專利名稱：一種以鐵基非晶/納米晶帶材做貼片層的電磁屏蔽復合材料制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種以鐵基非晶/納米晶帶材做貼片層的電磁屏蔽復合材料制備方法。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展，各種電子電器設(shè)備產(chǎn)品進入工作生活的各個領(lǐng)域，電磁輻射污染隨即成為不可忽視的大問題?？茖W研究證實，人為的電磁污染已成為一種新型的社會公害，電磁輻射所產(chǎn)生的危害主要有以下三個方面首先，電磁輻射的能量有可能對人類生活日益依賴的各種電子設(shè)備的正常運轉(zhuǎn)，通訊信號的正常傳播等產(chǎn)生影響，甚至造成嚴重危害，從而形成電磁干擾(Electromagnetic interference，簡稱EMI);其次，電磁輻射使得人類的生存環(huán)境變得越來越惡劣，進而對人類身體健康帶來威脅。最后，由電磁輻射所形成的電磁波泄漏引發(fā)的信息安全問題，也會直接威脅到國家政治、經(jīng)濟、軍事的安全。 電磁屏蔽就是解決電磁污染的最重要的手段之一。因此，采取措施來消除或減少電磁輻射污染，探索高效的電磁屏蔽材料，防止電磁波引起的電磁干擾和電磁兼容問題，對于提高電子產(chǎn)品和設(shè)備的安全可靠性，提升國際競爭力，防止電磁脈沖武器的打擊，確保信息通信系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、傳輸系統(tǒng)、武器平臺等的安全暢通均具有重要的意義。鐵鎳基合金材料是目前應用較多的電磁屏蔽材料，然而鐵鎳基電磁屏蔽材料成本偏高，不適合大范圍的推廣使用，而鐵基非晶/納米晶合金在價格上相對于其他非晶合金有一定的優(yōu)勢；與此同時，在非晶/納米晶帶材的實際生產(chǎn)過程中，由于各種因素，導致帶材會出現(xiàn)單邊，毛刺，孔隙等缺陷，一次性不合格帶材占據(jù)很大的比重，若將大量的廢帶材回爐再利用或者碾碎磨成粉制成磁粉芯，其需要的成本相對很高。因此，為大量的廢帶材尋找合適的利用途徑成為擺在非晶/納米晶帶材生產(chǎn)廠家的又一難題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供以鐵基非晶/納米晶帶材做貼片層的電磁屏蔽復合材料制備方法，將非晶/納米晶帶材與橡膠基復合材料薄膜通過在其表面貼片的方式制成電磁屏蔽復合材料。本發(fā)明是這樣來實現(xiàn)的，其制備工藝步驟如下
本發(fā)明所用的原材料:(1)電磁屏蔽材料以Fe78Si9B13或Fe7^5Cu1Nb3Si115B9為成份的鐵基非晶/納米晶合金帶材，厚度20-50// m ； (2)增強體碳纖維；(3)基體丁基橡膠 (IIR) ； (4)填料白炭黑。本發(fā)明所述的制備工藝步驟
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉3-lOmin后，加入固定種類及比例的橡膠配合劑(公知技術(shù))，混煉約15-60min，使復合相在IIR中分散均勻，按質(zhì)量比為 4:1-6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. I-Imm厚的IIR薄膜；步驟2 將碳纖維與上述的IIR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為l_5h，硫化壓力為 I-IOMPa ；
步驟3 選取不同厚度的未退火態(tài)鐵基非晶/納米晶合金帶材，貼在IIR薄膜/碳纖維 /nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)范圍為1-4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。所述的鐵基非晶/納米晶合金帶材也可以是退火態(tài)的鐵基非晶/納米晶合金帶材。本發(fā)明的優(yōu)點是(1)本發(fā)明中所使用的以I^e78Si9B13或i^73.5CUlNb3Si13.5B9為成份的鐵基非晶/納米晶合金帶材，均為帶材廠家生產(chǎn)中產(chǎn)生的廢帶材，通過作為電磁屏蔽材料加以應用，可有效解決廢帶材的處理問題，具有較高的經(jīng)濟效益；(2)本發(fā)明的制備工藝過程簡單，設(shè)備要求不高，效果顯著，便于實現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)化應用。


圖1為IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜夾層結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明中未經(jīng)退火處理的非晶帶材層數(shù)與屏蔽效能關(guān)系曲線。圖4為本發(fā)明中經(jīng)退火處理的非晶帶材層數(shù)與屏蔽效能關(guān)系曲線。
具體實施例本發(fā)明將通過以下實施例作進一步說明。如圖1所示，UR薄膜/碳纖維/UR薄膜夾層從上至下依次為UR薄膜1、碳纖維 2、IIR 薄膜 1。如圖2所示，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)從上而下位非晶帶貼片層3、IIR薄膜1、碳纖維2、IIR 薄膜1。圖3為本發(fā)明中未經(jīng)退火處理的非晶帶材層數(shù)與屏蔽效能關(guān)系曲線。圖4為本發(fā)明中經(jīng)退火處理的非晶帶材層數(shù)與屏蔽效能關(guān)系曲線。實施例1
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉:3min后，再加入配合劑，混煉約 60min，使復合相在IIR中分散均勻，按質(zhì)量比為4:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維與上述的IIR薄膜復合，制成UR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ；
步驟3 選取厚度20// m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶合金帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm,內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例2
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉IOmin后，再加入配合劑，混煉約 60min，使復合相在IIR中分散均勻，按質(zhì)量比為4:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ；
步驟3 選取厚度20//m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶合金帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm,內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例3
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 60min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為4:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度20// m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶合金帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm,內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例4
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 15min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為4:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度60P m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為3層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例5
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度50// m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例6
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. Imm厚的UR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度40// m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶合金帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm,內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例7
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 60min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為4:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的IIR薄膜復合，制成UR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30//m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶合金帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm,內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例8
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為5:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30// m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶合金帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為2層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm,內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例9
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為5:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30//m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶合金帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm,內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例10步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30// m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶合金帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)范圍為4層， 制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例11
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. 5mm厚的UR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的IIR薄膜復合，制成UR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30// m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶合金帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm,內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例12
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的IIR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/HR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30// m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例13
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30// m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為1層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。
實施例14
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30// m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為2層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例15
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的UR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30// m的未退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶合金帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為3層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm,內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例16
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30//m的退火態(tài)!^e78Si9B13鐵基非晶合金帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備UR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為3層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm,內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例17
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/nR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度20// m的未退火態(tài)i^73.5CUlNb3Si13.5B9鐵基非晶/納米晶合金帶材，用 502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備UR薄膜/碳纖維/nR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為3層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例18
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度60// m的未退火態(tài)!^u5Cu1Nb3Si13.5B9鐵基非晶/納米晶合金帶材，用 502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備UR薄膜/碳纖維/UR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為3層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例19
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30// m的未退火態(tài)i^73.5CUlNb3Si13.5B9鐵基非晶/納米晶合金帶材，用 502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備UR薄膜/碳纖維/UR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為3層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例20
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的UR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的IIR薄膜復合，制成UR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30// m的未退火態(tài)i^73.5CUlNb3Si13.5B9鐵基非晶/納米晶合金帶材，用 502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備UR薄膜/碳纖維/UR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為1層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例21
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的IIR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/HR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30// m的未退火態(tài)i^73.5CUlNb3Si13.5B9鐵基非晶/納米晶合金帶材，用 502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備UR薄膜/碳纖維/UR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例22
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30// m的退火態(tài)i^73.5CUlNb3Si13.5B9鐵基非晶/納米晶合金帶材，用 502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備UR薄膜/碳纖維/UR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例23
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度60// m的退火態(tài)i^e73.5CUlNb3Si13.5B9鐵基非晶/納米晶合金帶材，用 502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備UR薄膜/碳纖維/UR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例M
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的UR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度20// m的退火態(tài)i^73.5CUlNb3Si13.5B9鐵基非晶/納米晶合金帶材，用 502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備UR薄膜/碳纖維/UR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。實施例25
步驟1 將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉5min后，再加入配合劑，混煉約 30min，使復合相在丁基橡膠中分散均勻，按質(zhì)量比為6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為Imm厚的IIR薄膜；
步驟2 將碳纖維織布與上述的IIR薄膜復合，制成UR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為池，硫化壓力為SMPa ； 步驟3 選取厚度30// m的退火態(tài)i^73.5CUlNb3Si13.5B9鐵基非晶/納米晶合金帶材，用502膠以點膠的方式貼在步驟2所制備UR薄膜/碳纖維/UR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)為4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。剪切成外徑Φ 115mm，內(nèi)徑Φ 12mm的圓形試樣，進行電磁屏蔽性能測試。
表1試樣編號
權(quán)利要求
1. 一種以鐵基非晶/納米晶帶材做貼片層的電磁屏蔽復合材料制備方法，其特征是包括以下原料:(1)電磁屏蔽材料以Fe78Si9B13或Fe715Cu1Nb3Si13^B9為成份的鐵基非晶/ 納米晶合金帶材，厚度2(Γ60 μ m ； (2)增強體碳纖維；3)基體丁基橡膠(nR); (4)填料 白炭黑；其制備工藝步驟如下(1)將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉3-lOmin后， 加入固定種類及比例的橡膠配合劑(公知技術(shù))，混煉約15-60min，使復合相在IIR中分散均勻，按質(zhì)量比為4:1-6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0. I-Imm厚的IIR 薄膜；(2)將碳纖維與上述的UR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/UR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)， 并在壓力成型機中硫化成型，硫化溫度為165°C，硫化時間為1- ，硫化壓力為I-IOMPa ； (3)選取不同厚度的未退火態(tài)鐵基非晶/納米晶合金帶材，貼在UR薄膜/碳纖維/UR薄膜夾層結(jié)構(gòu)的表面，貼片層數(shù)范圍為1-4層，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。
全文摘要
一種以鐵基非晶/納米晶帶材做貼片層的電磁屏蔽復合材料制備方法，工藝步驟為(1)將丁基橡膠(IIR)在開放式煉膠機上塑煉3-10min后，加入固定種類及比例的橡膠配合劑(公知技術(shù))，混煉約15-60min，使復合相在IIR中分散均勻，按質(zhì)量比為4:1-6:1比例，將塑煉膠與白炭黑進行混煉，制成厚度為0.1-1mm厚的IIR薄膜；(2)將碳纖維與上述的IIR薄膜復合，制成IIR薄膜/碳纖維/IIR薄膜的夾層結(jié)構(gòu)，并在壓力成型機中硫化成型,硫化溫度為165℃，硫化時間為1-5h，硫化壓力為1-10MPa；(3)選取不同厚度的未退火態(tài)鐵基非晶/納米晶合金帶材，制得表層導電型電磁屏蔽復合材料。本發(fā)明的優(yōu)點是(1)通過對廢帶材的回收再利用，可有效解決廢帶材的處理問題，具有較高的經(jīng)濟效益和環(huán)境效益；(2)本發(fā)明的制備工藝過程簡單，設(shè)備要求不高，效果顯著，便于實現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)化應用。
文檔編號C08K3/36GK102529227SQ20111038101
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月25日
發(fā)明者朱正吼, 李小敏 申請人:南昌大學