專利名稱：印刷電路板基板中,增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及印刷電路板基板，特別涉及印刷電路板基板中，增加導電體與非導電 高分子介電層之間結(jié)合力的方法。
背景技術(shù)：
印刷電路板(PCB)作為各種元器件的載體與電路信號傳輸?shù)臉屑~，已經(jīng)成為電 子信息產(chǎn)品最重要的部分。隨著電子信息產(chǎn)品的小型化以及無鉛無鹵化的環(huán)保要求，PCB 也向高密高玻璃轉(zhuǎn)化點(Tg)以及環(huán)保的方向發(fā)展。尤其近年來，隨著人們環(huán)境保護意識 的增強，鹵素阻燃劑作為印刷電路基板的主要基材，其廢棄物的燃燒產(chǎn)物中釋放二惡英 (Dioxin)、二苯并呋喃(Dibenxofuran)等致癌物質(zhì)，以及含鹵產(chǎn)品在燃燒過程發(fā)煙量很 大、會釋放出劇毒物質(zhì)鹵化氫等問題日益突出，并受到廣泛關(guān)注。與之同時，無鹵阻燃劑逐 漸替代鹵素阻燃劑，成為印刷電路的主要基材。然而，在多層印刷電路板基板中，隨著越來越多的使用較高的玻璃轉(zhuǎn)化點(high Tg)與無鹵板材，常常會導致層與層之間結(jié)合力不足，從而造成爆板。PCB基板一般是由非導體或絕緣層如玻纖/環(huán)氧樹脂與上下各一層的銅或銅 合金壓合而成。多層線路板主要是由具有線路的內(nèi)層、介電絕緣材料與上下兩片銅面經(jīng) 由高溫高壓產(chǎn)生。而介電絕緣材料通常為部份烤干的B態(tài)樹脂(B-Stage resin)被稱為 Prepreg0由于未經(jīng)過處理的銅面不會與介電層產(chǎn)生良好的結(jié)合力，因此產(chǎn)生各種銅層的表 面處理方法以增加銅層與介電層的結(jié)合力。其中，主要有水平棕化法和黑化法。其中，棕化的反應機理是2Cu+H2S04+H202+nR1+nR2 — CuS04+2H20+Cu (R^R2)在棕化槽內(nèi)，由于H2O2的微蝕作用，使基體銅表面立即沉積上一層簿薄的有機金 屬膜，增加PP與銅面的結(jié)合力。然而，棕化面的微觀粗糙度不良，壓合后測試結(jié)合力差而導 致爆板。黑化因Cu2O容易形成長針狀或羽毛狀結(jié)晶，在高溫時易于折斷而大大影響銅與樹 脂間的附著力，并隨流膠而使黑點流散在扳中形成電性問題，而且也容易出現(xiàn)水份而形成 高熱后局部的分層爆板。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)之不足，本發(fā)明提供了在印刷電路板基板中，增加導電體與非 導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，該方法在原始方法的基礎(chǔ)上，增加了一道工序，從而 增加了導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力，降低了因?qū)щ婓w與非導電高分子介電層 之間結(jié)合力不足，而造成爆板問題。本發(fā)明的技術(shù)方案如下印刷電路板基板中，增加導電體與非導電高分子介電層 之間結(jié)合力的方法，包括先在導電體表面上做粗糙處理，粗糙處理后將所述導電體浸泡在體積濃度為0. 01% 100%的硅烷溶液數(shù)秒至數(shù)分鐘，或直接在所述導電體表面噴灑體積 濃度為0. 01% 100%硅烷溶液，從而在其表面增加一層硅烷層。所述的導電體為金、銀、錫、鉛、鋁、鐵、鈷、鎳、鉻、銅或鋅材質(zhì)。所述非導電高分子介電層為玻璃纖維與環(huán)氧數(shù)脂(epoxy resin)或酚醛樹脂 (phenol resin)組成的材質(zhì)，其具有FR-4、絕緣、無鹵、High Tg特性。所述非導電高分子介電材料選自聚四氟乙烯、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚氰酸酯樹 脂、對苯二甲酸丁二酯樹酯中的一種或上述幾種的混合物。所述導電體在所述硅烷溶液中浸泡的施工方式是水平線傳動或垂直浸泡作業(yè)。所述粗糙處理為物理刷磨，H2O2M2SO4安定劑的化學微蝕、NA2S208/H2S04微蝕、 KHSO5 · KHSO5 · K2S04/H2S04 微蝕、KHSO5 · KHSO5 · K2S04/H3P04 微蝕、中粗、超粗、黑化、第一代 H2SO4系統(tǒng)棕化或第二代硝酸/甲酸系統(tǒng)棕化。所述硅烷溶液是硅烷溶于水、醇類溶劑、酮類溶劑、酯類溶劑或苯類溶劑所得的溶 液。所述硅烷層的主要物質(zhì)為硅烷、硅烷衍生物、咪唑_硅烷復合物、咪唑_硅烷復合 物衍生物、咪唑_硅烷-有機酸鹽復合物、咪唑_硅烷-有機酸鹽復合物衍生物、有機環(huán)硅 烷或有機環(huán)硅烷衍生物。所述硅烷的通式為Y(CH2)nSiX3,其中，η = 0 20 ；X代表鹵素基、甲氧基、乙氧
基、烷氧基、甲氧基乙氧基或乙酰氧基；Y代表乙烯基、氨基、環(huán)氧基、甲基丙烯酰氧基、巰基 或脲基。所述硅烷按官能基團分類，選自環(huán)氧基硅烷(印oxysilane)、乙烯基硅 燒(vinylsilane)、丙烯基娃燒(acrylsilane)、氨基娃酸(aminosilane)、巰基娃燒 (mercaptosilane)、娃酸酉旨娃燒(estersilane)、脲基娃燒(ureidosilane)、異氰酸基 硅烷(isocyanatosilane)聚乙烯基硅烷(polyvinylsilane)、甲基丙烯酰氧基硅烷 (methacryloxysilane)禾口(chlorosilane) >(siloxane)巾白勺—禾中禾中 的混合物。所述硅烷選自甲基三甲氧基硅烷(methyltrimethoxysilane)、乙基三甲氧基 娃燒(ethy ltrimethoxy si lane)、丙基三甲氧基娃燒(propyltrimethoxysilane)、正 丁基三甲氧基硅烷(n-butyltrimethoxysi lane)、異丁基三甲氧基硅烷(isobutyltri methoxysilane)、苯基三甲氧基娃燒(penty ltrimethoxy si lane)、已基三甲氧基娃 燒(hexy ltrimethoxy si lane)、辛基三甲氧基娃燒(octy ltrimethoxy si lane)、7_ 辛 烯-I-基三甲氧基硅烷(7-oct-l-enyltrimethoxysilane)、對甲基苯基三甲氧基硅烷 (p-(methyl)phenyltrimethoxysilane)、3_ 環(huán)戊并二烯丙基三甲氧基燒基(3-cyclopent adieny lpropy ltrimethoxy si lane)、乙 j；?；籽趸?；^ (viny ltrimethoxy si lane)、 烯丙基三甲氧基硅烷(allyltrimethoxysilane)、3_甲氧基甲氧基丙基硅烷 (methoxypropyltrimethoxysilane)、甲基三乙氧基娃燒(methy ltriethoxy si lane)、乙基 三乙氧基娃燒(ethy ltriethoxy si lane)、丙基三乙氧基娃燒(propy ltriethoxy si lane)、正 丁基三乙氧基娃燒(n-butyltriethoxysilane)、異丁基三乙氧基娃燒(isobutyltriethox ysilane)、異丁基三甲氧基硅烷(isobutyltrimethoxysilane)、苯基三乙氧基硅烷(ρ enty ltriethoxy si lane)、苯基三甲氧基娃燒(penty ltrimethoxy si lane)、己基三乙氧基
11娃燒(hexyltriethoxysilane)、已基三甲氧基娃燒(hexyltrimethoxysilane)、辛基三 乙氧基娃燒(octyltriethoxysilane)、辛基三甲氧基娃燒(octy ltrimethoxy si la ne)、 7-辛烯-1-基三乙氧基硅烷(7-oct-l-enyltriethoxysilane)、7-辛烯基三甲 氧基硅烷(7-oct-l-enyltrimethoxysilane)、對甲基苯基三乙氧基硅烷(p-(methyl) pheny ltriethoxy si lane)、對甲基苯基三甲氧基娃燒(p- (methyl) pheny ltrimethoxysil ane)、3—環(huán)戊并二 j；希丙基三乙氧基；^基(3~cyc lopentadieny lpropy ltriethoxy si Ian e)、3_ 環(huán)戊并 ^j；希丙基三甲氧基；^基(3-cyc lopentadieny lpropy ltrimethoxy si lane)、 乙烯基三乙氧基硅烷(vinyltriethoxysilane)、乙烯基三甲氧基硅烷(vinyltrimethox ysilane)、烯丙基三乙氧基硅烷(allyltriethoxysilane)、烯丙基三甲氧基硅烷 (allyltrimethoxysilane)、3_ 乙氧基甲氧基丙基 ；^ (methoxypropyltriethoxysilane)； 3甲氧基甲氧基丙基硅烷(methoxypropyltrimethoxysilane)、甲基三異丙氧基硅烷 (methy ltriisopropoxy si lane)、乙基三異丙氧基娃燒(ethy ltriisopropoxy si lane)、 丙基三異丙氧基娃燒(propyltriisopropoxysilane)、乙烯基三異丙氧基娃燒(viny ltriisopropoxy si lane)、三叔丁氧基乙 j；?；逕?viny ltris-t-butoxy si lane) > H M 丙烷三甲氧基硅烷(3,3, 3-trif luoropropyltrimethoxysilane)、十三氟辛基三乙氧 基硅烷(tridecafluoroctyltriethoxysilane)、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷 (vinyltris (2-methoxyethoxy) silane) > 乙烯基三氯娃燒(vinyltrichlorosilane) > 乙烯基二甲氧基甲基硅烷(Vinyldimethoxymethylsilane)、乙烯基二乙氧甲基硅烷 (vinyldiethoxy methylsilane)、3_ j；希丙氧丙基三甲氧基(3~acryloxypropyItrimetho xysilane)、甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷(3methacryloxypropylmethyldietho xysilan e)、3_甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(3methacryloxypropylmethyldi methoxysilane)、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(3-methacryloxypropyltrimet hoxysilane)、3_(甲基丙烯酰氧)丙基三乙氧基硅烷(3-methacryloxypropyltrietho xysilane)、3-縮水甘油丙基三甲氧基娃燒(3-glycidoxypropy ltrimethoxysi lane)、 β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己烷)乙基三甲氧基硅烷(2-(3，^poxycyclohexyl)ethyltrimethoxy silane)、N-(2-胺乙基)-3-胺丙基三甲氧硅烷(N_2_(aminoethyl) -3-aminopropyltr i methoxysilane)、N-(2-胺乙基)-3_ 胺丙基甲基二甲氧硅烷(N_2_ (aminoethyl) _3_a minopropy lmethy ldimethoxy si lane)、3-胺丙基甲基三甲氧娃燒(3-aminopropyltri methoxysilane)、3-胺丙基甲基三乙氧娃燒(3-aminopropy ltriethoxy si lane)、Y -氨 丙基三乙氧基娃燒(3-aminopropyl) triethoxysilane) > Y _氨丙基二甲氧基甲基娃燒 (3-aminopropyl) dimethoxymethylsilane) > Y -氨丙基二甲氧基乙基娃燒(3-aminopr opyl) diethoxymethylsilane) > N- (2- M Zi S "3- M M S "3- ￥ fi S ^υ (N- (2-amino ethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane)、N_ 甲基氨丙基三甲氧基娃燒(N-methyla minopropy ltrimethoxy si lane)、N_ 甲基氨丙基三乙氧基娃燒(N-methy laminopropy ltriethoxysi lane)、3_ 月尿丙基三乙氧基 燒(3-ureidopropy ltriethoxy si lane)、3_ ^fi 丙基三甲氧基硅烷(3-Mercaptopropyltriethoxysilane)、3-(4-苯酯)丙基三甲氧 ^？ ± (3- (4-cyanatophenyl) propyltrimethoxysilane) Zj M M ^ Zj M- ±(pol yvinyl trimethyl silane)N-苯基-3-胺丙基甲基三甲氧娃(N-phenyl-3-aminopro py ltrimethoxy si lane)、3_疏丙基三甲氧基；^ (3-mercaptopropy ltrimethoxy si Iane)、3-氯丙基三甲氧基硅烷(3-chloropropyltrimethoxysilane)、四甲氧基硅烷(tet ramethoxysilane)、四乙氧基 @ (tetraethoxysilane)、四丙氧基 @ (tetraprop oxysilane)、四丁氧基硅烷(tetra-n-butoxysilane)、二乙氧基甲基[(3_環(huán)氧乙烷基甲 氧)丙基](gamma-glycidoxypropy lmethy ldimethoxysi lane) 、3_縮水甘油醚氧基丙 基五甲基二娃焼(gamma-glycidoxypropyIpylpentamethyIdisi lane) 、3_縮水甘油醚氧基 丙基甲基二乙氧基娃焼(gamma-glycidoxypropyImethyldiethoxys ilane) 、3_縮水甘油醚 氧基丙基二 甲基二 乙氧基娃燒(gamma-glycidoxypropy Idi methy lethoxysi lane)或 3_ 縮 水甘油醚氧基丙基_雙三甲基硅氧基甲基硅烷((gamma-glycidoxypropyl) -bis (trimethy lsiloxy)methylsilane)中的一種或幾種的混合物。 所述咪唑硅烷復合物為咪唑與硅烷經(jīng)過80 20(TC反應所得到的混合物或咪唑 與硅烷衍生物經(jīng)過80 200°C反應所得到的混合物，其中，所述咪唑的化學式為 所述硅烷或硅烷衍生物的化學式為 反應產(chǎn)物為 和丨ο
R1I
NCH^HCH^iCH^KOR^R5)^^
R1
RWoR4Vd Si(CH2)3OCH2CHCH2N
OH
RZ
的混合物；
其中，其中，R1、R2和R3代表氫基、烯基、酚基、苯基或1 20個碳的烷基取代基， R2> R3可形成芳香環(huán)，R4> R5代表1 5個碳的烷基取代基，而η代表1 3。所述硅烷為所述化合物(3)、(4)和(5)的混合物或其中的一種。所述咪唑選自咪唑(imidazole)、氨基咪唑(aminoimidazole)、二氨 基咪唑(diaminoimidazole)、單甲基咪唑(monomethylimidazole)、2-烷基咪 唑(2-alkylimidazole)、2，4- 二燒基咪唑(2，4-dialkylimidazole)、4_ 乙烯 基咪唑(4-vinylimidazole)、2-甲基咪唑(2-methylimidazole)、2_ 乙基咪唑 (2-ethylimidazole)、2- -j——烷基咪唑(2-undecylimidazole0、2_ 十七烷基咪唑 (2-heptadecylimidazole)、苯并咪唑(benzimidazole)、苯并三氮唑(benzotriazole)、口比 啶(pridine)、2-乙基-4-甲基咪唑(2-ethyl-4-methylimidazole)中的一種或幾種混合 物。所述咪唑硅烷復合物中的硅烷選自3-縮水甘油丙基三甲氧基硅烷(3-glycidox ypropyltrimethoxysilane)、3 縮水甘油丙基二燒氧基娃燒(3-glycidoxypropyIdialkox ysilane)、3_ 縮水甘油丙基乙氧基二甲基娃燒(3-glycidoxypropylethoxydimethylsilan e)、3_縮水甘油丙基烷氧基二烷基硅烷(3-glycidoxypropylalkoxydialkylsilane)中的 一種或幾種混合物。所述(3)、(4)和(5)的混合物還與下述化合物混合， 其中，R6、R7、R8代表氫基、烯基、酚基、苯基或是1 20個碳的烷基取代基，R7> R8 可形成芳香環(huán)，R9> R10可能是1 5個碳的烷基取代基，而ο代表1 10，ρ代表1 3。所述咪唑_硅烷-有機酸鹽復合物為咪唑_硅烷復合物和有機酸鹽的反應產(chǎn)物； 所述咪唑_硅烷-有機酸鹽復合物衍生物為咪唑_硅烷衍生物和有機酸鹽的反應產(chǎn)物，其中，所述咪唑的化學式為 所述硅烷的化學式為 所述咪唑_硅烷復合物或咪唑_硅烷復合物衍生物的化學式為 所述咪唑_硅烷-有機酸復合物或所述咪唑_硅烷-有機酸復合物衍生物的化學
式為 其中，R1、R2和R3代表氫基、烯基或1 20個碳的烷基取代基，R2、R3還代表芳香 環(huán)基，R4、R5代表1 5個碳的烷基取代基，m代表1 10，而η代表1 3。所述咪唑選自咪唑(imidazole)、2_烷基咪唑(2-alkylimidazole)、2， 4- 二烷基咪唑(2,4-dialkylimidazole)、4_ 乙烯基咪唑(4-vinylimidazole)、、苯 并咪唑(benzimidazole)、苯并三氮唑(benzotriazole)、吡啶(pridine) ,2-甲基 咪唑(2-methylimidazole)、2-乙基咪唑(2-ethylimidazole)、2- ^——烷基咪唑 (2-undecylimidazole)、2_十七烷基咪唑(2_h印tadecylimidazole)、2_ 乙基-4-甲基咪唑 (2-ethyl-4_methylimidazole)中的一種或幾種的混合物。所述硅烷選自3-縮水甘油丙基三烷氧基硅烷 (3-glycidoxypropyltrialkoxysila nes)、3_縮水甘油丙基二烷氧基烷基硅烷(3-glycido xypropyldialkoxyalkylsilane s)、3_ 縮水甘油丙基燒氧基二燒基娃燒(3-glycidoxypro pylalkoxydialkylsi lanes)、3_ 縮水甘油丙基三甲氧基娃燒(3-glycidoxypropyItrimeth oxysilane)、3_ 縮水甘油丙基三乙氧基娃燒(3-glycidoxypropyltriethoxysilane)、3_ 縮 水甘油丙基二烷氧基烷基硅烷(3-glycidoxypropyldialkoxyalkylsilane)、3_縮水甘油 丙基二甲乙氧基甲基硅烷(3-glycidoxypropyldimethoxymethylsilane)、3_縮水甘油丙 基烷氧基烷基硅烷(3-glycidoxypropylalkoxydialkylsilane)或3_縮水甘油丙基乙氧基 二甲基硅烷(3-glycidoxypropylethoxydimethylsilane)中的一種或幾種的混合物。所述咪唑_硅烷-有機酸復合物或咪唑_硅烷-有機酸復合物衍生物中所述有機 酸為有機單羧酸、飽和脂肪單羧酸、不飽和脂肪單羧酸或芳香簇單羧酸或其類似物。所述有機酸為丙烯酸、異丁酸、甲基丙烯酸、辛酸、甲酸、乙醛酸、巴豆酸、乙酸、丙 酸、苯甲酸、水楊酸、環(huán)己烷羧酸、鄰甲基苯甲酸、苯乙酸或?qū)κ宥』郊姿嶂械囊环N或幾種 的混合物。所述有機酸為甲基丙烯酸。所述硅烷為有機環(huán)硅烷(organosi licic si lane)或有機環(huán)硅衍生物與烯烴基硅 烷(olefin-based silane)在40 90°C的升溫攪拌2hrs后反應產(chǎn)生，反應式如下

其中，R1代表是羥基或1 5個碳的烷基取代基；R2代表氫基或1 10個碳的燒 基取代基，而此烷基可選擇性的有氧；X在(1)和(2)至少有兩個羥基，η至少是2，m至少 是1 ；R3代表1 5個碳的烷基取代基，R4代表是羥基-或1 5個碳的烷基取代基，R5代 表氫基或1 10個碳的烷基取代基，而此烷基可選擇性的有氧，L代表2 3。所述有機環(huán)硅烷選自乙烯基硅烷(vinyl-based si lanes)、丙烯基硅燒 (aery Ii c-based si lanes)禾口甲■ M j；?！?@ (methacrylic-based si lanes)；胃中， 乙烯基硅烷包括乙烯基三甲氧基硅烷(vinyltrimethoxysilane)、乙烯基三乙氧基硅燒 (viny ltriethoxysi lane)、乙烯基三氯基娃燒(viny ltrichlorosi lane)、乙烯基三燒氧基 It^t (vinyltrialkoxysilanes)、乙;1；希■二;@ (vinyldialkoxyalkylsilan es)、乙烯基三(二甲氧基乙氧基)娃燒(vinyltris (beta-methoxyethoxy) silane)、 乙烯基二甲氧基甲基硅烷(Vinyldimethoxymethylsilane)、乙烯基二乙氧基甲基硅燒 (vinyldiethoxymethylsilane)；丙 j；?；?g (acrylic-based silanes)包 f舌 3- j；希丙 氧丙基三甲氧基娃(gamma-acryloxypropyltrimethoxysilane)；甲基丙烯基娃燒包括 (methacrylic-based silanes)、甲基丙烯酉先氧基丙基三甲氧基娃燒(g amma-methacrylox ypropyltrimethoxysilane) >3-甲基丙烯酉先氧基丙基甲基二甲氧基娃燒(gamma-methacry oxypropylmethyldimethoxysilane) >3-(甲基丙烯酉先氧)丙基甲基二乙氧基娃燒(gamma-m ethacryloxypropylmethyldiethoxysilane)或3_甲基丙烯酉先氧基丙基三乙氧基娃燒(gam ma-methacryloxypropyltriethoxysilane)中白勺一禾中或/L禾中白勺t昆合物。所述有機環(huán)硅烷與硅烷的混合物中所述有機環(huán)硅烷與硅烷的質(zhì)量比為99 1 1 99。印刷電路板中，增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，包括先 在金屬板表面上做粗糙處理，而后將所述非導電高分子介電材質(zhì)板浸泡在體積濃度為 0.01% 100%的硅烷溶液中數(shù)秒或數(shù)分鐘，或直接在所述非導電高分子介電材質(zhì)板表面 噴灑體積濃度為0. 01% 100%硅烷溶液，從而在其表面增加一層硅烷層。一種印刷電路板，包括導電體和與該導電體壓合在一起的非導電高分子介電層， 所述導電體和所述非導電高分子介電層之間還有一層硅烷層。
R1 /
Si
V \
X
本發(fā)明所述的在印刷電路板基板中，增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合 力的方法，在原始方法的基礎(chǔ)上，增加了一步增加硅烷層的工序，從而增加了導電體與非導 電高分子介電層之間結(jié)合力，降低了因?qū)щ婓w與非導電高分子介電層之間結(jié)合力不足，而 造成爆板問題。


圖1、未經(jīng)處理的樣品1的內(nèi)層銅箔表面；圖2、處理后的樣品2的內(nèi)層銅箔表面的SEM圖；圖3、處理后的樣品3的內(nèi)層銅箔表面的SEM圖；圖4、處理后的樣品4的內(nèi)層銅箔表面的SEM圖；圖5、處理后的樣品5的內(nèi)層銅箔表面的SEM圖；圖6、處理后的樣品6的內(nèi)層銅箔表面的SEM圖。
具體實施例隨著電子產(chǎn)品日益向輕薄化方向發(fā)展，再加上密集的電子線路，導致內(nèi)層金屬板， 即導電體的粗糙度降低，進而導致結(jié)合力的信賴性問題。另一發(fā)面，無鹵阻燃劑逐漸替代鹵 素阻燃劑，成為印刷電路的主要基材，目前電子業(yè)界常用的非導電高分子介電層材料具有 FR-4、絕緣、無鹵、High Tg特性，以玻璃纖維與環(huán)氧數(shù)脂(印oxy resin)或酚醛樹脂(phenol resin)材質(zhì)為主，如聚四氟乙烯(PTFE)、環(huán)氧樹脂(EPOXY RESIN)、聚酰亞胺(P0LYIMIDE)、 聚氰酸酯樹脂(POLYCYANATE ESTER)、對苯二甲酸丁二酯樹酯(BUTADIENE TEREPHTHALATE RESIN)或上述幾種材料的混合物等。為提高金屬板，即導電體，表面粗糙度和結(jié)合力，本發(fā) 明采用在基體金屬板表面上增加一結(jié)晶格級的微蝕粗化層，藉以增加表面粗糙度，而后再 涂布上一硅烷層，以增加與高分子材料的結(jié)合力。所述的導電體為金、銀、錫、鉛、鋁、鐵、鈷、鎳、鉻、銅或鋅材質(zhì)或上述材質(zhì)的混合 物，尤其以銅箔材質(zhì)的導電體最為常用。所述導電體在所述硅烷溶液中浸泡的施工方式是水平線傳動或垂直浸泡作業(yè)。為了詳細具體的說明本發(fā)明的實質(zhì)，本發(fā)明以基體銅箔材質(zhì)的導電體即金屬基板 為代表，設置了 6個樣品，通過不同的工藝過程，在基體銅箔表面上增加一結(jié)晶格級的微蝕 粗化層，而后在涂布上不同的硅烷層，而后檢測所得產(chǎn)物的耐熱性、耐濕性與結(jié)合力磅數(shù)。本實驗所用的試劑如下硅烷溶液1、環(huán)氧基硅烷甲基三甲氧基硅烷溶液取甲基三甲氧基硅烷，與水按體積比為 1.5 97. 5混合均勻；2、乙烯基硅烷乙烯基三甲氧基硅烷溶液取乙烯基三甲氧基硅烷，與甲醇按體積 比10 90混合均勻；3、丙烯基硅烷3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷溶液取3_(甲基丙烯酰氧) 丙基三甲氧基硅烷，與丙酮按體積比為20 80混合均勻；4、氨基硅烷3-胺丙基甲基三甲氧硅烷溶液取3-胺丙基甲基三甲氧硅烷與乙酸 乙酯按體積比30 70混合均勻；
5、巰基硅烷3-巰丙基三乙氧基硅烷溶液取3-巰丙基三乙氧基硅烷與苯酚按體 積比為40 60混合均勻；6、硅酸酯硅烷3-(4-苯酯)丙基三甲氧基硅烷溶液取3-(4_苯酯)丙基三甲氧 基硅烷與水按體積比為50 50混合均勻；7、脲基硅烷3-(4-苯酯)丙基三甲氧基硅烷溶液取3-(4_苯酯)丙基三甲氧基 硅烷與乙醇按體積比為60 40混合均勻；8、異氰酸基硅烷3-異氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷溶液取3-異氰酸酯基丙基三 乙氧基硅烷與異丁醇按體積比為70 30混合均勻；9、聚乙烯基硅烷聚乙烯三甲基硅烷溶液取聚乙烯三甲基硅烷與丁酮按體積比 20 80混合均勻；10、咪唑硅烷咪唑-3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷混合物溶液取咪 唑-3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷，與甘油酯按體積比10 90混合均勻；11、咪唑硅烷復合物即所述產(chǎn)物(4)溶液取所述咪唑硅烷復合物產(chǎn)物(4)，與水 按體積比為0. 5 99.5混合均勻；12、咪唑-硅烷-有機酸鹽復合物咪唑-3-3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷 單羧酸鹽溶液取咪唑-3-3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷單羧酸鹽，與水按體積比 99. 5 0.5混合均勻。粗化溶液東莞市仁吉公司電子材料有限公司產(chǎn)品，型號fC1520 主要有H2O2M2SO4與有機 酸，用水將該產(chǎn)品稀釋至濃度為2. 5%的溶液。東莞市仁吉公司電子材料有限公司產(chǎn)品，型號fC669 主要有HNO3與有機酸，原液 使用。水平棕化溶液東莞市仁吉公司電子材料有限公司產(chǎn)品，型號fC1020R，主要有H2O2M2SO4與BTA， 用水將該產(chǎn)品稀釋至濃度為10%的溶液。東莞市仁吉公司電子材料有限公司產(chǎn)品，型號fC1028R主要有HN03/HC00H與BTA， 用水將該產(chǎn)品稀釋至濃度為10%的溶液。具體實驗過程如下樣品1 采用未經(jīng)處理的基體銅板，其表面如圖1所示。樣品2 樣品2的處理過程如下堿脫取12塊基體銅板，并將這12塊基體銅板分別進行堿脫，即將基體銅板在主 要含NaOH、NaCO3等化合物的堿脫溶液中浸泡2min，溶液溫度為50°C 中粗處理即取東莞市仁吉公司電子材料有限公司生產(chǎn)的中粗溶液產(chǎn)品，型號 fC1520，用水配成成濃度為2. 5%的溶液，溶液溫度控制在30 40°C，將堿脫后的12塊基 體銅板在該溶液中浸泡30sec ；當然，也可用其他公司的中粗溶液代替fcl520 ；增加硅烷層將中粗處理后的12塊基體銅板，分別于室溫下水平浸泡在上述12種 硅烷溶液中，浸泡20sec后取出，烘干，保存。其表面如圖2所示。樣品3 樣品3的處理過程如下堿脫取12塊基體銅板，并將這12塊基體銅板分別進行堿脫，即將基體銅板在主 要含NaOH、NaCO3等化合物的堿脫溶液中浸泡2min，溶液溫度為50°C ；
超粗取東莞市仁吉公司電子材料有限公司生產(chǎn)的超粗溶液產(chǎn)品，型號fC669 溶 液溫度控制在35 45°C，將堿脫后的12塊基體銅板在該溶液中浸泡30sec ；當然，也可用 其他公司的超粗溶液代替fC669;、增加硅烷層將中粗處理后的12塊基體銅板，分別于室溫下垂直浸泡在上述12種 硅烷溶液中，浸泡20sec后取出，烘干，保存。其表面如圖3所示。樣品4 樣品4的處理過程如下堿脫取12塊基體銅板，并將這12塊基體銅板分別進行堿脫，即將基體銅板在主 要含NaOH、NaCO3等化合物的堿脫溶液中浸泡2min，溶液溫度為50°C ；黑化將堿脫后的基體銅板在主要含NaOHM3PO4的溶液中浸泡5min，溶液溫度為 50 0C ；還原將黑化后的基體銅板在主要含有NaOH/DMAB的溶液中浸泡5min，溶液溫度 為 30 0C ；增加硅烷層將中粗處理后的12塊基體銅板，分別于室溫下水平浸泡在上述12種 硅烷溶液中，浸泡20sec后取出，烘干，保存。其表面如圖4所示。樣品5 樣品5的處理過程如下堿脫取12塊基體銅板，并將這12塊基體銅板分別進行堿脫，即將基體銅板在主 要含NaOH、NaCO3等化合物的堿脫溶液中浸泡2min，溶液溫度為50°C ；第一代棕化取東莞市仁吉公司電子材料有限公司生產(chǎn)的超粗溶液產(chǎn)品，型號 fC1020R 用水將該產(chǎn)品稀釋至濃度為10%的溶液，溶液溫度控制在35 45°C，將堿脫后的 12塊基體銅板在該溶液中浸泡60sec ；當然，也可用其他公司的超粗溶液代替fC1020R ；增加硅烷層將中粗處理后的12塊基體銅板，分別于室溫下垂直浸泡在上述12種 硅烷溶液中，浸泡20sec后取出，烘干，保存，其表面如圖5所示。樣品6 樣品6的處理過程如下堿脫取12塊基體銅板，并將這12塊基體銅板分別進行堿脫，即將基體銅板在主 要含NaOH、NaCO3等化合物的堿脫溶液中浸泡2min，溶液溫度為50°C ；第二代棕化取東莞市仁吉公司電子材料有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品，型號fC1028R 用 水將該產(chǎn)品稀釋至濃度為10%的溶液，溶液溫度控制在35 45°C，將堿脫后的12塊基體 銅板在該溶液中浸泡60sec ；當然，也可用其他公司的超粗溶液代替fC1028R;增加硅烷層將中粗處理后的12塊基體銅板，分別于室溫下垂直浸泡在上述12種 硅烷溶液中，浸泡20sec后取出，烘干，保存，其表面如圖6所示。適用于本發(fā)明所述印刷電路板基板中，增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié) 合力的方法的硅烷層的主要物質(zhì)有硅烷、硅烷衍生物、咪唑-硅烷復合物、咪唑-硅烷復合 物衍生物、咪唑_硅烷-有機酸鹽復合物、咪唑_硅烷-有機酸鹽復合物衍生物、有機環(huán)硅 烷或有機環(huán)硅烷衍生物。所述硅烷的通式為Y(CH2)nSiX3,其中，η = 0 20 ；X代表鹵素基、甲氧基、乙氧
基、烷氧基、甲氧基乙氧基或乙酰氧基；Y代表乙烯基、氨基、環(huán)氧基、甲基丙烯酰氧基、巰基 或脲基。所述硅烷按官能基團分類，選自環(huán)氧基硅烷(印oxysilane)、乙烯基硅 燒(vinylsilane)、丙烯基娃燒(acrysilane)、氨基娃酸(aminosilane)、巰基娃燒(mercaptosilane)、娃酸酉旨娃燒(estersilane)、脲基娃燒(ureidosilane)、異氰酸基 硅烷(isocyanatosilane)聚乙烯基硅烷(polyvinylsilane)、甲基丙烯酰氧基硅烷 (methacryloxysilane)禾口 S； @ (chlorosilane)、、hall gen-carbons i lane > ± ^l1 (siloxane)中的一種或幾種的化合物。 所述硅烷選自甲基三甲氧基硅烷(methyltrimethoxysilane)、乙基三甲氧 基娃燒(ethy ltrimethoxy si lane)、丙基三甲氧基娃燒(propyltrimethoxysilane)、 正丁基三甲氧基硅烷(n-butyltrimethoxysilane)、異丁基三甲氧基硅烷 (isobuty ltrimethoxy si lane)、苯基三甲氧基娃燒(penty ltrimethoxy si lane)、已基三 甲氧基娃燒(hexyltrimethoxysilane)、辛基三甲氧基娃燒(octyltrimethoxysilane) > 7-辛烯-1-基三甲氧基硅烷(7-oct-l-enyltrimethoxysilane)、對甲基苯基三甲氧基硅烷 (p-(methyl)phenyltrimethoxysilane)、3_ 環(huán)戊并二烯丙基三甲氧基燒基(3-cyclopent adieny lpropy ltrimethoxy si lane)、乙 j；?；籽趸?；^ (viny ltrimethoxy si lane)、 烯丙基三甲氧基硅烷(allyltrimethoxysilane)、3-甲氧基甲氧基丙基硅烷(methox ypropyltrimethoxysilane)、甲基三乙氧基娃燒(methy ltriethoxy si lane)、乙基三乙氧 基娃燒(ethyltriethoxysilane)、丙基三乙氧基娃燒(propyltriethoxysilane)、正丁 基三乙氧基娃燒(n-butyltriethoxysilane)、異丁基三乙氧基娃燒(isobutyltriethox ysilane)、異丁基三甲氧基硅烷(isobutyltrimethoxysilane)、苯基三乙氧基硅烷(ρ enty ltriethoxy si lane)、苯基三甲氧基 燒(penty ltrimethoxy si lane)、己基三乙氧基 娃燒(hexyltriethoxysilane)、已基三甲氧基娃燒(hexyltrimethoxysilane)、辛基三 乙氧基娃燒(octyltriethoxysilane)、辛基三甲氧基娃燒(octy ltrimethoxy si la ne)、 7-辛烯-1-基三乙氧基硅燒(7-oct-l-enyltriethoxysilane)、7-辛烯基三甲 氧基硅烷(7-oct-l-enyltrimethoxysilane)、對甲基苯基三乙氧基硅烷(p-(methyl) pheny ltriethoxy si lane)、對甲基苯基三甲氧基娃燒(p- (methyl) pheny ltrimethoxysil ane)、3—環(huán)戊并二 j；希丙基三乙氧基；^基(3~cyc lopentadieny lpropy ltriethoxy si Ian e)、3_ 環(huán)戊并 ^j；希丙基三甲氧基；^基(3-cyc lopentadieny lpropy ltrimethoxy si lane)、 乙烯基三乙氧基硅烷(vinyltriethoxysilane)、乙烯基三甲氧基硅烷(vinyltrimethox ysilane)、烯丙基三乙氧基硅烷(allyltriethoxysilane)、烯丙基三甲氧基硅烷(all yltrimethoxysilane) >3-乙氧基甲氧基丙基娃燒(methoxypropyltriethoxysilane)； 3甲氧基甲氧基丙基硅烷(methoxypropyltrimethoxysilane)、甲基三異丙氧基硅烷 (methy ltriisopropoxy si lane)、乙基三異丙氧基娃燒(ethy ltriisopropoxy si lane)、 丙基三異丙氧基娃燒(propyltriisopropoxysilane)、乙烯基三異丙氧基娃燒(viny ltriisopropoxysi lane)、三叔丁氧基乙 j；?；逕?viny ltris-t-butoxy si lane)、三 MM ^υΗ ￥(3,3, 3-trif luoropropyltrimethoxysilane) > +ΗΜΦ^Η Zj
氧基硅烷(tridecafluoroctyltriethoxysilane)、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷 (vinyltris (2-methoxyethoxy) silane) > 乙烯基三氯娃燒(vinyltrichlorosilane) > 乙烯基二甲氧基甲基硅烷(vinyldimethoxymethylsi lane)、乙烯基二乙氧甲基硅烷 (vinyldiethoxy methylsilane)、3-烯丙氧丙基三甲氧基娃(3~acryloxypropyItrimethox ysilane)、甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷(3methacryloxypropylmethyldiethoxy silan e)、3_甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(3methacryloxypropylmethyldimethoxysilane)、3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(3-methacryloxypropyltrimet hoxysilane)、3_(甲基丙烯酰氧)丙基三乙氧基硅烷(3-methacryloxypropyltrietho xysilane)、3-縮水甘油丙基三甲氧基娃燒(3-glycidoxypropy ltrimethoxysi lane)、 β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己烷)乙基三甲氧基硅烷(2-(3，^poxycyclohexyl)ethyltrimethoxy si lane)、N-(2-胺乙基)-3-胺丙基三甲氧硅烷(N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltr i methoxysilane)、N-(2-胺乙基)-3_ 胺丙基甲基二甲氧硅烷(N_2_(aminoethyl)_3_a minopropy lmethy ldimethoxy si lane)、3-胺丙基甲基三甲氧娃燒(3-aminopropyltri methoxysilane)、3-胺丙基甲基三乙氧娃燒(3-aminopropy ltriethoxy si lane)、Y -氨 丙基三乙氧基娃燒(3-aminopropyl) triethoxysilane) > Y _氨丙基二甲氧基甲基娃燒 (3-aminopropyl) dimethoxymethylsilane) > Y -氨丙基二甲氧基乙基娃燒(3-aminopr opyl) diethoxymethylsilane) > N- (2- M Zi S "3- M M S "3- ￥ fi S ^υ (N- (2-amino ethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane)、N_ 甲基氨丙基三甲氧基娃燒(N-methyla minopropy ltrimethoxy si lane)、N_ 甲基氨丙基三乙氧基娃燒(N-methy laminopropy ltriethoxysi lane)、3_ 月尿丙基三乙氧基 燒(3-ureidopropy ltriethoxy si lane)、3_ ^fi 丙基三甲氧基硅烷(3-Mercaptopropyltriethoxysilane)、3-(4-苯酯)丙基三甲氧 ^？ ± (3- (4-cyanatophenyl) propyltrimethoxysilane) Zj M M ^ Zj M- ±(pol yvinyl trimethyl silane) N-苯基-3-胺丙基甲基三甲氧娃(N-phenyl-3_aminopro py ltrimethoxy si lane)、3_疏丙基三甲氧基；^ (3-mercaptopropy ltrimethoxy si Ian e)、3-氯丙基三甲氧基硅烷(3-chloropropyltrimethoxysilane)、四甲氧基硅烷(tet ramethoxysilane)、四乙氧基 @ (tetraethoxysilane)、四丙氧基 @ (tetraprop oxysilane)、四丁氧基硅烷(tetra-n-butoxysilane)、二乙氧基甲基[(3_環(huán)氧乙烷基甲 氧)丙基](gamma-glycidoxypropy lmethy ldimethoxy si lane) 、3_縮水甘油醚氧基丙 基五甲基二娃焼(gamma-glycidoxypropyIpylpentamethyIdisi lane) 、3_縮水甘油醚氧基 丙基甲基二 乙氧基娃焼(gamma-glycidoxypropylmethyldiethoxysi lane) 、3_縮水甘油醚 氧基丙基二 甲基二 乙氧基娃燒(gamma-glycidoxypropy Idi methy lethoxysi lane)或 3_ 縮 水甘油醚氧基丙基-雙三甲基硅氧基甲基硅烷((ga mma-glycidoxypropyl) -bis (trimeth ylsiloxy)methylsilane)中的一種或幾種的混合物。將樣品1 6分別用上述硅烷處理后，檢測樣品1 6的耐熱性，耐濕性和拉力磅數(shù)。其中，耐熱性的檢測方法及標準為在200°C烘烤下烤30mins，內(nèi)層銅表面上是否 有氧化及氧化程度的差異以下列代碼表示1 有深黑色氧化，2 有褐色氧化，3 —點氧化， 4 輕微氧化，5 完全不氧化。耐濕性的檢測方法為80°C、95% RH、24Hrs后做浸錫(288°C、IOsec、3次)爆板測 試拉力磅數(shù)的檢測方法為；依照IPC拉力測試流程。檢測所得實驗數(shù)據(jù)如表a，b，c，d，e，f，g和h所示。表a用環(huán)氧基硅烷甲基三甲氧基硅烷處理后的樣品1-6的耐熱性、耐濕性和拉力
磅數(shù) b)用乙烯基硅烷乙烯基三甲氧基硅烷處理后的樣品1-6的耐熱性、耐濕性和拉力
磅數(shù) c)用丙烯基硅烷3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷處理后的樣品1-6的耐熱
性、耐濕性和拉力磅數(shù) d)用氨基硅烷3-胺丙基甲基三甲氧硅烷處理后的樣品1-6的耐熱性、耐濕性和拉 力磅數(shù) e)用巰基硅烷3-巰丙基三乙氧基硅烷處理后的樣品1-6的耐熱性、耐濕性和拉力 磅數(shù) f)用硅酸酯硅烷3-(4_苯酯)丙基三甲氧基硅烷處理后的樣品1-6的耐熱性、耐
濕性和拉力磅數(shù) g)用脲基硅烷3-(4_苯酯)丙基三甲氧基硅烷處理后的樣品1-6的耐熱性、耐濕
性和拉力磅數(shù) h)用異氰酸基硅烷3-異氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷處理后的樣品1-6的耐熱性、
耐濕性和拉力磅數(shù) 除上述硅烷外，適用于本發(fā)明所述印刷電路板基板中，增加導電體與非導電高分 子介電層之間結(jié)合力的方法的還有咪唑硅烷復合物或咪唑硅烷復合物衍生物。所述咪唑 硅烷復合物為咪唑與硅烷經(jīng)過80 200°C反應所得到的混合物或咪唑與硅烷衍生物經(jīng)過 80 200°C反應所得到的混合物，其中，所述咪唑的化學式為 反應產(chǎn)物為 和 的混合物；其中，其中，R1、R2和R3代表氫基、烯基、酚基、苯基或1 20個碳的烷基取代基， R2> R3可形成芳香環(huán)，R4> R5代表1 5個碳的烷基取代基，而η代表1 3。所述硅烷為所述化合物(3)、⑷和(5)的混合物或其中的_種。
所述咪唑選自咪唑(imidazole)、氨基咪唑(aminoimidazole)、二氨 基咪唑(diaminoimidazole)、單甲基咪唑(monomethylimidazole)、2-烷基咪 唑(2-alkylimidazole)、2，4- 二燒基咪唑(2，4-dialkylimidazole)、4_ 乙烯 基咪唑(4-vinylimidazole)、2-甲基咪唑(2-methylimidazole)、2_ 乙基咪唑 (2-ethylimidazole)、2- ^——烷基咪唑(2-undecylimidazole0、2_ 十七烷基咪唑 (2-heptadecylimidazole)、苯并咪唑(benzimidazole)、苯并三氮唑(benzotriazole)、口比 唆(pridine)、2-乙基-4-甲基咪唑(2-ethyl-4-methylimidazole)中的一種或幾種的混 合物。所述咪唑硅烷復合物中的硅烷選自3-縮水甘油丙基三甲氧基硅烷(3-glycidox ypropyltrimethoxysilane)、3 縮水甘油丙基二燒氧基娃燒(3-glycidoxypropyIdialkox ysilane)、3_ 縮水甘油丙基乙氧基二甲基娃燒(3-glycidoxypropylethoxydimethylsilan e)、3_縮水甘油丙基烷氧基二烷基硅烷(3-glycidoxypropylalkoxydialkylsilane)中的 一種或幾種的混合物。所述(3)、(4)和(5)的混合物與下述化合物混合后，也具有增加所述導電體與所 述非導電高分子介電層之間的結(jié)合合力 其中，R6、R7、R8代表氫基、烯基、酚基、苯基或是1 20個碳的烷基取代基，R7> R8 可形成芳香環(huán)，R9> R10可能是1 5個碳的烷基取代基，而ο代表1 10，ρ代表1 3。反應后得到的是(3)、(4)與(5)的混合物，可使用此混合物或經(jīng)過特殊純化過后 的任一單一成份作為涂料處理本發(fā)明所述印刷電路板壓合制程中基體銅板，用上述相同的 方法檢測產(chǎn)物的耐熱性、耐濕性和結(jié)合力，所得結(jié)果如表I和J所示。I)用咪唑硅烷咪唑-3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷混合物處理后的樣品 1-6的耐熱性、耐濕性和拉力磅數(shù) J)用咪唑硅烷復合物即產(chǎn)物(4)處理后的樣品1-6的耐熱性、耐濕性和拉力磅數(shù) 所述咪唑一硅烷一有機酸鹽復合物為咪唑一硅烷復合物和有機酸鹽的反應產(chǎn)物；所述咪唑一硅烷一有機酸鹽復合物衍生物為咪唑一硅烷衍生物和有機酸鹽的反應產(chǎn)物，
其中，所述咪唑的化學式為[1167] 所述硅烷的化學式為[1169] ] 所述咪唑一硅烷一有機酸復合物或所述咪唑一硅烷一有機酸復合物衍生物的化學式為[1173] 其中，R1、R2和R3代表氫基、烯基或1 20個碳的烷基取代基，R2、R3也可代表芳 香環(huán)基，R4、R5代表1 5個碳的烷基取代基，m代表1 10，而η代表1 3。所述咪唑選自咪唑(imidazole)、2_烷基咪唑(2-alkylimidazole)、2， 4- 二烷基咪唑(2,4-dialkylimidazole)、4_ 乙烯基咪唑(4-vinylimidazole)、、苯 并咪唑(benzimidazole)、苯并三氮唑(benzotriazole)、吡啶(pridine) ,2-甲基 咪唑(2-methylimidazole)、2-乙基咪唑(2-ethylimidazole)、2- ^——烷基咪唑 (2-undecylimidazole)、2_十七烷基咪唑(2_h印tadecylimidazole)、2_ 乙基-4-甲基咪唑 (2-ethyl-4-methylimidazole)中的一種或其混合物。所述硅烷選自3-縮水甘油丙基三烷氧基硅烷 (3-glycidoxypropyltrialkoxysila nes)、3_縮水甘油丙基二烷氧基烷基硅烷(3-glycido xypropyldialkoxyalkylsilane s)、3_ 縮水甘油丙基燒氧基二燒基娃燒(3-glycidoxypro pylalkoxydialkylsi lanes)、3_ 縮水甘油丙基三甲氧基娃燒(3-glycidoxypropyItrimeth oxysilane)、3_ 縮水甘油丙基三乙氧基娃燒(3-glycidoxypropyltriethoxysilane)、3_ 縮 水甘油丙基二烷氧基烷基硅烷(3-glycidoxypropyldialkoxyalkylsilane)、3_縮水甘油 丙基二甲乙氧基甲基硅烷(3-glycidoxypropyldimethoxymethylsilane)、3_縮水甘油丙 基烷氧基烷基硅烷(3-glycidoxypropylalkoxydialkylsilane)或3_縮水甘油丙基乙氧基 二甲基硅烷(3-glycidoxypropylethoxydimethylsilane)中的一種或幾種的混合物。所述咪唑_硅烷-有機酸復合物或咪唑_硅烷-有機酸復合物衍生物中所述有機 酸為有機單羧酸、飽和脂肪單羧酸、不飽和脂肪單羧酸或芳香簇單羧酸及其類似物。所述有機酸選自丙烯酸、異丁酸、甲基丙烯酸、辛酸、甲酸、乙醛酸、巴豆酸、乙酸、 丙酸、苯甲酸、水楊酸、環(huán)己烷羧酸、鄰甲基苯甲酸、苯乙酸或?qū)κ宥』郊姿嶂械囊环N或其 混合物。所述有機酸為甲基丙烯酸。所述硅烷為有機環(huán)硅烷(organosi licic si lane)或有機環(huán)硅衍生物與烯烴基硅 烷(olefin-based silane)在40 90°C的升溫攪拌2hrs后反應產(chǎn)生，反應式如下 其中，R1代表是羥基或1 5個碳的烷基取代基；R2代表氫基或1 10個碳的燒 基取代基，而此烷基可選擇性的有氧；X在(1)和(2)至少有兩個羥基，η至少是2，m至少 是1 ；R3代表1 5個碳的烷基取代基，R4代表是羥基-或1 5個碳的烷基取代基，R5代 表氫基或1 10個碳的烷基取代基，而此烷基可選擇性的有氧，L代表2 3。所述有機環(huán)硅烷選自乙烯基硅烷(vinyl-based silanes)、丙烯基硅烷(acryli c-based silanes)禾口甲■ M j；?！?@ (methacrylic-based silanes)；胃中，ZaM^ 娃烷包括乙烯基三甲氧基硅烷(vinyltrimethoxysilane)、乙烯基三乙氧基硅烷(ν iny ltriethoxy si lane)、乙烯基三氯基娃燒(viny ltrichlorosi lane)、乙烯基三燒氧基 It^t (vinyltrialkoxysilanes)、乙;I；?！龆?@ (vinyldialkoxyalkylsilan es)、乙烯基三(二甲氧基乙氧基)娃燒(vinyltris (beta-methoxyethoxy) silane)、 乙烯基二甲氧基甲基硅烷(Vinyldimethoxymethylsilane)、乙烯基二乙氧基甲基硅燒 (vinyldiethoxymethylsilane)；丙 j；?；?g (acrylic-based silanes)包 f舌 3- j；希丙 氧丙基三甲氧基娃(gamma-acryloxypropyltrimethoxysilane)；甲基丙烯基娃燒包括 (methacrylic-based silanes)、甲基丙烯酉先氧基丙基三甲氧基娃燒(g amma-methacrylox ypropyltrimethoxysilane) >3-甲基丙烯酉先氧基丙基甲基二甲氧基娃燒(gamma-methacry loxypropylmethyldimethoxysilane)、3-(甲基丙烯酰氧)丙基甲基二乙氧基硅烷(gamma-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane)或3_甲基丙烯酉先氧基丙基三乙氧基娃燒(ga mma-methacry loxypropy ltriethoxy si lane)中白勺一禾中或其 t昆合物。所述有機環(huán)硅烷與硅烷的混合物中所述有機環(huán)硅烷與硅烷的質(zhì)量比為99 1 1 99。以上述反應得到的產(chǎn)物咪唑-3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷單羧酸鹽衍 生物作為涂料處理本發(fā)明所述印刷電路板壓合制程中基體銅板，用上述相同的方法檢測產(chǎn) 物的耐熱性、耐濕性和結(jié)合力，所得結(jié)果如表1所示。表1用咪唑_硅烷-有機酸鹽復合物咪唑-3-3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基娃 燒單羧酸鹽衍生物處理樣品1-6后的耐熱性、耐濕性和拉力磅數(shù) 印刷電路板基板中，增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，包 括先在金屬板表面上做粗糙處理，后將所述非導電高分子介電材質(zhì)板浸泡在體積濃度為 0.01% 100%的硅烷溶液中數(shù)秒或數(shù)分鐘，或直接在所述非導電高分子介電材質(zhì)板表面 噴灑體積濃度為0. 01% 100%硅烷溶液，從而在其表面增加一層硅烷層。一種印刷電路板基板，包括導電體和與該導電體壓合在一起的非導電高分子介電 層，所述導電體和所述非導電高分子介電層之間還有一層硅烷層。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā) 明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫 離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，其架構(gòu)形式能夠靈活多變，可以派生系列產(chǎn)品。只是做出若干簡單 推演或替換，都應當視為屬于本發(fā)明由所提交的權(quán)利要求書確定的專利保護范圍。
權(quán)利要求
印刷電路板基板中，增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，包括先在導電體表面上做粗糙處理，其特征在于，粗糙處理后將所述導電體浸泡在體積濃度為0.01％～100％的硅烷溶液數(shù)秒至數(shù)分鐘，或直接在所述導電體表面噴灑體積濃度為0.01％～100％硅烷溶液，從而在其表面增加一層硅烷層。
2.如權(quán)利要求1所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特征 在于，所述的導電體為金、銀、錫、鉛、鋁、鐵、鈷、鎳、鉻、銅或鋅材質(zhì)。
3.如權(quán)利要求1所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特征 在于，所述非導電高分子介電層為玻璃纖維與環(huán)氧數(shù)脂(epoxy resin)或酚醛樹脂(phenol resin)組成的材質(zhì)，其具有FR-4、絕緣、無鹵、High Tg特性。
4.如權(quán)利要求3所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特征 在于，所述非導電高分子介電材料選自聚四氟乙烯、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚氰酸酯樹脂、對 苯二甲酸丁二酯樹酯中的一種或幾種的混合物。
5.如權(quán)利要求3所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特征 在于，所述導電體在所述硅烷溶液中浸泡的施工方式是水平線傳動或垂直浸泡作業(yè)。
6.如權(quán)利要求1所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，，其 特征在于，所述粗糙處理為物理刷磨，H2O2M2SO4安定劑的化學微蝕、NA2S208/H2S04微蝕、 KHSO5 · KHSO5 · K2S04/H2S04 微蝕、KHSO5 · KHSO5 · K2S04/H3P04 微蝕、中粗、超粗、黑化、第一代 H2SO4系統(tǒng)棕化或第二代硝酸/甲酸系統(tǒng)棕化。
7.如權(quán)利要求1所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特征 在于，所述硅烷溶液是硅烷溶于水、醇類溶劑、酮類溶劑、酯類溶劑或苯類溶劑所得的溶液。
8.如權(quán)利要求1所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特征 在于，所述硅烷層的主要物質(zhì)為硅烷、硅烷衍生物、咪唑-硅烷復合物、咪唑_硅烷復合物衍 生物、咪唑_硅烷-有機酸鹽復合物、咪唑_硅烷-有機酸鹽復合物衍生物、有機環(huán)硅烷或 有機環(huán)硅烷衍生物。
9.如權(quán)利要求8所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特征 在于，所述硅烷的通式為Y (CH2)nSiX3,其中，n = 0 20 ；X代表鹵素基、甲氧基、乙氧基、烷氧基、甲氧基乙氧基或乙酰氧基；Y代表乙烯基、氨基、環(huán)氧基、甲基丙烯酰氧基、巰基或脲基。
10.如權(quán)利要求1所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法， 其特征在于，所述硅烷按官能基團分類，選自環(huán)氧基硅烷(印oxysilane)、乙烯基硅 燒(vinylsilane)、丙烯基娃燒(acrylsilane)、氨基娃酸(aminosilane)、巰基娃燒 (mercaptosilane)、娃酸酉旨娃燒(estersilane)、脲基娃燒(ureidosilane)、異氰酸基 硅烷(isocyanatosilane)聚乙烯基硅烷(polyvinylsilane)、甲基丙烯酰氧基硅烷 (methacryloxysilane)禾口氯基娃燒(chlorosilane)或娃氧燒(siloxane)中的任一種或幾 種的混合物。
11.如權(quán)利要求9所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法， 其特征在于，所述硅烷選自甲基三甲氧基硅烷(methyltrimethoxysilane)、乙基三甲 氧基娃燒(ethyltrimethoxysilane)、丙基三甲氧基娃燒(propyltrimethoxysilane) > 正丁基三甲氧基硅烷(n-butyltrimethoxysilane)、異丁基三甲氧基硅烷(isobuty ltrimethoxy si lane)、苯基三甲氧基 燒(penty ltrimethoxy si lane)、己基三甲 氧基娃燒(hexyltrimethoxysilane)、辛基三甲氧基娃燒(octyltrimethoxysilane) > 7-辛烯-1-基三甲氧基硅烷(7-oct-l-enyltrimethoxysilane)、對甲基苯基三 甲氧基硅烷(p-(methyl)phenyltrimethoxysilane)、3-環(huán)戊并二烯丙基三甲 氧基；^基(3-cyc lopentadieny lpropy ltrimethoxy si lane) > 乙 j；?；籽趸?燒(vinyltrimethoxysilane)> 烯丙基三甲氧基娃燒(allyltrimethoxysilane)> 3-甲氧基甲氧基丙基硅烷(methoxypropyltrimethoxysilane)、甲基三乙氧基硅烷 (methy ltriethoxy si lane)、乙基三乙氧基娃燒(ethy ltriethoxysi lane)、丙基三乙氧 (propyltriethoxysilane)、IE 丁基三乙氧基燒(n-butyltriethoxysilane) > 異丁基三乙氧基硅烷(isobutyltriethoxysilane)、異丁基三甲氧基硅烷 (isobutyltrimethoxysilane)> 苯基三乙氧基娃燒(pentyltriethoxysilane)> 苯基三甲氧基硅烷(pentyltrimethoxysilane)、己基三乙氧基硅烷 (hexy ltriethoxy si lane)、己基三甲氧基娃燒(hexy ltrimethoxy si lane)、辛基三乙 氧基娃燒(octy ltriethoxy si lane)、辛基三甲氧基娃燒(octyltrimethoxysilane)、 7-辛烯-1-基三乙氧基硅燒(7-oct-l-enyltriethoxysilane)、7-辛烯-1-基 三甲氧基硅烷(7-oct-l-enyltrimethoxysilane)、對甲基苯基三乙氧基硅烷 (p-(methyl)phenyltriethoxysilane)> 對甲基苯基三甲氧基娃燒(p-(methyl) pheny ltrimethoxy si lane)、3_ 環(huán)戊并 ^ j；希丙基三乙氧基；^基(3~cyc lopentadi en ylpropyltriethoxysilane)、3_ 環(huán)戊并 ^ ；??；希丙基三甲氧基；^基(3-cyclopentadi enylpropyltrimethoxysilane) > 乙 j；?；已趸逕?vinyltriethoxysilane) > 乙烯基三甲氧基硅烷(vinyltrimethoxysilane)、烯丙基三乙氧基硅烷 (allyltriethoxysilane)> 烯丙基三甲氧基娃燒(allyltrimethoxysilane) >3-乙氧基甲氧基丙基硅烷(methoxypropyltriethoxysilane)；3甲氧基甲 氧基丙基娃燒(methoxypropyltrimethoxysilane) > 甲基三異丙氧基娃燒 (methy ltriisopropoxy si lane)、乙基三異丙氧基娃燒(ethy ltriisopropoxy si lane)、 丙基三異丙氧基硅烷(propyltriisopropoxysilane)、乙烯基三異丙氧基硅烷 (viny ltriisopropoxy si lane)、三叔丁氧基乙 j；?；?燒(vinyltris-t-butoxysilane)、 ΗΜ^ ^υΗΕρ ^ ^υ (3, 3, 3-trif luoropropyltrimethoxysilane) > +ΗΜΦ^Η 乙氧基硅烷(tridecafluoroctyltriethoxysilane)、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅 燒(vinyltris (2-methoxyethoxy) silane) > 乙烯基三氯娃燒(vinyltrichlorosilane) > 乙烯基二甲氧基甲基硅烷(Vinyldimethoxymethylsilane)、乙烯基二乙氧甲基硅烷 (vinyldiethoxymethylsilane)、3_ j；希丙氧丙基三甲氧基(3~acryloxypropyItrimetho xysilane)、甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷(3methacryloxypropylmethyldietho xysilane)、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(3methacryloxypropylmethyldim ethoxysilane)、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(3-methacryloxypropyltrimeth oxysilane)、3_(甲基丙烯酉先氧)丙基三乙氧基娃燒(3-methacryloxypropyltriethoxys ilane)、3_ 縮水甘油丙基三甲氧基硅烷(3-glycidoxypropyltrimethoxysilane)、β -(3，4-iffiif ) Zi^HEf3fiSSi^t (2-(3,4epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane)、 N-(2-胺乙基)-3-胺丙基三甲氧硅烷(N-2-(aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane)、N-(2_ 胺乙基)_3_ 胺丙基甲基二甲氧硅烷(N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylme thy ldimethoxy si lane)、3_ 胺丙基甲基三甲氧娃焼(3-aminopropy ltrimethoxy si lane)、 3-胺丙基甲基三乙氧娃焼(3-aminopropyltriethoxysilane) Λ Y-氨丙基三乙氧基娃 焼(3-aminopropyl) triethoxysilane) Λ Y -氨丙基二甲氧基甲基娃焼(3-aminopropyl) dimethoxymethylsilane)、γ-氨丙基二 甲氧基乙基娃焼(3-aminopropyl) diethoxymethylsilane)、N-(2-氨乙基 _3_ 氨丙基-3-甲氧基硅烷(N-(2-aminoethy 1)-3-aminopropyltrimethoxysilane)、N-甲基氨丙基三甲氧基娃焼(N-methylamino propyltrimethoxysilane)、N-甲基氨丙基三乙氧基娃焼(N-methy laminopropy Itrie thoxysilane)、3_ 服丙基三乙氧基娃焼(3-ureidopropy ltriethoxy si lane)、3_ 琉丙 基三甲氧基硅烷(3-Mercaptopropyltriethoxysilme)、3-(4-苯酯)丙基三甲氧基硅 ^ (3- (4-cyanatophenyl) propyltrimethoxysilane)、聚乙火?；一逕?polyvinyl trimethyl si lane) N-苯基 _3_ 胺丙基甲基三甲氧娃(N-phenyl-3-aminopropyItrimethox ysilane)、3_ 琉丙基三甲氧基娃焼(3-mercaptopropy ltrimethoxy si lane)、3_ 氯丙基三甲 氧基娃焼(3-chloropropy ltrimethoxy si lane)、四甲氧基娃焼(tetramethoxysilane)，四 乙氧基娃焼(tetraethoxysilane)、四丙氧基娃焼(tetrapropoxysilane)、四丁氧基娃焼 (tetra-n-butoxysilme)、二乙氧基甲基[(3_環(huán)氧乙烷基甲氧)丙基]硅烷(gamma-glyc idoxypropyImethyldimethoxysilane) 、3_縮水甘油醚氧基丙基五甲基二硅烷(gamma-gly cidoxypropylpylpentamethyldisilane)、3-縮水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷(gam ma-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane)、3_縮水甘油醚氧基丙基二甲基二乙氧基硅 (gamma-glycidoxypropyldimethylethoxysi lane) 或3-縮水甘油醚氧基丙基_雙三甲 基娃氧基甲基娃焼((gamma-glyc idoxypropy 1) -bis (trimethyl si loxy) methyl si lane)中 的一種或幾種的混合物。
12.如權(quán)利要求8所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特 征在于，所述咪唑硅烷復合物為咪唑與硅烷經(jīng)過80 200°C反應所得到的混合物或咪唑與 硅烷衍生物經(jīng)過80 200°C反應所得到的混合物，其中，所述咪唑的化學式為 所述硅烷或硅烷衍生物的化學式為(2) 反應產(chǎn)物為 和 的混合物；其中，其中，R1 > R2和R3代表氫基、烯基、酚基、苯基或1 20個碳的烷基取代基，R2、R3 可形成芳香環(huán)，R4> R5代表1 5個碳的烷基取代基，而η代表1 3。
13.如權(quán)利要求12所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特 征在于，所述硅烷為所述化合物(3)、(4)和(5)的混合物或其中的一種。
14.如權(quán)利要求12所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的 方法，其特征在于，所述咪唑選自咪唑(imidazole)、氨基咪唑(aminoimidazole)、 二氨基咪唑(diaminoimidazole)、單甲基咪唑(monomethylimidazole)、2-燒基 咪唑(2-alkylimidazole)、2，4- 二 烷基咪唑(2，4-dialkylimidazole)、4_ 乙烯 基咪唑(4-vinylimidazole)、2-甲基咪唑(2-methylimidazole)、2_ 乙基咪唑 (2-ethylimidazole)、2- -j——烷基咪唑(2-undecylimidazole0、2_ 十七烷基咪唑 (2-heptadecylimidazole)、苯并咪唑(benzimidazole)、苯并三氮唑(benzotriazole)、口比 啶(pridine)、2-乙基-4-甲基咪唑(2-ethyl-4-methylimidazole)或幾種的混合物。
15.如權(quán)利要求12所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特 征在于，所述咪唑硅烷復合物中的硅烷選自3-縮水甘油丙基三甲氧基硅烷(3-glycidoxyp ropyltrimethoxysilane)、3 縮水甘油丙基二燒氧基娃燒(3-glycidoxypropyIdialkoxysi lane)、3_ 縮水甘油丙基乙氧基二甲基娃燒(3-glycidoxypropylethoxydimethylsilane)、 3_縮水甘油丙基烷氧基二烷基硅烷(3-glycidoxypropylalkoxydialkylsilane)中的一種 或幾種的混合物。
16.如權(quán)利要求12所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特 征在于，所述(3)、(4)和(5)的混合物與還下述化合物混合，其中，R6、R7、R8代表氫基、烯基、酚基、苯基或是1 20個碳的烷基取代基，R7、R8可形 成芳香環(huán)，R9> R10可能是1 5個碳的烷基取代基，而ο代表1 10，ρ代表1 3。
17.如權(quán)利要求8所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特 征在于，所述咪唑_硅烷-有機酸鹽復合物為咪唑_硅烷復合物和有機酸鹽的反應產(chǎn)物；所 述咪唑_硅烷-有機酸鹽復合物衍生物為咪唑_硅烷衍生物和有機酸鹽的反應產(chǎn)物， 其中，所述咪唑的化學式為 所述咪唑_硅烷復合物或咪唑_硅烷復合物衍生物的化學式為 所述咪唑_硅烷-有機酸復合物或所述咪唑_硅烷-有機酸復合物衍生物的化學式為 其中，R1、R2和R3代表氫基、烯基或1 20個碳的烷基取代基，R2、R3還代表芳香環(huán)基， R4、R5代表1 5個碳的烷基取代基，m代表1 10，而η代表1 3。
18.如如權(quán)利要求17所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方 法，其特征在于，所述咪唑選自咪唑(imidazole)、2_烷基咪唑(2-alkylimidazole)、 2,4- 二烷基咪唑(2，4-dialkylimidazole)、4-乙烯基咪唑(4-vinylimidazole)、 苯并咪唑(benzimidazole)、苯并三氮唑(benzotriazole)、吡啶(pridine) ,2-甲 基咪唑(2-methylimidazole)、2-乙基咪唑(2-ethylimidazole)、2-十一烷基咪唑 (2-undecylimidazole)、2-十七烷基咪唑(2_h印tadecylimidazole)或 2-乙基-4-甲基咪 唑(2-ethyl-4_methylimidazole)中的一種或幾種的混合物。
19.如權(quán)利要求17所述的增加金屬板與非導電高分子介電材質(zhì)板之間結(jié)合力的方法， 其特征在于，所述硅烷選自3-縮水甘油丙基三烷氧基硅烷(3-glycidoxypropyltrialkox ysilanes)、3_ 縮水甘油丙基二烷氧基烷基硅烷(3-glycidoxypropyldialkoxyalkylsila nes)、3_ 縮水甘油丙基烷氧基二烷基硅烷(3-glycidoxypropylalkoxydialkylsilanes)、 3_縮水甘油丙基三甲氧基硅烷(3-glycidoxypropyltrimethoxysilane)、3-縮水甘油丙 基三乙氧基硅烷(3-glycidoxypropyltriethoxysilane)、3_縮水甘油丙基二烷氧基烷基 硅烷(3-glycidoxypropyldialkoxyalkylsilane)、3-縮水甘油丙基二甲乙氧基甲基硅烷 (3-glycidoxypropyldimethoxymethylsilane)、3_(3-glyc idoxypropylalkoxydialkylsilane)或 3_ 縮水甘油丙基乙氧基二甲基娃燒(3-glycidoxyp ropylethoxydimethylsilane)中的一種或幾種的混合物。
20.如權(quán)利要求17所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特 征在于，所述咪唑_硅烷-有機酸復合物或咪唑_硅烷-有機酸復合物衍生物中所述有機 酸選自有機單羧酸、飽和脂肪單羧酸、不飽和脂肪單羧酸或芳香簇單羧酸或其類似物。
21.如權(quán)利要求17所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其 特征在于，所述有機酸為丙烯酸、異丁酸、甲基丙烯酸、辛酸、甲酸、乙醛酸、巴豆酸、乙酸、丙酸、苯甲酸、水楊酸、環(huán)己烷羧酸、鄰甲基苯甲酸、苯乙酸或?qū)κ宥』郊姿嶂械囊环N或幾種 的混合物。
22.如權(quán)利要求20所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特 征在于，所述有機酸為甲基丙烯酸。
23.如權(quán)利要求8所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特 征在于，所述硅烷為有機環(huán)硅烷(organosilicic silane)或有機環(huán)硅衍生物與烯烴基硅燒 (olefin-based silane)在40 90°C的升溫攪拌2hrs后反應產(chǎn)生，反應式如下 其中，R1代表是羥基或1 5個碳的烷基取代基；R2代表氫基或1 10個碳的烷基取 代基，而此烷基可選擇性的有氧；χ在(1)和(2)至少有兩個羥基，η至少是2，m至少是1 ； R3代表1 5個碳的烷基取代基，R4代表是羥基-或1 5個碳的烷基取代基，R5代表氫 基或1 10個碳的烷基取代基，而此烷基可選擇性的有氧，L代表2 3。
24.如權(quán)利要求23所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力 的方法，其特征在于，所述有機環(huán)硅烷選自乙烯基硅烷(vinyl-based silanes)、 M S ^υ (acrylic-based silanes) > 甲■ M ；！；希■@ (methacrylic-based silanes)；其中，乙烯基硅烷包括乙烯基三甲氧基硅烷(vinyltrimethoxysilane)、 乙烯基三乙氧基硅烷(vinyltriethoxysilane)、乙烯基三氯基硅烷 (vinyltrichlorosilane) > 乙 j；?；?；^ 氧基；^ (vinyltrialkoxysilanes) > 乙烯基二烷氧基烷基硅烷(Vinyldialkoxyalkylsilanes)、乙烯基三(二甲 氧基乙氧基)娃燒(vinyltris(beta-methoxyethoxy)silane)> 乙烯基二 甲 氧基甲基硅烷(vinyldimethoxymethylsilane)、乙烯基二乙氧基甲基硅烷 (vinyldiethoxymethylsilane)；丙 j；?；?g (acrylic-based silanes)包 f舌 3- j；希丙 氧丙基三甲氧基娃(gamma-acryloxypropyltrimethoxysilane)；甲基丙烯基娃燒包括 (methacrylic-based silanes)、甲基丙烯酉先氧基丙基三甲氧基娃燒(gamma-methacryloxy propyltrimethoxysilane) >3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(gamma-methacryl oxypropylmethyldimethoxysilane) >3-(甲基丙烯酉先氧)丙基甲基二乙氧基娃燒(gamma-m ethacryloxypropylmethyldiethoxysilane)或3_甲基丙烯酉先氧基丙基三乙氧基娃燒(gamma-methacryloxypropyltriethoxysilane)中白勺一禾中或/L禾中白勺t昆合物。
25.如權(quán)利要求23所述的增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，其特 征在于，所述有機環(huán)硅烷與硅烷的混合物中所述有機環(huán)硅烷與硅烷的質(zhì)量比為99 1 1 99。
26.印刷電路板中，增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，包括先在金 屬板表面上做粗糙處理，其特征在于，而后將所述非導電高分子介電材質(zhì)板浸泡在體積濃 度為0.01% 100%的硅烷溶液中數(shù)秒或數(shù)分鐘，或直接在所述非導電高分子介電材質(zhì)板 表面噴灑體積濃度為0. 01% 100%硅烷溶液，從而在其表面增加一層硅烷層。
27.—種印刷電路板，包括導電體和與該導電體壓合在一起的非導電高分子介電層，其 特征在于，所述導電體和所述非導電高分子介電層之間還有一層硅烷層。
全文摘要
本發(fā)明提供了印刷電路板基板中，增加導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力的方法，該方法包括先在導電體表面上做粗糙處理，粗糙處理后將所述導電體浸泡在體積濃度為0.01％～100％的硅烷溶液數(shù)秒至數(shù)分鐘，或直接在所述導電體表面噴灑體積濃度為0.01％～100％硅烷溶液，從而在其表面增加一層硅烷層。該方法在現(xiàn)有方法的基礎(chǔ)上，增加了一步形成硅烷層的工序，從而增加了導電體與非導電高分子介電層之間結(jié)合力，降低了因?qū)щ婓w與非導電高分子介電層之間結(jié)合力不足，而造成的爆板問題。
文檔編號C08J7/04GK101917826SQ201010244089
公開日2010年12月15日 申請日期2010年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月3日
發(fā)明者王維仁 申請人:東莞市仁吉電子材料有限公司;東莞市富默克化工有限公司