專利名稱：金屬氧化物細粒、硅樹脂組合物及其用途的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及金屬氧化物細粒。更具體地，本發(fā)明涉及經特定化合物表面處理的金屬氧化物細粒，通過使所述金屬氧化物細粒反應而獲得的硅樹脂組合物，含有所述硅樹脂組合物的光半導體元件封裝材料，以及包含用所述硅樹脂組合物或光半導體元件封裝材料封裝的半導體元件的光半導體裝置。

背景技術：
近年來，發(fā)光二極管(LED)作為實現(xiàn)顯著節(jié)能的新照明光源已引起關注。因為與顯示LED不同，照明LED每個芯片具有非常高的亮度，封裝照明LED所用的透明樹脂需要優(yōu)異的耐光性和耐熱性。從這樣的觀點看，對于照明LED，已普遍利用比廣泛用于顯示LED的環(huán)氧樹脂具有更高耐光性的硅樹脂作為封裝材料(參見JP-A-2000-198930、JP-A-2004-186168和JP-A-2008-150437)。
然而，硅樹脂通常具有如約1.4這樣低的折射率，因此與LED元件的折射率(約2.5)差異變大。因此，存在的問題是在樹脂和元件之間界面處的總反射光增加，因此光提取效率降低。
為解決該問題，需要提高硅樹脂的折射率，同時保持透明度和耐熱性。作為一種方法，提出將金屬氧化物細粒分散到硅樹脂中的方法，所述細粒具有高的折射率并且如此微小以致于光散射可忽略。
為了將高度親水的金屬氧化物細粒分散到高度疏水的硅樹脂中，使用在細粒和樹脂之間形成若干共價鍵以抑制細粒聚集的方法是有效的。
例如，JP-A-2007-119617公開了一種方法，所述方法用硅烷偶聯(lián)劑如對苯乙烯基(三甲氧基)硅烷將乙烯基引入到氧化鋯粒子的表面，并且使粒子與具有硅-氫鍵的硅樹脂反應。


發(fā)明內容
然而，在JP-A-2007-119617中獲得的樹脂中，作為照明LED封裝材料，從耐光性的觀點看，發(fā)現(xiàn)優(yōu)選其中分散著金屬氧化物粒子的樹脂，所述金屬氧化物粒子經JP-A-2007-119617中公開的化合物，即作為具有脂族基團而不是芳族基團的硅烷偶聯(lián)劑的乙烯基(三甲氧基)硅烷或乙烯基(三乙氧基)硅烷表面處理。然而，當僅使用這樣的化合物時，發(fā)現(xiàn)所述細粒傾向于聚集，因此還存在操作性和穩(wěn)定性方面的問題。
此外，由于具有烯基或芳族基團并且含有主鏈由C-C鍵構成的取代基的硅烷偶聯(lián)劑具有高的疏水性和對溶劑低的溶解性，所以在與類似高度疏水的樹脂反應中適用的溶劑受到限制。此外，在考慮應用于LED封裝材料時，從耐光性和耐熱性的觀點看，經偶聯(lián)劑處理的金屬氧化物細粒分散于其中的樹脂不能令人足夠滿意。
本發(fā)明的目的是提供金屬氧化物細粒，其對溶劑具有高的溶解性，抑制細粒相互聚集，并且在分散于樹脂中時能夠提供在耐光性、透光性能和耐熱性方面優(yōu)異的樹脂；通過使所述細粒反應可獲得的硅樹脂組合物；含有所述硅樹脂組合物的光半導體元件封裝材料；和包含用所述硅樹脂組合物或光半導體元件封裝材料封裝的光半導體元件的光半導體裝置。
即，本發(fā)明涉及以下(1)～(9)。
(1)一種金屬氧化物細粒，其經含有硅化合物的表面處理劑處理，所述硅化合物具有碳原子數(shù)2～20的烯基。
(2)根據(jù)(1)的金屬氧化物細粒，其中所述具有碳原子數(shù)2～20的烯基的硅化合物是式(I)表示的化合物
其中R1表示碳原子數(shù)2～20的烯基，X表示烷氧基、芳氧基、環(huán)烷氧基、鹵素原子或乙酰氧基，條件是所有X可以相同或不同。
(3)根據(jù)(1)的金屬氧化物細粒，其中所述具有碳原子數(shù)2～20的烯基的硅化合物是式(II)表示的化合物
其中X表示烷氧基、芳氧基、環(huán)烷氧基、鹵素原子或乙酰氧基，n表示1～100的整數(shù)，條件是所有X可以相同或不同。
(4)根據(jù)(1)～(3)中任一項的金屬氧化物細粒，其中待表面處理的金屬氧化物細粒是由選自氧化鋯、二氧化鈦、氧化鋅、二氧化硅和氧化鋁中的至少一種構成的細粒。
(5)根據(jù)(1)～(4)中任一項的金屬氧化物細粒，其中表面處理后的金屬氧化物細粒具有1～100nm的平均粒徑。
(6)一種硅樹脂組合物，其通過使根據(jù)(1)～(5)中任一項的金屬氧化物細粒與有機氫硅氧烷反應而獲得。
(7)根據(jù)(6)的硅樹脂組合物，其中所述有機氫硅氧烷是選自式(III)表示的化合物和式(IV)表示的化合物中的至少一種
其中A、B和C為構成單元，其中A表示末端單元，B和C表示重復單元，R2表示一價烴基，a表示0或者1以上的整數(shù)，b表示2以上的整數(shù)，條件是所有R2可以相同或不同，
其中R3表示一價烴基，c表示0或者1以上的整數(shù)，條件是所有R3可以相同或不同。
(8)一種光半導體元件封裝材料，其包含根據(jù)(6)或(7)的硅樹脂組合物。
(9)一種光半導體裝置，其包含用根據(jù)(6)或(7)的硅樹脂組合物或根據(jù)(8)的光半導體元件封裝材料封裝的光半導體元件。
本發(fā)明的金屬氧化物細粒提供了優(yōu)異的優(yōu)點對有機溶劑具有高的溶解性，抑制細粒的相互聚集，并且當分散于樹脂中時能夠提供在耐光性、透光性能和耐熱性方面優(yōu)異的樹脂。

具體實施例方式 本發(fā)明的金屬氧化物細粒是經含有硅化合物的表面處理劑處理的那些金屬氧化物細粒，所述硅化合物具有碳原子數(shù)2～20的烯基，并且由于表面上存在具有特定碳原子數(shù)的烯基而在所述細粒間引起空間排斥，由此抑制聚集。此外，烯基除存在烯鍵式不飽和雙鍵以外、其表現(xiàn)出的反應性低，所以在將細粒分散在樹脂中的情況下變得有可能提供耐光性優(yōu)異的樹脂。
此外，因為烯基中的烯鍵式不飽和雙鍵與樹脂中的氫甲硅烷基(hydrosilyl)反應形成共價鍵，所以樹脂中細粒的可分散性變得令人滿意，因此所得樹脂的透光性能優(yōu)異。
本發(fā)明金屬氧化物細粒用表面處理劑含有硅化合物，所述硅化合物具有碳原子數(shù)2～20的烯基。
具有碳原子數(shù)2～20的烯基的硅化合物不受特殊限制，只要其具有碳原子數(shù)2～20的烯基，但從與金屬氧化物細粒的反應性的觀點看，優(yōu)選式(I)表示的化合物
其中R1表示碳原子數(shù)2～20的烯基，X表示烷氧基、芳氧基、環(huán)烷氧基、鹵素原子或乙酰氧基，條件是所有X可以相同或不同。
當式(I)中烯基R1中的碳原子數(shù)小于2時，溶解性和分散穩(wěn)定性差。當該數(shù)超過20時，經表面處理的粒子的粒子量(濃度)降低，使得傾向于發(fā)生機械強度降低和折射率降低。因此，本發(fā)明中烯基具有2～20個碳原子。具體地，例舉丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基等。在這些中，從表面處理后金屬氧化物細粒的溶解性和聚集穩(wěn)定性的觀點看，式(I)中烯基的碳原子數(shù)優(yōu)選為4～20、更優(yōu)選為5～20、進一步優(yōu)選為6～20。在這一點上，烯鍵式不飽和雙鍵可以是上述取代基中的任何碳-碳鍵并且數(shù)量也不受限制。
式(I)中X各自獨立地表示烷氧基、芳氧基、環(huán)烷氧基、鹵素原子或乙酰氧基。作為烷氧基，可以提及甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基和己氧基等?？梢蕴峒白鳛榉佳趸谋窖趸⑤裂趸?，以及作為環(huán)烷氧基的環(huán)己氧基、環(huán)戊氧基等。作為鹵素原子，可以提及氯、溴、碘等。在這些中，從金屬氧化物細粒的可用性、經濟效率和反應性的觀點看，優(yōu)選甲氧基。
作為式(I)表示的化合物，可以提及丁烯基(三甲氧基)硅烷、戊烯基(三甲氧基)硅烷、己烯基(三甲氧基)硅烷、庚烯基(三甲氧基)硅烷、辛烯基(三甲氧基)硅烷、丁烯基(三乙氧基)硅烷，丁烯基(三丙氧基)硅烷、丁烯基(三苯氧基)硅烷、丁烯基(三氯)硅烷、戊烯基(三乙氧基)硅烷、戊烯基(三丙氧基)硅烷、戊烯基(三丁氧基)硅烷、戊烯基(三萘氧基)硅烷、辛烯基(三氯)硅烷、辛烯基(三環(huán)戊氧基)硅烷、辛烯基(三溴)硅烷、壬烯基(三甲氧基)硅烷、壬烯基(三乙氧基)硅烷、壬烯基(三戊氧基)硅烷、壬烯基(三苯氧基)硅烷等。它們可單獨使用或按其兩種以上的組合來使用。
此外，作為具有碳原子數(shù)2～20的烯基的硅化合物，優(yōu)選式(II)表示的化合物
其中X表示烷氧基、芳氧基、環(huán)烷氧基、鹵素原子或乙酰氧基，n表示1～100的整數(shù)，條件是所有X可以相同或不同。
式(II)表示的化合物通過作為反應性官能團的X基團鍵合至金屬氧化物細粒。因此，經所述化合物表面處理的金屬氧化物細粒對有機溶劑具有提高的溶解性，這歸因于作為鍵合殘基的硅氧烷基團骨架對金屬氧化物細粒的本質特性，使得所述細粒能夠容易地分散在各種樹脂中。此外，因為上述化合物具有優(yōu)異的耐光性且硅氧烷基團也具有優(yōu)異的耐熱性，所以含有所述細粒的樹脂組合物耐光性和耐熱性均變得優(yōu)異。
此外，因為烯鍵式不飽和雙鍵與樹脂中的氫甲硅烷基反應形成共價鍵，所以樹脂中細粒的可分散性變得更令人滿意，因此所得樹脂組合物的透光性能具有優(yōu)異的透光性能。
式(II)中X表示烷氧基、芳氧基、環(huán)烷氧基、鹵素原子或乙酰氧基。作為烷氧基，可以提及甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基等。可以提及作為芳氧基的苯氧基、萘氧基等，以及作為環(huán)烷氧基的環(huán)己氧基、環(huán)戊氧基等。作為鹵素原子，可以提及氯、溴、碘等。順便提及，在式(II)中所有X可以相同或不同，但從金屬氧化物細粒的可用性、經濟效率和反應性的觀點看，所有X優(yōu)選為甲氧基。
式(II)中n表示1～100的整數(shù)，但從穩(wěn)定性和操作性的觀點看，n優(yōu)選為1～20的整數(shù)、更優(yōu)選為1～10的整數(shù)。
作為式(II)表示的化合物，可以提及1-乙烯基-9-(三甲氧基)甲硅烷氧基-1，1，3，3，5，5，7，7，9，9-十甲基五硅氧烷、1-乙烯基-7-(三甲氧基)甲硅烷氧基-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四硅氧烷、1-乙烯基-7-(三乙氧基)甲硅烷氧基-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四硅氧烷、1-乙烯基-7-(三溴)甲硅烷氧基-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四硅氧烷、1-乙烯基-7-(三氯)甲硅烷氧基-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四硅氧烷、1-乙烯基-5-(三甲氧基)甲硅烷氧基-1，1，3，3，5，5-六甲基三硅氧烷、1-乙烯基-7-(三甲氧基)甲硅烷氧基-1，1，3，3-四甲基四硅氧烷、1-乙烯基-3-(三甲氧基)甲硅烷氧基-1，1-二甲基二硅氧烷等。它們可單獨使用或按其兩種以上的組合來使用。
式(II)表示的化合物不受特殊限制并且能夠按照已知方法合成。
此外，在本發(fā)明中，除式(I)和(II)表示的化合物外的另外表面處理劑在不削弱本發(fā)明優(yōu)點的范圍內。作為其它表面處理劑，可以提及甲基(三甲氧基)硅烷、乙基(三甲氧基)硅烷、己基(三甲氧基)硅烷、癸基(三甲氧基)硅烷、乙烯基(三甲氧基)硅烷、2-[(3，4)-環(huán)氧環(huán)己基]乙基(三甲氧基)硅烷、3-縮水甘油氧基丙基(三甲氧基)硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基(三甲氧基)硅烷、3-丙烯酰氧基丙基(三甲氧基)硅烷、1-(三甲氧基)-3，3，3-三甲基硅氧烷等。
作為本發(fā)明中待表面處理的金屬氧化物細粒，優(yōu)選由選自氧化鋯、二氧化鈦、氧化鋅、二氧化硅和氧化鋁中的至少一種構成的細粒。在這些中，從可用性和與表面處理劑的反應性的觀點看，更優(yōu)選氧化鋯。在這一點上，從透明性的觀點看，待處理的金屬氧化物細粒的平均粒徑優(yōu)選為1～100nm。在本說明書中，金屬氧化物細粒在表面處理之前和之后的平均粒徑可按照下述實施例中描述的方法進行測量。
表面處理的方法不受特殊限制并且可以提及已知的方法。例如，可以例舉在溶劑(例如異丙醇)中將金屬氧化物細粒和表面處理劑于10～100℃范圍內攪拌0.1～72小時(濕法處理)。
基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，含有式(I)表示的化合物的表面處理劑的用量優(yōu)選為10～500重量份、更優(yōu)選為100～300重量份。
此外，基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，式(II)表示的表面處理劑的用量優(yōu)選為10～1000重量份、更優(yōu)選為100～800重量份。
從與有機氫硅氧烷的反應性的觀點看，表面處理劑中式(I)和(II)表示的化合物的含量優(yōu)選為10重量％以上、更優(yōu)選為30重量％以上、進一步優(yōu)選為50～100重量％。
由此獲得經特定表面處理劑表面處理的金屬氧化物細粒。表面處理后金屬氧化物細粒的平均粒徑優(yōu)選為1～100nm，從通過使所述細粒反應而獲得的樹脂組合物的透明度的觀點看，平均粒徑更優(yōu)選為1～20nm。因為金屬氧化物細粒的平均粒徑經上述方法表面處理幾乎不改變，所以為了獲得表面處理后具有所需平均粒徑的金屬氧化物細粒，預先按照已知方法適當?shù)卣{整待進行表面處理的金屬氧化物細粒的平均粒徑。
本發(fā)明還提供了通過使經表面處理的金屬氧化物細粒與有機氫硅氧烷反應可獲得的硅樹脂組合物。在所述組合物中，通過使鍵合至金屬氧化物細粒的表面處理劑中的烯基與有機氫硅氧烷的氫甲硅烷基經過它們的加成反應(氫化硅烷化)進行化合，能夠將金屬氧化物細粒均勻地分散在樹脂中，因此所得組合物的透光性能變得令人滿意。
有機氫硅氧烷優(yōu)選為選自式(III)表示的化合物和式(IV)表示的化合物中的至少一種
其中A、B和C為構成單元，其中A表示末端單元，B和C表示重復單元，R2表示一價烴基，a表示0或者1以上的整數(shù)，b表示2以上的整數(shù)，條件是所有R2可以相同或不同，
其中R3表示一價烴基，c表示0或者1以上的整數(shù)，條件是所有R3可以相同或不同。在本發(fā)明中，因為上述中表示的有機氫硅氧烷、和鍵合至金屬氧化物細粒的表面處理劑中式(I)表示的化合物及式(II)表示的化合物中的R1，均不具有芳族骨架，所以所得組合物的耐光性變得優(yōu)異。在本說明書中，有機氫硅氧烷是從低分子量化合物至高分子量化合物的有機氫二硅氧烷和有機氫聚硅氧烷的通用術語。
式(III)表示的化合物由構成單元A、B和C構成，其中A表示末端單元，B和C表示重復單元，并且是其中重復單元中含有氫的化合物。
式(III)中的R2，即構成單元A中的R2、構成單元B中的R2和構成單元C中的R2全部均表示一價烴基，且可以提及飽和或不飽和、直鏈、支鏈或環(huán)狀烴基。從可用性和經濟效率的觀點看，烴基中碳原子數(shù)優(yōu)選為1～20、更優(yōu)選為1～10。具體地，可以例舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、苯基、萘基、環(huán)己基和環(huán)戊基。在它們中，從透明度和耐光性的觀點看，優(yōu)選甲基。在式(III)中，所有R2可以相同或不同，并且與構成單元無關，各自獨立地表示上述烴基。
構成單元A為末端單元并且在式(III)中包含有兩個該單元。
構成單元B的重復單元數(shù)即式(III)中的a表示0或者1以上的整數(shù)，從反應性的觀點看，優(yōu)選為1～1,000的整數(shù)，更優(yōu)選為1～100的整數(shù)。
構成單元C的重復單元數(shù)即式(III)中的b表示2以上的整數(shù)，從反應性的觀點看，優(yōu)選為2～10,000的整數(shù)，更優(yōu)選為2～1000的整數(shù)。
a和b的總和優(yōu)選為2～10,000，更優(yōu)選為2～2,000。此外，a與b之比(a/b)優(yōu)選為1,000/1～1/1,000，更優(yōu)選為100/1～1/100。
作為式(III)表示的這類化合物，可以提及甲基氫聚硅氧烷、二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氫聚硅氧烷、乙基氫聚硅氧烷、甲基氫聚硅氧烷-共聚-甲基苯基聚硅氧烷等。它們可單獨使用或者按其兩種以上的組合來使用。在這些中，優(yōu)選其中R2為甲基、a為0并且b為2以上的整數(shù)的化合物。
從穩(wěn)定性和操作性的觀點看，式(III)表示的化合物理想地具有優(yōu)選為100～1,000,000、更優(yōu)選為100～100,000的分子量。
式(IV)表示的化合物是在末端具有氫的化合物。
式(IV)中的R3表示一價烴基，并且可以提及飽和或不飽和的、直鏈、支鏈或環(huán)狀烴基。從可用性和經濟效率的觀點看，烴基中碳原子數(shù)優(yōu)選為1～20、更優(yōu)選為1～10。具體地，可以例舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、苯基、萘基、環(huán)己基和環(huán)戊基。在它們中，從透明度和耐光性的觀點看，優(yōu)選甲基。在式(IV)中，所有R3可以相同或不同，但優(yōu)選所有均為甲基。
式(IV)中的c表示0或者1以上的整數(shù)，從反應性和穩(wěn)定性的觀點看，優(yōu)選為0～10,000、更優(yōu)選為0～2,000的整數(shù)。
作為式(IV)表示的這類化合物，可以提及兩端氫甲硅烷基型聚二甲基硅氧烷、兩端氫甲硅烷基型聚甲基苯基硅氧烷、兩端氫甲硅烷基型聚二苯基硅氧烷等。它們可以單獨使用或者按其兩種以上的組合來使用。在這些中，優(yōu)選其中所有R3為甲基且c為1～1,000的整數(shù)的化合物。
從穩(wěn)定性和操作性的觀點看，式(IV)表示的化合物理想地具有優(yōu)選為100～1,000,000、更優(yōu)選為100～100,000的分子量。
有機氫硅氧烷中式(III)和(IV)表示的化合物的總含量優(yōu)選為50重量％以上、更優(yōu)選為80重量％以上、進一步優(yōu)選基本上為100重量％。
可以按照已知方法進行經表面處理的金屬氧化物細粒與有機氫硅氧烷的反應。具體地，所述反應可以通過以下進行在氫化硅烷化催化劑的存在下，隨著根據(jù)需要添加溶劑，將經表面處理的金屬氧化物細粒和有機氫硅氧烷在20～100℃下攪拌0.1～72小時，所述催化劑例如為鉑催化劑如鉑黑、氯化鉑、氯鉑酸、鉑-烯烴絡合物、鉑-羰基絡合物或鉑-乙酰基乙酸酯；鈀催化劑；銠催化劑；等等。因為本發(fā)明的金屬氧化物細粒經式(I)或(II)表示的化合物表面處理，因此對溶劑具有高的溶解性，所以待用于上述反應的溶劑不受特殊限制，例如可以使用各種溶劑如甲苯、己烷、異丙醇和丙酮。因為與經式(II)表示的化合物處理的細粒相比，經式(I)表示的化合物處理的細粒對溶劑的溶解性稍差，所以優(yōu)選使用非極性溶劑如甲苯和己烷。在這一點上，反應后，可通過減壓蒸發(fā)將溶劑從所得反應混合物中除去。
基于樹脂組合物中100重量份有機氫硅氧烷，氫化硅烷化催化劑的含量，例如在使用鉑催化劑的情況下，就鉑含量而言優(yōu)選為1.0×10-4至0.5重量份、更優(yōu)選為1.0×10-3至0.05重量份。
基于樹脂組合物中100重量份有機氫硅氧烷，經表面處理的金屬氧化物細粒的含量優(yōu)選為0.01～300重量份、更優(yōu)選為0.1～250重量份、進一步優(yōu)選為0.1～200重量份。
除上述外，本發(fā)明的硅樹脂組合物還可以含有在不削弱本發(fā)明優(yōu)點的范圍內的添加劑如防老化劑、改性劑、表面活性劑、染料、顏料、防變色劑和紫外吸收劑。
本發(fā)明的硅樹脂組合物在耐光性、透光性能和耐熱性方面是優(yōu)異的，因此適合用作光半導體元件封裝材料。因而，本發(fā)明提供了含有本發(fā)明硅樹脂組合物的光半導體元件封裝材料，和包含用所述硅樹脂組合物或所述光半導體元件封裝材料封裝的光半導體元件的光半導體裝置。
本發(fā)明的光半導體裝置可以通過使用本發(fā)明的硅樹脂組合物作為光半導體元件封裝材料來封裝LED元件而制得。具體地，可以通過用諸如澆注、旋涂或輥涂的方法將本發(fā)明的硅樹脂組合物以合適的厚度施用至安裝有LED元件的襯底上，或者通過灌封將其遮蔽，隨后加熱和干燥經施用的襯底，從而制得光半導體裝置。
因為本發(fā)明的光半導體裝置含有作為光半導體元件封裝材料的硅樹脂組合物，所述組合物在耐光性、透光性能和耐熱性方面是優(yōu)異的，所以所述裝置可以為安裝有藍色或白色LED元件的光半導體裝置。
實施例 下面將參考實施例和比較例描述本發(fā)明，但本發(fā)明不受這些實施例等限制。
金屬氧化物細粒在表面處理之前和之后的平均粒徑 金屬氧化物細粒的平均粒徑表示金屬氧化物細粒初級粒子的平均粒徑。在透射電子顯微鏡TEM上，測量顯示屏中顯示的100個粒子的直徑，將它們的直徑的平均值看作平均粒徑。
有機硅衍生物的分子量 按通過凝膠滲透色譜法(GPC)根據(jù)聚苯乙烯測量的值來確定分子量。
實施例1 在將0.81g氧化鋯水性分散體(固體濃度40重量％，平均粒徑7nm)用3g乙醇稀釋后，向其添加通過將0.89g(3.8mmol)(基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，為275重量份)7-辛烯基(三甲氧基)硅烷溶解在10g異丙醇中獲得的溶液，接著在室溫(25℃)下攪拌20小時。然后，通過減壓蒸發(fā)除去溶劑從而獲得含有氧化鋯粒子的油(透明)，所述氧化鋯粒子具有鍵合至表面的7-辛烯基甲硅烷基。在表面處理后氧化鋯粒子的平均粒徑為7nm。
實施例2 按與實施例1相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.44g(2.0mmol)(基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，為136重量份)7-辛烯基(三甲氧基)硅烷和0.39g(2.0mmol)己基(三甲氧基)硅烷替代實施例1中使用的0.89g(3.8mmol)7-辛烯基(三甲氧基)硅烷，由此獲得含有氧化鋯粒子的油(透明)，所述氧化鋯粒子具有鍵合至表面的7-辛烯基甲硅烷基和己基甲硅烷基兩者。在表面處理后氧化鋯粒子的平均粒徑為7nm。
實施例3 按與實施例1相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.81g二氧化硅水性分散體(固體濃度40重量％，平均粒徑10nm)替代實施例1中使用的0.81g氧化鋯水性分散體，由此獲得含有二氧化硅粒子的油(透明)，所述二氧化硅粒子具有鍵合至表面的7-辛烯基甲硅烷基。在表面處理后氧化鋯粒子的平均粒徑為10nm。此外，基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，7-辛烯基(三甲氧基)硅烷的用量為275重量份。
實施例4 按與實施例1相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.67g(3.8mmol)(基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，為207重量份)丁烯基(三甲氧基)硅烷替代實施例1中使用的0.89g(3.8mmol)7-辛烯基(三甲氧基)硅烷，由此獲得含有氧化鋯粒子的油(透明)，所述氧化鋯粒子具有鍵合至表面的丁烯基甲硅烷基。在表面處理后氧化鋯粒子的平均粒徑為7nm。
比較例1 按與實施例1相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.56g(3.8mmol)(基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，為173重量份)乙烯基(三甲氧基)硅烷替代實施例1中使用的0.89g(3.8mmol)7-辛烯基(三甲氧基)硅烷，由此獲得含有氧化鋯粒子的油(混濁)，所述氧化鋯粒子具有鍵合至表面的乙烯基甲硅烷基。在表面處理后氧化鋯粒子的平均粒徑為7nm。
比較例2 按與實施例1相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.85g(3.8mmol)(基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，為262重量份)對苯乙烯基(三甲氧基)硅烷替代實施例1中使用的0.89g(3.8mmol)7-辛烯基(三甲氧基)硅烷，由此獲得含有氧化鋯粒子的油(稍微混濁)，所述氧化鋯粒子具有鍵合至表面的對苯乙烯基甲硅烷基。在表面處理后氧化鋯粒子的平均粒徑為7nm。
按照以下方法評價在表面處理后所得金屬氧化物細粒的溶解性和聚集穩(wěn)定性。結果示于表1中。
溶解性 將所得含有表面處理后的金屬氧化物細粒的油分別添加至甲苯、己烷和異丙醇溶劑中，使得細粒的濃度變成2重量％，并且將其整體攪拌。然后，所得溶液處于透明狀態(tài)的情形被評級為“A”，溶液處于半透明狀態(tài)的情形被評級為“B”，溶液混濁的情形被評級為“C”。
分散穩(wěn)定性 將所得含有表面處理后的金屬氧化物細粒的油溶解在甲苯中并將溶液濃縮，如此重復三次時，視覺觀察溶液狀態(tài)。溶液處于透明狀態(tài)而未聚集的情形被評級為“A”，溶液因聚集而混濁的情形被評級為“B”。

結果，發(fā)現(xiàn)表面處理后實施例1～4的金屬氧化物細粒對各種溶劑表現(xiàn)出溶解性，并且被穩(wěn)定地分散而未聚集。順便提及，因為比較例1的金屬氧化物細粒沒有溶解在甲苯中，所以不能夠評價其分散穩(wěn)定性。
實施例5 將3μL(基于100重量份有機氫硅氧烷，為2.0×10-3重量份)作為氫化硅烷化催化劑的鉑-二乙烯基硅氧烷絡合物溶液(鉑濃度2重量％)，添加至0.4g(基于100重量份有機氫硅氧烷，為3.4重量份鋯粒子)實施例1的含有表面處理后的氧化鋯粒子的油、10mL甲苯和3.1g有機氫聚硅氧烷[式(IV)表示的化合物，其中所有R3為甲基，c為約50，平均分子量4,000，SiH基團當量0.4mmol/g]的混合物中。接著在80℃下攪拌30分鐘。然后，通過減壓蒸發(fā)除去溶劑從而獲得含有分散于其中的表面處理后的氧化鋯粒子的硅樹脂組合物。
實施例6 按與實施例5相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.4g實施例2的油替代實施例5中使用的0.4g實施例1的油，由此獲得含有分散于其中的表面處理后的氧化鋯粒子的硅樹脂組合物?；?00重量份有機氫硅氧烷，表面處理后的金屬氧化物細粒的含量為7.2重量份鋯粒子。
實施例7 按與實施例5相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.4g實施例3的油替代實施例5中使用的0.4g實施例1的油，由此獲得含有分散于其中的表面處理后的二氧化硅粒子的硅樹脂組合物。基于100重量份有機氫硅氧烷，表面處理后的金屬氧化物細粒的含量為3.4重量份二氧化硅粒子。
實施例8 按與實施例5相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.4g實施例4的油替代實施例5中使用的0.4g實施例1的油，由此獲得含有分散于其中的表面處理后的氧化鋯粒子的硅樹脂組合物?；?00重量份有機氫硅氧烷，表面處理后的金屬氧化物細粒的含量為3.1重量份鋯粒子。
比較例3 按與實施例5相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.4g比較例2的油替代實施例5中使用的0.4g實施例1的油，由此獲得含有分散于其中的表面處理后的氧化鋯粒子的硅樹脂組合物?；?00重量份有機氫硅氧烷，表面處理后的金屬氧化物細粒的含量為3.5重量份的鋯粒子。
耐光性 按照以下方法評價所獲得的硅樹脂組合物的耐光性和透光性能。結果示于表2中。
耐光性 用各種硅樹脂組合物來灌封封裝藍色LED元件，并通過將所述樹脂在100℃下加熱30分鐘，然后在150℃下加熱1小時，使之完全固化，從而制造LED裝置。使300mA電流通過所得LED裝置，并視覺觀察直接在試驗開始后的封裝樹脂的狀態(tài)。然后，讓LED元件處于點亮狀態(tài)，并且視覺觀察在經過300小時后的封裝樹脂的狀態(tài)。沒有觀察到改變的情況被評級為“A”，樹脂變色的情況被評級為“B”。
透光性能 通過分光光度計(U-4100，株式會社日立高新技術(HitachiHigh-Technologies Corporation)制造)，測量在450nm波長下各種硅樹脂組合物的透光率(％)，從而評價透光性能。在這一點上，作為測量樣品，使用通過將配合油和各種硅樹脂組合物夾在兩個玻璃板之間獲得的樣品，使得不受光散射的影響。
表2 結果，發(fā)現(xiàn)含有分散于其中的表面處理后的金屬氧化物細粒的實施例的樹脂組合物表現(xiàn)出高的透光率并且耐光性優(yōu)異。
式(II)[1-乙烯基-7-(三甲氧基)甲硅烷氧基-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四硅氧烷]的合成例1 其通過下面所示的反應制備。
[化學式]
第一步驟 向茄型燒瓶中添加79.51g(0.36mol)六甲基環(huán)三硅氧烷。用氮氣清洗所述裝置內部，并通過注射器將33.86mL無水乙腈和2.75mL作為催化劑的無水DMF添加至其中。然后，向其中添加43.12g(0.36mol)二甲基氯乙烯基硅烷，接著在室溫(25℃)下攪拌3小時。在反應后，在55～58℃的蒸餾溫度和0.2mmHg的壓力條件下進行蒸發(fā)，從而獲得無色透明液體1-乙烯基-7-氯-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四硅氧烷(收率48％)。所得化合物的結構通過1H-NMR得到確認。
第二步驟 向茄型燒瓶中添加250g蒸餾水、20g碳酸氫鈉和175mL二乙醚(d＝0.72)，最后添加135g冰。在將所述燒瓶在冰浴中冷卻的同時，滴加50g(0.15mol)上面獲得的反應產物。滴加后，在室溫(25℃)下劇烈攪拌所述混合物約2小時。反應后，將反應液體轉移至分液漏斗中，分離出二乙醚相，并用二乙醚萃取水相三次。利用添加硫酸鎂來干燥所得二乙基醚溶液，接著進行過濾。然后，通過真空蒸發(fā)除去溶劑，從而獲得無色透明液體1-乙烯基-7-羥基-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四硅氧烷(產量43.5g，收率92.0％)。所得化合物的結構通過1H-NMR得到確以。
第三步驟 在氮氣下向茄型燒瓶中添加20g(0.06mol)上面獲得的反應產物和28.13g(0.18mol)四甲氧基硅烷?；旌虾螅ㄟ^注射器添加0.36g(0.0061mol)作為催化劑的異丙胺。然后，在100℃下攪拌3小時后，在60～70℃的蒸餾溫度和0.1mmHg的壓力條件下進行蒸餾，從而獲得無色透明液體1-乙烯基-7-(三甲氧基)甲硅烷氧基-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四硅氧烷[式(II)的化合物A](產量18.4g，收率67.3％)。所得化合物的結構通過1H-NMR得到確認。
式(II)[1-乙烯基-3-(三甲氧基)甲硅烷氧基-1，1-二甲基二硅氧烷]的合成例2 在上述式(II)的化合物A的第三步驟的反應中，以類似方式進行反應，不同之處在于使用6g(0.06mol)1-乙烯基-1-羥基-1，1-二甲基二硅氧烷替代1-乙烯基-7-羥基-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四硅氧烷，從而獲得無色透明液體1-乙烯基-3-(三甲氧基)甲硅烷氧基-1，1-二甲基二硅氧烷[式(II)的化合物B](產量13.3g，收率70％)。所得化合物的結構通過1H-NMR得到確認。
實施例9 在將0.81g氧化鋯水性分散體(固體濃度40重量％，平均粒徑7nm)用3g乙醇稀釋后，向其中添加通過將1.69g(3.8mmol)(基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，為522重量份)在上文中合成的式(II)的化合物A溶解在10g異丙醇中而獲得的溶液，接著在室溫(25℃)下攪拌20小時。然后，通過減壓蒸發(fā)除去溶劑，從而獲得含有氧化鋯粒子的油(透明)，所述氧化鋯粒子具有鍵合至表面的1-乙烯基-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四甲硅烷氧基甲硅烷基。在表面處理后氧化鋯粒子的平均粒徑為7nm。
實施例10 按與實施例9相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.85g(3.8mmol)(基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，為262重量份)在上文中合成的式(II)的化合物B替代實施例9中使用的1.69g(3.8mmol)式(II)的化合物A，由此獲得含有氧化鋯粒子的油(透明)，所述氧化鋯粒子具有鍵合至表面的1-乙烯基-1，1-二甲基二甲硅烷氧基甲硅烷基。在表面處理后氧化鋯粒子的平均粒徑為7nm。
實施例11 按與實施例9相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.85g(1.9mmol)(基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，為262重量份)式(II)的化合物A和0.23g(1.9mmol)甲基(三甲氧基)硅烷替代實施例9中使用的1.69g(3.8mmol)式(II)的化合物A，由此獲得含有氧化鋯粒子的油(透明)，所述氧化鋯粒子具有均鍵合至表面的1-乙烯基-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四甲硅烷氧基甲硅烷基和甲基甲硅烷基。在表面處理后氧化鋯粒子的平均粒徑為7nm。
實施例12 按與實施例9相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.81g二氧化硅水性分散體(固體濃度40重量％，平均粒徑10nm)替代實施例9中使用的0.81g氧化鋯水性分散體，由此獲得含有二氧化硅粒子的油(透明)，所述二氧化硅粒子具有鍵合至表面的1-乙烯基-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四甲硅烷氧基甲硅烷基。在表面處理后二氧化硅粒子的平均粒徑為10nm。此外，基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，1-乙烯基-7-(三甲氧基)甲硅烷氧基-1，1，3，3，5，5，7，7-八甲基四硅氧烷的用量為522重量份。
比較例4 按與實施例9相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.89g(3.8mmol)(基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，為275重量份)7-辛烯基(三甲氧基)硅烷替代實施例9中使用的1.69g(3.8mmol)式(II)的化合物A，由此獲得含有氧化鋯粒子的油(透明)，所述氧化鋯粒子具有鍵合至表面的7-辛烯基甲硅烷基。在表面處理后氧化鋯粒子的平均粒徑為7nm。
比較例5 按與實施例9相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.56g(3.8mmol)(基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，為173重量份)乙烯基(三甲氧基)硅烷替代實施例9中使用的1.69g(3.8mmol)式(II)的化合物A，由此獲得含有氧化鋯粒子的油(透明)，所述氧化鋯粒子具有鍵合至表面的乙烯基甲硅烷基。在表面處理后氧化鋯粒子的平均粒徑為7nm。
比較例6 按與實施例9相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.85g(3.8mmol)(基于100重量份待表面處理的金屬氧化物細粒，為262重量份)對苯乙烯基(三甲氧基)硅烷替代實施例9中使用的1.69g(3.8mmol)式(II)的化合物A，由此獲得含有氧化鋯粒子的油(透明)，所述氧化鋯粒子具有鍵合至表面的對苯乙烯基甲硅烷基。在表面處理后氧化鋯粒子的平均粒徑為7nm。
按照以下方法評價表面處理后所獲得的金屬氧化物細粒的溶解性和可再分散性。結果示于表3中。
溶解性 將各種所獲得的含有表面處理后的金屬氧化物細粒的油分別添加至己烷、甲苯、丙酮、異丙醇和甲醇溶劑中，從而使得細粒的濃度變成2重量％，并且將整體攪拌。然后，所得溶液處于透明狀態(tài)的情形被評級為“A”，溶液混濁的情形被評級為“B”。
可再分散性 將各種所獲得的含有表面處理后的金屬氧化物細粒的油溶解在甲苯中，然后在減壓下于80℃下加熱1小時的同時通過蒸發(fā)完全除去溶劑。然后，當將殘余物再次溶解在甲苯中時，使得細粒的濃度變成2重量％，所得溶液處于透明狀態(tài)的情形被評級為“A”，溶液處于半透明狀態(tài)的情形被評級為“B”，溶液混濁的情形被評級為“C”。

結果，發(fā)現(xiàn)表面處理后的實施例9～12的金屬氧化物細粒對各種溶劑表現(xiàn)出高的溶解性。
然后，制備含有所獲得金屬氧化物細粒的樹脂組合物。
實施例13 將3μL(基于100重量份有機氫硅氧烷，鉑含量為2.1×10-3重量份)鉑-二乙烯基硅氧烷絡合物溶液(鉑濃度2重量％)，添加至0.4g(基于100重量份有機氫硅氧烷，為3.4重量份鋯粒子)實施例9的含有表面處理后的氧化鋯粒子的油、10mL甲苯和2.86g有機氫聚硅氧烷[式(IV)表示的化合物，其中所有R3為甲基，c為約50，平均分子量4,000，SiH基團當量0.4mmol/g]的混合物中，接著在室溫下攪拌30分鐘。然后，通過減壓蒸發(fā)除去溶劑，從而獲得含有分散于其中的表面處理后的氧化鋯粒子的硅樹脂組合物。
實施例14 按與實施例13相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.4g實施例10的油替代實施例13中使用的0.4g實施例9的油，由此獲得含有分散于其中的表面處理后的氧化鋯粒子的硅樹脂組合物?；?00重量份有機氫硅氧烷，表面處理后的金屬氧化物細粒的含量為3.3重量份鋯粒子。
實施例15 按與實施例13相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.4g實施例11的油替代實施例13中使用的0.4g實施例9的油，由此獲得含有分散于其中的表面處理后的氧化鋯粒子的硅樹脂組合物?；?00重量份有機氫硅氧烷，表面處理后的金屬氧化物粒子的含量為6.8重量份鋯粒子。
實施例16 按與實施例13相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.4g實施例12的油替代實施例13中使用的0.4g實施例9的油，由此獲得含有分散于其中的表面處理后的二氧化硅粒子的硅樹脂組合物?；?00重量份有機氫硅氧烷，表面處理后的金屬氧化物細粒的含量為3.4重量份二氧化硅粒子。
比較例7 按與實施例13相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.4g比較例4的油替代實施例13中使用的0.4g實施例9的油，由此獲得含有分散于其中的表面處理后的氧化鋯粒子的硅樹脂組合物?；?00重量份有機氫硅氧烷，表面處理后的金屬氧化物細粒的含量為3.4重量份鋯粒子。
比較例8 按與實施例13相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.4g比較例5的油替代實施例13中使用的0.4g實施例9的油，由此獲得含有分散于其中的表面處理后的氧化鋯粒子的硅樹脂組合物?；?00重量份有機氫硅氧烷，表面處理后的金屬氧化物細粒的含量為3.4重量份鋯粒子。
比較例9 按與實施例13相同的方式進行反應，不同之處在于使用0.4g比較例6的油替代實施例13中使用的0.4g實施例9的油，由此獲得含有分散于其中的表面處理后的氧化鋯粒子的硅樹脂組合物?；?00重量份有機氫硅氧烷，表面處理后的金屬氧化物細粒的含量為3.4重量份鋯粒子。
按照以下方法評價所獲得的硅樹脂組合物的耐光性、透光性能和耐熱性。結果示于表4中。
耐光性 用各種硅樹脂組合物來灌封封裝藍色LED元件，并通過將所述樹脂在100℃下加熱30分鐘，然后在150℃下加熱1小時，使之完全固化，從而制造LED裝置。使300mA電流通過所得LED裝置，并視覺觀察直接在試驗開始后的封裝樹脂的狀態(tài)。然后，讓LED元件處于點亮狀態(tài)，并且視覺觀察在經過300小時后的封裝樹脂的狀態(tài)。沒有觀察到改變的情形被評級為“A”，樹脂變色的情形被評級為“B”。
透光性能 通過分光光度計(U-4100，株式會社日立高新技術制造)，測量在450nm波長下各種硅樹脂組合物的透光率(％)，從而評價透光性能。在這一點上，作為測量樣品，使用通過將配合油和各種硅樹脂組合物夾在兩個玻璃板之間而獲得的樣品，使得不受光散射的影響。
耐熱性 按與上述評價透光性能相同的方式測量在200℃下加熱100小時后的各種硅樹脂組合物的透光率，并且計算測量值與加熱前的值即在透光性能試驗時測量的值之比(加熱后的透光率/加熱前的透光率×100)(％)。比值為95％以上的情形被評級為“A”，比值小于95％的情形被評級為“B”。
表4 結果，發(fā)現(xiàn)實施例的含有分散于其中的表面處理后的金屬氧化物細粒的樹脂組合物在耐光性、透光性能和耐熱性方面是優(yōu)異的。
盡管已經參考其具體實施方案詳細描述了本發(fā)明，但對本領域技術人員來說顯而易見，可以在其中作出各種改變和修正而不背離本發(fā)明的精神和范圍。
順便提及，本申請是基于2009年2月26日提交的日本專利申請2009-044302號和2009年7月24日提交的日本專利申請2009-173386號，所述內容通過參考并入本文。
此外，本文引用的所有參考文獻全部并入本文。
所述金屬氧化物細粒在被包含于封裝樹脂組合物中后，例如適合用于制造液晶顯示器、交通信號、戶外大型顯示器和廣告牌的背光用半導體元件。
權利要求
1.一種金屬氧化物細粒，其經含有硅化合物的表面處理劑處理，所述硅化合物具有碳原子數(shù)2～20的烯基。
2.根據(jù)權利要求1的金屬氧化物細粒，其中所述具有碳原子數(shù)2～20的烯基的硅化合物是式(I)表示的化合物
其中R1表示碳原子數(shù)2～20的烯基，X表示烷氧基、芳氧基、環(huán)烷氧基、鹵素原子或乙酰氧基，條件是所有X可以相同或不同。
3.根據(jù)權利要求1的金屬氧化物細粒，其中所述具有碳原子數(shù)2～20的烯基的硅化合物是式(II)表示的化合物
其中X表示烷氧基、芳氧基、環(huán)烷氧基、鹵素原子或乙酰氧基，n表示1～100的整數(shù)，條件是所有X可以相同或不同。
4.根據(jù)權利要求2的金屬氧化物細粒，其中待表面處理的金屬氧化物細粒是由選自氧化鋯、二氧化鈦、氧化鋅、二氧化硅和氧化鋁中的至少一種構成的細粒。
5.根據(jù)權利要求3的金屬氧化物細粒，其中待表面處理的金屬氧化物細粒是由選自氧化鋯、二氧化鈦、氧化鋅、二氧化硅和氧化鋁中的至少一種構成的細粒。
6.根據(jù)權利要求2的金屬氧化物細粒，其中表面處理后的金屬氧化物細粒具有1～100nm的平均粒徑。
7.根據(jù)權利要求3的金屬氧化物細粒，其中表面處理后的金屬氧化物細粒具有1～100nm的平均粒徑。
8.一種硅樹脂組合物，其通過使根據(jù)權利要求2的金屬氧化物細粒與有機氫硅氧烷反應而獲得。
9.一種硅樹脂組合物，其通過使根據(jù)權利要求3的金屬氧化物細粒與有機氫硅氧烷反應而獲得。
10.根據(jù)權利要求8的硅樹脂組合物，其中所述有機氫硅氧烷是選自式(III)表示的化合物和式(IV)表示的化合物中的至少一種
其中A、B和C為構成單元，其中A表示末端單元，B和C表示重復單元，R2表示一價烴基，a表示0或者1以上的整數(shù)，b表示2以上的整數(shù)，條件是所有R2可以相同或不同，
其中R3表示一價烴基，c表示0或者1以上的整數(shù)，條件是所有R3可以相同或不同。
11.根據(jù)權利要求9的硅樹脂組合物，其中所述有機氫硅氧烷是選自式(III)表示的化合物和式(IV)表示的化合物中的至少一種
其中A、B和C為構成單元，其中A表示末端單元，B和C表示重復單元，R2表示一價烴基，a表示0或者1以上的整數(shù)，b表示2以上的整數(shù)，條件是所有R2可以相同或不同，
其中R3表示一價烴基，c表示0或者1以上的整數(shù)，條件是所有R3可以相同或不同。
12.一種光半導體元件封裝材料，其包含根據(jù)權利要求8的硅樹脂組合物。
13.一種光半導體元件封裝材料，其包含根據(jù)權利要求9的硅樹脂組合物。
14.一種光半導體裝置，其包含用根據(jù)權利要求8的硅樹脂組合物封裝的光半導體元件。
15.一種光半導體裝置，其包含用根據(jù)權利要求9的硅樹脂組合物封裝的光半導體元件。
16.一種光半導體裝置，其包含用根據(jù)權利要求12的光半導體元件封裝材料封裝的光半導體元件。
17.一種光半導體裝置，其包含用根據(jù)權利要求13的光半導體元件封裝材料封裝的光半導體元件。
18.根據(jù)權利要求1的金屬氧化物細粒，其中待表面處理的金屬氧化物細粒是由選自氧化鋯、二氧化鈦、氧化鋅、二氧化硅和氧化鋁中的至少一種構成的細粒。
全文摘要
本發(fā)明涉及金屬氧化物細粒、硅樹脂組合物及其用途，所述金屬氧化物細粒經含有硅化合物的表面處理劑處理，所述硅化合物具有碳原子數(shù)2～20的烯基，還涉及通過使所述金屬氧化物細粒與有機氫硅氧烷反應而獲得的硅樹脂組合物，含有所述硅樹脂組合物的光半導體元件封裝材料，和包含用所述硅樹脂組合物或光半導體元件封裝材料封裝的光半導體元件的光半導體裝置。
文檔編號C08K9/06GK101818001SQ20101012561
公開日2010年9月1日 申請日期2010年2月26日 優(yōu)先權日2009年2月26日
發(fā)明者藤井春華, 尾崎孝志, 片山博之 申請人:日東電工株式會社