用于有機(jī)電子器件的非那省化合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了式(I)的非那省(phenacene)化合物。式中的所有變量與說明書中定義的相同。還公開了包含以上化合物的薄膜半導(dǎo)體，以及包含該薄膜的場效應(yīng)晶體管器件、光伏器件、有機(jī)發(fā)光二極管器件和單極或互補(bǔ)電路器件。
【專利說明】用于有機(jī)電子器件的非那省化合物
[0001] 本發(fā)明涉及非那?。╬henacene)化合物及其用途。
[0002] 有機(jī)半導(dǎo)體材料可用于電子器件如有機(jī)光電（OPV)電池、有機(jī)場效應(yīng)晶體管 (OFET)和有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)中。
[0003] 理想的是有機(jī)半導(dǎo)體材料適合液體加工技術(shù)如旋涂、溶液澆注或印刷。液體加工 技術(shù)從加工性觀點(diǎn)看是方便的，并且也可應(yīng)用于塑料基質(zhì)。因此，適合液體加工技術(shù)的有機(jī) 半導(dǎo)體材料容許生產(chǎn)低成本、輕重量且還任選撓性的電子器件，這是這些有機(jī)半導(dǎo)體材料 與無機(jī)半導(dǎo)體材料相比的明顯優(yōu)點(diǎn)。
[0004] 此外，理想的是有機(jī)半導(dǎo)體材料是穩(wěn)定的，特別是對氧化而言穩(wěn)定。
[0005] 當(dāng)用于有機(jī)場效應(yīng)晶體管（OFET)中時，有機(jī)半導(dǎo)體材料應(yīng)顯示出高電荷載流子 遷移率和商開/關(guān)比。
[0006] 有機(jī)半導(dǎo)體材料在電子器件中，特別是在有機(jī)場效應(yīng)晶體管（OFET)中的使用是 本領(lǐng)域中已知的。
[0007] Okamoto, K. ；Kawasaki, N. ；Kaji, Y. ；Kubozono, Y. ；Fujiwara, A. ；Yamaji, M.J. Am. Chem.Soc. 2008, 130,10470-10471 和 Kawasaki, N. ;Kubozono,Y. ;0kamoto, H. Fujiwara，A. ;Yamaji，M. Appl. Phys. Lett. 2009,94,043310 描述了用于真空沉積 OFET 的
【權(quán)利要求】
1. 式I的非那省（phenacene)化合物： 其中：
基團(tuán)a、b和c中的一個為X，且其它兩個基團(tuán)分別為C-R1和C-R2， 基團(tuán)d、e和f中的一個為X，且其它兩個基團(tuán)分別為C-R5和C-R6， 其中X相互獨(dú)立地選自NH、0、S和Se， R1-!^相互獨(dú)立地為Η、鹵素、-CN、-N02或者線性或支化、飽和或不飽和CrQ烴殘基，其 可被鹵素（F、Cl、Br、I)、-〇Ra、-NRa2、-CN和/或-N02取代1-5次，且其中一個或多個CH 2-基 團(tuán)可被_〇_、_S_、_NRb_、-0C (0)-或-C (0)-取代，且其中Ra和Rb相互獨(dú)立地為H、燒 基、c2-c 3(l烯基、c2-c3(l炔基、Ci-Q齒代烷基、c2-c 3(l齒代烯基、c2-c3(l齒代炔基或c2-c 3Q酰 基。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的非那省化合物，其具有式Ia-If :
X和R1-!^如權(quán)利要求1中所定義。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的非那省化合物，其中X選自0、S和Se。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的非那省化合物，其中X為S。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的非那省化合物，其中R7-R1(l為氫。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的非那省化合物，其中R3和R4為氫。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的非那省化合物，其中R1、!?2、!?5和R 6各自相互獨(dú)立地為 氧或Cn燒基。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2的非那省化合物，其具有式Ia，其中X為S，R1和R5為烷基，且 R 2-R4 和 R6-R10 為氫。
9. 包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)的化合物的薄膜半導(dǎo)體。
10. 包含根據(jù)權(quán)利要求9的薄膜半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管器件。
11. 包含根據(jù)權(quán)利要求9的薄膜半導(dǎo)體的光伏器件。
12. 包含根據(jù)權(quán)利要求9的薄膜半導(dǎo)體的有機(jī)發(fā)光二極管器件。
13. 包含根據(jù)權(quán)利要求9的薄膜半導(dǎo)體的單極或互補(bǔ)電路器件。
【文檔編號】C07D333/52GK104302622SQ201380023973
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2013年4月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月7日
【發(fā)明者】F·德茲, T·魏茨, C·焦, 野口博義, A·斯維蒙, M·周, D·艾歐里, A·K·米什拉 申請人:巴斯夫歐洲公司