專利名稱：基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構及其制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構及其制備方法，屬于材料微結構及其制備技術領域。
背景技術：
新型微結構將激發(fā)新的功能和性能，并在生物、光學、光電、信息等領域等各個領域實現(xiàn)應用。聚合物表面的微結構的形貌不同，可以調控其功能和性能。例如，在光學領域，聚合物表面的微結構的不同，對光的反射、散射、透射將產(chǎn)生極大影響，從而可以調控三者的關系，滿足不同領域的應用。在生物領域，聚合物表面的微結構的形貌不同，生物對其表面的粘附性不同，基此可以研發(fā)防生物粘附的材料，實現(xiàn)艦船等節(jié)能、增效的需要，可產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟效益。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構，使該微結構材料可以在生物、光學、光電、信息等領域獲得廣泛應用。本發(fā)明的另一目的是提供該微結構材料的制備方法。為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術方案如下
基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構，由聚合物基體和位于基體表面的微結構組成，微結構為復制無機鹽結晶模板的形貌。所述無機鹽為硝酸鉀、碳酸鈉、硫酸銅、氯化鈉、氯化銅、硫酸鎳或硫酸鋅等可溶性無機鹽；所述的聚合物為熱固化、光固化或雙組份固化等聚合物材料。本發(fā)明所述的基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構的制備方法，包括以下步驟
(1)通過冷卻結晶、蒸發(fā)結晶的方法制備無機鹽結晶模板；
(2)將聚合物單體或者聚合物基體澆鑄在其表面固化；
(3)水洗去除無機鹽，即可獲得基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構。本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，其顯著優(yōu)點是(1)可獲得新型的基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構；(2)成本低廉，無需大型儀器，工藝簡單可靠。
具體實施例方式下面對本發(fā)明作進一步詳細的描述。實施例I :通過冷卻結晶方法制備硝酸鉀結晶模板，然后將PDMS預聚體和引發(fā)劑混合后澆鑄在其表面，常溫下熱固化，最后水洗去除硝酸鉀，即可獲得基于硝酸鉀結晶模板的PDMS表面微結構。實施例2 :通過蒸發(fā)結晶的方法制備碳酸鈉結晶模板，然后將SU-8預聚物澆鑄在其表面紫外光固化，最后水洗去除碳酸鈉，即可獲得基于碳酸鈉結晶模板的Su-8表面微結構。實施例3 :通過冷卻結晶的方法制備硫酸銅結晶模板，然后將雙組份AB膠混合后迅速澆鑄在其表面實現(xiàn)雙組份的固化，最后水洗去除硫酸銅，即可獲得基于硫酸銅結晶模板的AB膠表面微結構。實施例4:通過蒸發(fā)結晶的方法制備氯化銅結晶模板，然后將PDMS預聚體和引發(fā)劑混合后澆鑄在其表面熱固化，最后水洗去除氯化銅，即可獲得基于氯化銅結晶模板的PDMS表面微結構。實施例5 :通過蒸發(fā)結晶的方法制備硫酸鎳結晶模板，然后將Su-8預聚物澆鑄在其表面紫外光固化，最后水洗去除硫酸鎳，即可獲得基于硫酸鎳結晶模板的Su-8表面微結構。 實施例6 :通過蒸發(fā)結晶的方法制備硫酸鋅結晶模板，然后將PDMS預聚體和引發(fā)劑混合澆鑄在其表面熱固化，最后水洗去除硫酸鋅，即可獲得基于硫酸鋅結晶模板的PDMS表面微結構。
權利要求
1.基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構，其特征在于，所述的聚合物表面微結構由聚合物基體和位于基體表面的微結構組成，微結構為復制無機鹽結晶模板的形貌。
2.根據(jù)權利要求I所述的基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構，其特征是，所述的無機鹽為硝酸鉀、碳酸鈉、硫酸銅、氯化鈉、氯化銅、硫酸鎳、硫酸鋅或其它可溶性無機鹽。
3.根據(jù)權利要求I所述的基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構，其特征是，所述的聚合物為熱固化、光固化或雙組份固化的聚合物材料。
4.制備如權利要求I所述基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構的方法，其特征是，包括以下步驟(1)通過結晶的方法制備無機鹽結晶模板；(2)將聚合物單體或者聚合物基體澆鑄在其表面固化；(3)水洗去除無機鹽，即可獲得基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構。
5.根據(jù)權利要求4所述的基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構的制備方法，其特征是，步驟(I)中所述的結晶的方法為冷卻結晶或者蒸發(fā)結晶。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構及其制備方法，該聚合物表面微結構由聚合物基體、表面復制無機鹽結晶模板形貌的表面微結構組成。其制備方法包括以下步驟通過結晶的方法制備無機鹽結晶模板，然后將聚合物單體或者聚合物基體澆鑄在其表面固化，最后水洗去除無機鹽，即可獲得基于無機鹽結晶模板的聚合物表面微結構。本發(fā)明結構新穎，制備簡單，可在生物、光學、光電、信息等領域獲得應用。
文檔編號C08J5/00GK102827384SQ20121034143
公開日2012年12月19日 申請日期2012年9月17日 優(yōu)先權日2012年9月17日
發(fā)明者陳延峰, 葛海雄, 袁長勝, 盧明輝 申請人:無錫英普林納米科技有限公司