專利名稱：取代噻吩并噻吩單體和導電聚合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及噻吩并噻吩單體和由這些單體聚合而成的導電聚合物。
背景技術：
導電聚合物已經(jīng)發(fā)展成為用于各種有機光電子學應用的一種可選的原材料。這樣的光電子學應用包括聚合的發(fā)光二極管(薄膜顯示)，固態(tài)發(fā)光體，有機光電池，高級儲存裝置，有機場效應晶體管，超電容器以及電場致發(fā)光器件。
聚乙炔是第一批發(fā)現(xiàn)的眾多導電聚合物中的一種，發(fā)現(xiàn)這樣的聚合物能導電引起人們對其它類型導電聚合物的關注。近來，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)共軛聚(噻吩)和取代的噻吩衍生物具有導電性質(zhì)。這些聚合物的一個特征就是它們可以被鑄型成薄膜，并且可被傳統(tǒng)的p型和N型摻雜或者被摻雜聚合物摻雜，它們可以被鑄型成薄膜，它們的電學性質(zhì)隨之發(fā)生變化，從而使它們適用于各種光電子應用。
闡明噻吩單體與包含噻吩及其衍生物在內(nèi)的的導電聚合物的代表性的論文與專利如下US 6,645,401公開了二噻吩并噻吩(DTT)與1，2-亞乙烯基或乙炔連接基團組成的共軛聚合物，該聚合物適用于制造半導體或者對電光學的和包含場效應晶體管，光電池和傳感器裝置在內(nèi)的電子器件有用的電荷傳輸材料。眾所周知，可由電化學聚合反應制備含有DTT的聚合物，但是其在溶解度和光電性質(zhì)方面受到局限。
US 6,585,914公開了氟碳官能化的和/或雜環(huán)改性的聚噻吩，例如，用于制備用作n-型半導體的薄膜的α，ω-二全氟己基六噻吩(α，ω-diperflurohexylsexithiophene)。這些聚噻吩也可用于制備具有場效應晶體管流動性的薄膜晶體管。
US6,676,857公開了具有3-取代-4氟噻吩聚合單元的聚合物，這些聚合物作為液晶材料用作半導體，電荷傳輸材料，電光場效應晶體管，光電池和傳感器裝置。
US 6,695,978公開了苯并[b]噻吩和雙苯并[b]噻吩的聚合物以及它們在半導體和光電裝置中作為電荷傳輸材料的應用。
US 6,709,808公開了包括導電聚合物的成像材料，該導電聚合物以含吡咯的噻吩聚合物和含苯胺的聚合物為基礎。
US2004/00010115A1公開了由重復的噻吩并[3，4-b]噻吩單元所組成的均聚物和共聚物在電活化實踐中的應用。這些共聚物可以由3，4-亞乙基二氧噻吩，二噻吩，吡咯，苯并噻吩等制備。
論文“Synthesis and Electronic Properties of Poly(2-phenyl-thieno[3，4-b]thiophene)A new Low Band Gap Polymer，Chem.Mater.1999，11，1957-1958”公開了多種噻吩并噻吩聚合物，例如用作導電聚合物的聚(2-苯基-噻吩并[3，4-b]噻吩)和聚(2-癸基-噻吩并[3，4-b]噻吩)。
論文“Poly(2-decyl-thieno[3，4-b]thiophene)a New Soluble Low-Band GapConducting Polymer，Synthetic Metals 84(1997)243-244”公開了多種聚合的噻吩并噻吩，包括聚(2-癸基-噻吩并[3，4-b]噻吩)以及制備該聚合物的過程。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及具有C3-8仲或叔烷基基團的噻吩并噻吩單體和由這些單體(聚合單元)聚合而成的導電聚合物。這些聚合物可作為空穴注入材料，電荷傳輸材料，或者作為光學的，電子光學的或者電子器件的半導體應用于聚合的發(fā)光二極管(PLED)，電場致發(fā)光器件，有機的場效應晶體管(FET或者OFET)，平板顯示應用(即LCD′S)，無線電頻率識別(RFID)標記，超電容器，有機光電效應(OPV′s)傳感器，基于小分子或者聚合物的儲存裝置以及電解質(zhì)電容器，還可作為儲氫材料。
通過使用C3-8仲或叔烷基取代的噻吩并噻吩的單體和聚合物可以達到相應的技術效果。這些由部分單體和聚合物提供的技術效果可包括各種各樣的電子學應用；低毒性，環(huán)境穩(wěn)定性以及一些單體和聚合物比起聚(噻吩并(3，4-b]噻吩)而言具有更正的最高占有分子軌道(HOMO)。
本發(fā)明涉及基于C3-8仲或叔烷基取代的噻吩并[3，4-b]噻吩的組合物，以及它們的聚合物。
已發(fā)現(xiàn)連接在噻吩并噻吩上的C3-8仲和叔烷基基團能提供獨特的電學傳導性質(zhì)，從而使它們能夠很好的適用于各種半導體。異丙基和叔丁基是優(yōu)先選用的官能團。
C3-8仲或叔烷基取代的噻吩并噻吩衍生物可以在加入仲或叔官能團之前或之后制得。這樣的化合物如結(jié)構(gòu)式A所示 其中，R是C3-8仲或叔烷基，X和X′獨立的選自H，鹵素原子，MgCl，MgBr，MgI，Sn(R’)3(其中，R′是C1-6烷基或-OC1-6烷基)硼酸，硼酸酯，-CH＝CHR″(其中R″是H或C1-6烷基)，-OC1-6烷基，-COOC1-6烷基，-S-COR，-COR(其中R是H或C1-6烷基)，-C≡CH和可聚合的芳香族基團。這些仲和叔烷基包括異丙基，叔丁基，異戊基，叔戊基，2-乙基己基等。鹵素原子包括F，Cl，Br，I等?？删酆系姆枷阕寤鶊F的例子包括苯基，萘基，吡咯，二噻吩，噻吩并噻吩，噻吩等。
制備均聚物和共聚物的優(yōu)選單體是那些X和X′均為H的結(jié)構(gòu)式B所代表的化合物 并且R是異丙基，叔丁基，叔戊基，異戊基或者2-乙基己基，優(yōu)選為叔丁基。
結(jié)構(gòu)式C所代表的、由單體B聚合單元組成的導電低聚物和聚合物是本發(fā)明的另一個方面
其中，n是一個整數(shù)，Y是-CZ1＝CZ2-或-C≡C-，Z1和Z2獨立的是H，F(xiàn)，Cl或CN。低聚物一般具有2到10個單元，用來生產(chǎn)記憶和場效應晶體管設備。具有l(wèi)l到50,000個單元，通常20到10,000個單元的聚合物在各種電子光子學應用中作為空穴注入材料的薄膜是非常有用的。
優(yōu)選結(jié)構(gòu)式D所代表的均聚體 其中，n是上述的整數(shù)，R是異丙基，叔丁基，叔戊基，異戊基或者2-乙基己基。尤為重要的是單體，2-叔丁基-噻吩并[3，4-b]噻吩以及由2-叔丁基-噻吩并[3，4-b]噻吩聚合單元所組成的低聚物和聚合物。
2-叔丁基-噻吩并[3，4-b]噻吩的合成，例如，可由2步反應過程來實現(xiàn)。
X和X′不為H的相應單體的很多衍生物可在單體形成之后制得。在后面的反應中，一個或兩個氫原子可被其它的官能基團所替換?；蛘?，部分衍生物可通過從一開始先將噻吩轉(zhuǎn)換成其衍生物，然后進行2步反應而選擇性制得，其中X和X′與上述1-2步反應一致。
仲和叔-烷基-噻吩并[3，4-b]噻吩單體的聚合反應可利用水相聚合方法來實現(xiàn)，其中，單體為2-叔丁基-噻吩并[3，4-b]噻吩，例如，在適于形成均聚物，如聚(2-叔丁基-噻吩并[3，4-b]噻吩)的反應條件下，聚陰離子和氧化劑在水存在下反應。通過這種聚合方法形成的聚合物可能在單步反應中聚合并被摻雜。
在水相聚合方法中聚陰離子和氧化劑的量可在較寬范圍內(nèi)變化而且對于任何給定的聚合反應都可以測定而不需要不必要的實驗。例如，仲或叔-烷基-噻吩并[3，4-b]噻吩單體和合適的聚陰離子的重量比率的典型范圍是0.001到50，優(yōu)選0.05到2.0。2-仲或叔-烷基-噻吩并[3，4-b]噻吩單體和合適的氧化劑的摩爾比率的典型范圍是0.01到10，優(yōu)選為0.1到2.5。例如，當硫酸鐵作氧化劑時，2-仲或叔-烷基-噻吩并[3，4-b]噻吩的用量范圍是0.1到5?？梢酝ㄟ^改變氧化劑的性質(zhì)以適應可使用單體的離子化電勢的變化。已知各種Fe(II)/Fe(III)對依據(jù)各自的配體具有不同的電勢，例如FeCl3；Fe2(S2O8)3；Fe(phen)3。假若需要使用較弱的氧化劑，則可以考慮以Cu為基礎的偶聯(lián)體(couplets)，如果是需要較強的氧化劑，則應當考慮Co基偶聯(lián)體(couplets)。
在聚合反應過程中可使用強氧化劑。優(yōu)選使用有機酸的過硫酸鹽、三價鐵鹽和含有機殘基的無機酸的Fe(III)鹽，因為它們沒有腐蝕性。有機酸三價鐵鹽的例子是C1-30烷基磺酸的Fe(III)鹽，如甲烷或十二烷基磺酸；脂肪族C1-20羧酸如2-乙基己基羧酸；脂肪族全氟羧酸，如三氟乙酸和全氟辛酸；脂肪族二羧酸，如草酸以及芳香族，任選的C1-20-烷基取代的磺酸，如苯磺酸，對甲苯-磺酸以及十二烷基苯磺酸的三價鐵鹽。鐵鹽的特殊實例包括FeCl3，F(xiàn)e2(SO4)3，F(xiàn)e(ClO4)3和Fe2(S2O8)3。其它的氧化劑包括H2O2，K2Cr2O7，過硫酸銨，高錳酸鉀，四氟硼酸銅，碘，空氣和氧氣。
合適的聚陰離子包括聚羧酸的陰離子，諸如聚丙烯酸，聚甲基丙烯酸，Nafion，聚馬來酸，以及聚磺酸，如聚苯乙烯磺酸和聚乙烯磺酸的陰離子。聚羧酸和聚磺酸也可以是乙烯基羧基和乙烯基磺酸與其它單體，例如丙烯酸和苯乙烯的共聚物。提供聚陰離子的酸的分子量優(yōu)選為1,000到500,000，更優(yōu)選2000到500,000，最優(yōu)選為約200,000。
如公開文獻所述，結(jié)構(gòu)式A所代表的單體有助于金屬催化的聚合反應。根據(jù)X和X′取代基的性質(zhì)而改變反應條件。
制備低聚物和聚合物，尤其是聚(2-叔-丁基-噻吩并[3，4-b]噻吩)的方法，包括電化學方法，其中2-叔-丁基-噻吩并[3，4-b]噻吩在電化學電池中通過一個三電極裝置被聚合。合適的三電極裝置包括一個選自鉑、金、和玻璃碳扣式工作電極的扣式工作電極，一個鉑條對電極(counter electrode)，和一個Ag/Ag+非水參考電極。合適的電解液選自四丁基高氯酸銨/乙腈，tritlate鋰/乙腈和四丁基六氟磷酸銨/乙腈。
C3-8仲或叔烷基取代的噻吩并噻吩低聚物和聚合物的薄膜可被常規(guī)的的p-和n-型摻雜劑摻雜，在相應單體的聚合反應后。典型的摻雜過程包括在一個還原氧化反應中將薄膜半導體材料和一個氧化劑或還原劑與相應的源自所使用摻雜劑的補償離子處理使之在材料上形成離域離子中心。例如，摻雜方法包括在正常大氣壓或減壓條件下暴露于摻雜物質(zhì)的蒸汽中，在含摻雜劑的溶液中進行電化學摻雜，將摻雜劑與半導體材料相接觸以達到熱擴散的效果，使摻雜劑離子輸入半導體材料。
含空穴的(p-摻雜的)導電的聚合薄膜可以通過常規(guī)的p-摻雜劑制得。常規(guī)的p-摻雜劑包括鹵素原子，如I2，Cl2，Br2，ICl，ICl3，IBr和IF，路易斯酸，如PF5，AsF5，SbF5，BF3，BCl3，SbCl5，BBr3和SO3，質(zhì)子酸，有機酸或者氨基酸，如HF，HCl，HNO3，H2SO4，HClO4，F(xiàn)SO3H和ClSO3H，過渡金屬化合物，如FeCl3，F(xiàn)e(OCl)3，F(xiàn)e(ClO4)3，F(xiàn)e(4-CH3C6H4SO3)3，TiCl4，ZrCl4，HfCl4，NbF5，NbCl5，TaCl5，MoF5，MoCl5，WF5，WCl6，UF6和LnX3，其中Ln是鑭系元素，X是陰離子，如Cl-，Br-，I-，I3-，HSO4-，SO42-，NO3-，ClO4-，BF4-，B12F122-，PF6-，AsF6-，SbF6-，F(xiàn)eCl4-，F(xiàn)e(CN)63-和各種磺酸陰離子，如芳基-SO3-。也可以使用O2和O3。
使用電子作為載體的導電聚合薄膜如n-摻雜聚合薄膜可以利用常規(guī)的n-摻雜劑得到，常規(guī)的n-摻雜劑包括堿金屬(如Li，Na，K，Rb和Cs)，堿土金屬如Ca，Sr和Ba。
C3-8仲或叔烷基取代的噻吩并[3，4-b]噻吩，如2-叔丁基-噻吩并[3，4-b]噻吩及其衍生物可以和其它的能夠形成電子導電聚合物的聚合單體共聚合。這樣的單體包括苯并-和二苯并噻吩，噻吩并噻吩，噻吩，二噻吩并噻吩，吡啶基噻吩，取代的噻吩，取代的噻吩并[3，4-b]噻吩，二噻吩并[3，4-b3′，4′-d]噻吩，吡咯，聯(lián)噻吩，取代的吡咯，亞苯基，取代的亞苯基，萘，取代的萘，聯(lián)苯和三聯(lián)苯以及它們的取代物，亞苯基亞乙烯基以及取代的亞苯基亞乙烯基。其它的單體如美國專利US4,959,430和US4,910,645所述，并且這些單體在此引為參考。
在處理C3-8仲或叔烷基取代的噻吩并[3，4-b]噻吩，如2-叔丁基-噻吩并[3，4-b]噻吩及其衍生物的低聚物和聚合物的過程中，添加劑，如乙二醇，二乙二醇，甘露醇，1，3-丙二醇，1，4-丁二醇，N-甲基吡咯烷酮，山梨醇，甘油，碳酸異丙烯酯以及其它合適的高沸點有機物可以被添加到分散體中以改進從這些分散體中制備而得的薄膜的導電性。其它修飾導電聚合物的普通的添加劑可以按照需要予以使用，這些添加劑包括抗氧化劑，紫外穩(wěn)定劑，表面活性劑以及導電填充劑，如顆粒的銅、銀、鎳、鋁、炭黑等。非傳導性的填充劑，如滑石、云母、鈣硅石、硅石、粘土、TiO2、染料、顏料等也可以與之結(jié)合以改進其些特殊的性能，比如增加模量，表面硬度，表面顏色等。
具體實施例方式
下面提供的實施例用以闡述各種實施方式以及作對比照，但本發(fā)明并不僅限于這些范圍。
實施例1
化合物2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩通過所述的一個兩步反應來制備。
步驟13-溴-4-(3，3-二甲基-丁-1-炔)-噻吩的制備一個1-升的圓底三頸燒瓶裝備有一回流冷凝器，一個機械攪拌子，一個電熱偶以及靜態(tài)干燥的氮氣入口。然后往燒瓶中加入60克二乙胺(之前用KOH粉末干燥并過濾)，96.76克(0.40摩爾)3，4-二溴噻吩，500毫克(0.7毫摩爾)二氯二(三苯基磷)]鈀(II)，200mg(0.76mmol)三苯基膦，150mg(1.37mmol)碘化銅(I)，以及25.0g(0.304mol.)3，3-二甲基-1-丁炔。將混合物攪拌加熱至回流7小時.最初的溫度是約65℃，6.0小時后，溫度為約70℃。
將反應混合物冷卻至室溫，在一旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)除去二乙胺。將600mL混合了10g活性碳(Darco 2-20mesh)的正己烷加入反應殘余物，攪拌混合物4小時，然后用一個100g的硅膠柱過濾。通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀蒸發(fā)移去正己烷。粗產(chǎn)物重91.57g。殘留的液體在真空下，通過一填充了玻璃單環(huán)填充物的25cm的真空包裝柱進行分步蒸餾。37.99g未反應的3，4-二溴噻吩(bp 40℃/0.45mmHg)和34.07g 3-溴-4-(3，3-二甲基-丁-1-炔)-噻吩(bp60℃/0.75mm Hg)被分離出來，基于3，3-二甲基-1-炔具有46％的分離產(chǎn)率。
步驟22-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩的制備制備一個1L圓底三頸燒瓶裝備有一隔膜端口，一個通風閥，一個磁性攪拌子，一個溫度計，以及干燥氮氣入口。在室溫下將500mL二乙醚和46.8g(0.193mol)3-溴4-(3，3-二甲基-丁-1-炔)-噻吩裝入烘干系統(tǒng)，在干冰/丙酮浴下冷卻至-74℃后，將80毫升2.5M正丁基鋰的正己烷溶液加入，反應25分鐘，將溫度上升至-70℃，加熱至-10℃反應2h，接著冷卻至-30℃。此時將6.54g(0.204mol)硫磺迅速加入并將溫度上升至-5℃。保持-5℃反應1h后，將反應混合物冷卻至-60℃，在-60℃反應1h后，將三頸瓶中的內(nèi)容物轉(zhuǎn)移至一分液漏斗萃取兩次，每次用500mL的冰水，于2分鐘內(nèi)將部分結(jié)冰的水相從醚相中移去。在氮氣保護下于室溫放置16h后，萃取水相四次，每次用1體積L的醚。將合并的醚相用50g硫酸鎂進行干燥，過濾并在55℃的水浴下通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)將醚除去。在暴露于空氣之前將濃縮物冷卻至0℃，在70℃和0.12托下進行Kugelrohr蒸餾，之后將其置于氮氣中，得到98.9％ 2-叔丁基噻吩并-[3，4-b]噻吩(71％產(chǎn)率)蒸餾產(chǎn)物(27.0g)。Kugelrohr蒸餾產(chǎn)物在-15到-20℃下于庚烷重結(jié)晶，得到23.1g，純度為99.4％的2-叔丁基噻吩并-[3，4-b]噻吩(61％產(chǎn)率)。
實施例2噻吩并[3，4-b]噻吩和2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩的毒性比較在毒性測試中噻吩并[3，4-b]噻吩的口服LD50為50mg/kg，皮膚LD50為200-400mg/kg.而2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩則顯示了令人驚異的低毒性，2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩在毒性測試中其口服LD50＞500mg/kg，皮膚LD50＞400mg/kg。
實施例32-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩的化學聚合反應將2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩(0.3g，1.53mmol)和咪唑(0.178g，2.26mmol)溶于6毫升正丁醇中，將得到的溶液通過一0.45μm過濾器進行過濾。三-對甲苯磺酸鐵(III)(2.3g，3.387mmol)溶于5毫升正丁醇，將得到的溶液通過一0.45μm過濾器進行過濾。立刻將兩個溶液予以混合然后維持1000轉(zhuǎn)/分的速率一分鐘使之在玻璃襯底上(典型的2.5×2.5cm)旋轉(zhuǎn)涂層。使用三-對甲苯磺酸鐵(III)的有利之處在于它并不需要結(jié)晶。形成涂層之后，將薄膜在一對流熔爐內(nèi)進行干燥和烘烤(30分鐘，110℃)。冷卻至室溫后，用正丁醇和去離子水沖洗數(shù)次以萃取在聚合過程中形成的鐵鹽(II)。使用外型儀測得薄膜的厚度為180nm。最終得到的薄膜的電導率在1.18*10-2S/cm和2.37*10-3S/cm之間。形成的聚(2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩)的可見-NIR光譜顯示了其低帶隙的特性。
實施例42-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩的電化學聚合反應聚(2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩)薄膜通過CV(循環(huán)伏安法)生成。薄膜在一個由一鉑條(1cm2)對電極，一非水的Ag/Ag+參比電極，以及一鉑扣式工作電極組成的標準三電極電池中生成。電解液是0.1M Bu4NPF6的MeCN溶液。2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩是0.01M。整個反應在氮氣保護下進行。通常，從1.2V到-0.8V循環(huán)10次即可生成薄膜。CV實驗從斷路電勢開始進行。顯然，源自電流響應的聚合反應在一個經(jīng)重復掃描低的還原氧化電勢上以規(guī)則的間隔增加。
實施例5聚(2-叔丁基噻吩并[3，4-b噻吩)在Pt電極上分布(profile)的評估按實施例4所述方法生成的聚(2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩)薄膜通過CV進行評估。將剛生成的薄膜轉(zhuǎn)移到一個新配制的無單體的電解液中，其中，電解液是0.1M Bu4NPF6的MeCN溶液。使用一個被聚(2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩)覆蓋的標準三電極電池。該標準三電極電池由一鉑條(1cm2)對電極，一非水的Ag/Ag+參比電極，以及一鉑扣式工作電極組成。該反應在氮氣保護下進行。CV在斷路電勢開始掃描陽極，電勢窗口從0.6V到-1.85V掃描五次。HOMO(最高被占用分子軌道)值取決于循環(huán)伏安法實驗中聚(2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩)開始的氧化反應。帶隙則取決于循環(huán)伏安法實驗中聚(2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩)開始的氧化反應和還原反應之差。
聚(2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩)的HOMO和帶隙的實驗數(shù)據(jù)

叔丁基取代的噻吩并噻吩以及其共軛低聚物和聚合物與它們的氫、癸基和苯基類似物相比具有更好的特性。2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩單體與噻吩并[3，4-b]噻吩相比顯著的具有更好的毒理學特性。聚(2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩)的帶隙(0.7eV)也低于聚(噻吩并[3，4-b]噻吩)(0.85eV-1.1eV)，聚(2-癸基-噻吩并[3，4-b]噻吩)(1.2eV)，和聚(2-苯基噻吩并[3，4-b]噻吩)(0.85eV)。此外，比聚(噻吩并[3，4-b]噻吩)更正的HOMO能級對于一些光電子應用來說是一個有益的參數(shù)。2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩單體易溶于多種溶劑，從而允許在各種條件下加工，與之對照的2-苯基噻吩并[3，4-b]噻吩則僅能微溶于這些溶劑。
可以預料本發(fā)明所提供的其它的單體和聚合物也具有上述實施例展示的2-苯基噻吩并[3，4-b]噻吩和聚(2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩)所具有一個或更多的有益的特性。
本發(fā)明描述了比較具體的實施例，但是其它的實施例對于本領域技術人員來說是顯而易見的，也包括在本發(fā)明權利要求的范圍之內(nèi)。
權利要求
1.含有C3-8仲或叔烷基基團的噻吩并噻吩組合物。
2.權利要求1的噻吩并噻吩組合物包括 其中R是C3-8仲或叔烷基基團，X和X′獨立的選自H，鹵素原子，MgCl，MgBr，MgI，Sn(R′)3，硼酸，硼酸酯，-CH＝CHR″，-OC1-6烷基，-COOC1-6烷基，-S-COR，-COR，-C≡CH，以及可聚合的芳香族基團，其中R′是C1-6烷基或-OC1-6烷基，R″是H或C1-6烷基，和R是H或C1-6烷基。
3.權利要求2的組合物，其中X和X′是氫，R是叔丁基。
4.權利要求2的組合物，其中X和X′至少有一個為硼酸酯或硼酸。
5.權利要求2的組合物，其中X和X′至少有一個為氫，R選自異丙基、叔丁基、叔戊基、異戊基以及2-乙基己基。
6.權利要求2的組合物，其中X和X′至少有一個為鹵素。
7.權利要求6的組合物，其中鹵素原子是I，Br或Cl。
8.權利要求2的組合物，其中X和X′至少有一個為-CH＝CHR″，R″為H。
9.權利要求2的組合物，其中X和X′至少有一個為-C≡CH。
10.權利要求2的組合物，其中X和X′至少有一個為Sn(R′)3。
11.權利要求2的組合物，其中X和X′至少有一個為可聚合的芳香族基團。
12.權利要求11的組合物，其中X和X′至少有一個選自苯基，萘，吡咯，聯(lián)噻吩以及噻吩。
13.權利要求11的組合物，其中X和X′至少有一個為噻吩并噻吩。
14.一種導電聚合物，由含有C3-8仲或叔烷基基團的聚合的噻吩并噻吩聚合單元組成。
15.一種導電聚合物，由具有以下結(jié)構(gòu)式的化合物的聚合單元組成 其中R是C3-8仲或叔烷基基團，n是一個整數(shù)，Y是-CZ1＝CZ2-或-C≡C-，和Z1和Z2獨立的選自H，F(xiàn)，Cl或CN。
16.權利要求15的聚合物，其中n是2到50,000的一個整數(shù)。
17.權利要求15的聚合物，其中Y是-CH＝CR″-，R″是H。
18.權利要求15的聚合物，其中Y是-C≡C-。
19.具有以下結(jié)構(gòu)式代表的聚合單元的聚合物 其中R是C3-8仲或叔烷基基團，n是2到50,000的一個整數(shù)。
20.權利要求19的聚合物，其中R是異丙基、叔丁基、叔戊基、異戊基或2-乙基己基。
21.權利要求19的聚合物，其中R是叔丁基，和該聚合物是均聚物。
22.一個含有2-叔丁基噻吩并[3，4-b]噻吩聚合單元的聚合物。
全文摘要
本發(fā)明公開了含有C
文檔編號C08G61/12GK1760196SQ20051011327
公開日2006年4月19日 申請日期2005年9月30日 優(yōu)先權日2004年10月4日
發(fā)明者A·F·諾德奎斯特, W·F·小布戈內(nèi), S·扎恩, F·J·瓦勒 申請人:氣體產(chǎn)品與化學公司