專利名稱：用于形成硅基絕緣層的組合物及其制造方法、硅基絕緣層及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于形成硅基絕緣層的組合物、該組合物的制造方法，以及使用該組合物而形成的硅基絕緣層。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的日益發(fā)展，對于形成高度集成、更加快速且具改善性能和更小集成半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體存儲單元正在進(jìn)行不斷的研究。在這些半導(dǎo)體存儲單元中，例如，可使用DRAM (動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。DRAM能夠自由輸入和輸出信息，并可實(shí)現(xiàn)大容量。DRAM例如可包括多個含有一個MOS晶體管(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)和一個電容器的單元(unit cells)。電容器可包括兩個電極和設(shè)置在兩個電極之前的介電層。電容器可以具有不同的電容，這取決于例如介電常數(shù)、介電層的厚度、電極面積等。隨著半導(dǎo)體芯片的尺寸縮小，其中的電容器的尺寸也應(yīng)縮小。然而，較小電容器仍然需要足夠的存儲容量。電容器可通過例如增大垂直面積(而不是減少水平面積)來增大總有效面積 (overall active area),從而實(shí)現(xiàn)更大的容量。當(dāng)以這種方式形成電容器時(shí)，可使用一種用于形成硅基絕緣層的組合物來填充模具和其上的間隙(gap)，并有效地形成相比于小的水平面積相對較高的電極。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一種實(shí)施方式提供一種用于形成硅基絕緣層的組合物，該組合物包括具有殘余氯含量的氫化聚娃氧娃氮燒(氫化聚娃氧氮燒，hydrogenated polysiloxazane)。本發(fā)明的另一種實(shí)施方式提供一種用于形成硅基絕緣層的組合物的制造方法，該組合物包括具有殘余氯含量的氫化聚硅氧硅氮烷。本發(fā)明的又一種實(shí)施方式提供一種具有少量缺陷的硅基絕緣層。本發(fā)明的再一種實(shí)施方式提供一種具有少量缺陷的硅基絕緣層的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施方式，提供用于形成硅基絕緣層的組合物，其包括氫化聚硅氧硅氮烷，該氫化聚硅氧硅氮烷包括以下化學(xué)式I表示的部分和以下化學(xué)式2表示的部分，并且氯濃度為Ippm或更低。[化學(xué)式I]
權(quán)利要求
1.一種用于形成硅基絕緣層的組合物，包括氫化聚硅氧硅氮烷，其包括以下化學(xué)式I表示的部分和以下化學(xué)式2表示的部分，并且具有Ippm或更低的氯濃度<化學(xué)式1> <化學(xué)式2>
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于形成硅基絕緣層的組合物，其中，所述氫化聚硅氧硅氮烷在其末端包括以下化學(xué)式3表示的部分，并且具有O. 2 3wt%的氧含量，并且基于Si-H 鍵的總量以下化學(xué)式3表示的部分的量為15 35wt% <化學(xué)式3>*-SiH3。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于形成硅基絕緣層的組合物，其中，所述氫化聚硅氧硅氮烷的重均分子量為約1000 5000。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于形成硅基絕緣層的組合物，其中，所述氫化聚硅氧硅氮烷的含量為O. I 50wt%。
5.一種用于形成硅基絕緣層且包括氫化聚硅氧硅氮烷的組合物的制造方法，包括 混合齒代硅烷化合物和溶劑以進(jìn)行共氨解，從而合成氫化聚硅氧硅氮烷并制備氫化聚硅氧硅氮烷溶液；將所述氫化聚硅氧硅氮烷溶液的溶劑換為非極性溶劑；使溶劑換為所述非極性溶劑的所述氫化聚硅氧硅氮烷溶液在-20 5°C陳化；以及對經(jīng)陳化的氫化聚硅氧硅氮烷溶液進(jìn)行過濾，以除去氯化銨。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在通過過濾而除去氯化銨后，所述氫化聚硅氧硅氮烷溶液具有Ippm或更低的氯濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述非極性溶劑為二甲苯。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述陳化進(jìn)行I 48小時(shí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在通過過濾除去氯化銨期間，使用孔徑為約O. 01 20 μ m的過濾器。
10.一種硅基絕緣層，其應(yīng)用根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于形成硅基絕緣層且包括所述氫化聚硅氧硅氮烷的組合物制成，并且具有缺陷數(shù)量為1000或更少/8英寸晶片，其中，所述缺陷尺寸為5μπι或更小。
11.一種制造具有低缺陷的硅基絕緣層的方法，包括將根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于形成硅基絕緣層的組合物施加于基板上；干燥其上施加有用于形成硅基絕緣層的所述組合物的所述基板；以及在包括200°C以上的蒸氣氣氛中對其進(jìn)行固化。
全文摘要
本發(fā)明提供用于形成硅基絕緣層的組合物及其制造方法、硅基絕緣層及其制造方法。該組合物包括氫化聚硅氧硅氮烷，該氫化聚硅氧硅氮烷包括化學(xué)式1的部分和化學(xué)式2的部分，且氯濃度為1ppm或更低。在化學(xué)式1和2中，R1至R7各自獨(dú)立為氫、取代或未取代C 1至C30烷基、取代或未取代C3至C30環(huán)烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C 1至C30雜烷基、取代或未取代C2至C30雜環(huán)烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羥基或它們的組合，條件是R1至R7中至少一個為氫。利用本發(fā)明組合物可形成有少量缺陷的硅基絕緣層。、如下所示。
文檔編號C08G77/54GK102585516SQ20111042539
公開日2012年7月18日 申請日期2011年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月7日
發(fā)明者吳正堈, 尹熙燦, 李真旭, 林相學(xué), 裵鎮(zhèn)希, 郭澤秀, 金奉煥, 金相均, 韓東一 申請人:第一毛織株式會社