專利名稱：發(fā)uv光芴基共聚物的制作方法
發(fā)UV光芴基共聚物交叉引用的相關申請不適用
關于聯(lián)邦資助研究或開發(fā)的聲明不適用發(fā)明背景 1.摶術領域
本發(fā)明涉及芴基共聚物和它們的制備以及作為發(fā)光聚合物的用途。2.現(xiàn)有技術說明
有機小分子發(fā)光二極管(OLED)和聚合物發(fā)光二極管(PLED)最近已經(jīng)朝著在全色平板顯示器中的應用取得了重大的進步。分子設計和合成工藝的進步已經(jīng)作出了重大貢獻。在無機和有機雜化LED中，該有機材料提供了發(fā)射能量，該能量轉(zhuǎn)移到無機半導電納米晶體材料，用于光發(fā)射。芴基聚合物最近已經(jīng)作為吸引人的發(fā)光材料而出現(xiàn)。但是，這些芴基聚合物缺乏足夠的穩(wěn)定性，這影響了它們的發(fā)射性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一種實施方案是式I的芴基共聚物
權利要求
1.一種式1芴基共聚物其中R1各自獨立的是空間位阻基團，Q是鍵或者一個或多個未稠合的或者稠合的芳族環(huán)，D是這樣的基團，其包含二價、三價和四價之一的原子，其中該原子的一個價是用連接到Q上的芳族部分來滿足的，和其中該芳族部分具有連接到其上的空間位阻基團，并且其中該原子的其余價是用芳族取代基滿足的，和η是選自2-10000的整數(shù)，其中該R1和D的空間位阻基團提供了足夠的空間相互作用，以使得式I的空間構象基本上是非平面的，和其中該共聚物表現(xiàn)出UV光發(fā)射。
2.權利要求1的芴基共聚物，其中隊各自獨立的選自C1-C3tl烷基、C2-C3tl烯基、C2-C3tl炔基、C1-C30芳基、C1-C30燒氧基、C2-C30鏈烯氧基、C2-C30炔氧基、C1-C30芳氧基、C1-C30硫燒基、 C2-C30 硫烯基、C2-C30 硫炔基、C1-C30 硫芳基、C(0)OR4、N(R4) (R5)、C(O)N(R4) (R5)、F、Cl、Br、 NO2、CN、?；?、羧化物和羥基，其中R4和R5各自獨立的選自氫、C1-C30烷基和C1-C3tl芳基。
3.權利要求1的芴基共聚物，其中Q是一個或多個未稠合的或者稠合的芳族環(huán)，其包含至少一個空間位阻基團。
4.權利要求1的芴基共聚物，其中D選自其中箭頭表示向Q的連接點，和其中 X 是 0、S、iTe 或者 ％， Y是N或者P， Z是C或者Si，&選自C1- _C30 焼基、C2-C30 烯基、C2- 炔基、C1- 芳基、C1- 烷氧基、C2- 鏈烯氧基、C2-C3tl炔氧基、C1-C3tl芳氧基、C1-C3tl硫烷基、C2-C3tl硫烯基、C2-C3tl硫炔基、C1-C3tl硫芳基、 C(O)OR4, N(R4) (R5)、C(0)N(R4) (R5)、F、Cl、Br、N02、CN、?；?、羧化物和羥基，其中 R4 和 R5 各自獨立的選自氫、C1-C30烷基和C1-C3tl芳基，和R3各自獨立的選自氫、C1-C30烷基、C2-C3tl烯基、C2-C3tl炔基、C1-C3tl芳基、C1-C3tl烷氧基、 C2-C30鏈烯氧基、C2-C30炔氧基、C1-C3tl芳氧基、C1-C3tl硫烷基、C2-C3tl硫烯基、C2-C3tl硫炔基、 C1-C30 硫芳基、C(O) OR4、N(R4) (R5)、C(0)N(R4) (R5)、F、Cl、Br、NO2, CN、酰基、羧化物和羥基， 其中R4和R5各自獨立的選自氫、C1-C30烷基和C1-C3tl芳基。
5.權利要求1的芴基共聚物，其具有式其中X 是 0、S、iTe 或者 ％，R1和&各自獨立的選自C1-C3tl烷基、C2-C3tl烯基、C2-C3tl炔基、C1-C3tl芳基、C1-C3tl烷氧基、C2-C3tl鏈烯氧基、C2-C30炔氧基、C1-C3tl芳氧基、C1-C3tl硫烷基、C2-C3tl硫烯基、C2-C3tl硫炔基、C1-C3tl 硫芳基、C(O)OR4、N(R4) (R5)、C(0)N(R4) (R5)、F、Cl、Br、NO2, CN、?；Ⅳ然锖土u基，其中R4和R5各自獨立的選自氫、C1-C3tl烷基和C1-C3tl芳基，和 η是選自2-10000的整數(shù)； 或者具有式其中Y是N或者P，R1和R2各自獨立的選自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C3tl鏈烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C3tl芳氧基，C1-C3tl硫烷基，C2-C3tl硫烯基，C2-C3tl硫炔基，C1-C3tl 硫芳基，C(0)0R4，N(R4) (R5)，C(0)N(R4) (R5) ,F, Cl, Br，NO2, CN，酰基，羧化物和羥基，其中R4和R5各自獨立的選自氫、C1-C30烷基和C1-C3tl芳基，R3選自凰，C^C30焼基，C2-C30火布基，C2-C30塊基，CfC30方基，CfC30焼氧基，C2-C30鏈火布氧基，C2-C3tl炔氧基，C1-C3tl芳氧基，C1-C3tl硫烷基，C2-C3tl硫烯基，C2-C3tl硫炔基，C1-C3tl硫芳基，C(0)0R4，N(R4) (R5)，C(0)N(R4) (R5)，F(xiàn)，Cl，Br, NO2, CN，?；?，羧化物和羥基，其中 R4 和 R5 各自獨立的選自氫、C1-C30烷基和C1-C3tl芳基，和 η是選自2-10000的整數(shù)； 或者具有式
6.一種發(fā)光裝置，其包含權利要求1的芴基共聚物。
7.權利要求6的裝置，其中該芴基共聚物處于布置在兩個電極之間的層的形式。
8.一種發(fā)光裝置，其包含(a)第一電極；(b)第二電極；和(c)布置在第一電極和第二電極之間的聚合物層，其中該聚合物層包含式I的芴基共聚物
9.權利要求8的裝置，其中Q選自單鍵，單核芳族部分和多核芳族部分。
10.權利要求8的裝置，其中該芳族基團和該芳族取代基是苯基。
11.權利要求8的裝置，其中D是這樣的基團，其包含二價、三價和四價之一的原子，其中該原子的一個價是用連接到Q上的芳族部分來滿足的，其在Q上的連接位置處于所述原子連接位置的對位，和其中該芳族部分具有空間位阻基團，該空間位阻基團處于該芳族部分與Q連接的位置的鄰位，和其中該原子的其余價是用芳族取代基滿足的。
12.權利要求8的裝置，其中D選自
13.權利要求8的裝置，其中D選自
14.一種用于形成芴基共聚物的方法，該共聚物表現(xiàn)出比具有基本上平面的空間構象的芴基聚合物更高的發(fā)射性能和穩(wěn)定性，該方法包括由單體單元形成該芴基共聚物，該單體單元包含芴基團和至少一個具有空間位阻結構的化學基團，其中該化學基團賦予了該芴基共聚物基本上非平面的空間構象。
15.根據(jù)權利要求14的方法，其中該化學基團包含下面的(a)和(b)之一或者兩者 (a) 一個或多個未稠合的或者稠合的芳族環(huán)，和(b)選自下面的部分
全文摘要
式I的芴基共聚物，其包括單體單元，該單體單元包括芴基團和至少一個空間位阻化學基團來提供足夠的空間相互作用，以使得該芴基共聚物的空間構象基本上是非平面的。該芴基共聚物表現(xiàn)出UV光發(fā)射。
文檔編號C08G61/02GK102300902SQ200980155874
公開日2011年12月28日 申請日期2009年1月30日 優(yōu)先權日2009年1月30日
發(fā)明者C. 楊 C., 趙 L., 周 Z. 申請人:惠普開發(fā)有限公司