專利名稱：聚酰亞胺共聚物及圖案化金屬氧化物層的制造方法
聚酰亞胺共聚物及圖案化金屬氧化物層的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種共聚物，特別是涉及一種聚酰亞胺共聚物及圖案化金屬氧化物層的制造方法。
背景技術：
聚酰亞胺(polyimide, PI)由于具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性及良好的機械、電氣及耐化學性質，已廣泛地應用于半導體及顯示器產(chǎn)業(yè)。由于聚酰亞胺屬于熱固化型(thermosetting)的樹脂材料，因此，在經(jīng)350°C以上高溫制程后，耐化學性優(yōu)異，非常難溶解于一般溶劑或胺類剝膜液(stripper)中，使其在應用上受限。因此，后來發(fā)展了所謂的可溶型(soluble)聚酰亞胺，其通過聚酰亞胺分子結構設計，使聚酰亞胺的分子間具有較大的自由體積(free volume)，進而增加溶解性，這類可溶型聚酰亞胺其在經(jīng)300°C以下的 制程仍能維持其溶解性；然而，在350°C以上高溫制程時這類聚酰亞胺分子鏈之間會堆迭(stacking)，趨向能量較低的狀態(tài)，進而縮小自由體積，導致溶解性急劇下降而不溶。金屬氧化物的圖案化制程一般都是使用剝除(lift-off)的方式形成金屬氧化物圖案，其中可溶型聚酰亞胺雖然廣泛應用于剝除制程中，但仍受限于制程溫度需在350°C以下，若在需要350°C以上高溫沉積(cbposited)金屬氧化物的制程中，一般可溶型聚酰亞胺就會有問題。因此，需要開發(fā)經(jīng)350°C以上高溫制程后仍可溶解于有機溶劑的聚酰亞胺材料，其可當作金屬氧化物圖案化制程中耐350°C以上高溫的暫時性保護膜，最后，可以用溶劑將其溶解移除，形成金屬氧化物圖案。
發(fā)明內容本發(fā)明的一實施例，提供一種聚酰亞胺共聚物，具有下列化學式(I)或(II)
權利要求
1.一種聚酰亞胺共聚物，具有下列化學式(I)或(II)
2.如權利要求I所述的聚酰亞胺共聚物，其中B包括
3.如權利要求I所述的聚酰亞胺共聚物，其中B包括、
4.如權利要求I所述的聚酰亞胺共聚物，其中A包括
5.如權利要求I所述的聚酰亞胺共聚物，其中該聚酰亞胺共聚物的末端具有苯胺基。
6.如權利要求I所述的聚酰亞胺共聚物，其中該聚酰亞胺共聚物的重均分子量為6，OOO 15，000。
7.如權利要求I所述的聚酰亞胺共聚物，其中該聚酰亞胺共聚物的重均分子量為6，000 12，000。
8.—種聚酰亞胺共聚物的制備方法，包括 混合雙胺與雙酐，形成聚酰亞胺前驅物；以及 混合苯胺與該聚酰亞胺前驅物，形成反應混合物，該反應混合物經(jīng)由酰亞胺化反應，從而制備聚酰亞胺共聚物。
9.如權利要求8所述的聚酰亞胺共聚物的制備方法，其中該苯胺在該反應混合物中的摩爾百分比為10 20%。
10.如權利要求8所述的聚酰亞胺共聚物的制備方法，其中該苯胺在該反應混合物中的摩爾百分比為15 20%。
11.一種圖案化金屬氧化物層的制造方法，包括下列步驟 提供基板； 形成圖案化聚酰亞胺層于該基板上，其中該聚酰亞胺層由權利要求8所述的聚酰亞胺共聚物的制備方法所制備； 在該基板與該圖案化聚酰亞胺層上形成金屬氧化物層；以及 移除該圖案化聚酰亞胺層，從而形成圖案化金屬氧化物層。
12.如權利要求11所述的圖案化金屬氧化物層的制造方法，該聚酰亞胺共聚物的制備方法中該苯胺在該反應混合物中的摩爾百分比為10 20%。
13.如權利要求11所述的圖案化金屬氧化物層的制造方法，其中該基板包括硅、玻璃或陶瓷基板。
14.如權利要求11所述的圖案化金屬氧化物層的制造方法，其中通過印刷制程在該基板上形成該圖案化聚酰亞胺層。
15.如權利要求11所述的圖案化金屬氧化物層的制造方法，其中該金屬氧化物層包括氟摻雜氧化錫、氧化鋁或氧化銦錫。
16.如權利要求11所述的圖案化金屬氧化物層的制造方法，其中系通過沉積制程在該基板與該圖案化聚酰亞胺層上形成該金屬氧化物層。
17.如權利要求11所述的圖案化金屬氧化物層的制造方法，其中將該基板置于有機溶 >劑中，以移除該圖案化聚酰亞胺層。
18.如權利要求17所述的圖案化金屬氧化物層的制造方法，其中該有機溶劑包括N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、Y - 丁內酯、二甲基亞砜、乙醇胺、鄰苯二酚或其組合。
19.如權利要求11所述的圖案化金屬氧化物層的制造方法，還包括在該基板與該圖案化聚酰亞胺層上形成該金屬氧化物層之前，對該圖案化聚酰亞胺層進行硬烤。
全文摘要
本發(fā)明提供一種聚酰亞胺共聚物，具有下列化學式(I)或(II)。在化學式(I)或(II)中，B為脂環(huán)族或芳香族，A為芳香族，R為氫或苯基，以及m、n為20～50。本發(fā)明另提供一種圖案化金屬氧化物層的制造方法。
文檔編號C08G73/10GK102898645SQ20111027537
公開日2013年1月30日 申請日期2011年9月16日 優(yōu)先權日2011年7月28日
發(fā)明者鄭志龍, 蔡政禹, 劉淑芬, 林晉慶, 陳俞君, 孫文檠, 金進興 申請人:財團法人工業(yè)技術研究院