆衔飳樱龅诙榫Ь酆衔飳訉⒃O(shè)置靠近所述第二顯示基板的液晶分子固定，使得所述液晶分子在所述第二介晶聚合物層的表面上具有預(yù)傾斜角。
17.權(quán)利要求15的方法，其中在所述定向聚合物中與所述官能團(tuán)組合的主鏈包括選自如下的至少一種:聚酰亞胺、聚酰胺酸、聚硅氧烷、聚肉桂酸乙烯酯、聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯。
18.顯示面板,包括: 第一顯示基板，其包括像素電極、設(shè)置在所述像素電極上的第一定向?qū)雍驮O(shè)置在所述第一定向?qū)由系牡谝唤榫Ь酆衔飳樱? 面對(duì)所述第一顯示基板并且包括第二定向?qū)雍驮O(shè)置在所述第二定向?qū)由系牡诙榫Ь酆衔飳拥牡诙@示基板；和 介于所述第一和第二介晶聚合物層之間的液晶層， 其中所述第一和第二介晶聚合物層各自通過使由化學(xué)式1-2表示的官能團(tuán)與光反應(yīng)而形成； <化學(xué)式1_2>
19.顯示面板,包括: 第一顯示基板，其包括像素電極、設(shè)置在所述像素電極上的第一定向?qū)雍驮O(shè)置在所述第一定向?qū)由系牡谝唤榫Ь酆衔飳樱? 面對(duì)所述第一顯示基板并且包括第二定向?qū)雍驮O(shè)置在所述第二定向?qū)由系牡诙榫Ь酆衔飳拥牡诙@示基板；和 介于所述第一和第二介晶聚合物層之間的液晶層， 其中所述第一和第二介晶聚合物層各自通過根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的反應(yīng)性介晶化合物的光反應(yīng)形成。
全文摘要
公開了反應(yīng)性介晶化合物、包括該反應(yīng)性介晶化合物的液晶組合物、制造顯示面板的方法和顯示面板。所述反應(yīng)性介晶化合物由化學(xué)式1-1表示。其中在化學(xué)式1-1中，A1和A2各自獨(dú)立地表示或單鍵，“n”和“m”各自獨(dú)立地表示在0-約3范圍內(nèi)的整數(shù)；其中“m”和“n”不同時(shí)表示0，B1和B2各自獨(dú)立地表示單鍵或-(CH2)k-；“k”表示在0-約6范圍內(nèi)的整數(shù)，B1和B2各自中的至少一個(gè)-(CH2)-可被-O-、-COO-、-OCO-或-CO-代替，D1和D2各自獨(dú)立地表示甲基丙烯酸酯基團(tuán)或丙烯酸酯基團(tuán)，并且A1、A2和2,5-亞噻吩基各自的至少一個(gè)氫原子可被F、Cl、OCH3或具有1-約6個(gè)碳原子的烷基代替。<化學(xué)式1-1>
文檔編號(hào)C07D333/32GK103242288SQ20121051245
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2012年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月13日
發(fā)明者宋大鎬, 樸泳進(jìn), 魚慶恩, 趙誠贊, 蘇相琓 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社