專利名稱：一種先進(jìn)封裝材料用填料的選擇方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于封裝材料領(lǐng)域，具體涉及一種先進(jìn)封裝材料用填料的選擇方法。
背景技術(shù)：
封裝是集成電路、太陽(yáng)能電池、LED等生產(chǎn)過(guò)程中必須的一個(gè)重要工序，封 裝材料的品質(zhì)直接影響封裝的效果，球形二氧化硅被廣泛用作電子封裝材料中的填料。 為了提高球形二氧化硅在環(huán)氧樹(shù)脂中的填充量，通常采用級(jí)配的方法，希望達(dá)到有效填 充。為了確保級(jí)配的可靠性，每種用于級(jí)配的球形二氧化硅粉的粒度分布都要求非常穩(wěn) 定。顯然多組分級(jí)配會(huì)給封裝材料的生產(chǎn)帶來(lái)諸多不便，并影響材料的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種封裝材料用填料的選擇方法。該方法 簡(jiǎn)單，易操作，有利于生產(chǎn)過(guò)程的管控。本發(fā)明所采取的技術(shù)措施是在控制球形二氧化硅的最大粒徑不超過(guò)45微米，最小粒徑不低于0.3微米的前 提下，選擇粒徑呈正態(tài)分布的各種球形二氧化硅，計(jì)算其比表面積并測(cè)定其實(shí)際比表面 積，并計(jì)算測(cè)試值與計(jì)算值的比值，選擇比值為2.0 3.0的球形二氧化硅作為封裝材料 用填料，所述比表面積的計(jì)算值為2.73/d，其中d為平均粒徑D50值，所述實(shí)際比表面積 的測(cè)定采取BET液氮吸附法。與級(jí)配技術(shù)相比，本發(fā)明方法所達(dá)到的有益效果方法簡(jiǎn)單，易操作，有利于 生產(chǎn)過(guò)程的管控。
具體實(shí)施例方式選擇粒度分布(D50)為1.0±0.5 (SSl)，2.5±0.5 (SS2)，4.0± 1(SS3)， 6.0 ± 1 (SS4)，10.0 ± 2 (SS5) μ m的球形二氧化硅，最大粒徑和最小粒徑分別控制在45和 0.5μm范圍。五種樣品的BET多點(diǎn)比表面積測(cè)試值分別為23.52，2.59，2.23，0.65和 0.30m2/g ；五種樣品的比表面積計(jì)算值分別為2.73，1.09，0.68，0.39和0.23m2/g。五種 樣品的比表面積測(cè)試值與計(jì)算值分別為8.62，2.38，3.28，1.67，1.30。按73%的重量比 分別將SS1，SS2，SS3，SS4和SS5與聯(lián)苯環(huán)氧樹(shù)脂，固化劑混合熔煉，冷卻后測(cè)流動(dòng) 長(zhǎng)度值，分別為55，116，61，83，85，114cm，根據(jù)級(jí)配原理，將SS1，SS3和SS5級(jí) 配后與聯(lián)苯環(huán)氧樹(shù)脂，固化劑混合熔煉，冷卻粉碎后測(cè)流動(dòng)長(zhǎng)度值為114cm.顯然SS2結(jié) 果最好且優(yōu)于級(jí)配結(jié)果。按50%的重量比分別將SS1，SS2，SS3，SS4和SS5與脂環(huán)族液體環(huán)氧樹(shù)脂， 固化劑混合，均勻后測(cè)復(fù)合物粘度，分別為1090，580，730，1120，4200mPa · s，顯 然SS2填充的樹(shù)脂體系粘度最低。比較五種樣品的比表面積測(cè)試值與計(jì)算值分別發(fā)現(xiàn)比值在2.0 3.0之間時(shí)，球形二氧化硅具有較好的填充特性。
權(quán)利要求
1. 一種封裝材料用填料的選擇方法，其特征在于在控制球形二氧化硅的最大粒徑 不超過(guò)45微米，最小粒徑不低于0.3微米的前提下，選擇粒徑呈正態(tài)分布的各種球形二 氧化硅，計(jì)算其比表面積并測(cè)定其實(shí)際比表面積，并計(jì)算測(cè)試值與計(jì)算值的比值，選擇比 值為2.0 3.0的球形二氧化硅作為封裝材料用填料，所述比表面積的計(jì)算值為2.73/d，其 中d為平均粒徑D50值，所述實(shí)際比表面積的測(cè)定采取BET液氮吸附法。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種封裝材料用填料球形二氧化硅的選擇方法。該方法在控制最大粒徑和最小粒徑的前提下，選用不同單組份球形二氧化硅填料，測(cè)試并計(jì)算其實(shí)際比表面積與理論比表面積，再計(jì)算實(shí)際比表面積與理論比表面積之比，選擇2.0~3.0比值的組分作為環(huán)氧樹(shù)脂體系先進(jìn)封裝材料的填料。使用該方法時(shí)，不需要加入其他規(guī)格的填料進(jìn)行級(jí)配，環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料就能體現(xiàn)出優(yōu)越的性質(zhì)。本發(fā)明大大簡(jiǎn)化了先進(jìn)封裝材料的制備過(guò)程，可有效地提高先進(jìn)封裝材料的可靠性。
文檔編號(hào)C08L63/00GK102020783SQ20101051873
公開(kāi)日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2010年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月25日
發(fā)明者馮錦華, 文雯, 肖勇, 艾常春, 袁良杰 申請(qǐng)人:武漢大學(xué)