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      發(fā)光元件、發(fā)光裝置、照明裝置及電子設備的制作方法

      文檔序號:3486809閱讀:290來源:國知局
      發(fā)光元件、發(fā)光裝置、照明裝置及電子設備的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明的目的是提供一種使用可以用于發(fā)光元件的傳輸層、主體材料或發(fā)光材料的新的化合物的發(fā)光元件。該發(fā)光元件包括:一對電極之間的EL層,其中,當通過液相色譜-質譜聯(lián)用分析(Liquid?Chromatography?Mass?Spectrometry:LC/MS分析)對該EL層進行分析時,檢測出質量電荷比(m/z)為772的離子,并且,通過以30eV以上且100eV以下的能量使氬氣碰撞該離子,至少檢測出質量電荷比(m/z)為349的離子和質量電荷比(m/z)為425的離子之中的一種以上。
      【專利說明】發(fā)光元件、發(fā)光裝置、照明裝置及電子設備
      【技術領域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件。另外,本發(fā)明還涉及一種使用該發(fā)光元件的發(fā)光裝置、照明裝置及電子設備。
      【背景技術】
      [0002]由于具有薄型輕量、對輸入信號的高速響應性以及低耗電量等優(yōu)點,作為下一代的照明裝置或發(fā)光裝置的使用以有機化合物為發(fā)光物質的發(fā)光元件(有機EL元件)的發(fā)光裝置的開發(fā)正在加快地進行。
      [0003]至于有機EL元件,通過將發(fā)光層夾在電極之間而施加電壓,從電極注入的電子及空穴復合而使發(fā)光物質成為激發(fā)態(tài),并且當該激發(fā)態(tài)回到基底態(tài)時發(fā)光。發(fā)光物質所發(fā)射的光的波長是該發(fā)光物質特有的,并且通過將不同種類的有機化合物用作發(fā)光物質,可以得到呈現(xiàn)各種波長即各種顏色的發(fā)光的發(fā)光元件。
      [0004]當將該發(fā)光元件用于顯示器等主要用來顯示圖像的發(fā)光裝置時,為了再現(xiàn)全彩色影像,至少需要得到紅、綠、藍這三種顏色的光。另外,當將該發(fā)光元件用于照明裝置時,為了實現(xiàn)高演色性,理想的是能夠得到在可見光區(qū)域中具有均勻的波長成分的光,實際上,在很多情況下,通過合成兩種以上的不同波長的光而得到的光被用于照明。另外,通過合成紅色、綠色及藍色的三種光能夠得到具有高演色性的白色光是眾所周知的。
      [0005]上面已說明,發(fā)光物質所發(fā)射的光是該物質特有的。但是,發(fā)光元件的使用壽命、耗電量及發(fā)光效率等的重要性能不僅取決于發(fā)光物質,而且在很大程度上還取決于發(fā)光層之外的其他層、元件結構、發(fā)光中心物質與主體材料的性質、它們的相容性或載流子平衡等。根據(jù)上述理由,已經提出了具有各種分子結構的發(fā)光元件用材料(例如,參照專利文獻I)。
      [0006]然而,隨著使用發(fā)光元件(有機EL元件)的發(fā)光裝置及照明裝置等的商品化的進展,對進一步的低耗電量化以及可靠性的提高的要求也越來越高。與此相應地,需要開發(fā)具有更好特性的發(fā)光元件(例如,使用壽命更長、效率更高或驅動電壓更低的發(fā)光元件)。
      [0007][專利文獻I]日本專利申請公開2007-15933號公報

      【發(fā)明內容】

      [0008]由此,本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種具有良好特性的發(fā)光元件。另外,本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種使用該發(fā)光元件的發(fā)光裝置、照明裝置及電子設備。
      [0009]本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光元件,包括:一對電極之間的EL層;其中,當通過液相色譜 _ 質譜聯(lián)用分析(Liquid Chromatography Mass Spectrometry:LC/MS 分析)對該EL層進行分析時,檢測出質量電荷比(m/z)為772的離子;并且,通過以50eV以上且IOOeV以下的能量使氬氣碰撞該質量電荷比(m/z)為772的離子,至少檢測出質量電荷比(m/z)為349的離子和質量電荷比(m/z)為425的離子之中的一種以上。[0010]另外,在上述發(fā)光元件中,該質量電荷比(m/z)為349的離子和該質量電荷比(m/z)為425的尚子可以是該質量電荷比(m/z)為772的尚子的子尚子。
      [0011]本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光元件,包括:一對電極之間的EL層;其中,當通過液相色譜-質譜聯(lián)用分析對該EL層進行分析時,至少可以檢測出是由咔唑骨架和二苯并噻吩骨架鍵合而成的化合物且質量電荷比(m/z)為349的離子和是由咔唑骨架、二苯并噻吩骨架和苯環(huán)鍵合而成的化合物且質量電荷比(m/z)為425的離子之中的一種。
      [0012]本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光元件,包括:一對電極之間的EL層,其中,當通過液相色譜-質譜聯(lián)用分析對該EL層進行分析時,檢測出組成式為C54H3(iN2S2、C54H31N2S2,C54H32N2S2X54H33N2S2或C54H34N2S2的離子,并且,當對被液相色譜分離的該組成式為C54H30N2S2'C54H31N2S2, C54H32N2S2, C54H33N2S2或C54H34N2S2的離子進行質譜分析時,至少檢測出組成式為C24H12NS, C24H13NS, C24H14NS, C24H15NS 或 C24H16NS 的離子和組成式為 C3tlH17NS、C3tlH18NS、C3tlH19NS、C30H20NS或C3tlH21NS的離子之中的一種。
      [0013]本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光元件,包括:一對電極之間的包含化合物的EL層,當通過液相色譜-質譜聯(lián)用分析對該化合物進行分析時,至少檢測出相當于C54H3(iN2S2、C54H31N2S2' C54H32N2S2' C54H33N2S2 或 C54H34N2S2 的分子量的質量電荷比(m/z)、相當于 C30H17NS'C30H18NS' C30H19NS' C30H20NS 或 C30H21NS 的分子量的質量電荷比(m/z )和相當于 C24H12NS、C24H13NS' C24H14NS' C24H15NS或C24H16NS的分子量的質量電荷比(m/z)之中的一種。
      [0014]另外,在上述發(fā)光元件中,優(yōu)選該化合物的分子結構中包括咔唑骨架及二苯并噻吩骨架。
      [0015]本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光元件,包括:一對電極之間的EL層,該EL層包含由以下通式(Gl)表示的包含咔唑骨架和二苯并噻吩骨架的化合物,其中,當通過液相色譜-質譜聯(lián)用分析對該EL層進行分析時,通過以50eV以上且IOOeV以下的能量使氬氣碰撞該由以下通式(Gl)表示的化合物的離子,至少檢測出由以下通式(G2)表示的化合物的離子以及由以下通式(G3)表示的化合物的離子的一者或兩者。
      【權利要求】
      1.一種化合物,其中當對該化合物進行質譜分析時,觀察到質量電荷比(m/ζ)為773的第一峰值、質量電荷比(m/z)為349的第二峰值以及質量電荷比(m/z)為425的第三峰值。
      2.根據(jù)權利要求1所述的化合物, 其中在將氬氣的碰撞能量設定為50eV以上且IOOeV以下的條件下對所述化合物進行所述質譜分析。
      3.根據(jù)權利要求1所述的化合物, 其中當對所述化合物進行所述質譜分析時,檢測出質量電荷比(m/z)為773的第一離子、質量電荷比(m/z)為349的第二尚子以及質量電荷比(m/z)為425的第三尚子。
      4.根據(jù)權利要求3所述的化合物, 其中所述第二離子及所述第三離子都是所述第一離子的子離子。
      5.根據(jù)權利要求3所述的化合物, 其中所述第一離子具有咔唑骨架和二苯并噻吩骨架互相鍵合的結構。
      6.根據(jù)權利要求3所述的化合物, 其中所述第二離子具有咔唑骨架和二苯并噻吩骨架互相鍵合的結構, 并且所述第三離子具有咔唑骨架、二苯并噻吩骨架和苯環(huán)互相鍵合的結構。
      7.一種發(fā)光兀件,包括一對電極之間的EL層, 其中該EL層包括根據(jù)權利要求1所述的化合物。
      8.一種發(fā)光裝置,包括根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光元件。
      9.一種照明裝置,包括根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光元件。
      10.一種電子設備,包括根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光元件。
      11.一種發(fā)光兀件,包括: 一對電極之間的EL層, 其中當對該EL層進行質譜分析時,該EL層的質譜中包括質量電荷比(m/z)為773的第一峰值、質量電荷比(m/z)為349的第二峰值以及質量電荷比(m/z)為425的第三峰值。
      12.根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光元件, 其中在將氬氣的碰撞能量設定為50eV以上且IOOeV以下的條件下對所述EL層進行所述質譜分析。
      13.根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光元件, 其中當對所述EL層進行所述質譜分析時,檢測出質量電荷比(m/z)為773的第一離子、質量電荷比(m/z)為349的第二離子以及質量電荷比(m/z)為425的第三離子。
      14.根據(jù)權利要求13所述的發(fā)光元件, 其中所述第二離子及所述第三離子都是所述第一離子的子離子。
      15.根據(jù)權利要求13所述的發(fā)光元件, 其中所述第一離子具有咔唑骨架和二苯并噻吩骨架互相鍵合的結構。
      16.根據(jù)權利要求13所述的發(fā)光元件, 其中所述第二離子具有 咔唑骨架和二苯并噻吩骨架互相鍵合的結構, 并且所述第三離子具有咔唑骨架、二苯并噻吩骨架和苯環(huán)互相鍵合的結構。
      17.一種發(fā)光裝置,包括根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光元件。
      18.—種照明裝置,包括根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光元件。
      19.一種電子設備,包括根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光元件。
      【文檔編號】C07D409/14GK103811667SQ201310572263
      【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年11月13日 優(yōu)先權日:2012年11月13日
      【發(fā)明者】川上祥子, 荻田香, 大澤信晴, 瀨尾廣美, 瀨尾哲史 申請人:株式會社半導體能源研究所
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