專利名稱：發(fā)光裝置以及使用該發(fā)光裝置的背光光源單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于照明器械、顯示器、手機(jī)的背光光源、動畫照明 輔助光源、其它的普通民用光源等的發(fā)光裝置，特別涉及一種將半導(dǎo)體發(fā) 光元件載置于封裝部并用硅酮密封部件密封的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
采用了由半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光元件的發(fā)光裝置，其體積小，功率利用系 數(shù)高，可發(fā)出顏色鮮艷的光。所使用的發(fā)光元件具有下述特點(diǎn)因?yàn)榘l(fā)光 元件是半導(dǎo)體元件，所以不需要擔(dān)心球體破損等，并且初期驅(qū)動特性優(yōu)良、 在耐振動和耐光源的反復(fù)開閉合方面優(yōu)良。由于具有如此優(yōu)良的特性，所以采用發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)等發(fā)光元件的發(fā)光裝置可 用作各種光源。作為以往的發(fā)光裝置(光電裝置)，已知有具備套(jacket)材料特別 是由塑料材料制造而成的殼體(casing body,封裝體)、配置于該殼體凹槽 處的光電半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體發(fā)光元件)、和與半導(dǎo)體芯片導(dǎo)電性地連接 的電氣端子的光電裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。作為套材料優(yōu)選使用熱 塑性或熱固化性塑料，特別優(yōu)選聚鄰苯二甲酰胺。為了實(shí)現(xiàn)套的機(jī)械穩(wěn)定 化，會在聚鄰苯二甲酰胺等的套材料中混合玻璃纖維。玻璃纖維通常為直 徑在10pm以上、長度在200pm以上的長棒狀部件。若將聚鄰苯二甲酰胺 和玻璃纖維混合并成形，則在套的表面可能形成凹凸。另外，已知有含有半芳香族聚酰胺和鈦酸鉀纖維和/或硅灰石的反射板 用樹脂組合物(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)l:日本專利特表2005 — 507178號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本專利特開2002—294070號公報(bào)使用以往的混合有玻璃纖維的套的光電裝置中，因玻璃纖維較長，存在玻璃纖維從套的表面突出來的所謂的毛邊問題。另外，混合有玻璃纖維 的套，還存在表面有凹凸、易出現(xiàn)濕潤不良、與覆蓋材料的密合性不足而 產(chǎn)生剝離的問題。該覆蓋材料的剝離會造成在覆蓋材料與套的間隙處形成 反射面，導(dǎo)致從光電裝置出射的光色彩不均。發(fā)明內(nèi)容鑒于以上，本發(fā)明的目的在于提供一種密封部件與封裝體部件之間的 密合性高的發(fā)光裝置。另一目的在于提供一種使用該發(fā)光裝置的背光光源 單元。為了解決上述問題，本發(fā)明人等進(jìn)行了反復(fù)深入的研究，結(jié)果最終完 成了本發(fā)明。本發(fā)明的發(fā)光裝置具有.，形成有具有底面和側(cè)壁的凹部的封裝體(package)、和載置于上述封裝體的凹部的底面的發(fā)光元件、和配置于上 述封裝體的凹部內(nèi)且覆蓋上述發(fā)光元件的密封部件，其中，上述封裝體含 有占全體單體成分的5質(zhì)量％ 70質(zhì)量％的鈦酸鉀纖維和/或硅灰石、和 10質(zhì)量5^ 50質(zhì)量Q^的氧化鈦、和15質(zhì)量％ 85質(zhì)量％的芳香族單體的 比例為20molX以上的半芳香族聚酰胺，上述封裝體的凹部的側(cè)壁的厚度 具有100pm以下的部分，上述密封部件為硅酮。通過上述方式，可確保封 裝體表面的平滑性，并可提高密封部件與封裝體之間的密合性。另外，從 發(fā)光元件出射的光將在具有底面和側(cè)面的凹部被反射，也可增強(qiáng)出射強(qiáng) 度。上述封裝體優(yōu)選為在100g半芳香族聚酰胺樹脂中的酰胺基濃度在 30g以下的半芳香族聚酰胺樹脂。通過上述方式，可提供一種對近紫外或 者可見光的短波長范圍(360nm 550nm)的光也耐受的發(fā)光裝置。上述發(fā)光元件可使用在360nm 550nm具有發(fā)光峰波長的氮化物類化 合物半導(dǎo)體發(fā)光元件。因?yàn)榉庋b體具有強(qiáng)的耐光性，因此即使在使用光能 量高的發(fā)光元件的情況下，也可減少封裝體劣化。從上述凹部的開口方向觀察時(shí)，上述封裝體具有長邊方向和短邊方 向，沿著上述封裝體的長邊方向形成的上述側(cè)壁的厚度也可在lOOpm以 下。例如，將上述發(fā)光裝置使用于側(cè)視(side view)用時(shí)，可提供一種非常薄的發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明的背光光源單元具備上述發(fā)光裝置、和來自上述發(fā)光裝 置的光射入的導(dǎo)光板。這樣，可提供一種非常薄的背光光源單元。另外， 因?yàn)槭乖摪l(fā)光裝置嵌合于導(dǎo)光板時(shí)，發(fā)光裝置表面平滑性良好，且導(dǎo)光板 與發(fā)光裝置的密合性優(yōu)良，所以可提高光取出效率。本發(fā)明由上述說明的方式構(gòu)成，因此可提高密封部件與封裝體之間的 密合性。另外，可提供一種使用了耐光性優(yōu)良的封裝體的發(fā)光裝置。


圖1是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的立體示意圖。圖2是表示本發(fā)明的背光光源單元的俯視示意圖。符號說明 IO —發(fā)光元件 20 —封裝體 20a—底面 20b—側(cè)壁30—引線(!J一 K)電極40 —密封部件50 —熒光物質(zhì)60 —凹部70 —導(dǎo)光板IOO —發(fā)光裝置200 —背光光源單元具體實(shí)施方式
以下，利用實(shí)施方式以及實(shí)施例，對本發(fā)明的發(fā)光裝置及其制造方法 進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明并限定于該實(shí)施方式以及實(shí)施例。 〈發(fā)光裝置100〉圖1所示的發(fā)光裝置100具備發(fā)光元件10、和形成有具有底面20a和側(cè)壁20b的凹部60的封裝體20、和與封裝體20 —體成形的引線電極30、 和覆蓋發(fā)光元件10的密封部件40。發(fā)光元件10載置于在封裝體20的凹 部60的底面20a處露出的引線電極30上。發(fā)光元件10持有的電極與在 底面20a處露出的引線電極30通過導(dǎo)電性金屬線而電連接。為了能夠進(jìn) 一步改變來自發(fā)光裝置100的色調(diào)，也可以在密封部件40中含有熒光物 質(zhì)50。封裝體20含有占全部單體成分的5重量％ 70重量％的鈦酸鉀纖 維和/或硅灰石、和10重量％ 50重量％的氧化鈦、和15重量％ 85重 量％的芳香族單體的比例為20mol^以上的半芳香族聚酰胺。封裝體20 的凹部60的側(cè)壁20b的厚度具有100pm以下的部分。密封部件40的材料 為硅酮.(、乂U 〕一y)。 〈背光光源單元200〉圖2所示的背光光源單元200具備發(fā)光裝置100和導(dǎo)光板70。以將形 成有凹部60的發(fā)光面?zhèn)瘸驅(qū)Ч獍?0的方式配置發(fā)光裝置100。導(dǎo)光板 70的部分側(cè)面設(shè)置有狹縫(slit)。在該狹縫部分的前方載置有發(fā)光裝置 100，使來自發(fā)光裝置100的光射入到導(dǎo)光板70。以下對發(fā)光裝置100以及背光光源單元200中可使用的構(gòu)成部件進(jìn)行 詳細(xì)說明。(發(fā)光元件10)發(fā)光元件10可使用在基板上使GaAM、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、 A1N、 InN、 AlInGaP、 InGaN、 GaN、 AlInGaN等半導(dǎo)體作為發(fā)光層而形 成的元件。其中，可使用在近紫外區(qū)域或可見光的短波長區(qū)域(360nm 550nm)具有發(fā)光峰值波長的氮化物類化合物半導(dǎo)體元件。原因在于即使 是在使用光強(qiáng)度高的發(fā)光元件的情況下，封裝體20也具有高的耐光性。 此外，也可使用在可見光的長波長區(qū)域(551nm 780nm)具有發(fā)光峰值 波長的發(fā)光元件。發(fā)光元件IO可適當(dāng)使用多個(gè)，并通過其組合可提供一種在白色顯示 方面具有高顯色性的發(fā)光裝置100。例如，可設(shè)置2個(gè)可發(fā)出綠色系光的 發(fā)光元件IO，可發(fā)出藍(lán)色系以及紅色系光的發(fā)光元件10各1個(gè)。此外， 若要用作顯示裝置用的全色發(fā)光裝置，優(yōu)選紅色系的發(fā)光波長為從610nm 到700nm、綠色系的發(fā)光波長為從495nm到565nm、藍(lán)色系的發(fā)光波長為從430nm到490nm。在發(fā)光裝置100中，使白色系的混色光發(fā)光時(shí)，考慮 到發(fā)光元件10與熒光物質(zhì)50的發(fā)光波長的補(bǔ)色關(guān)系、由發(fā)光元件10的 光功率引起的密封部件40的劣化等方面，發(fā)光元件10的發(fā)光波長優(yōu)選在 400nm以上且530nm以下，更優(yōu)選在420nm以上且490nm以下。為了進(jìn) 一步使發(fā)光元件10和熒光物質(zhì)50的激發(fā)效率、發(fā)光效率分別提高，進(jìn)而 優(yōu)選450nm以上且475nm以下。 (封裝體20)封裝體20具有形成有底面20a和側(cè)壁20b的凹部60。封裝體20的凹 部60的側(cè)壁20b的厚度可在100pm以下。封裝體20含有占全部單體成分的5重量％ 70重量％的鈦酸鉀纖維 和/或硅灰石、10重量％ 50重量％的氧化鈦、和15重量％ 85重量％ 的芳香族單體的比例為20mol^以上的半芳香族聚酰胺。就適用于本發(fā)明的封裝體而言，通過含有10重量％ 50重量％范圍 的氧化鈦，可在把封裝體材料的粘度控制得較低的同時(shí)，提高反射率。通 過上述方式，即使是具有例如lOOpm以下的薄側(cè)壁20b的封裝體，也能夠 無缺陷地成形，且可降低從發(fā)光元件10向側(cè)面方向的漏光，提高出射強(qiáng) 度。另外，鈦酸鉀纖維、硅灰石及氧化鈦的長度短于玻璃纖維，因此封裝 體20的表面不會形成大的凹凸，可減少毛邊的產(chǎn)生。由此，可以提高密 封部件40和封裝體20之間的密合性。封裝體20在從凹部60的開口一側(cè)觀察時(shí)，具有長邊方向和短邊方向。 此時(shí)，對于凹部60的側(cè)壁20b而言，若將沿著長邊方向形成的側(cè)壁20b 的厚度減薄，則可在不改變凹部60尺寸的情況下，減小封裝體短邊方向 的外形尺寸，因此可用相同發(fā)光元件IO，提供厚度薄的發(fā)光裝置100。這 樣的薄型的發(fā)光裝置100適合用作側(cè)視用。半芳香族聚酰胺是指使作為單體的1種成分含有芳香族單體的原料進(jìn) 行聚合而合成的聚酰胺。作為本發(fā)明的封裝體材料的基體而使用的半芳香 族聚酰胺中，構(gòu)成聚酰胺的單體成分中的芳香族單體的比例被調(diào)整為 20mol^以上，優(yōu)選25mol^以上，更優(yōu)選30mol% 60mol%。另外，用 于本發(fā)明的半芳香族聚酰胺的熔點(diǎn)優(yōu)選為28(TC以上，更優(yōu)選為280°C 320 °C。在此，芳香族聚酰胺中的單體的摩爾分率，可通過將聚合原料中的單 體的比例調(diào)整為規(guī)定的摩爾分率來進(jìn)行調(diào)整。作為芳香族單體，可以舉出例如，芳香族二胺、芳香族二羧酸、芳香 族氨基羧酸等。作為芳香族二胺，可以舉出例如，對苯二胺、鄰苯二胺、 間苯二胺、對苯二甲胺、間苯二甲胺等，作為芳香族二羧酸，可以舉出例 如對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2-甲基對苯二甲酸、萘二甲酸 等，另外，作為芳香族氨基羧酸，可以舉出例如對氨基安息香酸等。其中， 優(yōu)選芳香族二羧酸。芳香族單體可單獨(dú)使用一種，或并用兩種以上。作為 芳香族單體以外的單體成分，可以舉出脂肪族二羧酸、脂肪族亞烷基二胺、 脂環(huán)族亞垸基二胺、脂肪族氨基羧酸等。作為脂肪族二羧酸，可以舉出己二酸、癸二酸、壬二酸、十二垸二酸 等。其中，優(yōu)選己二酸。脂肪族二羧酸可單獨(dú)使用l種，或并用2種以上。 脂肪族亞垸基二胺可以是直鏈狀，也可以是支鏈狀。具體而言，可以舉出 乙二胺、丙撐二胺、丁撐二胺、戊撐二胺、己撐二胺、1,7-二氨基庚烷、 1,8-二氨基辛烷、1,9-二氨基壬烷、1，10-二氨基癸烷、2-甲基戊撐二胺、2-乙基丁撐二胺等。其中，優(yōu)選己撐二胺、2-甲基戊撐二胺等。脂肪族亞烷 基二胺可單獨(dú)使用1種或并用2種以上。作為脂環(huán)族亞垸基二胺，例如，可以舉出1,3-二氨基環(huán)己烷、1,4-二 氨基環(huán)己烷、1，3-雙(氨基甲基)環(huán)己垸、雙(氨基甲基)環(huán)己垸、雙(4-氨基環(huán)己基)甲烷、4,4，-二氨基-3，3'-二甲基二環(huán)己基甲垸、異佛爾酮二胺、 哌嗪等。脂環(huán)族亞垸基二胺可單獨(dú)使用1種或并用2種以上。作為脂肪族氨基羧酸，例如，可以舉出6-氨基己酸、11-氨基十一垸 酸、12-氨基十二垸酸等。也可使用與它們相對應(yīng)的環(huán)狀內(nèi)酰胺。脂肪族氨 基羧酸可單獨(dú)使用一種，或并用2種以上。這些單體成分中，優(yōu)選脂肪族 二羧酸、脂肪族亞垸基二胺等。這些單體成分可單獨(dú)使用1種或并用2種 以上。在上述的半芳香族聚酰胺中，優(yōu)選含有芳香族二羧酸和脂肪族亞烷基 二胺的半芳香族聚酰胺、含有芳香族二羧酸和脂肪族二羧酸和脂肪族亞垸 基二胺的半芳香族聚酰胺等。這些半芳香族聚酰胺中，二羧酸優(yōu)選為對苯二甲酸、對苯二甲酸與間苯二甲酸的混合物、或?qū)Ρ蕉姿岷烷g苯二甲酸 和己二酸的混合物。在上述2種混合物中，特別優(yōu)選對苯二甲酸的比例在40mol^以上的混合物。另外，這些半芳香族聚酰胺中，脂肪族亞烷基二 胺特別優(yōu)選為己撐二胺或己撐二胺與2-甲基戊撐二胺的混合物。半芳香族 聚酰胺中，作為特別優(yōu)選的一個(gè)實(shí)例，可以舉出50mol^的對苯二甲酸、 25mol^的己撐二胺以及25mol^的2-甲基戊撐二胺共聚合而形成的半芳 香族聚酰胺。通過適當(dāng)選擇構(gòu)成半芳香族聚酰胺的芳香族單體或其它單體 成分的構(gòu)成比或種類，可適當(dāng)調(diào)整熔點(diǎn)、玻璃轉(zhuǎn)移溫度等。作為樹脂組合物的基體樹脂，也可在使用半芳香族聚酰胺的同時(shí)使用 聚苯硫醚。作為聚苯硫醚，可以使用公知的任意一種，可以是具有線狀結(jié) 構(gòu)、交聯(lián)結(jié)構(gòu)等的任意一種結(jié)構(gòu)的聚苯硫醚。例如，可以舉出含有以下述 通式所示的重復(fù)單元作為構(gòu)成成分的結(jié)晶性高分子。(式中，Ar表示l，4-亞苯基、1,3-亞苯基或1,2亞苯基)優(yōu)選為以上述重復(fù)單元為主要成分的聚苯硫醚，即僅由上述重復(fù)單元 構(gòu)成的聚苯硫醚、或優(yōu)選含有上述重復(fù)單元在80mol^以上，更優(yōu)選含 90mol。/^的聚苯硫醚。當(dāng)聚苯硫醚的實(shí)際總量不是僅由上述重復(fù)單元構(gòu)成 時(shí)，剩余部分可使用可以共聚合的成分，例如由下式所示的重復(fù)單元構(gòu)成 的成分來補(bǔ)充。[化l]微卞[式2](式中、R表示垸基、烷氧基、硝基或亞苯基。)作為聚苯硫醚，也可使用市售品。作為市售品，例如，可以舉出特普 連(商品名，特普連(卜一7。^y)社(株)制)、萊同(，^卜y)(商 品名，東麗社(株)制)、芙特侖(7才一卜口y)(商品名，寶理塑料 社(株)制)等。包括基體樹脂成分單獨(dú)為半芳香族聚酰胺的情況以及并用半芳香族 聚酰胺與聚苯硫醚的情況在內(nèi)，基體樹脂成分的配合量為樹脂組合物全量 的30重量％ 95重量％，優(yōu)選為30重量％ 90重量％，更優(yōu)選為40重 量％ 70重量％。若樹脂成分的配合量在30重量％ 95重量％的范圍之 外，則可能得不到以高標(biāo)準(zhǔn)滿足反射板所需要的各種物性的樹脂組合物。 另外，在并用半芳香族聚酰胺和聚苯硫醚的情況下，這些樹脂的配合比例 可適當(dāng)選擇，按照半芳香族聚酰胺的含量優(yōu)選為這些樹脂總量的40重量 % 90重量。％，更優(yōu)選為50重量％ 80重量％的方式配合即可。作為配合于半芳香族聚酰胺或半芳香族聚酰胺與聚苯硫醚的混合物 中的無機(jī)纖維，可使用鈦酸鉀纖維和/或硅灰石。作為鈦酸鉀纖維，沒有特 別的限制，可廣泛使用以往公知的鈦酸鉀纖維，例如，可使用4鈦酸鉀纖 維、6鈦酸鉀纖維、8鈦酸鉀纖維等。鈦酸鉀纖維的尺寸沒有特別的限定， 通常，平均纖維徑為0.01pm lpm，優(yōu)選為0.^m 0.5pm，平均纖維長 為ljiim 50jLim，優(yōu)選為3nm 30pm。也可使用市售品?？梢允褂美缣?斯莫(X^7千)(商品名，大塚化學(xué)(株)制，平均纖維徑為0.2pm 0.5pm，平均纖維長為5pm 3(^m)等。硅灰石為由正硅酸(乂夕亇< 酸) 鈣構(gòu)成的無機(jī)纖維。對于硅灰石的尺寸也沒有特別的限定，通常，平均纖 維徑為0.1lim 15pm，優(yōu)選2.0(im 7.0pm，平均纖維長為3[am 180^im， 優(yōu)選為20jim 10(^m，平均縱橫尺寸比為3以上，優(yōu)選3 50，更優(yōu)選5 30。作為硅灰石，也適合使用市售品，可使用例如，拜斯特(A^7夕》)K101 (商品名，大塚化學(xué)(株)制，平均纖維徑為2pm 5pm，平均纖維長 為5(am 3(Him)、尼哥羅(Nyglos) 1—10013 (商品名、尼可(Nyco)社 制，平均纖維徑為5nm 30jim,平均纖維長為5jim 30pm)等。其中，若考慮到所得到的樹脂組合物的遮光率和白度，則優(yōu)選鈦酸鉀纖維。為了進(jìn)一步提高所得到的樹脂組合物的機(jī)械強(qiáng)度等的物性，也可對鈦 酸鉀纖維以及硅灰石實(shí)施表面處理。表面處理可也依照公知的方法，使用 硅烷偶聯(lián)劑、鈦偶聯(lián)劑等進(jìn)行。其中，優(yōu)選硅烷偶聯(lián)劑，特別優(yōu)選氨基硅烷。通常，鈦酸鉀纖維和/或硅灰石的配合量為樹脂組合物總量的5 70 重量％，優(yōu)選為10 70重量％ (樹脂成分30 90重量％)，更優(yōu)選為 20 60重量％ (樹脂成分40 80重量％)。若不在5 70重量％的范 圍，則可能得不到以高標(biāo)準(zhǔn)滿足反射板所需要的各種物性的樹脂組合物。所有單體成分中，氧化鈦的含有量為10重量％ 50重量％，更優(yōu)選 為10重量％ 30重量％。因?yàn)檫@樣可維持高的發(fā)光強(qiáng)度以及功率。另外， 若氧化鈦的含有量變多，則樹脂的流動性變差。作為氧化鈦，沒有特別的 限定，可使用銳鈦型、金紅石型、單斜晶型等的各種結(jié)晶方式的氧化鈦中 的任意一種，也可并用2種以上結(jié)晶方式不同的氧化鈦，但優(yōu)選折射率高 且光穩(wěn)定性好的金紅石型。另外，對于氧化鈦的形狀也沒有特別的限制， 可使用粒子狀、纖維狀、板狀(包括薄片狀、鱗片狀、云母狀等)的各種 形狀氧化鈦中的任意一種，也可并用2種以上形狀不同的氧化鈦。對于氧 化鈦的尺寸，沒有特別的限定，優(yōu)選平均粒徑為0.1pm 0.3(im左右。另 外，也可使用已實(shí)施過各種表面處理的氧化鈦。在不損壞其優(yōu)選物性的范圍內(nèi)，樹脂組合物中也可配合鈦酸鉀纖維以 及硅灰石以外的公知的無機(jī)纖維。作為無機(jī)纖維，沒有特別的限定，可以 舉出例如，氧化鋅纖維、鈦酸鈉纖維、硼酸鋁纖維、硼酸鎂纖維、氧化鎂 纖維、硅酸鋁纖維、氮化硅纖維等。在不損壞其優(yōu)選物性的范圍內(nèi)，本發(fā) 明的樹脂組合物也可配合抗氧化劑、熱穩(wěn)定劑等。作為抗氧化劑，可以舉出酚類抗氧化劑、磷類抗氧化劑、硫類抗氧化 劑等。作為酚類抗氧化劑，例如，優(yōu)選三甘醇雙[3-(3-叔丁基-5-甲基-4-羥苯基)丙酸酯]、1,6-己二醇雙[3-(3，5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯]、季戊四醇 四[3-(3,5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯]、3-(3，5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酸十八 烷基酯、3，5-二叔丁基-4-羥基芐基磷酸酯-二乙酯、^^六亞甲基雙(3,5-二叔丁基-4-羥基-氫化肉桂酰胺)、1,3,5-三甲基一2,4，6-三(3,5-二叔丁基一 4-羥基芐基)苯、3,9-雙[2-{3-(3-叔丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙酰氧基}-1,1-二甲基乙基]-2,4,8,10-四氧螺[5，5]十一垸等。其中，優(yōu)選季戊四醇四[3-(3,5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯]、N,N-六亞甲基雙(3，5-二叔丁基-4-羥基-氫化肉 桂酰胺)。作為磷類抗氧化劑的具體實(shí)例，例如，可以舉出亞磷酸三(2,4-二叔丁基苯基)酯、2-[[2,4,8,10-四(U-二甲醚)二苯并[d，f][l，3,2]二嗯磷環(huán) 庚垸(^才年廿:7才7:7工lfy) 6-基]氧]-N，N-雙[2-[[2,4,8,10-四(l,l-二 甲基乙基)二苯并[d,f][l,3，2]]二嚼磷環(huán)庚垸6-基]氧]-乙基]乙胺(工夕于3 >0 、雙(2,6-二叔丁基-4-甲基苯基)季戊四醇亞磷酸酯等。其中，優(yōu)選 2-[[2,4,8,10-四(l,l-二甲醚)二苯并[d,f][l，3,2]二嗨磷環(huán)庚烷6-基]氧]一N,N-雙[2-[[2,4,8,10-四(l，l-二甲基乙基)二苯并[d,f][l，3，2]]二嗯磷環(huán)庚垸6-基] 氧]-乙基]乙胺。作為硫類抗氧化劑的具體實(shí)例，例如，可以舉出2，2-硫二 甘醇雙[3-(3,5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯]、四[亞甲基-3-(十二烷基硫代) 丙酸酯]甲烷等。這些抗氧化劑可單獨(dú)使用l種或并用2種以上。另外，本發(fā)明的樹脂組合物中，只要是在不損壞其優(yōu)選物性的范圍內(nèi)， 可配合使用l種或2種以上的一直以來用于合成樹脂的各種添加劑。作為 添加劑，可以舉出滑石、二氧化硅、氧化鋅(包括四針狀(tetrapod))等 的無機(jī)填充劑、阻燃劑、增塑劑、核劑、染料、顏料、脫模劑、紫外線吸 收劑等。樹脂組合物可依照公知的方法將芳香族聚酰胺、硅灰石和/或鈦酸鉀纖 維、和根據(jù)需要添加的其它添加劑進(jìn)行熔融混合來制造。熔融混合可使用 雙螺桿擠出機(jī)等公知的熔融混合裝置中的任意一種。通過注射膜壓成形 法、壓縮成形法、擠壓成形法等公知的樹脂成形法，樹脂組合物可成形為 封裝體20。(密封部件40)密封部件為硅酮。硅酮是指具有硅氧鍵的所有樹脂。作為硅酮，有縮 合反應(yīng)交聯(lián)型、加成反應(yīng)交聯(lián)型2種，特別優(yōu)選加成反應(yīng)交聯(lián)型。雖然也可使用縮合反應(yīng)交聯(lián)型硅酮，但由于固化時(shí)產(chǎn)生的氣體容易引起空隙的產(chǎn) 生、或因?yàn)楹芏嗲闆r下表層先固化，而沒有充分脫氣容易引起深層部位固 化不良。另外，就硅酮而言，已知有向硅垸鍵的硅上導(dǎo)入了甲基或苯基的 類型，僅由甲基構(gòu)成的硅酮因?yàn)槟凸庑院蛷?qiáng)韌性優(yōu)良而優(yōu)選?？梢允褂秒x子雜質(zhì)少的高純度、高透明的被稱為交聯(lián)(junction)'涂層(coating)-樹 脂的硅酮市售品，可以舉出例如KJR9032 (商品名，信越化學(xué)工業(yè)(株) 制)、JCR6122 (商品名，東麗德克寧(Toray Dow Coming)(株)製)等。(熒光物質(zhì)50)熒光物質(zhì)50只要是能夠吸收來自發(fā)光元件10的光并將其轉(zhuǎn)換成不同 波長的光的熒光物質(zhì)即可。例如，優(yōu)選從主要被Eu、 Ce等鑭系元素所活 化的氮化物類熒光體，氮氧化物類熒光體，硅鋁氧氮聚合材料(廿Y 7口 >0 類熒光體；主要被Eu等鑭系、Mn等過渡金屬系元素所活化的堿土類鹵代 磷灰石熒光體、堿土類金屬硼酸鹵化物熒光體、堿土類金屬鋁酸鹽熒光體、 堿土類硅酸鹽、堿土類硫化物、堿土類硫代沒食子酸鹽、堿土類氮化硅、 鍺酸塩；或者主要被Ce等鑭系元素所活化的稀土類鋁酸鹽、稀土類硅酸 鹽；或主要被Eu等鑭系元素所活化的有機(jī)材料以及有機(jī)絡(luò)合物等中選擇 至少任意一種以上的熒光物質(zhì)。(導(dǎo)光板70)導(dǎo)光板可使用平板狀導(dǎo)光板或表面上設(shè)置有凹凸的導(dǎo)光板等各種導(dǎo) 光板。對于導(dǎo)光板70的材料沒有特別的限定，可使用玻璃等無機(jī)物質(zhì)、 或丙烯酸樹脂等樹脂等。導(dǎo)光板70的厚度優(yōu)選與發(fā)光裝置100的厚度大 致相同。通過上述方式，組合發(fā)光裝置100和導(dǎo)光板70時(shí)，可變得非常 薄。另外，可減少來自發(fā)光裝置100的光的泄露，并將其高效率地射入到 導(dǎo)光板70上。導(dǎo)光板70也可采用持有嵌合于發(fā)光裝置100的入射光部分 的形狀的凹部的結(jié)構(gòu)。另外，在導(dǎo)光板70中的發(fā)光裝置100的入射光部 分也可設(shè)置狹縫。實(shí)施例實(shí)施例1制作如圖1所示方式的發(fā)光裝置100。封裝體20是指側(cè)面發(fā)光型的發(fā)光裝置，并不表示具有嚴(yán)格的封裝體20結(jié)構(gòu)的封裝體。發(fā)光元件10使用在460nm持有發(fā)光峰值波長的發(fā)出藍(lán)色光的發(fā)光元 件。密封部件40使用硅酮(信越化學(xué)株式會社制商品名KJR9032)。 封裝體20使用側(cè)面發(fā)光型發(fā)光裝置(日亞化學(xué)工業(yè)株式會社制， NSCW008)封裝體。封裝體20的凹部60的側(cè)壁20b的厚度為70 80pm。 實(shí)施例1的封裝體20含有20重量％的硅灰石、15重量％的氧化鈦、 和64重量％的半芳香族聚酰胺。該半芳香族聚酰胺的芳香族單體的比例 為50molX，并且在100g半芳香族聚酰胺中，酰胺基的濃度為30g以下。 半芳香族聚酰胺使用了聚鄰苯二甲酰胺。實(shí)施例1 5、比較例1 4的密 封部件40中含有以(Y,Gd)3Als0^ Ce表示的YAG系熒光體。 實(shí)施例2實(shí)施例2中對封裝體20的材料進(jìn)行了變更，并與實(shí)施例1相同地制 作發(fā)光裝置100。半芳香族聚酰胺使用了組成不同于實(shí)施例1的聚鄰苯二 甲酰胺。實(shí)施例3實(shí)施例3中，使用與實(shí)施例1不同的封裝體20，并與實(shí)施例1相同地 制作發(fā)光裝置100。封裝體20使用側(cè)面發(fā)光型發(fā)光裝置(日亞化學(xué)工業(yè)株 式會社制NSCW020)的封裝體。實(shí)施例3的封裝體20的凹部60的側(cè)壁 20b的厚度為70 8(Him。實(shí)施例3中使用了與實(shí)施例1相同的半芳香族聚 酰胺。實(shí)施例4另外，在實(shí)施例4中，使用與實(shí)施例1不同的封裝體20，并與實(shí)施例 1相同地制作發(fā)光裝置100。封裝體20使用側(cè)面發(fā)光型發(fā)光裝置(日亞化 學(xué)工業(yè)株式會社制NSSW057)的封裝體。實(shí)施例4的封裝體20的凹部60 的側(cè)壁20b的厚度為45 55pm。實(shí)施例4中使用了與實(shí)施例1相同的半 芳香族聚酰胺。實(shí)施例5在實(shí)施例5中，使用鈦酸鉀纖維來代替實(shí)施例1的硅灰石，并與實(shí)施例1相同地制作發(fā)光裝置100。鈦酸鉀纖維的配合量與硅灰石的量相同，為20重量％。封裝體20使用側(cè)面發(fā)光型發(fā)光裝置(日亞化學(xué)工業(yè)株式會 社制NSCW008)的封裝體。實(shí)施例5中使用了與實(shí)施例1相同的半芳香 族聚酰胺。<比較例1〉比較例1的發(fā)光裝置，除了將實(shí)施例1的硅灰石變更為玻璃纖維之外， 具有與實(shí)施例1相同的構(gòu)成。 <比較例2〉比較例2的發(fā)光裝置，除了將實(shí)施例2的硅灰石變更為玻璃纖維之外， 具有與實(shí)施例2相同的構(gòu)成。 <比較例3>比較例3的發(fā)光裝置，除了將實(shí)施例3的硅灰石變更為玻璃纖維之外， 具有與實(shí)施例3相同的構(gòu)成。 <比較例4>比較例4的發(fā)光裝置，除了將實(shí)施例4的硅灰石變更為玻璃纖維之外， 具有與實(shí)施例4相同的構(gòu)成。(發(fā)光強(qiáng)度測定)測定在實(shí)施例以及比較例中所得到的發(fā)光裝置的發(fā)光強(qiáng)度。針對各個(gè) 實(shí)施例以及比較例分別測定150個(gè)發(fā)光裝置的發(fā)光強(qiáng)度，將其平均值作為 各個(gè)實(shí)施例以及比較例的發(fā)光強(qiáng)度。測定當(dāng)比較例1的發(fā)光強(qiáng)度為1.00 時(shí)的實(shí)施例1的發(fā)光強(qiáng)度的相對值(發(fā)光強(qiáng)度比)。另外，也測定當(dāng)比較 例2的發(fā)光強(qiáng)度為1.00時(shí)的實(shí)施例2的發(fā)光強(qiáng)度比、當(dāng)比較例3的發(fā)光強(qiáng) 度為1.00時(shí)的實(shí)施例3的發(fā)光強(qiáng)度比、當(dāng)比較例4的發(fā)光強(qiáng)度為1.00時(shí) 的實(shí)施例4的發(fā)光強(qiáng)度比、以及當(dāng)比較例1的發(fā)光強(qiáng)度為1.00時(shí)的實(shí)施例 5的發(fā)光強(qiáng)度比。將實(shí)施例1 5的發(fā)光強(qiáng)度比整理于表1。虔1]發(fā)光裝置發(fā)光強(qiáng)度比實(shí)施例11.05實(shí)施例21.05實(shí)施例31.08實(shí)施例41.10實(shí)施例51,05由該結(jié)果可知，與相對應(yīng)的比較例1 4的發(fā)光裝置相比，實(shí)施例l 5的發(fā)光裝置的發(fā)光強(qiáng)度以及功率均較高。其發(fā)光強(qiáng)度差可將來自發(fā)光元 件10的光高效地放至外部，同時(shí)也將從發(fā)光元件10出射的光被吸收入封 裝體20內(nèi)的量減少，形成耐熱性、耐光性優(yōu)良的封裝體20。從實(shí)施例4可推測出，封裝體20的凹部60的側(cè)壁20b的厚度薄的封 裝體，對提高發(fā)光強(qiáng)度以及功率是有利的。 (通電試驗(yàn))對實(shí)施例1以及2的發(fā)光裝置在60°C、 ％%RH、 15mA下，進(jìn)行了 1000小時(shí)通電試驗(yàn)。同樣，對比較例1以及比較例2的發(fā)光裝置也在相同 條件下進(jìn)行通電試驗(yàn)。結(jié)果，對于實(shí)施例l以及2的發(fā)光裝置，在密封部件與封裝體的界面 處沒有觀察到剝離。但是，對于比較例1以及比較例2的發(fā)光裝置，密封 部與封裝部的界面處產(chǎn)生了剝離。具體而言，分別制作IO個(gè)實(shí)施例1以及比較例1的發(fā)光裝置，進(jìn)行 通電試驗(yàn)。結(jié)果，實(shí)施例1的10個(gè)發(fā)光裝置的密封部件與封裝體的界面 處均沒有產(chǎn)生剝離，而比較例1的10個(gè)發(fā)光裝置的密封部件與封裝體的 界面處均產(chǎn)生了剝離。還有，制作比較例1的發(fā)光裝置后發(fā)現(xiàn)，從封裝體20延伸出的引線 電極30部分形成有毛邊。與此相反，實(shí)施例1的發(fā)光裝置中卻沒有發(fā)現(xiàn) 從封裝體20延伸出的引線電極30部分形成有毛邊的產(chǎn)品。通過使用本發(fā)明的封裝體，即使是在使用相同的發(fā)光元件的情況下， 也可得到發(fā)光強(qiáng)度以及功率高的發(fā)光裝置。另外，因?yàn)槊芊獠考头庋b體的密合性良好，可提供非?？煽康陌l(fā)光裝置。 [產(chǎn)業(yè)上的可利用性]本發(fā)明的發(fā)光裝置可利用于照明器械、顯示器、手機(jī)的背光光源、動 畫照明輔助光源、其它的普通民用光源等。特別適用于與導(dǎo)光板組合的背 光光源單元。
權(quán)利要求
1、一種發(fā)光裝置，其具備封裝體，具有形成有底面和側(cè)壁的凹部；發(fā)光元件，載置于所述封裝體的凹部的底面；密封部件，配置于所述封裝體的凹部內(nèi)且覆蓋所述發(fā)光元件；其中，所述封裝體含有占全部單體成分的5重量％～70重量％的鈦酸鉀纖維和/或硅灰石、10重量％～50重量％的氧化鈦、和15重量％～85重量％的芳香族單體的比例為20mol％以上的半芳香族聚酰胺，所述封裝體的凹部的側(cè)壁的厚度具有100μm以下的部分，所述密封部件為硅酮。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述封裝體為100g 半芳香族聚酰胺樹脂中的酰胺基濃度在30g以下的半芳香族聚酰胺樹脂。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件是 在360nm 550nm具有發(fā)光峰值波長的氮化物系化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述封裝體從所 述凹部的開口方向觀察時(shí)具有長邊方向和短邊方向，沿著所述封裝體的長 邊方向形成的凹部的側(cè)壁的厚度為100pm以下。
5、 一種背光光源單元，其具備權(quán)利要求1 4中的至少任意一項(xiàng)所述 的發(fā)光裝置和來自所述發(fā)光裝置的光入射的導(dǎo)光板。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種密封部件與封裝體部件之間的密接性良好的發(fā)光裝置。本發(fā)明的發(fā)光裝置(100)具備具有形成有底面(20a)和側(cè)壁(20b)的凹部的封裝體(20)、載置于封裝體(20)的凹部(60)的底面(20a)的發(fā)光元件(10)、配置于封裝體(20)的凹部(60)內(nèi)且覆蓋發(fā)光元件(10)的密封部件(40)，其中，封裝體(20)含有占全部單體成分的5重量～70重量％的鈦酸鉀纖維和/或硅灰石、10重量％～50重量％的氧化鈦、15重量％～85重量％的芳香族單體的比例在20mol％以上的半芳香族聚酰胺，封裝體(20)的凹部(60)的側(cè)壁(20b)的厚度具有100μm以下的部分，密封部件(40)為硅酮。
文檔編號C08L77/00GK101278416SQ200680036478
公開日2008年10月1日 申請日期2006年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者三木倫英, 市川博史, 月岡智也, 木谷素久, 藏本雅史 申請人:日亞化學(xué)工業(yè)株式會社