專利名稱：側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料及合成方法和用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一類高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料及合成方法和用途，可應(yīng)用于新材料、 信息技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
材料、信息技術(shù)和能源并成為現(xiàn)代文明的三大支柱。在新的世紀(jì)里，信息技術(shù)的發(fā)展需 要超高速超高密度的存儲材料和器件。目前在電子產(chǎn)品領(lǐng)域，硅仍然是重要的半導(dǎo)體材料， 扮演著幾乎不可替代的角色，但是其成本較高，而且隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，硅工業(yè)面臨著 不可逾越的納米化的難題。而有機高分子材料具有許多硅等無機物所無法取代的優(yōu)點，例如 密度小，重量輕，不易氧化，成本低，易于加工成型等等。近年來，隨著高分子在光電磁等 性能方面的研究不斷取得進(jìn)步，高分子材料在光電子產(chǎn)品領(lǐng)域的應(yīng)用范圍也越來越廣。目前 已經(jīng)利用新型的高分子材料制造出很多以前通常只能用硅材料制作的電子器件，其中發(fā)光二 極管已用于平板顯示器的大規(guī)模生產(chǎn)，光伏電池和場效應(yīng)晶體管的研究也取得顯著的成果 等。
某些電活性高分子新材料在外加電場下可以改變載流子(電子或空穴)的狀態(tài)，因而能 存儲信息。如果使用這些電活性高分子新材料制作器件，就有可能讀出存儲在它上面的信息， 這些材料就是高分子閃存材料。因此它可望用來制作高集成度的電子元件，如超高速開關(guān)元 件及超高密度存儲器等。對于有機高分子信息存儲器件，根據(jù)器件的存儲行為，可以分為可 擦重寫型，寫一次讀多次型和動態(tài)隨機讀寫型等幾種類型。 一般而言，存儲效應(yīng)是與在有機 高分子層活性基團(tuán)內(nèi)的電荷存儲(包括電荷俘獲、電荷分離或電荷傳遞等)相關(guān)。但是由于 高分子自身的特點，電荷傳遞不是很理想，目前對于高分子信息存儲器件，仍處在探索階段。
眾所周知，碳納米管具有優(yōu)異的力學(xué)性能和電學(xué)性能。將碳納米管加入高分子中，可以 顯著提高高分子材料的多項性能。與常規(guī)的共混方法相比，共聚法，特別是可控聚合方法可 以讓高分子與碳納米管在微觀層次上實現(xiàn)緊密結(jié)合，而且也可實現(xiàn)高分子分子量、分子量分 布和分子結(jié)構(gòu)的可控。目前，可控聚合方法己經(jīng)應(yīng)用于苯乙烯、丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸甲 酯等與碳納米管的接枝共聚反應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料及合成方法和用途，該復(fù)合閃存材料具有較低的開啟電壓和較高的開關(guān)電流比。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存 材料，其特征在于它具有以下通式的化學(xué)結(jié)構(gòu)-
<formula>formula see original document page 5</formula>其中R為碳納米管；X為Cl或Br; n = 20-200。
所述碳納米管為多壁碳納米管或單壁碳納米管。
上述側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料的合成方法，其特征在于它包括如 下歩驟
1) 按碳納米管強酸^0g: 100-200mL，選取碳納米管原料和強酸，將碳納米管原料用 強酸在80-90"C回流處理12-24h，抽濾洗滌干燥得到酸化的碳納米管；
2) 按步驟l)得到的酸化的碳納米管二氯亞砜=7. lg: 200-300raL，選取二氯亞砜，酸 化的碳納米管中加入二氯亞砜，在60-70°C反應(yīng)12-24h，抽濾洗滌干燥得到酰化的碳納米管；
3) 按歩驟2)得到的?；奶技{米管乙二胺=6.9§: 100-150mL，選取乙二胺，?；?碳納米管中加入乙二胺，在100-120°C反應(yīng)36-48h，抽濾洗滌干燥得到表面帶有胺基的碳納 米管；
4) 首先按歩驟3)得到的表面帶有胺基的碳納米管2-溴異丁酰溴三氯甲烷(氯仿) =5.6g: 4-6g: 80-100mL，選取2-溴異丁酰溴和三氯甲烷，將2-溴異丁酰溴分散在三氯甲 烷中，得到含有2-溴異丁酰溴的氯仿溶液；
然后按步驟3)得到的表面帶有胺基的碳納米管三乙胺三氯甲烷-5.6g: 3-4.2g: 100-150mL，選取三乙胺和三氯甲烷，將表面帶有胺基的碳納米管、三乙胺分散在三氯甲烷 中；劇烈攪拌下加入含有2-溴異丁酰溴的氯仿溶液，在0。C-20。C下反應(yīng)36-48h，抽濾洗滌 干燥后(在碳納米管表面得到帶有引發(fā)原子轉(zhuǎn)移自由基反應(yīng)的基團(tuán))，得表面帶引發(fā)基團(tuán)的 碳納米管；
5) 側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體(9- (2- (4-乙烯基(苯氧基)乙基)-9-咔唑)的制備
按9H-咔唑-9-乙醇?xì)浠c對氯甲基苯乙烯四氫呋喃二乙醚=20-30mmo1:30-50mmol: 20-30mmol: 50_80mL: 25-40mL，選取9H-咔唑-9-乙醇、氫化鈉、對氯甲基苯乙 烯、四氫呋喃和二乙醚；
先將9H-咔唑-9-乙醇和氫化鈉溶解在干燥的四氫呋喃中，再加入對氯甲基苯乙烯，在 50-60°C氮氣保護(hù)反應(yīng)12-24h;反應(yīng)結(jié)束后蒸干四氫呋喃，得粗產(chǎn)品；用二乙醚對粗產(chǎn)品進(jìn) 行重結(jié)晶純化，得側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體；
6)按表面帶引發(fā)基團(tuán)的碳納米管溶劑催化劑:阻活劑:配體:側(cè)鏈含有咔唑的烯類單 體甲醇二lg: 5-15mL: 2-6mg: 0. 6-1.5mg: 0. 14-0. 45,ol: 0. 3-0. 8g: 80-100mL，選取表 面帶引發(fā)基團(tuán)的碳納米管、溶劑、催化劑、阻活劑、配體、側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體和甲醇；
將表面帶引發(fā)基團(tuán)的碳納米管分散在溶劑中(溶劑裝在燒瓶中)，在氬氣氣氛條件下分 別加入催化劑、阻活劑、配體和側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體(VBEC)，繼續(xù)通入氬氣20-30min， 在60-100"C下反應(yīng)6-120小時；然后加入甲醇中止反應(yīng)，抽濾用氯仿洗滌，室溫下真空干燥， 得到黑色的側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料。
所述強酸為濃硫酸或濃硝酸。
所述溶劑為二氯甲垸、甲苯或硝基甲垸。
所述催化劑為氯化亞銅或溴化亞銅；
所述阻活劑為氯化銅或溴化銅；
所述配體為聯(lián)二吡啶、五甲基二乙基三胺(PMDETA)或六甲基三乙基四胺(服TETA)。 上述側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料的應(yīng)用側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳 納米管復(fù)合閃存材料具有極好的溶解性，易于成膜，作為閃存材料用于信息存儲器件中。 劇烈攪拌是指攪拌電機轉(zhuǎn)速為1000 3000轉(zhuǎn)/分鐘。
本發(fā)明的有益效果是(與僅使用側(cè)鏈含有咔唑的高分子的存儲器件相比較)
1、 將碳納米管原料處理為表面帶引發(fā)基團(tuán)的碳納米管，利用引發(fā)基團(tuán)使側(cè)鏈含有咔唑 的烯類單體在碳納米管表面可控聚合，改善了碳納米管在高分子中的分布，提高了兩者的微
觀相容性。
2、 本發(fā)明的側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料，具有良好的溶解性、易于
成膜，既含有存儲效應(yīng)的側(cè)鏈含有咔唑的高分子，同時由于碳納米管的引入吸收高分子材料
在電場下的體積收縮和膨脹，并且碳納米管的高導(dǎo)電性降低復(fù)合物的電阻，因而明顯降低高
分子存儲器件的開啟電壓，提高開關(guān)電流比，提高了存儲器件的綜合性能。另外這些性能可
以通過復(fù)合閃存材料中側(cè)鏈含有咔唑的高分子結(jié)構(gòu)的調(diào)整與各組分單元含量的改變來調(diào)節(jié)，
在信息存儲器件領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景。
基于側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料的存儲器件的性能測試實驗取2mg復(fù)合閃存材料溶于20ml甲苯中，旋轉(zhuǎn)涂膜于導(dǎo)電IT0玻璃上。然后在此ITO玻璃上蒸鍍金 屬鋁作為存儲器件的上電極。測定器件的開啟電壓和開關(guān)電流比。結(jié)果表明與僅使用側(cè)鏈含 有咔唑的高分子的存儲器件相比，該器件具有較低的穩(wěn)定的開啟電壓和較高的開關(guān)電流比。
具體實施例方式
為了更好的理解本發(fā)明，下面結(jié)合實施例進(jìn)一步闡明本發(fā)明的內(nèi)容，但本發(fā)明的內(nèi)容不 僅僅局限于下面的實施例。
實施例l:
側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料的合成方法，它包括如下步驟
1) 將10g多壁碳納米管原料用lOOmL濃硫酸酸在80T回流處理24h，抽濾用去離子水 洗滌干燥得到酸化的碳納米管7. lg;
2) 7. lg酸化的碳納米管中加入200mL 二氯亞砜，在70°C反應(yīng)24h，抽濾用四氫呋喃洗 滌，干燥得到?；奶技{米管6.9g;
3) 6. 9g?；奶技{米管與150raL乙二胺在IOO"C反應(yīng)48h，抽濾用四氫呋喃洗滌，洗滌 干燥得到表面帶有胺基的碳納米管5. 6g;
4) 將表面帶有胺基的碳納米管5.6g、三乙胺4.2g (23.38mmol)分散在150mL三氯甲 垸(氯仿)中，劇烈攪拌下將含有5. 32g (23. 38mmol) 2-溴異丁酰溴的80mL氯仿滴加到上 述體系中，在室溫下(0°C-20°C)反應(yīng)48h，抽濾用氯仿洗滌，干燥后得到表面帶引發(fā)基團(tuán) 的碳納米管5. 5g;
5) 側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體(9- (2- (4-乙烯基(苯氧基)乙基)-9-咔唑)的制備 先將25國o1的9H-咔唑-9-乙醇和42rano1的氫化鈉溶解在千燥的70mL的四氫呋喃中，再向 其中加入27.5mmo1的對氯甲基苯乙烯，在60"C氮氣保護(hù)反應(yīng)24h;反應(yīng)結(jié)束后蒸干四氫呋 喃，粗產(chǎn)品用30raL二乙醚進(jìn)行重結(jié)晶純化；得側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體；
6) 將上述表面帶引發(fā)基團(tuán)的碳納米管lg分散在裝有10mL甲苯的燒瓶中，在氬氣氣氛 中分別加入催化劑氯化亞銅4 mg (0.05 mmol)、阻活劑氯化銅1呢(0.007 mmol)、配體五 甲基二乙基三胺(PMDETA)50iiL (0.24咖ol)、側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體(9- (2- (4-乙烯 基(苯氧基)乙基)-9-咔唑)(VBEC) 0.5g ( 1.53咖o1)，繼續(xù)通入氬氣30min,在100°C 下反應(yīng)70小時；加入100mL甲醇中止反應(yīng)，抽濾用氯仿洗滌，室溫下真空干燥，得到黑色 的側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料1. 31g,相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為 62%。
上述側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料的應(yīng)用側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳 納米管復(fù)合閃存材料具有極好的溶解性，易于成膜，作為閃存材料用于信息存儲器件中。劇烈攪拌是指攪拌電機轉(zhuǎn)速為1000 3000轉(zhuǎn)/分鐘。
實施例2:
將溶劑二氯甲烷替代甲苯，其它同實施例1，得黑色的復(fù)合閃存材料1.28g，相當(dāng)于與 碳納米管接枝共聚率為56%。 實施例3:
將溶劑硝基甲烷替代甲苯，其它同實施例1，得黑色的復(fù)合閃存材料1.24g，相當(dāng)于與 碳納米管接枝共聚率為48%。
實施例4:
將配體聯(lián)二吡啶替代五甲基二乙基三胺(PMDETA)，即用量為40呢(0.24mmo1)，其它同 實施例l，得黑色的復(fù)合閃存材料1.18g，相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為36%。 實施例5:
將配體六甲基三乙基四胺(HMTETA)替代五甲基二乙基三胺(PMDETA)，即用量為66.2 UL (0.24nrao1)，其它同實施例1，得黑色的復(fù)合閃存材料1. 29g，相當(dāng)于與碳納米管接枝 共聚率為58%。
實施例6:
將步驟6)反應(yīng)時間替代為6小時，其它同實施例l，得黑色的復(fù)合閃存材料1.06g，相 當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為12%。
實施例7:
將步驟6)反應(yīng)時間替代為120小時，其它同實施例l，得黑色的復(fù)合閃存材料1.40g， 相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為80%。
實施例8:
將步驟6)共聚反應(yīng)溫度替代為60°C,其它同實施例l，得黑色的復(fù)合閃存材料1.10g， 相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為20%。
實施例9:
將步驟6)共聚反應(yīng)溫度替代為80T,其它同實施例l，得黑色的復(fù)合閃存材料1.26g， 相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為52%。 實施例10:
將單壁碳納米管替代多壁碳納米管，其它同實施例1，得黑色的復(fù)合閃存材料1.32g， 相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為64%。 實施例11:
將配體用量提高到80ixL(0.384mmo1),其它同實施例1，得黑色的復(fù)合閃存材料1. 30g，相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為60%。 實施例12:
將配體用量減少到30ti L(O. 144mmo1)，其它同實施例1，得黑色的復(fù)合閃存材料1. 24g， 相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為48%。
實施例13:
將側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體(VBEC)用量提高到0.7g (2. 142畫丄),其它同實施例1， 得黑色的復(fù)合閃存材料1. 49g，相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為70%。
實施例14:
將側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體(VBEC)用量減少到0.3g (0.918mino1),其它同實施例1, 得黑色的復(fù)合閃存材料1. 14，相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為47%。 實施例15-
將阻活劑氯化銅提高到L43呢(0.01咖o1)，其它同實施例1，得黑色的復(fù)合閃存材料 L29g，相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為58%。 實施例16:
將阻活劑氯化銅減少到0. 72mg(0.005咖o1)，其它同實施例I，得黑色的復(fù)合閃存材料 1. 32g，相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為64%。 實施例17-
將催化劑氯化亞銅用量提高到6mg (0.75mmo1),其它單體投料比及反應(yīng)條件與處理步 驟同實施例l，得黑色的復(fù)合閃存材料1.34g，相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為68%。 實施例18:
將催化劑氯化亞銅用量減少到2tng (0.25 mmol),其它同實施例1，得黑色的復(fù)合閃存 材料1.23g，相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為46%。 實施例19:
將催化劑溴化亞銅和阻活劑溴化銅分別替代氯化亞銅和氯化銅，即二者用量分別為 7.17mg (0.05moD和1.56mg (0.007moD，其它同實施例1,得黑色的復(fù)合閃存材料1. 28g， 相當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為56%。
實施例20:
將催化劑溴化亞銅、阻活劑溴化銅和配體聯(lián)二吡啶分別替代氯化亞銅、氯化銅和五甲基 二乙基三胺(PMDE'1'A),即三者用量分別為7.17mg (O.05mol)、 1.56mg (0.007冊1)和德g (0.24咖o1),其它同實施例1，得黑色的復(fù)合閃存材料1.25g，相當(dāng)于與碳納米管接枝共 聚率為50%。實施例21:
將催化劑溴化亞銅、阻活劑溴化銅和六甲基三乙基四胺(HMTETA)分別替代氯化亞銅、 氯化銅和五甲基二乙基三胺(PMDETA)，即三者用量分別為7.17mg (0.05mol)、 1.56mg ((X007mo1)和66. 2nL (0. 24咖o1),其它同實施例1，得黑色的復(fù)合閃存材料1. 30g，相 當(dāng)于與碳納米管接枝共聚率為60%。
取實施例1制得的側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料，制備存儲器件并進(jìn) 行性能測試實驗取2mg側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料溶于20ml甲苯中， 旋轉(zhuǎn)涂膜于導(dǎo)電ITO玻璃上，然后在此ITO玻璃上蒸鍍金屬鋁作為存儲器件的上電極。測定 器件的開啟電壓為1. 5V和開關(guān)電流比106，而僅使用側(cè)鏈含有咔唑的高分子的存儲器件的開 啟電壓為2. 1V和開關(guān)電流比104，結(jié)果表明該器件具有較低的穩(wěn)定的開啟電壓和較高的開關(guān) 電流比。
本發(fā)明所列舉的各原料都能實現(xiàn)本發(fā)明，以及各原料的上下限取值、區(qū)間值都能實現(xiàn)本 發(fā)明；在此不一一列舉實施例。本發(fā)明的工藝參數(shù)(如溫度、時間等)的上下限取值、區(qū)間 值都能實現(xiàn)本發(fā)明，在此不一一列舉實施例。
權(quán)利要求
1. 側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料，其特征在于它具有以下通式的化學(xué)結(jié)構(gòu)其中R為碳納米管；X為Cl或Br；n＝20-200。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料，其特征在于 所述碳納米管為多壁碳納米管或單壁碳納米管。
3. 如權(quán)利要求1所述的側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料的合成方法，其 特征在于它包括如下步驟1) 按碳納米管強酸-10g: 100-200mL，選取碳納米管原料和強酸，將碳納米管原料用 強酸在80-9CTC回流處理12-24h，抽濾洗滌干燥得到酸化的碳納米管；2) 按步驟l)得到的酸化的碳納米管二氯亞砜=7. lg: 200-300mL，選取二氯亞砜，酸 化的碳納米管中加入二氯亞砜，在60-70"C反應(yīng)12-24h，抽濾洗滌干燥得到?；奶技{米管；3) 按步驟2)得到的?；奶技{米管乙二胺6.9g: 100-150mL，選取乙二胺，?；?碳納米管中加入乙二胺，在100-120T反應(yīng)36-48h，抽濾洗滌干燥得到表面帶有胺基的碳納 米管；4) 首先按步驟3)得到的表面帶有胺基的碳納米管2-溴異丁酰溴三氯甲烷=5. 6g: 4-6g: 80-100mL，選取2-溴異丁酰溴和三氯甲烷，將2-溴異丁酰溴分散在三氯甲垸中，得到含有 2-溴異丁酰溴的氯仿溶液；然后按步驟3)得到的表面帶有胺基的碳納米管三乙胺三氯甲垸-5.6g: 3-4.2g: 100-150mL，選取三乙胺和三氯甲烷，將表面帶有胺基的碳納米管、三乙胺分散在三氯甲垸 中；劇烈攪拌下加入含有2-溴異丁酰溴的氯仿溶液，在(TC-2CTC下反應(yīng)36-48h，抽濾洗滌 干燥后，得表面帶引發(fā)基團(tuán)的碳納米管；5) 側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體的制備2按9H-咔唑-9-乙醇?xì)浠c對氯甲基苯乙烯四氫呋喃二乙醚=20-30mmo1: 30-50mraol: 20-30腿o1: 50-80mL: 25mL-40mL，選取9H-咔唑-9-乙醇、氫化鈉、對氯甲基苯 乙烯、四氫呋喃和二乙醚；先將9H-咔唑-9-乙醇和氫化鈉溶解在干燥的四氫呋喃中，再加入對氯甲基苯乙烯，在 50-60"C氮氣保護(hù)反應(yīng)12-24h;反應(yīng)結(jié)束后蒸干四氫呋喃，得粗產(chǎn)品；用二乙醚對粗產(chǎn)品進(jìn) 行重結(jié)晶純化，得側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體；6)按表面帶引發(fā)基團(tuán)的碳納米管溶劑催化劑阻活劑:配體:側(cè)鏈含有咔唑的烯類單 體甲醇二lg: 5-15mL: 2-6mg: 0. 6-1.5mg: 0. 14-0. 45ramo1: 0. 3-0. 8g: 80-lOOmL,選取表 面帶引發(fā)基團(tuán)的碳納米管、溶劑、催化劑、阻活劑、配體、側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體和甲醇；將表面帶引發(fā)基團(tuán)的碳納米管分散在溶劑中，在氬氣氣氛條件下分別加入催化劑、阻活 劑、配體和側(cè)鏈含有咔唑的烯類單體，繼續(xù)通入氬氣20-30min，在60-100°C下反應(yīng)6-120 小時；然后加入甲醇中止反應(yīng)，抽濾用氯仿洗滌，室溫下真空干燥，得到黑色的側(cè)鏈含有咔 唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料的合成方法， 其特征在于所述強酸為濃硫酸或濃硝酸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料的合成方法， 其特征在于所述溶劑為二氯甲垸、甲苯或硝基甲烷。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料的合成方法， 其特征在于所述催化劑為氯化亞銅或溴化亞銅
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料的合成方法， 其特征在于所述阻活劑為氯化銅或溴化銅；
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料的合成方法，其特征在于所述配體為聯(lián)二吡啶、五甲基二乙基三胺或六甲基三乙基四胺。
9. 如權(quán)利要求1或3所述的側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料的應(yīng)用側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料作為閃存材料用于信息存儲器件中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一類高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料及合成方法和用途。側(cè)鏈含有咔唑的高分子/碳納米管復(fù)合閃存材料，其特征在于它具有右方通式的化學(xué)結(jié)構(gòu)，其中R為碳納米管；X為Cl或Br；n＝20-200。該復(fù)合閃存材料具有較低的開啟電壓和較高的開關(guān)電流比。
文檔編號C08F292/00GK101412794SQ20081019768
公開日2009年4月22日 申請日期2008年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月18日
發(fā)明者吳江渝, 亮 李, 杜飛鵬, 柯貞將, 渝湘華, 程志毓, 郭慶中, 鄢國平 申請人:武漢工程大學(xué)