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      含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷以及熱硬化樹脂組成物的制作方法

      文檔序號:3673669閱讀:125來源:國知局
      含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷以及熱硬化樹脂組成物的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明揭露含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷以及熱硬化樹脂組成物。所述含烯基或含硅氫鍵的星狀聚硅氧烷包括X基團(tuán)以及各自通過-CmH2m-與X基團(tuán)連接的多個Y基團(tuán)。X為一分子含三至六個末端烯基或末端硅氫鍵的化合物經(jīng)硅氫化反應(yīng)的殘基。Y各自獨(dú)立,為一分子含二個末端硅氫鍵或末端烯基的聚硅氧烷經(jīng)硅氫化反應(yīng)的殘基。-CmH2m-各自獨(dú)立,為前述一分子含三至六個末端烯基或末端硅氫鍵的化合物與一分子含二個末端烯基或末端硅氫鍵的聚硅氧烷進(jìn)行硅氫化反應(yīng)所產(chǎn)生的連結(jié)基團(tuán),m為2~5的整數(shù)。
      【專利說明】含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷以及熱硬化樹脂組成物
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種聚硅氧烷,且特別是有關(guān)于一種含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷以及包括所述星狀聚硅氧烷的熱硬化樹脂組成物。
      【背景技術(shù)】
      [0002]發(fā)光二極管(light emitting diode,LED)具有效率高、壽命長、不易破損、開關(guān)速度快、可靠度高等傳統(tǒng)光源不及的優(yōu)點,是極具潛力的新一代光源。LED開啟時,輸入的電能一部分轉(zhuǎn)換為光能,其余部份轉(zhuǎn)換為熱能散逸,從而放出大量的熱。因此,用于封裝LED的材料須具有優(yōu)良的抗冷熱沖擊能力。
      [0003]舉例來說,環(huán)氧樹脂(epoxy resin)是一種習(xí)知的LED封裝材料,它具有透明、氣密、耐濕、絕緣且機(jī)械強(qiáng)度佳等特性。然而,由于其彈性系數(shù)高,在冷熱沖擊循環(huán)期間,可能會因環(huán)氧樹脂的形變量過大而造成接合導(dǎo)線(bonding wire)斷裂。
      [0004]聚硅氧烷是另一種可以取代環(huán)氧樹脂,用于封裝LED的材料。聚硅氧烷的耐熱、耐濕性均較環(huán)氧樹脂為佳,且尚具有光取出率高、抗黃化、低應(yīng)力、高密著、抗膠裂等特性。因此,近來對聚硅氧烷材料的研究日益受到重視。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明提供一種含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷,具有良好的抗冷熱沖擊能力。
      [0006]本發(fā)明提供一種熱硬化樹脂組成物,含有前述含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷,因此適于作為封裝膠材料。
      [0007]本發(fā)明提出一種含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷,包括X基團(tuán)以及各自通過-CmH2m-與所述X基團(tuán)連接的多個Y基團(tuán)。X為一分子含三至六個末端烯基或末端硅氫鍵的化合物經(jīng)娃氫化反應(yīng)的殘基。Y各自獨(dú)立,為一分子含二個末端娃氫鍵或末端烯基的聚娃氧烷經(jīng)硅氫化反應(yīng)的殘基。Y可以式I表示^R2pSipZlr1-Gi 1),其中R各自獨(dú)立,為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單價烴基、氫原子、烷氧基或環(huán)氧基3各自獨(dú)立,為氧原子或二價脂肪族烴基;P為I~100的整數(shù)。-CmH2m-各自獨(dú)立,為前述一分子含三至六個末端烯基或末端硅氫鍵的化合物與前述一分子含二個末端烯基或末端硅氫鍵的聚硅氧烷進(jìn)行硅氫化反應(yīng)所產(chǎn)生的連結(jié)基團(tuán),其中m為2~100的整數(shù)。
      [0008]在本發(fā)明的一實施例中,m為2~30的整數(shù)。
      [0009]在本發(fā)明的一實施例中,m為2~5的整數(shù)。
      [0010]在本發(fā)明的一實施例中,X/Si的摩爾比為0.01%至6%。
      [0011]在本發(fā)明的一實施例中,X為以式2至式5其中之一表不的基團(tuán):
      [0012]
      【權(quán)利要求】
      1.一種含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷,包括X基團(tuán)以及各自通過-CmH2m-與所述X基團(tuán)連接的多個Y基團(tuán),其中 X為一分子含三至六個末端烯基或末端硅氫鍵的化合物經(jīng)硅氫化反應(yīng)的殘基; Y各自獨(dú)立,為一分子含二個末端娃氫鍵或末端烯基的聚硅氧烷經(jīng)娃氫化反應(yīng)的殘基,其以式I表示: -R2pSipZp-1-式 1,其中 R各自獨(dú)立,為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單價烴基、氫原子、烷氧基或環(huán)氧基, Z各自獨(dú)立,為氧原子或二價脂肪族烴基, P為I~100的整數(shù); -CmH2m-各自獨(dú)立,為該一分子含三至六個末端烯基或末端硅氫鍵的化合物與一分子含二個末端烯基或末端硅氫鍵的聚硅氧烷進(jìn)行硅氫化反應(yīng)所產(chǎn)生的連結(jié)基團(tuán),其中m為2~100的整數(shù)。
      2.如權(quán)利要求1所述的含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷,其中m為2~30的整數(shù)。
      3.如權(quán)利要求1所述的含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷,其中m為2~5的整數(shù)。
      4.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷,其中X/Si的摩爾比為0.01%至6%。
      5.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷,其中X為以式2至式5其中之一表不的基團(tuán):
      6.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷,其中X為以式2或式3表示的基團(tuán):


      7.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷,其中R為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1-C12單價烴基、氫原子、烷氧基或環(huán)氧基,且R中不含烯基。
      8.如權(quán)利要求7所述的含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷,其中Y由交替的C2-C5二價烷基與由式6表示的基團(tuán)組成: -R2qSiqOt^-式 6,其中 q為I~6的整數(shù)。
      9.一種熱硬化樹脂組成物,包括: A:如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的含烯基或硅氫鍵的星狀聚硅氧烷; B:含硅氫鍵或烯基的聚硅氧烷; C:硅氫化催化劑,其中 當(dāng)A為含烯基的星狀聚硅氧烷時,B為含硅氫鍵的聚硅氧烷;當(dāng)A為含硅氫鍵的星狀聚硅氧烷時,B為含烯基的聚硅氧烷。
      10.如權(quán)利要求9所述的熱硬化樹脂組成物,其中以該熱硬化樹脂組成物的總重量計,A的含量為5wt%~45wt%,B的含量為5wt%~45wt%,C的含量為0.0001wt%~lwt%。
      11.如權(quán)利要求9所述的熱硬化樹脂組成物,更包括: D:含末端烯基或末端硅氫鍵的網(wǎng)狀聚硅氧烷,其中 D包括大于30mole%的RaSiOv2單元,Ra各自獨(dú)立,為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單價烴基、氫原子、烷氧基或環(huán)氧基,且以該熱硬化樹脂組成物的總重量計,D的含量為20wt%~90wt%。
      12.如權(quán)利要求9所述的熱硬化樹脂組成物,更包括: E:具環(huán)氧基的含硅氫鍵或含烯基的聚硅氧烷,且以該熱硬化樹脂組成物的總重量計,E的含量為0.01wt%~10wt%。
      【文檔編號】C08G77/20GK103539944SQ201210427821
      【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月13日
      【發(fā)明者】廖元利, 張譽(yù)瓏, 楊敏麒 申請人:達(dá)興材料股份有限公司
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