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      多環(huán)化合物和包含所述多環(huán)化合物的有機(jī)電子器件的制作方法

      文檔序號:3490245閱讀:214來源:國知局
      多環(huán)化合物和包含所述多環(huán)化合物的有機(jī)電子器件的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明的示例性實(shí)施方案提供了一種新化合物和一種使用所述化合物的有機(jī)電子器件,所述有機(jī)電子器件的效率、驅(qū)動電壓和使用壽命是顯著的。
      【專利說明】多環(huán)化合物和包含所述多環(huán)化合物的有機(jī)電子器件

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本申請要求于2012年7月19日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國第 10-2012-0078820號專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,其全部內(nèi)容通過引證的方式納入本說明書。
      [0002] 本發(fā)明涉及一種新的多環(huán)化合物和包含所述多環(huán)化合物的有機(jī)電子器件。

      【背景技術(shù)】
      [0003] 有機(jī)電子器件意指一種需要使用空穴和/或電子在電極與有機(jī)材料之間交換電 荷的器件。有機(jī)電子器件可根據(jù)操作原理大致上分為以下兩類。第一類電子器件為:通過 由外部光源流入到器件中的光子而在有機(jī)材料層中形成激子(exiton),該激子分離成電子 和空穴,且電子和空穴分別被傳輸至不同的電極并用作電流源(電壓源)。第二類電子器件 為:通過將電壓或電流施加至兩個(gè)或多個(gè)電極上,而使空穴和/或電子注入到與電極形成 界面的有機(jī)材料半導(dǎo)體中,且該器件通過注入的電子和空穴而運(yùn)行。
      [0004] 為了使有機(jī)電子器件充分地表現(xiàn)出上述優(yōu)異的特性,構(gòu)成器件中有機(jī)材料層的材 料最重要的是需要為穩(wěn)定且高效的材料,但是還沒有充分地開發(fā)出用于有機(jī)電子器件的穩(wěn) 定且高效的有機(jī)材料層。因此,有持續(xù)開發(fā)新材料的需要。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005] 技術(shù)問題
      [0006] 本發(fā)明致力于提供具有新結(jié)構(gòu)的化合物一其被包括在有機(jī)電子器件的有機(jī)材料 層中并因此可表現(xiàn)出提高的器件的效率、降低的驅(qū)動電壓、提高的穩(wěn)定性等效果一和包含 所述化合物的有機(jī)電子器件。
      [0007] 技術(shù)解決方案
      [0008] 本發(fā)明的示例性實(shí)施方案提供一種由下式1表示的化合物。
      [0009] 【式1】
      [0010]
      [0011] 在式1中,

      【權(quán)利要求】
      1. 一種化合物,其由下式1表示: 【式1】
      在式1中, Ri和R2彼此相同或不同,且各自獨(dú)立地為取代或未取代的締基;取代或未取代的芳基; 取代或未取代的巧基;或包含N、0和S原子中的一種或多種的取代或未取代的雜環(huán)基, Rs至Ri。彼此相同或不同,且各自獨(dú)立地為氨;気;面素基團(tuán);膳基;硝基;哲基;取代或 未取代的燒基;取代或未取代的環(huán)燒基;取代或未取代的燒氧基;取代或未取代的燒基硫 氧基;取代或未取代的芳基硫氧基;取代或未取代的締基;取代或未取代的芳基;取代或未 取代的巧基;或包含N、0和S原子中的一種或多種的取代或未取代的雜環(huán)基, Ri至R 3中的至少一個(gè)為下式2的基團(tuán), 【式2】
      X 為 0、S 或 CRaRb, Ra、Rb、Rii和R 12彼此相同或不同,且各自獨(dú)立地為氨;気;面素基團(tuán);膳基;硝基;哲基; 取代或未取代的燒基;取代或未取代的環(huán)燒基;取代或未取代的燒氧基;取代或未取代的 燒基硫氧基;取代或未取代的芳基硫氧基;取代或未取代的締基;取代或未取代的芳基;取 代或未取代的巧基;或包含N、0和S原子中的一種或多種的取代或未取代的雜環(huán)基,且也、 Rb、Rii和R 12中的兩個(gè)或多個(gè)相鄰基團(tuán)任選地相互鍵合W形成單環(huán)或多環(huán), L為直接鍵;取代或未取代的亞芳基;取代或未取代的亞締基;取代或未取代的亞巧 基;或包含N、0和S原子中的一種或多種的取代或未取代的雜亞芳基,且 n和m各自獨(dú)立地為0至3的整數(shù)。
      2. 權(quán)利要求1的化合物,其中由式1所表示的化合物由下式3至8中的任一式表示: 【式3】

      【式7】

      在式3至8中, X適X 3各自獨(dú)立地為0、S或CR。咕, Ri至R 12、R。、咕、n和m與權(quán)利要求1所定義的那些相同, Ri3至Rie彼此相同或不同,且各自獨(dú)立地為氨;気;面素基團(tuán);膳基;硝基;哲基;取代 或未取代的燒基;取代或未取代的環(huán)燒基;取代或未取代的燒氧基;取代或未取代的燒基 硫氧基;取代或未取代的芳基硫氧基;取代或未取代的締基;取代或未取代的芳基;取代或 未取代的巧基;或包含N、0和S原子中的一種或多種的取代或未取代的雜環(huán)基,且Ri至R le、 也和Rb中的兩個(gè)或多個(gè)相鄰基團(tuán)任選地相互鍵合W形成單環(huán)或多環(huán), Li至L 3各自獨(dú)立地為直接鍵;取代或未取代的亞芳基;取代或未取代的亞締基;取代 或未取代的亞巧基;或包含N、0和S原子中的一種或多種的取代或未取代的雜亞芳基,且 0、P、q和r各自獨(dú)立地為0至3的整數(shù)。
      3.權(quán)利要求1的化合物,其中L為直接鍵;取代或未取代的亞苯基;取代或未取代的亞 蒙基;取代或未取代的亞巧基;取代或未取代的亞化晚基;或取代或未取代的亞聯(lián)苯基。
      4. 權(quán)利要求1的化合物,其中R 1和R 2中的至少一個(gè)各自獨(dú)立地選自W下取代或未取 代的結(jié)構(gòu)式:
      5. 權(quán)利要求1的化合物,其中R。和Rb彼此相同或不同,且各自獨(dú)立地為取代或未取代 的甲基、取代或未取代的己基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取 代的=聯(lián)苯基、取代或未取代的化晚基、取代或未取代的嗟咐基、取代或未取代的菲基或取 代或未取代的蒙基,且 也和Rb任選地彼此鍵合W形成單環(huán)或多環(huán)。
      6. 權(quán)利要求1的化合物,其中由式1表示的化合物是表1中下式中的任一個(gè), 【表1】



      7. -種有機(jī)電子器件,其包含: 第一電極; 第二電極;W及 置于第一電極和第二電極之間的具有一層或多層的有機(jī)材料層, 其中有機(jī)材料層中的一層或多層包含權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)的化合物。
      8. 權(quán)利要求7的有機(jī)電子器件,其中有機(jī)電子器件選自有機(jī)發(fā)光器件、有機(jī)太陽能電 池、有機(jī)光電導(dǎo)(OPC)鼓和有機(jī)晶體管。
      9. 權(quán)利要求7的有機(jī)電子器件,其中有機(jī)電子器件為有機(jī)發(fā)光器件,且具有正向結(jié)構(gòu) 或反向結(jié)構(gòu)。
      10. 權(quán)利要求7的有機(jī)電子器件,其中有機(jī)電子器件為有機(jī)發(fā)光器件,有機(jī)材料層包括 一層或多層空穴注入層、空穴傳輸層和同時(shí)傳輸和注入空穴的層,且所述層的一層或多層 包含所述化合物。
      11. 權(quán)利要求7的有機(jī)電子器件,其中有機(jī)電子器件為有機(jī)發(fā)光器件,所述有機(jī)材料層
      包括一層或多層發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和同時(shí)傳輸和注入電子的層,且所述層中 的一層或多層包含所述化合物。
      12. 權(quán)利要求11的有機(jī)電子器件,其中包含所述化合物的有機(jī)材料層還包含n-型滲 雜劑,所述n-型滲雜劑選自堿金屬、堿金屬化合物、堿±金屬或堿±金屬化合物,W及其組 合。
      13. 權(quán)利要求12的有機(jī)電子器件,其中n-型滲雜劑的含量為1重量%至70重量%,基 于包含所述化合物的有機(jī)材料層的組合物的總重量計(jì)。
      【文檔編號】C07C255/52GK104428283SQ201380036318
      【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年7月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月19日
      【發(fā)明者】李東勛, 姜敏英, 張俊起, 張焚在, 千民承, 具己洞 申請人:株式會社Lg化學(xué)
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