專(zhuān)利名稱(chēng)：：酚聚合物以及包含該酚聚合物的光刻膠的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及新的酚共聚物，其包含光酸不穩(wěn)定基團(tuán)(photoadd-liablegroup)和不同的酚，該酚通過(guò)例如聚合丙烯酸酯部分與所述共聚物分隔開(kāi)。本發(fā)明的聚合物作為化對(duì)曾強(qiáng)型正性光刻膠的組分是特別有用的。
背景技術(shù)：
：光亥販?zhǔn)怯脕?lái)將影像轉(zhuǎn)印到基材上的光敏膜。在基材上形成光刻膠涂層，然后將該光刻膠層通過(guò)光掩膜曝光于活化輻射源中。所述光掩膜具有對(duì)活化輻射不透明的區(qū)域以及其它對(duì)活化輻射透明的區(qū)域。對(duì)活^(七輻射的曝光提供光刻膠涂層的光誘導(dǎo)化學(xué)轉(zhuǎn)變，由此將所述光掩膜上的圖案轉(zhuǎn)印到所述光刻膠覆蓋的基材上。曝光后，將所述光刻膠顯影從而提供允許選擇性處理基材的浮雕影像?；瘜W(xué)增強(qiáng)型光刻膠已經(jīng)使用得越來(lái)越多，特別是用于形成亞微米影像以及其它高性能應(yīng)用。這樣的光刻膠可以是負(fù)性的或正性的，并且每單元光生成酸通常包括許多交聯(lián)瞎況(在負(fù)性光刻膠瞎況下)或脫保護(hù)反應(yīng)(在正性光刻膠隋況下)。在正性化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠情況下，某種陽(yáng)離子光引發(fā)劑已經(jīng)被用于誘導(dǎo)某種"阻斷，基團(tuán)側(cè)鏈從光刻膠粘合劑上解離，或包含光刻膠粘合齊U骨架的某種基團(tuán)的解離。雖然現(xiàn)有的光刻膠適用于許多用途，但是現(xiàn)有的光刻膠也顯示了重大的缺陷，特別是在高性^^Z用例如高分辨率的亞半微米和亞四分之一微米特征的形成等應(yīng)用中。因此，那些能夠以短波輻射光成像的光刻膠弓跑人們的注意，所述短波輻射包括270nm或更低的曝光輻射，例如248nm的波長(zhǎng)(由KrF激光提供)。參見(jiàn)JP1996044063，其J隨了〗頓KrF分檔器進(jìn)行曝光的某禾中光刻膠。4頓這種短曝光波長(zhǎng)能夠形成更小的特征。所以，那些在248腦曝光獲得良好分辨率影像的光亥齩能夠形成極小(例如，低于0.25Mm)的特征，這艦應(yīng)于對(duì)于更小尺寸電路圖形的穩(wěn)定工業(yè)需要，例如，劍共更大的電路密度以及經(jīng)提高的錢(qián)性能。因此，新的光刻膠組合物是合乎需要的，特別是育辦在短波例如248nm成像的光刻膠組合物。
發(fā)明內(nèi)容我們現(xiàn)在己經(jīng)發(fā)現(xiàn)新的酚聚合物，其包含光酸不穩(wěn)定單元以及至少被碳或其它原子,AB^述聚合物骨架間隔開(kāi)的酚基團(tuán)。本發(fā)明特別優(yōu)選的聚合物包含聚合的丙烯酸酯基團(tuán)，其包含與所述聚合物骨架間隔開(kāi)的酚部分。在一個(gè)方面，提供聚合物以及包含這種聚合物的光刻f交，其中所述聚合物包含含有下式I結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元其中，在式I中，Z是橋單元；X是一個(gè)或多個(gè)原子；每個(gè)R'是相同的或不同的非氫取代基；以及m是從O(當(dāng)不存在R1取代基時(shí))至4的整數(shù)。在本發(fā)明的某優(yōu)選方面，提供聚合物以及包含這種聚合物的光刻膠，其中戶;M聚合物包含含有下式n結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>其中，R為氫鵬基，例如Cw烷基，特別是甲基；以及X、R'和m與上面式I的定義相同。優(yōu)選的聚合物以及包含這種聚合物的光刻膠可包含另外的重復(fù)單元，所述重復(fù)單元不同于間隔的酚單元例如上面式i和式n中的那些單元，也就是說(shuō)，本發(fā)明,的聚合物包括共聚物、三元共聚物、四元共聚物、五元共聚物及其它高階(higherorder)聚合物，其中三元共聚物和四元共聚物特別適用于許多光刻膠用途。通常，優(yōu)選的高階聚合物可以包含可促進(jìn)包含所述聚合物的光刻膠的光刻過(guò)程的重復(fù)單元。因此，tt^的另外的聚合物重復(fù)單元是光酸不穩(wěn)定基團(tuán)，例如在光生成,hotogeneratedacid碎在時(shí)會(huì)激產(chǎn)生堿性、水溶性基團(tuán)例如羧基的那些；可以^t光刻過(guò)程基本上惰性的基團(tuán)，例如任選被在典型光刻條件下不經(jīng)歷裂解反應(yīng)的環(huán)取代教例如，囟素)取代的苯基、任選取代的烷教包括C"烷基)、以及任選取代的烷ft^(包括Qv烷氧基)；包^m基的基團(tuán)。更特別地，本發(fā)明i^的高階聚合物除間隔的酚基以及任意存在的另外的不同重復(fù)單元以外，還可包含光酸不穩(wěn)定基團(tuán)。例如，本發(fā)明伏選的聚合物包括包含下式ni結(jié)構(gòu)的那些其中，齡Z是相同或不同的橋單元；X、R'和m與上面勸的定義相同。AL是包含光酸不穩(wěn)定基團(tuán)的部分，例如光酸不穩(wěn)定酯或縮錢(qián)團(tuán)。Y是與戶誠(chéng)間隔的酚基團(tuán)不同的部分，或者是包含AL的部分，例如，適當(dāng)?shù)腨基團(tuán)可包含對(duì)光刻過(guò)程基本上不反應(yīng)的部分，例如，任選被對(duì)光刻過(guò)程基本上惰性的部分如鹵素、氰基、烷基、烷氧基取代的苯基；不經(jīng)歷光酸誘導(dǎo)的裂解反應(yīng)的酯基；具有例如具有5-20個(gè)環(huán)碳原子的基團(tuán)例如環(huán)己基(cylohexyl)、金剛烷萄a(bǔ)damantly)、降冰片對(duì)norbomyl)的脂環(huán)基；以及內(nèi)酯，例如丁內(nèi)酉Kbutyrolacontes);a、b和c是基于所述聚合物中的總重復(fù)單元的各聚合物單元的摩爾百分比，并且a和b各自大于0以及c可以是O(當(dāng)所述聚合物中不存在Y基團(tuán)時(shí))或大于0。&的伏選值為5%至約95%或更高，更典型的為約10%至約40%、50%、60%、70%、80%或90%;1^的，值為約1%至約70%，更《腿為約2%、3%、4%或5%至約10%、15%、20%、25%、30%、40%或50%;c的iM值為0、1%、2%、5%、10%或15%至約20%、25%、30%、40%、50%或60%，更典型地為約5%或10至約15%、20%、25%或30%。在一個(gè)方面，本發(fā)明優(yōu)選的聚合物除間隔的酚基團(tuán)之外，還包含光酸不穩(wěn)定酯基。例如，這種優(yōu)選的聚合物包含下式IV的結(jié)構(gòu)其中，X、R1、m、Y、a、b和c各自與上面式ffl中的定義相同；各個(gè)R是相同的或不同的，并且為氫或任選取代的烷基，例如任選取代的C,V烷基，特別是甲基；以及P為提供光酸不穩(wěn)定酯的部分，特別地，P提供與所述酯氧原子相連的完全取代的烷基原子，例如叔丁基和甲基金剛烷基。本發(fā)明，的聚合物作為光刻膠組合物的樹(shù)脂組分是非常有用的。本發(fā)明的光刻膠典型地包含光活性組分，例如，除了所述樹(shù)脂組分之外的一種或多種光酸發(fā)生劑化合物。本發(fā)明的光亥販還可包含樹(shù)脂混合物，其中至少一種樹(shù)脂混合物成分是本發(fā)明的聚合物。優(yōu)選的光刻膠是化學(xué)增強(qiáng)型光刻膠，其中本發(fā)明的聚合物和域另一種光亥帔組分例如包含一個(gè)或多個(gè)光酸不穩(wěn)定基團(tuán)的另外的樹(shù)脂。本發(fā)明還提供形成浮雕影像的方法，包括形成高分辨率浮雕影像例如線路圖形的方法，所述線路圖形中每條線路具有基本上垂直的側(cè)敷sidewalls)以及線寬為0.40樣1^更小，并且甚至寬度為0.25、0.20或0.I6樣j^更小。本發(fā)明進(jìn)一步提供包括其上涂有本發(fā)明的聚合物、光刻膠或光刻膠浮雕影像的基材例如微電子晶片基材或液晶顯示器或其它平板顯示器基材的制品。本發(fā)明還包括使用本發(fā)明的光刻膠和/或聚合物制it^種制品，特別是半導(dǎo)體芯片的方法。另外，在一雌的方面，本發(fā)明提供改善的離子注入方法。這種方法可包括將摻雜離節(jié)例如，m族和/跡族離子，例如硼、砷、磷等荀，IAS樹(shù)例如，半導(dǎo)體晶片廣面，戶服基材上具有作為光刻掩模的本發(fā)明的光亥'服。該經(jīng)光刻膠掩模的基材可被放入反應(yīng)室中，該反應(yīng)室能夠提供減壓條件以及來(lái)自電離源的等離子體。那些離子包括摻雜劑，所述摻雜劑當(dāng)植入所述基材時(shí)是電學(xué)上活性的?？稍谒龇磻?yīng)室中應(yīng)用電壓(例如，通過(guò)導(dǎo)電的室動(dòng)從而選擇性地MA所述摻雜劑離子。本發(fā)明的其它方面在下文公開(kāi)。如上所述，提供包含被一個(gè)或多個(gè)原子從戶;f述聚合物骨架上間隔開(kāi)的酚基團(tuán)的聚合物。典型的間隔基團(tuán)可包括烷基和/或雜原子例如氧或任意取代的硫(例如S(O)，S(0》)，這包括l個(gè)或多個(gè)原子，通常為1到約2、3、4、5、6、7、8、9或0個(gè)原子的鏈，插入在所述聚合物骨架和酚基團(tuán)之間。本發(fā)明的聚合物作為光刻膠樹(shù)脂組分是特別有用的。本發(fā)明的聚合物還可包含除間隔的酚基團(tuán)之外的單元。正如以上的討論，優(yōu)選的聚，包含含有一個(gè)或多個(gè)光酸不穩(wěn)定基團(tuán)的重復(fù)單元。合適的光酸不穩(wěn)定基團(tuán)包括酯和縮醛基團(tuán)。4皿的是叔丁基酯以及碳脂環(huán)族的光酸不穩(wěn)定酯基4腿的這種酯的脂環(huán)割每具有至少約125或約130A3的分子體積，更雌i輕少約140或160V的分子體積。在至少一些應(yīng)用中，大于約220或250A3的脂環(huán)基可是較不的。這里對(duì)肝體積的參考指定為由標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算機(jī)模型所決定的體積大小，這提供最佳的化學(xué)鍵長(zhǎng)度和角度。如這里提到的，決定分子體積的,計(jì)算機(jī)程序是Alchemy2000，其可從翠波斯(Tripos)獲得。對(duì)于基于計(jì)^tn的分子大小測(cè)定的魏一步討論，參見(jiàn)T.奧莫銜TOmote)等人，尸o/戸m1j^"爿cswm70i7k^w/喂'ey，第4巻，第277-287頁(yè)。特別優(yōu)選的光酸不穩(wěn)定單元的季脂環(huán)基包括下列基團(tuán)，其中波形線表示連接到戶;M酯基的羧基氧的鍵，以及r為適當(dāng)?shù)厝芜x取代的烷基，特別是c^烷基，例如甲基、乙基等等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>適當(dāng)?shù)墓馑岵环€(wěn)定縮醛基可通過(guò)乙烯基醚例如乙基乙烯基醚與羥基或羧基反應(yīng)來(lái)衝共。在這方面，光酸不穩(wěn)定基團(tuán)還可接枝于其它單體，或預(yù)先形成的聚合物上。例如，光酸不穩(wěn)定酯和縮醛部分可適當(dāng)?shù)亟又τ诔尚瘟蓟蚍訂误w的酚-OH基團(tuán)上。例如，接枝于羥基上的酯是{雌的酸不穩(wěn)定基團(tuán)依光生成酸存在時(shí)發(fā)生脫酯作用從而提供顯影液溶解性羧萄。這種酯可通過(guò)例如鹵代乙酸酯化合物(例如，氯代乙酸叔丁酯)與酚羥基反應(yīng)來(lái)提供?？s麟也是i^的光酸不穩(wěn)定基團(tuán);例如乙烯基醚化合物可接枝于酚羥基部分上從而提供光酸不穩(wěn)定的縮醛基。提供光酸不穩(wěn)定縮醛基的適當(dāng)乙烯基醚包括具有至少一個(gè)-(CH二CH)-O-基團(tuán)的化合物，例如乙基乙烯基醚等等。除光酸不穩(wěn)定基團(tuán)之外或作為對(duì)其的替換，本發(fā)明的聚合物還可包含其它基團(tuán)。例如，溶解增強(qiáng)劑可包含在本發(fā)明的聚合物中，例如酸酐和內(nèi)酯。合適的酸fP&括例如包含馬來(lái)酸酐和/駄康酸酐的聚合單元。統(tǒng)的內(nèi)酯基團(tuán)包括例如丁內(nèi)酯部分。對(duì)比增強(qiáng)基團(tuán)也可存在于本發(fā)明的聚合物中，例如由甲基丙烯酸、丙烯酸、禾口由光酸不穩(wěn)定基團(tuán)保護(hù)的此類(lèi)基團(tuán)例如甲基丙烯酸乙竊乙酯、甲基丙烯酸叔丁氧基酯和甲基丙烯酸叔丁基酯的聚》lymermization鵬的基團(tuán)。正如以上的討論，也可使用基本上對(duì)光亥ij法隋性的基團(tuán)，例如碳環(huán)芳錢(qián)團(tuán)，特別是苯基，其可由苯乙烯的反應(yīng)ilj共，以及任選IM救例如，在150至200。C之間)和光刻法的光酸割瞎本上不起反應(yīng)的部分取代的雜鄉(xiāng)它芳基。在本發(fā)明的某些方面，提供包含聚合丙烯酸酯基團(tuán)的聚合物。這里所指的丙烯酸酉眺合物或聚合物包括取代的丙烯酸酯，例如甲基丙烯酸酯。酚/丙烯酸酯共聚物和高階聚合物例如三元共聚物和四元共聚物是特別優(yōu)選的。一個(gè)或多個(gè)聚合物重復(fù)單元可包含聚合丙烯酸酯基團(tuán)，包括"，間隔的酚單元和/或包含光酸不穩(wěn)定部分的單元。本發(fā)明適合的聚^t/包含30至90摩爾百分?jǐn)?shù)的酚單元，更，為40至60摩爾百分?jǐn)?shù)的酚單元。包含非歐沒(méi)有羥基，代)苯,元的聚合物適當(dāng)?shù)鼐哂幸钥偩酆衔飭卧?jì)3至30或40摩爾百分?jǐn)?shù)的量的這種單元存在其中，優(yōu)選以總聚合物單元計(jì)5至10、15或20摩爾百分?jǐn)?shù)。如同所討論的，這里描述的各種部分，包括上述分子式的聚合物的部分可被任選取代。"取代的"基團(tuán)可在一個(gè)或多個(gè)有效位置被取代，典型地在l、2或3位被一個(gè)或多，當(dāng)?shù)幕鶊F(tuán)例如卣素(特別是F、Cl或Br);氰基；石肖基；C"烷基磺15fcSf咖甲磺鵬；C,V織；C"烷氧基；C2V烯基；CW麟；羥基；烷酰割列如c"烷^i列如SfcS^代。本發(fā)明的聚合物可以通過(guò)多種方法制備。市場(chǎng)上可買(mǎi)到多種具有間隔酚部分的單體。適當(dāng)?shù)膯误w還可被容易地合成。例如，氫醌化合物和丙烯酸酐可在酸性割牛下反應(yīng)從而提供間隔的酚丙烯酸酯化合物。參見(jiàn)，例如，隨后的實(shí)施例1的過(guò)程，其獲得甲基丙烯醚5苯基酯。更特別地，適當(dāng)?shù)膯误w可以按照如下方案1所示的制備方案l<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>如同示例性方案1中所列，聚羥基苯基化合物例如方案1中所示的氫醌1與乙烯基酸酐2在酸存在下的反應(yīng)可以，酚甲基丙烯酸酯化合物3。在上面的方案l中，所描述的"R"與上面式(I)中的定義相同。方案l的特別雌的合成過(guò)程在下面的實(shí)施例1中舉例說(shuō)明。方案2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>如同示例性方案2中所列，乙烯基酸酐可用作上面方案1中的試劑2。更特別地，丙烯酸酯酸4可與酸酐5反應(yīng)，雌在另夕卜的酸存在下從而麟乙烯基酸酐6而得到酚甲基丙烯酸化合物3。在上面的方案2中，所描述盼'R"與上面式(I)中的定義相同。方案2的特別雌的合成過(guò)程在下面的實(shí)施例2中辦喊明。方案3<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>10如同示例性方案3中所列，多羥基化合物7iM在酸存在下與酸酐8反應(yīng)從而提供單酯酚中間體9。如果需要，可回收過(guò)量的起始物質(zhì)，然后化合物9tt^在另外的酸存在下與丙烯酸酯酸10反應(yīng)從而提供酚甲基丙烯酸酯化^tl11。在上面的方案3中，所描述的"R"與上面式(I)中的定義相同。方案3的特別的合成過(guò)程在下面的實(shí)施例3中舉例說(shuō)明。在方案3中所列的兩步方法肖,供幾個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)，包括使用相對(duì)MT的試劑(例如，Ac20)。另外，方案3的方法會(huì)嫩鵬丙烯酸酉眺合物11，艮P，其中化合物11的R為氫的合成。特別雌的可用于形赫發(fā)明聚合物的單體包括下式V的那些<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>其中，R、R'和m如上面式垤IV中所定義的。丙烯酸酯是生產(chǎn)本發(fā)明聚合物特別j雄的單體，例如下式VI的化合物:其中，R為氫或任選取代的烷基，例如，任選取代的Cw烷基，且Rtt^為氫或甲基。本發(fā)明的聚合物可以通過(guò)加成反應(yīng)適當(dāng)?shù)匦纬?，所述加成反?yīng)可包括自由基聚合，例如，在惰性氣氛(例如，N2驢氣)和高溫例如7(TC或更高的割牛下，在自由基引發(fā)齊U存在下通過(guò)經(jīng)選擇的單傲其中之一包括間隔的酚基助的反應(yīng)從而提供上述討論的多種單元，盡管反應(yīng)溫度可依賴于所使用的具體試劑的活性和所述反應(yīng)^flj(如果使用旨i」怖沸點(diǎn)而改變。適合的反應(yīng)溶劑包括例如四氫呋喃和乳酸乙酯。任何具體體系的適合反應(yīng)溫度可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)在此所公開(kāi)的憑經(jīng)驗(yàn)容易地決定?？梢允褂枚喾N自由基引發(fā)劑。舉例來(lái)說(shuō)，可以傲別禺氮化合物，例如偶氮-雙-2,4-二甲基則青。還能夠4頓過(guò)氧化物、過(guò)酸酯、過(guò)酸和過(guò)硫酸酯。參見(jiàn)隨后的實(shí)施例4和7作為試劑和反應(yīng)條件的舉例。用于反應(yīng)以提供本發(fā)明聚合物的合適單體包括任選取代的乙烯基苯基、任選取代的苯乙烯、任選取代的a-甲基苯乙烯、甲基丙烯腈、丙烯腈、甲基丙烯酸2-甲基金剛烷基酯、丙烯酸2-甲基金岡慌基酯或a-丁內(nèi)酯甲基丙烯酸酯。其它可進(jìn)行反應(yīng)以提供本發(fā)明聚合物的單體能夠由本領(lǐng)域技術(shù)人員確定。舉例來(lái)說(shuō)，為提供酸不穩(wěn)定基團(tuán)，可以將相應(yīng)單體例如甲基丙烯酸叔丁基酯(t-butymethaciylate)、丙烯酸叔丁基酯、甲基丙烯酸叔丁氧基酯、甲基丙烯酸叔丁基酯；和甲基丙烯酸乙氧基乙基酯反應(yīng)；為提供側(cè)鏈酸基團(tuán)，可以將相應(yīng)單體酸單體例如甲基丙烯酸和丙烯酸；和溶解增強(qiáng)劑例如酸酐反應(yīng)，所述酸酐可以3I31^當(dāng)?shù)膯误w例如衣康酸酐和馬來(lái)酸酐的反i3^提供。本發(fā)明的聚合物適當(dāng)?shù)乜删哂袑挼姆肿恿糠秶头肿恿糠植肌＠?，本發(fā)明的聚合物適當(dāng)?shù)乜删哂?,000至IOO，OOO的重均^^量(Hv)，更優(yōu)選為2,000至30,000，更加優(yōu)選為2,000至15,000或20,000，具有3或更小的^T量分布(MJN/g，更{，為2或更小的分子量分布。本發(fā)明聚合物的分子量(Hv或風(fēng))適當(dāng)?shù)赜蒷^交滲透色譜法測(cè)定。光刻膠組合物正如上面的討論，進(jìn)一步提供的是包含樹(shù)脂組分的光刻膠組合物，所述樹(shù)脂組分包含具有間隔酚基團(tuán)的樹(shù)脂。當(dāng)短波，特別是248nm曝光時(shí)，本發(fā)明的光刻膠組合物可提供高5^Jf率的浮雕影像。本發(fā)明的光刻膠為化學(xué)增強(qiáng)型正性光亥帔，其利用側(cè)鏈烷基酉旨或縮醛聚合物基團(tuán)的光酸誘導(dǎo)裂解從而提供光刻膠涂層的曝光和未曝光區(qū)域之間的溶解度差異。用于光刻膠制劑的本發(fā)明聚合物應(yīng)包含足量的光生成酸不穩(wěn)定酯基從而使所需的光刻膠浮雕影像能夠形成。例如，適量的這種酸不穩(wěn)定酯勘每是戶斤述聚合物總單元的至少1摩爾百分?jǐn)?shù)，更為2至50或60摩爾百分?jǐn)?shù)。參見(jiàn)隨后的實(shí)施例作為雌聚合物的辦'J。正如上面的討論，本發(fā)明的光亥i服除ltk^外還可包含一種或多種聚合物，且與具有間隔酚基團(tuán)的聚合物不同。這種另外的聚合物包括具有可在相對(duì)溫和割牛下拉脫(deblock)的光酸不穩(wěn)定基團(tuán)的那些，例如具有縮縫的聚合物。這種具有縮錢(qián)的另外的聚合物適當(dāng)?shù)乜蔀槔绶泳酆衔?例如，聚(乙烯基苯酚》，戶;M酚聚合物具有接枝于所述酚一OH部分的縮M，例如ilii戶，酚聚合物與醚乙烯敏ethervinylether)戯它乙烯基醚的反應(yīng)。這種樹(shù)脂混合物中各成分的量可以在相當(dāng)大的范圍內(nèi)變化，例如，具有間隔酚基團(tuán)的聚合物相對(duì)于第二種不同柳旨的重量比可以為1:10至10:1，更,地，重量比為2:8至8:2。本發(fā)明的光刻膠包含光活性組分，雌一種或多種光酸生成劑(即，"PAG")，其被以足夠的量適當(dāng)?shù)厥褂脧亩谄毓庥诨罨椛湎聲r(shí)在所述光刻膠的涂層中產(chǎn)生潛像。適當(dāng)?shù)墓馑嵘蓜┌啺坊撬嵊蟐midosulfonate)，例如，下式的化合物其中R為樟腦、金剛烷、烷教例如，Cw2烷基)和全織驗(yàn)咖全氟付Cw2烷基)，特別是全氟^^烷磺酸酯和全氟壬烷磺酸酯。特別優(yōu)選的PAG為N-[(全氟辛烷磺^^)氧]-5-降冰片基2，3-二甲,胺?；撬狨セ衔镆彩怯糜诟采w了本發(fā)明涂層組合物的光亥'服的適合的PAGs，特別是磺酸酯鹽。兩種適用于193nm和248nm影像的試劑為下列PAGS1和2:這種磺Kk化激可按歐洲l專(zhuān)利申請(qǐng)96118111.2(公開(kāi)號(hào)0783136)中所公開(kāi)的方法制備，其中詳細(xì)描述了上面PAG1的合成方法。同樣適合的是上面兩中陰離子復(fù)合的碘錄化合物，與上面描述的樟腦磺酸酯類(lèi)不同。特別的，tM的陰離子包括式RS03-的那些，其中R為金剛烷、垸教例如，C,.,2烷基)和全M^例如全氟付Cw2烷基)，特另提全氟辛烷磺酸酉旨和全氟丁烷磺酸酯。其它已知的PAGS也可用于本發(fā)明的光刻膠中。優(yōu)選的本發(fā)明光刻膠的可選添加劑為附加的堿，特別是氫氧化四丁基銨(TBAH)，或乳酸四丁基銨，其育,高已顯影的光刻膠浮雕影像的分辨率。所述附加的堿適當(dāng)?shù)囊韵鄬?duì)小的量使用，例如，按重量計(jì)相對(duì)于全部固體的0.03至5%。本發(fā)明的光刻膠還可包含其它可選材料。例如，其它可選添加劑包括抗條紋齊lj(anti-striation)、增塑劑、皿增強(qiáng)劑等等。除±真料和染料可以相對(duì)較高濃度存在以外，這種可選的添加劑典型地將在光刻膠組合物中以較低濃度存在，例如，以按重量計(jì)光刻膠干組分總重量的5至30%的量。本發(fā)明的光刻膠能夠由本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地制備。例如，本發(fā)明的光刻膠組合物能夠通過(guò)將所述光刻膠的組分溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┲衼?lái)制備，所述溶劑例如乳酸乙酯、乙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚，丙二醇單甲醚乙酸酯和丙酸3-乙縫乙基酯。典型地，戶;Mia合物的固體含量按重量計(jì)在所述光刻膠組合物總重量的5至35%之間變化。所述樹(shù)月靜占合劑和光活性組分應(yīng)以足夠提供薄膜涂層和形成優(yōu)質(zhì)的潛像和浮雕影像的量存在。參見(jiàn)隨后的實(shí)施例作為光刻膠組分的雌量的實(shí)例。本發(fā)明的組合物以通常己知的方法使用。本發(fā)明的液體涂料組合物通過(guò)例如旋涂、浸漬、輥涂或其它常規(guī)涂布技術(shù)施用于基材上。當(dāng)旋涂時(shí)，基于所使用的具體旋轉(zhuǎn)設(shè)備、溶液粘度、轉(zhuǎn)子速度以及允許的旋轉(zhuǎn)時(shí)間，可調(diào)節(jié)所述涂料溶液的固體含量從而提供所需的薄膜厚度。本發(fā)明的光刻膠組合物適當(dāng)?shù)厥┯糜诨?，所述基材通常用于包括以光刻膠進(jìn)行涂覆的工藝中。例如，可將所述組合物施用于用于生產(chǎn)微處理器和其它集成電路部件的硅晶片或涂有二氧化硅的硅晶片上。也適當(dāng)?shù)豝ffl鋁-氧化鋁、砷化鎵、陶瓷、石英、銅和玻璃基材。本發(fā)明的光刻膠和方封寺別用在例如薄膜磁^(例如，3至5mhi)、磁盤(pán)、CD^^莫和后端ltA片的生產(chǎn)中。在表面涂覆所述光刻膠之后，需要通過(guò)加熱進(jìn)行千燥以除去所述溶劑直到im地戶;M光刻膠涂層無(wú)粘性(tackfree)。其后，以常規(guī)方式ffiil掩膜成像。所述曝光足以有效地激活光刻膠體系的光活性組分，從而在所述光刻膠涂層中產(chǎn)生圖形影像，并且，更具體地說(shuō)，所述曝光能量典型地在l至100mJ/cr^范圍內(nèi)變化，這取決于所述曝光工具和所述光刻膠組合物的組分。正如上面討論的，本發(fā)明光刻膠組合物的涂層,通過(guò)短曝光波長(zhǎng)進(jìn)行光活化，特別是低于300nm的曝光波長(zhǎng)，例如248nm。然而，本發(fā)明的光刻膠組合物也可以適當(dāng)?shù)卦谳^高波長(zhǎng)下成像。例如，本發(fā)明的樹(shù)脂會(huì),使用適合的PAG配制，并用作化學(xué)增強(qiáng)型正性I-線光亥U膠，也就是在365nm成像的光亥帔。本發(fā)明的光刻膠對(duì)使用電子束曝光(E-串曝光)和超紫外輻射曝光(EUV)，例如低于50nm或低于20nm曝光，特別是13nm曝光也將是有用。曝光后，所述組合物的薄膜層tM在7(TC至16(TC的溫度范圍內(nèi)烘烤。其后，將戶;M薄纟莫顯影。已經(jīng)曝光的光刻膠薄膜M使用極性顯影液而顯示正性，所述極性顯影液tt^水性基顯影液，例如氫氧化季胺溶液如氫氧化四烷基銨溶液；各種胺溶液，雌0,26N氫氧化四甲銨，例如乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三乙胺或甲基二乙基胺；醇胺，例如二乙醇胺或三乙醇胺；環(huán)胺，例如吡咯、吡啶等等。通常，ilil本領(lǐng)域己知的方法顯影。在顯影和任何后顯影熱固化步驟之后，可進(jìn)行離子植入步驟，例如，通過(guò)以-個(gè)或多個(gè)摻雜離子例如氬、硼、氟化硼、石申、磷和/或Mx寸具有光刻膠浮雕影像的基材進(jìn)行粒子轟擊，更典型地4頓砷、磷和/或硼。戶腿離子1tA〗雄在高能量條件下進(jìn)行，例如，20eV或以上，例如40、50或80eV或以上，，在反應(yīng)室中減壓條件下進(jìn)行。其后，可以在沒(méi)有光刻膠的那些區(qū)域上有選擇地處理己經(jīng)顯影的基材，例如，按照本領(lǐng)域已知的方法對(duì)沒(méi)有光刻膠的基材區(qū)域進(jìn)行化學(xué)蝕刻或電鍍。對(duì)于微電子基片的制造，例如，二氧化硅晶片的制造，適當(dāng)?shù)奈g刻劑包括氣體蝕刻劑，例如，鹵素等離子體蝕刻劑如基于氯或氟的蝕亥躋U，這種Cl2或CFVCHF3蝕刻劑用作等離子流。在這樣的處理之后，可用已知的剝離方法從所述經(jīng)處理的^t才上除去光刻膠。正如上面討論的，本發(fā)明的光刻膠對(duì)于在半導(dǎo)體晶片上形成金屬凸點(diǎn)特別有用。這種處理可以包括a)在半導(dǎo)體晶片上涂布本發(fā)明的光刻膠，{，提供厚膜涂層例如50urn或更厚的千燥光亥販涂層;c)將戶，光敏組合物層影像曝光于光化學(xué)輻射下，包掛氐于300nm輻射，特別是248nm;d)將己曝光的光敏組合物層進(jìn)行顯影以提供圖象區(qū)域；e)將金屬沉積入戶脫圖象區(qū)域中；以及f)除去已經(jīng)曝光的光敏組合物以提供具有金屬凸點(diǎn)的半導(dǎo)體晶片。在這種凸點(diǎn)形成方法中，將所述光刻膠層成像以便形成小孔例如在所述光敏層中的通孔(vias)。在這種方法中，將所述光敏層涂布到電子器件上的導(dǎo)電層上。所述光敏組合物的曝光以及隨后的顯影在所述光敏組合物中提供經(jīng)限定的孔(通孔)以及使下面的導(dǎo)電層曝光。相應(yīng)地，戶，方法的下一步是以經(jīng)限定的孔(通孔)沉積金屬或金屬合金凸點(diǎn)。這種金屬沉積可M非電解的或電角對(duì)冗積方去謝亍。ite電解的金屬沉積。在電解金屬沉積過(guò)程中，所述電子器件材基，也就是半導(dǎo)體晶片，起陰極的作用。在金屬或金屬合金例如作為焊接物是合適的那些沉積之前，可通過(guò)噴鍍、非電解沉積等等方式沉積導(dǎo)電層例如銅或鎳從而形成凸點(diǎn)下金屬(under-bump-metal)。這禾中凸點(diǎn)下金屬層厚度典型地為1000至50,000A，并且作為隨后電鍍焊接凸點(diǎn)的可濕性底座。多種金屬可進(jìn)行非電解沉積，包括但不限于銅、錫-鉛、鎳、金、銀、鈀等等。可進(jìn)行電角對(duì)冗積的適合的金屬和金屬合金包括但不限于銅、錫、錫-鉛、鎳、金、銀、錫-銻、錫-銅、錫-鉍、錫-銦、錫-銀，鈀等等。這種金屬電發(fā)m本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是熟知的，并且可以容易地從各種來(lái)源獲得。在一個(gè)實(shí)施方案中，在所述半導(dǎo)體晶片上的金屬沉積可用作焊接凸點(diǎn)。因此，優(yōu)選的是所述金屬凸點(diǎn)是可焊接的金屬和金屬合金，例如錫、錫-鉛、錫-銅、錫-銀、錫-鉍、錫-銅-鉍、錫-銅-銀等等。用于形成焊接凸點(diǎn)的合適金屬和金屬合金描述于美國(guó)專(zhuān)利號(hào)5,186,383、5,902,472、5,990,564、6,099,713和6,013,572，以及歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)朎P1148548(陳(Cheung)鉤中。示例性的金屬和金屬合金包括但不限于錫、具有少于2%wt銅且雌約0.7%wt銅的錫-銅合金、具有少于20Xwtf膽優(yōu)選3.5至10Xwt銀的錫-銀合金、具有5至25%wt鉍且優(yōu)選約20Xwt鉍的錫-鉍合金、以及具有少于5^w^膽,約3.5%wt銀，少于2Xwt銅且im約0.7Xwt銅，以及縫為錫的錫-銀-銅合金。在一個(gè)實(shí)施方案中，用作焊接凸點(diǎn)的金屬合金是無(wú)鉛的，也就是說(shuō)它們包含SlOppm的鉛。通常，適合的電解金屬電鍍液是酸性的以及包含酸、一種或多種用于沉積的金屬的水可溶形式和任選的一種或多種有機(jī)添加劑，例如增亮劑(加速齊IJ)、載傲抑鬼i厠)、均化劑、韌性增強(qiáng)劑、潤(rùn)濕劑、鍍液穩(wěn)定劑憤別用于包含錫的鍍衝、晶粒細(xì)化劑等等。各種可選組分的存在與否、類(lèi)型和含量隨使用的特定金屬電鍍液而改變。這種金屬電鍍液通常是市場(chǎng)上可買(mǎi)到的。二元合金可從單一鍍液中沉積，如使用錫-銅、錫-鉍、錫-銀、錫-鉛等等的情況下，或可從多重電鍍液中作為單獨(dú)的層沉積并重熔從而形成合金。這樣的S^技術(shù)描述在美國(guó)專(zhuān)利號(hào)6，03，572中。這種S^典型地在除去所^f除的光敏組合物之后進(jìn)行。在這種方法中，所述光刻膠組合物對(duì)不被電鍍的區(qū)域起保護(hù)層的作用。在金屬沉積之后，將所乘除的光刻膠組合物剝離，例如，艦在約40。至69。C的溫度下4頓市售的基于N-甲勘比咯烷酮('miP")的剝離劑。下歹排限帝勝實(shí)施例對(duì)本發(fā)明起說(shuō)明作用。實(shí)施例1:甲基丙烯酸酐/甲基丙烯酸混合物的制備將乙酸酐通過(guò)逐滴加入法加至過(guò)量的甲基丙烯酸中(4:1)，同時(shí)從該混合物中蒸餾乙酸酐。戶;M反應(yīng)在95。C和300mmHg^[牛下進(jìn)行，由1摩爾X大孑L樹(shù)月旨(amberlystH5(A-15)催化，并且以3000ppmPTZ和1000MEHQpppm，8%02抑制。在所述反g尾，M在Mffi割牛下蒸餾回^l量的甲基丙烯酸，并S3131濾回收鵬崔化劑。實(shí)施例2:單體合成；甲基丙烯酸羥苯基酯的制備在12(TC和大氣壓條件下，向經(jīng)機(jī)拌的2摩爾羥基醌溶于3摩爾甲基丙烯酸的溶液中逐滴加入(30min)1摩爾的甲基丙烯酸酐，并將該混合物保持在12(TC下攪拌另外4小時(shí)(NMR分析)。在齡反應(yīng)過(guò)程中，允許8。％的*^該體系。在0M反g尾，M:在^^^KI10"C和200mmHg)下蒸餾回收所述甲基丙烯酸，并鵬向戶腿反應(yīng)混合物中加入甲與i升)將戶;f^反應(yīng)的過(guò)龍醌沉淀出。形成低含量(1-2%)的單體2-甲基-5-亞甲基己二酸。M以蒸餾水洗滌的步驟將該單體從所述混合物中分離。在相分離之后，通過(guò)在減壓^^牛下蒸餾甲苯以97%的產(chǎn)率獲得所需的甲基丙烯酸4-羥苯基酯。{mp.(未校正)12(TC;對(duì)于C,oH,(A的分析計(jì)象C，67.41:H，5.66;0，26.94。測(cè)得:C，67.37;H，5.62}。實(shí)施例3:單體合成；經(jīng)由單酯中間體的甲基丙烯酸羥苯基酯的制備在乙酸存在下，將大量過(guò)量的氫醌與乙酸酐反應(yīng)從而提供所述單乙酸酯酚化合物1,冬C6H4(OHXOOCCH3)?；厥者^(guò)量的起始物質(zhì)，并且在乙酸存在下將所述中間化合物1，4-C6H4(OH)(OOCCH3)與甲基丙烯酸反應(yīng)從而提供甲基丙烯酸羥苯基酯。實(shí)施例4:聚合物合成OHHPhMA:MMA:TBA結(jié)構(gòu)向配有冷凝器、溫度計(jì)、磁性攪拌器和外部油熱浴的500mL三頸圓皿瓶中加入下列物質(zhì)甲基丙烯酸4-羥苯基酯(HPhMAX16.56g，0.093mol)、甲基丙烯酸甲酉^(MMAX15.54g，0.155mol)和丙烯酸叔丁基酉g(TBAX7.95g，0.062mol)。加入甲斷270mL講將得到的溶液加熱至回流(67。C)。一旦回流，加入引發(fā)劑2,2'-偶氮-2,4-二甲基劇青(1.54g，0.006mol)在甲斷17.5mL)中的溶液。將該溶液在回流下保持2小時(shí)，之后再向戶/M燒瓶中加入另夕卜份的在甲斷9mL)中的引發(fā)劑(0.77g，0.003mol)。將該溶液在回流下保持16小時(shí)。冷卻后，將在甲醇中的聚合物溶液用^^烷(3x300mL)洗滌。在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器中濃縮該溶液從而除去剩余的庚烷，然后沉淀入DI水(2升)中。將戶腿濕濾餅在空氣中千燥24小時(shí)，然后在真空、60。C下干燥18小時(shí)。產(chǎn)率為900%。實(shí)施例5-6:另外的聚合物合成另外的HPhMA:MMA:TBA三元共聚物ilil上面實(shí)施例4的方法制備，但是改變所使用單體的量。在下列實(shí)施例9之后的表1中，提供在實(shí)施例5和6中形成的HPhMA:MMA:TOA三元共聚物的每種單體單元的比煞由所形成的聚合物的13CNMR分析確定)、重均分子量(Mw)和多分散性(PD)。實(shí)施例7:另外的聚合物合成OHHPhMA:STY:TBA結(jié)構(gòu)向配有冷凝器、、鵬計(jì)、磁性攪拌器和夕卜部油熱浴的500mLH5頁(yè)圓麟瓶中加入下列物質(zhì)甲基丙烯酸4-羥苯基酉^(HPhMA)(27.94g，0.157mol)，苯乙烯(STY)(10.89g，0.105mol)和丙烯酸叔丁基酯(TOA)(l1.17g，0.087mol)。加入甲斷340mL)并將得到的溶液加熱至回流(67。C)。一旦回流，加入引發(fā)劑2,2'-偶氮-2，4-二甲基戊腈(1.73§，0.007mol)在甲瞎20mL)中的溶液。將該溶液在回流下保持2小時(shí)，之后再向所述燒瓶中加入另外份的在甲斷10mL)中的引發(fā)齊U(0.87g，0.004mol)。將該溶液在回流下保持16小時(shí)。7轉(zhuǎn)口后，將在甲醇中的聚合物溶液用,3x300mL)洗滌。在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器中濃縮該溶^/人而除去剩余的庚烷，然后沉^ADI水(2,5刑中。將戶;f3i濕濾餅在空氣中千燥24小時(shí)，然后在真空、60。C下干燥18小時(shí)。產(chǎn)率為90%。實(shí)施例8-9:另外的聚合物合成另外的HPhMA:STY:TBA三元聚合物iliii:面實(shí)施例7的方法制備，但是改變所使用單體的量。在下列表1中，提供在實(shí)施例8和9中形成的HPhMA:STY:TOA三元共聚物的每種單體單元的比率(由所形成的聚合物的。CNMR分析確定)、重均好量(Mw)和多分散性(PD)。表l:聚合物表征頭施例成分(13C-NMR)MwPD4HPhMA/MMA/TBA32/51/17154002.7HPhMA/MMA/TBA42/40/18183002.96HPhMA/MNWTBA55/27/18202003.1"7HRtMA/STY/IBA44/2600153002.68HPhMA/STY/IBA50/34/16131002.39HPhMA/STWBA54/33/13137002.3實(shí)施例10:溶解速率研究上述實(shí)施例的聚合物被涂布成近似相等的干燥(溫和烘烤)涂層覆蓋在晶片基材上。4頓0.26"堿性含水顯影齊糊穀些聚合物涂層的溶解速率。溶解速率在下表2中列出。測(cè)得的Tg值也在下表2中列出。表2:聚合物表征實(shí)施例Tg(。Q248nm下的OD,在0.26NTMAH中的DR(A/sec)4HPhMA/MMA/TBA1160.531.25HPhMA/MMA/TBA1250.6716.66HPhM雇MA/TBA1300.78115HPhMA/STYAEA1060.630.368HPhMA/STYATBA1170.732.09HPhMA/STY/TBA1220.797.8實(shí)施例ll:光密度測(cè)定上述實(shí)施例的聚合物被涂布成近似相等的干激溫和烘烤)一mXt厚涂層覆蓋在晶片基材上。聚合物層厚度通過(guò)橢圓光度法測(cè)量。石英晶片上薄膜的吸光率通過(guò)紫外分光光度法確定。吸光率相對(duì)于空白石英晶片進(jìn)行測(cè)量。在248nm使用厚度和吸光率測(cè)量值計(jì)算光密度(OD)。測(cè)量的OD值在下表3中列出。表3:聚合物表征<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>實(shí)施例12:光刻膠制備和光刻法通過(guò)以特定量混合下列組分制備本發(fā)明的光刻膠光刻膠組分量樹(shù)脂提供11.4Wt。/^總固液制劑光酸生成劑樹(shù)脂組分的3.5wt%堿性添加劑聚合物的0.1wt%表面活性劑總固體的0.05wt%。在該光刻膠中，所述聚合物為按照實(shí)施例4中的描述制備的HPhMA:MMA:TBA三元共聚物。戶腿光亥帔的光酸生成齊偽樟腦磺酸二-叔丁基苯基碘鐵。所述堿性添加劑為氫氧化四甲基銨(tetremethylammonium)的乳酸鹽。戶誠(chéng)表面活性劑為以商品名R08出售的市售原料。戶脫、凝偽乳酸乙酯。將該光刻膠組合物旋涂在具有有機(jī)防反射組合物涂層的200mm硅晶片上。隨后，將所施用的光刻膠在9(TC下溫和烘烤60秒，并通過(guò)光掩膜曝光于248nm輻射下。該經(jīng)曝光的光刻膠涂層然后在10(TC烘烤90秒并使用堿性含水顯影劑顯影。實(shí)施例13:另夕卜的光刻膠制備和光刻法通過(guò)以特定量混合下歹i」組分制備本發(fā)明的光刻膠光刻膠組分量樹(shù)脂提供11.4wt^總固液制劑光酸生成劑樹(shù)脂組分的3.53wt%堿性添加劑聚合物的0.12wt%表面活性劑總固體的0.05wt%。在該光刻膠中，所述聚合物為按照實(shí)施例7中的描述制備的HPhMA:STY:TBA三元共聚物。戶腿光刻膠的光酸生成齊偽樟腦磺酸二-叔丁基苯基碘鐵。所述堿性添加劑為氫氧化四甲基銨(tetremethylammonium)的孚L酸鹽。戶腿表面活性劑為以商品名R08出售的市售原料。戶腿、歸i」為乳酸乙酯。將該光刻膠組合物旋涂在具有有機(jī)抗反射組合物涂層的200mm硅晶片上。隨后，將所施用的光刻膠在9(TC下溫和烘烤60秒，并通過(guò)光掩膜曝光于以248nm輻射下。該經(jīng)曝光的光刻膠涂層然后在IO(TC烘烤90秒并使用堿性含水顯影劑顯影。權(quán)利要求1、一種包含光活性組分和樹(shù)脂的光刻膠組合物，所述樹(shù)脂包含i)一個(gè)或多個(gè)間隔酚基團(tuán)和ii)一個(gè)或多個(gè)光酸不穩(wěn)定基團(tuán)。2、權(quán)利要求1的光亥帔，其中戶腿樹(shù)脂包含三個(gè)或以上不同的重復(fù)單元。3、權(quán)利要求l的光刻膠，其中戶艦樹(shù)脂包含一個(gè)或多竹有下式結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元其中Z為橋單元；X為一個(gè)或多個(gè)原子；各個(gè)R1為相同的或不同糊瞎取代基；以及m是從0至4的整數(shù)。4、權(quán)利要求1的光刻膠，其中戶膽樹(shù)脂包含下式的結(jié)構(gòu)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>其中各個(gè)Z為相同或不同的橋單元；X為一個(gè)或多個(gè)原子；各個(gè)R'為相同的或不同糊H氫取代基；以及m為從0至4的整數(shù)；AL為包含光酸不穩(wěn)定基團(tuán)的部分；Y為與戶脫間隔酚基團(tuán)不同的部分赫包含AL的部分；a、b和c為基于戶皿聚合物中的總重復(fù)單元的各聚合物單元的摩爾百分比,并且a和b各自大于O，c可為O或大于O。5、權(quán)利要求5的光刻膠，其中c大于0。6、權(quán)利要求1的光刻膠，其中戶皿樹(shù)脂包含下式的結(jié)構(gòu)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>各個(gè)R是相同的或不同的，且為氫或任選取代的烷基；各個(gè)Z為相同或不同的橋單元；X為一個(gè)或多個(gè)原子；各個(gè)R'為相同的或不同的一激代基；m為從0至4的整數(shù)；P為提供光酸不穩(wěn)定酯的部分；Y為與所述間隔酚基團(tuán)不同的部分或者包含P的部分；a、b和c為基于所述聚合物中的總重復(fù)單元的各聚合物單元的摩爾百分比，并且各自大于O。7、一種形成正性光刻膠浮雕影像的方法，包括(a)在S^上施用權(quán)利要求1的光刻膠的涂層；以及(b)將所述光刻膠層曝光并顯影從而獲得浮雕影像。8、權(quán)禾腰求8的方法，其中在所述光刻膠浮雕影像形成后將離子施用于所述基材。9、一種制品，其包含在其上涂有權(quán)利要求1的光刻膠組合物的層的微電子晶片基材。10、一種三元共聚物樹(shù)脂，其包含i)一個(gè)或多個(gè)間隔酚基團(tuán)和ii)一個(gè)或多個(gè)光酸不穩(wěn)定基團(tuán)。全文摘要本發(fā)明涉及新的聚合物，其包含與聚合物骨架間隔開(kāi)的酚基團(tuán)和光酸不穩(wěn)定基團(tuán)。本發(fā)明優(yōu)選的聚合物可用作化學(xué)增強(qiáng)型正性光刻膠的組分。文檔編號(hào)C08F220/30GK101303526SQ20081010924公開(kāi)日2008年11月12日申請(qǐng)日期2008年3月12日優(yōu)先權(quán)日2007年3月12日發(fā)明者J·F·卡梅隆申請(qǐng)人:羅門(mén)哈斯電子材料有限公司