硅類液晶取向劑、液晶取向膜及液晶顯示元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供液晶取向劑、由該液晶取向劑得到的液晶取向膜以及具有由該液晶取向膜的液晶顯示元件。即使是使用不添加聚合性化合物的液晶并與PSA方式同樣地進行處理而使UV照射后的響應(yīng)速度提高的方式的液晶顯示元件，所述液晶取向劑也能夠形成可在不使垂直取向力下降的情況下使UV照射后的響應(yīng)速度提高的液晶取向膜。包含下述的聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的液晶取向劑。聚硅氧烷(A):將包括以式(1)表示的烷氧基硅烷及以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得到的聚硅氧烷。R1是可被氟原子取代的碳數(shù)8～30的烴基，R2表示碳數(shù)1～5的烷基。R3是被丙烯?；?、甲基丙烯?；蚍蓟〈耐榛?，R4表示碳數(shù)1～5的烷基。聚硅氧烷(B):將包括70％～100％以式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷。R5表示碳數(shù)1～5的烷基。R1Si(OR2)3--?(1)R3Si(OR4)3--?(2)Si(OR5)4--?(3)
【專利說明】娃類液晶取向劑、液晶取向膜及液晶顯示元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及包含將烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷的液晶取向劑及由所述液晶取向劑得到的液晶取向膜以及具有該液晶取向膜的液晶顯示元件。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，液晶顯示元件的顯示方式中，垂直(VA)方式的液晶顯示元件被廣泛應(yīng)用于大畫面的液晶電視和高精細的移動用途(數(shù)碼相機和手機的顯示部)等。
[0003]VA方式中，已知在TFT或彩色濾光片基板上形成用于控制液晶傾倒方向的突起的MVA方式(多疇垂直取向，Multi Vertical Alignment)，和在基板的ITO電極上形成狹縫而通過電場控制液晶傾倒方向的PVA(垂直取向構(gòu)型,Patterned Vertical Alignment)方式。
[0004]作為其它取向方式,還有PSA(聚合物穩(wěn)定取向，Polymer sustained Alignment)方式。VA方式中，PSA方式是近年來受到矚目的技術(shù)。該方式中，向液晶中添加光聚合性化合物，制成液晶面板后，施加電場并在液晶傾倒的狀態(tài)下向液晶面板照射UV。其結(jié)果是，通過聚合性化合物的光聚合，液晶的取向方向固定化，產(chǎn)生預(yù)傾角，響應(yīng)速度提高。該方式的特點在于，即使是在構(gòu)成液晶面板的一側(cè)的電極上制成狹縫而在相對側(cè)的電極圖案上未設(shè)置像MVA那樣的突起或像PVA那樣的狹縫的結(jié)構(gòu)也可以工作，能夠?qū)崿F(xiàn)制造的簡化，獲得良好的面板透射率(參照專利文獻I)。
[0005]不僅已知以往一直采用的聚酰亞胺等有機類的液晶取向膜材料，還已知無機類的液晶取向膜材料。例如，作為涂布型的無機類取向膜的材料，提出有包含四烷氧基硅烷、三烷氧基硅烷與醇及乙二酸的反應(yīng)生成物的取向劑組合物，有報道稱其在液晶顯示元件的電極基板上形成垂直取向性、耐熱性和均勻性良好的液晶取向膜(參照專利文獻2)。
[0006]此外，還提出有包含四燒氧基娃燒、特定的二燒氧基娃燒與水的反應(yīng)生成物以及特定的二醇醚類溶劑的液晶取向劑組合物，有報道稱所形成的液晶取向膜可防止顯示缺陷，長時間驅(qū)動后殘像特性也很好，使液晶取向的能力不會下降，且對于光和熱的電壓保持率的下降少(參照專利文獻3)。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0008]專利文獻
[0009]專利文獻1:日本專利特開2004-302061號公報
[0010]專利文獻2:日本專利特開平09-281502號公報
[0011]專利文獻3:日本專利特開2005-250244號公報
[0012]發(fā)明的概要
[0013]發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0014]PSA方式的液晶顯示元件中，存在添加于液晶的聚合性化合物的溶解性低，如果增加添加量，則會在低溫時析出的問題。另一方面，如果減少聚合性化合物的添加量，則無法獲得良好的取向狀態(tài)。此外，存在殘留于液晶中的未反應(yīng)的聚合性化合物成為液晶中的雜質(zhì)(污染)，因而使液晶顯示元件的可靠性下降的問題。對于該問題，通過向取向膜中導(dǎo)入進行聚合反應(yīng)的側(cè)鏈，即使在使用未添加聚合性化合物的液晶的情況下，也可獲得與PSA方式同等的特性。
[0015]進行垂直取向的VA模式中，需要使其垂直取向的強垂直取向力，但不使用聚合性化合物的該方式中，如果使垂直取向力提高，則UV照射后的響應(yīng)速度變慢，如果使UV照射后的響應(yīng)速度提高，則垂直取向力下降。垂直取向力和UV照射后的響應(yīng)速度的提高存在二律背反的關(guān)系。
[0016]本發(fā)明的課題在于提供液晶取向劑以及具有由該液晶取向劑得到的液晶取向膜的液晶顯示元件。即使是使用不添加聚合性化合物的液晶并與PSA方式同樣地進行處理而使UV照射后的響應(yīng)速度提高的方式的液晶顯示元件，所述液晶取向劑也能夠形成可在不使垂直取向力下降的情況下使UV照射后的響應(yīng)速度提高的液晶取向膜。
[0017]解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0018]本發(fā)明包括下述技術(shù)內(nèi)容。
[0019][I]液晶取向劑，其中，包含下述的聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷⑶；
[0020]聚硅氧烷(A):將包括以式(I)表示的烷氧基硅烷及以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得到的聚硅氧烷，
[0021]R1Si(OR2)3 (I)
[0022]R1是可被氟原子取代的碳數(shù)8?30的烴基，R2表示碳數(shù)I?5的烷基，
[0023]R3Si(OR4)3 (2)
[0024]R3是被丙烯?；?、甲基丙烯酰基或芳基取代的碳數(shù)I?30的烷基，R4表示碳數(shù)I?5的燒基；
[0025]聚硅氧烷⑶:將包括70%?100%以式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷，
[0026]Si (OR5)4 (3)
[0027]R5表示碳數(shù)I?5的烷基。
[0028][2]如上述[I]所述的液晶取向劑，其中，聚硅氧烷⑶是將還包括以式⑵表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷。
[0029][3]如上述[I]所述的液晶取向劑，其中，聚硅氧烷⑶是將還包括以式⑷表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷，
[0030]R6Si(OR7)3 (4)
[0031]R6是碳數(shù)I?5的烷基，R7表示碳數(shù)I?5的烷基。
[0032][4]如上述[I]?[3]中的任一項所述的液晶取向劑，其中，選自聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的至少一種聚硅氧烷是將還包括以下式(5)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷，
[0033](R8)nSi (OR9) 4_n (5)
[0034]R8是氫原子或者可被雜原子、鹵素原子、氨基、環(huán)氧丙氧基、巰基、異氰酸酯基或脲基取代的碳數(shù)I?12的烴基，R9是碳數(shù)I?5的烷基，η表示O?3的整數(shù)。
[0035][5]如上述[I]?[3]中的任一項所述的液晶取向劑，其中，所述以式(I)表示的烷氧基硅烷在用于聚硅氧烷(A)的全部烷氧基硅烷中的含量為I摩爾％?20摩爾％，且所述以式(2)表示的烷氧基硅烷在用于聚硅氧烷(A)的全部烷氧基硅烷中的含量為10摩爾％?80摩爾％。
[0036][6]液晶取向膜,將上述[I]?[5]中的任一項所述的液晶取向劑涂布于基板,干燥，燒成而得。
[0037][7]液晶顯示元件,具有上述[6]所述的液晶取向膜。
[0038][8]液晶顯不兀件，在施加電壓的狀態(tài)下對用2塊基板夾持著液晶的液晶盒照射UV而得，所述的2塊基板通過涂布上述[I]?[5]中的任一項所述的液晶取向劑并進行燒成而獲得。
[0039][9]液晶顯示元件的制造方法，其中，以涂布上述[I]?[5]中的任一項所述的液晶取向劑并燒成而得的2塊基板夾持液晶，在施加電壓的狀態(tài)下照射UV。
[0040]發(fā)明的效果
[0041]根據(jù)本發(fā)明，通過使用未添加聚合性化合物的液晶并與PSA方式同樣地照射UV，可獲得能夠形成可在不使垂直取向力下降的情況下使UV照射后的響應(yīng)速度提高的液晶取向膜的液晶取向劑，以及具有由該液晶取向劑得到的液晶取向膜的液晶顯示元件。
[0042]實施發(fā)明的方式
[0043]<聚硅氧烷⑷>
[0044]聚硅氧烷(A)是將包括以式(I)表示的烷氧基硅烷及以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得到的聚硅氧烷。
[0045]R1Si(OR2)3 (I)
[0046]式(I)中，R1是可被氟原子取代的碳數(shù)8?30的烴基，R2表示碳數(shù)I?5的烷基。
[0047]R3Si(OR4)3 (2)
[0048]式⑵中，R3是被丙烯酰基、甲基丙烯酰基或芳基取代的烷基，R4表示碳數(shù)I?5的燒基。
[0049]以式(I)表示的烷氧基硅烷的R1 (以下也稱特定有機基團)是可被氟原子取代的碳數(shù)8?30、較好是8?22的烴基，只要具有使液晶垂直取向的效果即可，無特別限定。
[0050]作為特定有機基團的例子，可例舉燒基、氣代燒基、稀基、苯乙基、苯乙稀基燒基、萘基、氟苯基烷基等。其中，R1為烷基或氟代烷基的烷氧基硅烷由于價格相對便宜，容易作為市售品獲得，因此優(yōu)選。上述氟代烷基中，氟原子的數(shù)量在I以上，可以全部的氫被氟原子取代。
[0051]特別好是R1為烷基的烷氧基硅烷。本發(fā)明中使用的聚硅氧烷(A)可具有多種所述特定有機基團。
[0052]以式⑴表示的烷氧基硅烷的R2為碳數(shù)I?5、較好是I?3的烷基。更好是R2為甲基或乙基。
[0053]下面例舉所述的以式(I)表示的烷氧基硅烷的具體例子，但并不僅限于此。
[0054]例如，可例舉辛基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、癸基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十七烷基三甲氧基硅烷、十七烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、十九烷基三甲氧基硅烷、十九烷基三乙氧基硅烷、十一烷基二乙氧基娃燒、十一燒基二甲氧基娃燒、21-十二碳稀基二乙氧基娃燒、十二氣羊基二甲氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷、十三氟癸基三乙氧基硅燒、異羊基二乙氧基娃燒、苯乙基二乙氧基娃燒、五氣苯基丙基二甲氧基娃燒、間苯乙稀基乙基二甲氧基娃燒、對苯乙稀基乙基二甲氧基娃燒、(1_蔡基)二乙氧基娃燒、(1_蔡基)三甲氧基硅烷等。其中，較好是辛基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、癸基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十七烷基三甲氧基硅烷、十七烷基三乙氧基硅烷、十八烷基二甲氧基娃燒、十八燒基二乙氧基娃燒、十九燒基二甲氧基娃燒、十九燒基二乙氧基娃燒、十一烷基三乙氧基硅烷或十一烷基三甲氧基硅烷。
[0055]為了獲得良好的液晶取向性，具有上述的特定有機基團的以式(I)表示的烷氧基硅烷在用于獲得聚硅氧烷(A)的全部烷氧基硅烷中較好是在I摩爾％以上，更好是在1.5摩爾％以上，進一步更好是在2摩爾％以上。此外，為了使所形成的液晶取向膜具有充分的固化特性，較好是在30摩爾％以下，更好是在25摩爾％以下。
[0056]以式(2)表示的烷氧基硅烷的R3 (以下也稱第二特定有機基團)是被選自丙烯?；?、甲基丙烯?；头蓟闹辽僖粋€取代的烷基。所取代的氫原子為I個以上，較好是I個。烷基的碳數(shù)較好是I?30，更好是I?20，進一步更好是I?10。烷基可以是直鏈狀或分支狀，較好是直鏈狀。
[0057]以式⑵表示的烷氧基硅烷的R4是碳數(shù)I?5的烷基，較好是碳數(shù)I?3，特別好是碳數(shù)I?2。
[0058]下面例舉以式(2)表示的烷氧基硅烷的具體例子，但并不僅限于這些化合物。例如，可例舉3-甲基丙烯?；籽趸柰椤?-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基甲基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基甲基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、丙烯酰氧基乙基三甲氧基硅烷、丙烯酰氧基乙基三乙氧基硅烷、苯乙烯基乙基三甲氧基硅烷、苯乙烯基乙基三乙氧基硅烷、3-(N-苯乙稀基甲基_2_氛基乙基氛基)丙基二甲氧基娃燒。
[0059]聚硅氧烷⑷的制造中，除了以式(I)和式⑵表示的烷氧基硅烷以外，以與基板的密合性、與液晶分子的親和性改善等為目的，只要不破壞本發(fā)明的效果，也可以使用一種或多種以下式(5)表示的烷氧基硅烷。以式(5)表示的烷氧基硅烷可賦予聚硅氧烷以各種特性，因此可根據(jù)所需特性選擇一種或多種使用。
[0060](R8)nSi (OR9) 4_n (5)
[0061]式(5)中，R8是氫原子或者可被雜原子、鹵素原子、氨基、環(huán)氧丙氧基、巰基、異氰酸酯基或脲基取代的碳數(shù)I?10的烴基。
[0062]R9是碳數(shù)I?5、較好是I?3的烷基。
[0063]η是O?3，較好是O?2的整數(shù)。
[0064]以式(5)表示的烷氧基硅烷的R8是氫原子或者碳數(shù)為I?10的烴基(以下也稱第三特定有機基團)。
[0065]作為第三特定有機基團的例子，可例舉脂肪族烴基，脂肪族環(huán)、芳香族環(huán)和雜環(huán)等環(huán)結(jié)構(gòu)的烴基，具有不飽和鍵的烴基，可含氧原子、氮原子、硫原子等雜原子等且可具有分支結(jié)構(gòu)的碳數(shù)為I?6的烴基。第三特定有機基團可被鹵素原子、氨基、環(huán)氧丙氧基、巰基、異氰酸酯基、脲基等取代。[0066]下面例舉以式(5)表示的烷氧基硅烷的具體例子，但并不僅限于此。可例舉3-(2-氨基乙基氨基丙基)二甲氧基硅烷、3_(2_氨基乙基氨基丙基)二乙氧基硅烷、2-氨基乙基氨基甲基三甲氧基硅烷、2-(2-氨基乙基硫乙基)三乙氧基硅烷、3-巰基丙基三乙氧基硅烷、疏基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基二乙氧基硅烷、3-異氛酸酷基丙基二乙氧基硅烷、二氣丙基二甲氧基硅烷、氣丙基二乙氧基硅烷、漠丙基二乙氧基硅烷、3-疏基丙基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、3-氣基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-氣基丙基二甲基乙氧基硅烷、二甲基乙氧基硅烷、二甲基甲氧基硅烷、Y _服基丙基二乙氧基娃燒、Y_服基丙基二甲氧基硅烷和Y_服基丙基二丙氧基硅烷等。
[0067]以式(5)表不的烷氧基硅烷中，η為O的烷氧基硅烷是四烷氧基硅烷。四烷氧基硅烷容易與以式(I)~(4)表示的烷氧基硅烷縮合，所以在獲得本發(fā)明的聚硅氧烷(A)時優(yōu)選。
[0068]作為這樣的式(5)中η為O的烷氧基硅烷，更好是四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷或四丁氧基硅烷，特別好是四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。
[0069]本發(fā)明中，以式(I)表示的烷氧基硅烷在用于聚硅氧烷(A)的制造的全部烷氧基硅烷中的含量較好是I摩爾％~20摩爾％，特別好是2摩爾％~20摩爾％，且以式(2)表示的烷氧基硅烷在用于聚硅氧烷(A)的制造的全部烷氧基硅烷中的含量較好是10摩爾％~80摩爾％，特別好是30摩爾％~80摩爾％
[0070]<聚硅氧烷⑶>
[0071]聚硅氧烷⑶是將包括70重量％~100重量％以式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷。
[0072]Si (OR5)4 (3)
[0073]式(3)中，R5表示碳數(shù)I~5的烷基，較好是碳數(shù)I或2。
[0074]作為這樣的以式(3)表示的烷氧基硅烷的具體例子，更好是四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷或四丁氧基硅烷，特別好是四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。
[0075]聚硅氧烷(B)可以是將除了以式(3)表示的烷氧基硅烷之外還包括以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得到的聚硅氧烷。
[0076]作為聚硅氧烷(B)所含的以式(2)表示的烷氧基硅烷，可采用上述聚硅氧烷(A)的制造中使用的烷氧基硅烷。具體例子與上述相同。
[0077]聚硅氧烷(B)可以是將除了以式(3)表示的烷氧基硅烷之外還包括以式(4)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得到的聚硅氧烷。
[0078]R6Si(OR7)3 (4)
[0079]式⑷中，R6是碳數(shù)I~5的烷基，R7表示碳數(shù)I~5的烷基。
[0080]以式(4)表示的烷氧基硅烷的R6是碳數(shù)I~5的烷基。烷基的碳數(shù)較好是I~4，更好是I~3，
[0081]以式(4)表示的烷氧基硅烷的R7是碳數(shù)I~5的烷基，較好是碳數(shù)I~3，特別好是碳數(shù)I~2。
[0082]下面例舉以式(4)表示的烷氧基硅烷的具體例子，但并不僅限于這些化合物。例
如，可例舉甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、二甲基三甲氧基硅烷、二甲基三乙氧基娃燒、正丙基二甲氧基娃燒、正丙基二乙氧基娃燒。
[0083]特別是包含將除了以式(3)表示的烷氧基硅烷之外還包括以式⑷表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得到的聚硅氧烷(B)的液晶取向劑的垂直取向力高，特別理想。
[0084]為了通過使用未添加聚合性化合物的液晶并在施加電壓的同時照射UV來提高液晶顯示元件的響應(yīng)速度，具有第二特定有機基團的以(2)表示的烷氧基硅烷在用于獲得聚硅氧烷(B)的全部烷氧基硅烷中較好是在10摩爾％以上，更好是在20摩爾％以上，進一步更好是在30摩爾％以上。此外，為了使所形成的液晶取向膜充分固化，較好是在75摩爾％以下。
[0085]聚硅氧烷⑶的制造中，除了以式(2)、式(3)和式(4)表示的烷氧基硅烷以外，以與基板的密合性、與液晶分子的親和性改善等為目的，只要不破壞本發(fā)明的效果，也可以使用一種或多種以下式(5)表示的烷氧基硅烷。以式(5)表示的烷氧基硅烷可賦予聚硅氧烷以各種特性，因此可根據(jù)所需特性選擇一種或多種使用。
[0086](R8)nSi (OR9) 4_n (5)
[0087]式(5)中，R8和R9的結(jié)構(gòu)及優(yōu)選范圍、以式(5)表示的烷氧基硅烷的具體例子如前所述。
[0088]<聚硅氧烷的制造方法>
[0089]獲得用于本發(fā)明的聚硅氧烷的方法無特別限定。本發(fā)明的聚硅氧烷(A)是使以上述的式(I)和式(2)為必需成分的烷氧基硅烷在有機溶劑中縮聚而得，聚硅氧烷(B)是使以上述的式(3)為必需成分的烷氧基硅烷在有機溶劑中縮聚而得。通常，聚硅氧烷通過將所述的烷氧基硅烷縮聚而作為均勻溶解于有機溶劑的溶液獲得。
[0090]作為將烷氧基硅烷縮聚的方法，可例舉例如將烷氧基硅烷在醇或二醇等溶劑中進行水解、縮合的方法。此時，水解縮合反應(yīng)可以是部分水解和完全水解中的任一種。完全水解的情況下，理論上加入烷氧基硅烷中的全部烷氧基的以摩爾計0.5倍的水即可，但通常較好是加入以摩爾計超過0.5倍的過量的水。
[0091]本發(fā)明中，上述反應(yīng)中使用的水量可以根據(jù)需要適當選擇，但通常以摩爾計較好是烷氧基硅烷中的全部烷氧基的0.5倍?2.5倍，更好是I倍?2倍。
[0092]此外，為了促進水解縮合反應(yīng)，通?？墒褂孟率龃呋瘎?鹽酸、硫酸、硝酸、乙酸、甲酸、乙二酸、馬來酸、富馬酸等酸，氨、甲胺、乙胺、乙醇胺、三乙胺等堿，鹽酸、硫酸、硝酸等的金屬鹽等。除此之外，通過加熱溶解有烷氧基硅烷的溶液來進一步促進水解縮合反應(yīng)也是常用的方法。這時，加熱溫度和加熱時間可根據(jù)需要適當選擇。例如，可例舉在50°C加熱攪拌24小時或者在回流下加熱攪拌I小時等方法。
[0093]此外，作為其它方法，可例舉例如加熱烷氧基硅烷、溶劑和乙二酸的混合物來進行縮聚的方法。具體來說，是預(yù)先在醇中加入乙二酸而制成乙二酸的醇溶液后，在加熱該溶液的狀態(tài)下混合烷氧基硅烷的方法。這時，乙二酸的使用量相對于烷氧基硅烷所具有的全部烷氧基I摩爾較好是0.2摩爾?2摩爾，更好是0.5摩爾?1.5摩爾。該方法中的加熱可在50°C?180°C的液溫下進行。較好是在不發(fā)生液體的蒸發(fā)、揮散等的條件下在回流下加熱數(shù)十分鐘?十數(shù)小時的方法。
[0094]獲得聚硅氧烷時，使用多種烷氧基硅烷的情況下，可將烷氧基硅烷預(yù)先混合而作為混合物使用，也可以將多種烷氧基硅烷依次混合來使用。[0095]將烷氧基硅烷縮聚是所用的溶劑(以下也稱聚合溶劑)只要是溶解烷氧基硅烷的溶劑即可，無特別限定。此外，即使烷氧基硅烷不溶解的情況下，只要是可在烷氧基硅烷的縮聚反應(yīng)進行的同時溶解的溶劑即可。通常，通過烷氧基硅烷的縮聚反應(yīng)生成醇，因此可使用醇類、二醇類、二醇醚類或與醇類的相溶性良好的有機溶劑，特別好是使用二醇類。
[0096]作為這樣的聚合溶劑的具體例子，可例舉甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、雙丙酮醇等醇類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇、己二醇、1，3_丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1，4- 丁二醇、2，3- 丁二醇、1，2-戊二醇、1，3-戊二醇、1，4-戊二醇、1，5-戊二醇、2，4-戊二醇、2，3-戊二醇、1，6-己二醇等二醇類；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丙醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙醚、二乙二醇二丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇二丙醚、丙二醇二丁醚等二醇醚類；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、Y-丁內(nèi)酯、二甲亞砜、四甲基脲、六甲基磷酰三胺、間甲酚等。本發(fā)明中，上述的聚合溶劑可多種混合使用。
[0097]通過上述的方法得到的聚硅氧烷的聚合溶液(以下也稱聚合溶液)中，將作為原料加入的全部烷氧基硅烷的硅原子換算為SiO2而得的濃度(以下稱為SiO2換算濃度)較好是在20重量％以下,更好是5重量％?15重量％。通過在該濃度范圍內(nèi)選擇任意的濃度，可抑制凝膠的生成，獲得均質(zhì)的溶液。
[0098]<聚硅氧烷的溶液>
[0099]本發(fā)明中，可將通過上述的方法得到的聚合溶液直接作為聚硅氧烷的溶液。此外，還可根據(jù)需要將通過上述的方法得到的溶液濃縮，或加入溶劑稀釋，又或置換為其它溶劑，從而制成聚硅氧烷的溶液。
[0100]這時使用的溶劑(以下也稱添加溶劑)可與聚合溶劑，也可以是其它溶劑。該添加溶劑只要可均勻溶解聚硅氧烷即可，無特別限定，可任意選擇一種或多種使用。
[0101]作為這樣的添加溶劑的具體例子，除了上述作為聚合溶劑的例子例舉的溶劑之夕卜，還可以例舉丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乳酸乙酯等酯類。
[0102]這些溶劑可實現(xiàn)液晶取向劑的粘度調(diào)整或者提聞通過旋涂、I父版印刷、噴墨等將液晶取向劑涂布于基板上時的涂布性。
[0103]〈其它成分〉
[0104]本發(fā)明中，只要不破壞本發(fā)明的效果，聚硅氧烷的溶液中可包含聚硅氧烷以外的其它成分，例如無機微粒、金屬氧燒(metaloxane)低聚物、金屬氧燒聚合物、均化劑、表面活性劑等成分。
[0105]作為無機微粒，較好是二氧化硅微粒、氧化鋁微粒、氧化鈦微粒、氟化鎂微粒等微粒，特別好是呈膠體溶液狀態(tài)的微粒。該膠體溶液可以是將無機微粒分散于分散介質(zhì)而得的溶液，也可以是市售品的膠體溶液。本發(fā)明中，通過包含無機微粒，可賦予所形成的固化被膜的表面形狀及其它功能。作為無機微粒，其平均粒徑較好是0.001 μ m?0.2 μ m，更好是0.001 μ m?0.1 μ m。無機微粒的平均粒徑大于0.2 μ m的情況下,使用所制成的涂布液形成的固化被膜的透明性可能會下降。[0106]作為無機微粒的分散介質(zhì)，可例舉水和有機溶劑。作為膠體溶液，從被膜形成用涂布液的穩(wěn)定性的角度來看，較好是pH或pKa調(diào)整至I?10，更好是2?7。
[0107]作為用于膠體溶液的分散介質(zhì)的有機溶劑，可例舉甲醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、戊二醇、己二醇、二乙二醇、二丙二醇、乙二醇單丙醚等醇類，甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類，甲苯、二甲苯等芳香烴類，二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺類，乙酸乙酯、乙酸丁酯、Y-丁內(nèi)酯等酯類，四氫呋喃、1，4-二曝烷等醚類等。其中，較好是醇類或酮類。這些有機溶劑可以單獨或2種以上混合后用作分散介質(zhì)。
[0108]作為金屬氧烷低聚物和金屬氧烷聚合物，可使用硅、鈦、鋁、鉭、銻、鉍、錫、銦、鋅等的單獨的氧化物前體或復(fù)合氧化物前體。作為金屬氧烷低聚物和金屬氧烷聚合物，可以是市售品，也可以是由金屬醇鹽、硝酸鹽、鹽酸鹽、羧酸鹽等單體通過水解等常規(guī)方法得到的化合物。
[0109]作為市售品的金屬氧烷低聚物和金屬氧烷聚合物的具體例子，可例舉柯爾扣特株式會社(- 一卜社)制的硅酸甲酯51、硅酸甲酯53A、硅酸乙酯40、硅酸乙酯48、EMS-485,SS-101等硅氧烷低聚物或硅氧烷聚合物，關(guān)東化學株式會社(関東化學社)制的正丁基鈦四聚物等鈦氧烷低聚物。它們可單獨使用或2種以上混合使用。
[0110]此外，均化劑和表面活性劑等可使用公知的試劑，特別是市售品因容易獲得而優(yōu)選。
[0111]此外，在聚硅氧烷中混合上述的其它成分的方法可以是與聚硅氧烷同時混合，也可以在其后混合，無特別限定。
[0112][液晶取向劑]
[0113]本發(fā)明的液晶取向劑是包含上述的聚硅氧烷和根據(jù)需要采用的其它成分的溶液。這時，作為溶劑，可使用選自上述聚硅氧烷的聚合溶劑和添加溶劑的溶劑。
[0114]液晶取向劑中的全部聚硅氧烷的含量以SiO2換算濃度計較好是0.5重量％?15重量％，更好是I重量％?6重量％。如果是這樣的SiO2換算濃度的范圍，則容易通過一次涂布獲得所需的膜厚，易于獲得足夠的溶液的使用期限(使用壽命)。
[0115]本發(fā)明的液晶取向劑中，作為全部聚硅氧烷，以重量比計包含10:90?50:50、較好是20:80?40:60的聚硅氧烷㈧和聚硅氧烷⑶。
[0116]此外，本發(fā)明的液晶取向劑中的全部聚硅氧烷與根據(jù)需要加入的其它成分的重量比為99:1?50:50，較好是98:2?70:30。
[0117]制備本發(fā)明的液晶取向劑的方法無特別限定。本發(fā)明中使用的聚硅氧烷、根據(jù)需要加入的其它成分呈均勻混合的狀態(tài)即可。通常聚硅氧烷在溶劑中縮聚，所以直接使用聚硅氧烷的溶液或向聚硅氧烷的溶液中根據(jù)需要添加其它成分是簡便的方法。另外，直接使用聚硅氧烷的聚合溶液的方法最為簡便。
[0118]此外，調(diào)整液晶取向劑中的聚硅氧烷的含量時，可使用選自上述的烷氧基硅烷的聚合溶劑和聚硅氧烷的添加溶劑的溶劑。
[0119][液晶取向膜]
[0120]本發(fā)明的液晶取向膜使用本發(fā)明的液晶取向劑得到。例如，也可以直接使用通過將本發(fā)明的液晶取向劑涂布于基板后進行干燥、燒成而得的固化膜作為液晶取向膜。此外，也可以對該固化膜進行摩擦，或者照射偏振光或特定波長的光等，或者進行離子束等的處理，或者在對填充液晶后的液晶顯示元件施加電壓的狀態(tài)下照射UV。
[0121]作為涂布液晶取向劑的基板，只要是透明性高的基板即可，無特別限定，較好是基板上形成有用于驅(qū)動液晶的透明電極的基板。
[0122]若例舉具體例子，可例舉玻璃板或聚碳酸酯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚醚砜、聚芳酯、聚氨酯、聚砜、聚醚、聚醚酮、三甲基戊烯、聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二醇酯、(甲基)丙烯腈、三乙酰基纖維素、二乙?；w維素、醋酸丁酸纖維素等的塑料板等上形成有透明電極的基板。
[0123]作為液晶取向劑的涂布方法，可例舉旋涂法、印刷法、噴墨法、噴涂法、輥涂法等，從生產(chǎn)性的角度來看工業(yè)上廣泛采用轉(zhuǎn)印印刷法，本發(fā)明中也優(yōu)選使用。
[0124]涂布液晶取向劑后的干燥工序并不一定需要，但從涂布后到燒成為止的時間對于各基板不恒定或者涂布后不立即燒成的情況下，較好是包括干燥工序。該干燥只要除去溶劑至涂膜形狀不會因基板搬運等而發(fā)生變形的程度即可，對于其干燥方法無特別限定。例如，可例舉在溫度為40°C?150°C、較好是60°C?100°C的加熱板上干燥0.5分鐘?30分鐘、較好是I分鐘?5分鐘的方法。
[0125]通過上述的方法涂布液晶取向劑而形成的涂膜可進行燒成而制成固化膜。這時，燒成溫度可以是100°C?350°C的任意溫度，較好是140°C?300°C，更好是150°C?230°C，進一步更好是160°C?220°C。燒成時間可以是5分鐘?240分鐘的任意時間。較好是10分鐘?90分鐘，更好是在20分鐘?80分鐘。加熱可以使用通常公知的方法，例如加熱板、熱風循環(huán)烘箱、IR(紅外線)爐、帶式爐等。
[0126]液晶取向膜中的聚硅氧烷在燒成工序中進行縮聚。但是，本發(fā)明中，只有不破壞本發(fā)明的效果，不需要使其完全縮聚。其中，較好是在比液晶盒制造工序中所需的密封劑固化等的熱處理溫度高10°c以上的溫度下進行燒成。
[0127]該固化膜的厚度可根據(jù)需要選擇，較好是5nm以上，更好是IOnm以上，這樣易于獲得液晶顯示元件的可靠性，所以優(yōu)選。此外，固化膜的厚度較好是300nm以下，更好是150nm以下，這樣液晶顯示元件的耗電量不會過高，所以優(yōu)選。
[0128]〈液晶顯示元件〉
[0129]本發(fā)明的液晶顯示元件可通過上述的方法在基板上形成液晶取向膜后以公知的方法制作液晶盒來獲得。
[0130]若例舉液晶盒制作的一例，通常為將形成有液晶取向膜的I對基板夾著間隔物用密封劑固定后注入液晶并密封的方法。這時使用的間隔物的尺寸為Iym?30μπι，較好是2 μ m ?10 μ m0
[0131]注入液晶的方法無特別限定，可例舉使制成的液晶盒內(nèi)呈減壓狀態(tài)后注入液晶的真空法、滴加液晶后進行密封的滴加法等。
[0132]通過在對導(dǎo)入了液晶的液晶盒的兩側(cè)基板的電極間施加電壓的狀態(tài)下進行UV照射，取向膜中的丙烯?；⒓谆；仍谠撉闆r下聚合而交聯(lián)，從而液晶顯示器的響應(yīng)速度加快。在此，施加的電壓為5Vp-p?50Vp-p,較好是5Vp-p?30Vp-p。照射的UV照射量為IJ(焦耳)?60J，較好是在40J以下。UV照射量少時，可抑制構(gòu)成液晶顯示器的構(gòu)件的破壞導(dǎo)致的可靠性下降，且使UV照射時間縮短，從而制造上的運轉(zhuǎn)率提高，所以優(yōu)選。
[0133]作為用于液晶顯示元件的基板，只要是透明性高的基板即可，無特別限定，通常是基板上形成有用于驅(qū)動液晶的透明電極的基板。具體例子與[液晶取向膜]中記載的基板相同。即使是具有標準的PVA和MVA等的電極圖案和突起圖案的基板也可使用。
[0134]作為用于液晶顯示元件的基板，即使是與PSA方式的液晶顯示器同樣在一側(cè)基板上形成I μ m?10 μ m的線狀/狹縫電極圖案、在相對的基板上未形成狹縫圖案或突起圖案的結(jié)構(gòu)也能夠運轉(zhuǎn)，通過該結(jié)構(gòu)的液晶顯示器，能夠簡化制造時的工藝，獲得高透射率。
[0135]此外，在TFT型的液晶顯示元件等高性能液晶顯示元件中，使用在用于液晶驅(qū)動的電極和基板之間于基板上形成有晶體管元件的構(gòu)件。
[0136]透射型液晶顯示元件的情況下，一般使用如上所述的基板，反射型液晶顯示元件的情況下，也可僅在一側(cè)基板使用反射光的鋁等材料，還能使用硅晶片等不透明的基板。
實施例
[0137]以下，通過本發(fā)明的實施例進行更具體的說明，但不應(yīng)解釋為僅限于這些實施例。
[0138]本實施例中使用的化合物的縮寫如下。
[0139]TEOS:四乙氧基硅烷
[0140]C18:十八烷基三乙氧基硅烷
[0141]ACPS:3_丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷
[0142]MPMS:3_甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷
[0143]MTES:甲基三乙氧基硅烷
[0144]HG: 2-甲基-2，4_戊二醇(別稱:己二醇)
[0145]BCS:2_ 丁氧基乙醇
[0146]UPS: 3-脲基丙基三乙氧基硅烷
[0147]〈合成例1>
[0148]在裝有溫度計、回流管的200mL的四口反應(yīng)燒瓶中，將20.6g HG、6.9gBCS、18.3gTE0S、4.2g C18和23.4g ACPS混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下用30分鐘向該溶液中滴加預(yù)先混合了的10.3g HG,3.4g BCSU0.8g水和1.4g作為催化劑的乙二酸的溶液，再在室溫下攪拌30分鐘。然后，用油浴加熱使其回流30分鐘后，加入預(yù)先混合了的
0.6g USP含量92質(zhì)量％的甲醇溶液、0.3g HG和0.1g BCS的混合液。再回流30分鐘后放冷，獲得SiO2換算濃度為12重量％的聚硅氧烷溶液。
[0149]將10.0g所得的聚硅氧烷溶液和20.0g BCS混合，獲得SiO2換算濃度為4重量％的液晶取向劑中間體(Si)。
[0150]此外，在裝有溫度計、回流管的200mL的四口反應(yīng)燒瓶中，將23.6g HG、7.9g BCS和41.2g TEOS混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下用30分鐘向該溶液中滴加預(yù)先混合了的11.8g HG,3.9g BCSU0.8g水和0.2g作為催化劑的乙二酸的溶液，再在室溫下攪拌30分鐘。然后，用油浴加熱使其回流30分鐘后，加入預(yù)先混合了的0.6g USP含量92質(zhì)量％的甲醇溶液、0.3g HG和0.1g BCS的混合液。再回流30分鐘后放冷，獲得SiO2換算濃度為12重量％的聚硅氧烷溶液。
[0151]將10.0g所得的聚硅氧烷溶液和20.0g BCS混合，獲得SiO2換算濃度為4重量％的液晶取向劑中間體(UI)。將所得的液晶取向劑中間體(SI)和液晶取向劑中間體(Ul)以3:7的比例(重量比，下同)混合，獲得SiO2換算濃度為4重量％的液晶取向劑[K1]。[0152]〈合成例2>
[0153]在裝有溫度計、回流管的200mL的四口反應(yīng)燒瓶中，將19.9g HG、6.6gBCS、18.3gTE0S、4.2g C18和24.8g MPMS混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下用30分鐘向該溶液中滴加預(yù)先混合了的10.0g HG,3.3g BCSU0.8g水和1.4g作為催化劑的乙二酸的溶液，再在室溫下攪拌30分鐘。然后，用油浴加熱使其回流30分鐘后，加入預(yù)先混合了的
0.6g USP含量92質(zhì)量％的甲醇溶液、0.3g HG和0.1g BCS的混合液。再回流30分鐘后放冷，獲得SiO2換算濃度為12重量％的聚硅氧烷溶液。
[0154]將10.0g所得的聚硅氧烷溶液和20.0g BCS混合，獲得SiO2換算濃度為4重量％的液晶取向劑中間體(S2)。將所得的液晶取向劑中間體(S2)和合成例I中得到的液晶取向劑中間體(Ul)以3:7的比例混合，獲得SiO2換算濃度為4重量％的液晶取向劑[K2]。
[0155]〈合成例3>
[0156]在裝有溫度計和回流管的200mL的四口反應(yīng)燒瓶中，將23.3g HG,7.8gBCS、39.2gTEOS和2.5g MPMS混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下用30分鐘向該溶液中滴加預(yù)先混合了的11.7g HG,3.9g BCSU0.8g水和0.4g作為催化劑的乙二酸的溶液，再在室溫下攪拌30分鐘。然后，用油浴加熱使其回流30分鐘后，加入預(yù)先混合了的0.6g USP含量92質(zhì)量％的甲醇溶液、0.3g HG和0.1g BCS的混合液。再回流30分鐘后放冷，獲得SiO2換算濃度為12重量％的聚硅氧烷溶液。
[0157]將10.0g所得的聚硅氧烷溶液和20.0g BCS混合，獲得SiO2換算濃度為4重量％的液晶取向劑中間體(U2)。將合成例I中得到的液晶取向劑中間體(SI)和所得的液晶取向劑中間體(U2)以3:7的比例混合，獲得SiO2換算濃度為4重量％的液晶取向劑[K3]。
[0158]〈合成例4>
[0159]將合成例2中得到的液晶取向劑中間體(S2)和合成例3中得到的液晶取向劑中間體(U2)以3:7的比例混合，獲得SiO2換算濃度為4重量％的液晶取向劑[K4]。
[0160]〈合成例5>
[0161]在裝有溫度計、回流管的200mL的四口反應(yīng)燒瓶中，將23.8g HG、7.9gBCS、37.1gTEOS和3.6g MTES混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下用30分鐘向該溶液中滴加預(yù)先混合了的11.9g HG,4.0g BCSU0.8g水和0.4g作為催化劑的乙二酸的溶液，再在室溫下攪拌30分鐘。然后，用油浴加熱使其回流30分鐘后，加入預(yù)先混合了的0.6g USP含量92質(zhì)量％的甲醇溶液、0.3g HG和0.1g BCS的混合液。再回流30分鐘后放冷，獲得SiO2換算濃度為12重量％的聚硅氧烷溶液。
[0162]將10.0g所得的聚硅氧烷溶液和20.0g BCS混合，獲得SiO2換算濃度為4重量％的液晶取向劑中間體(U3)。將合成例I中得到的液晶取向劑中間體(SI)和所得的液晶取向劑中間體(U3)以3:7的比例混合，獲得SiO2換算濃度為4重量％的液晶取向劑[K5]。
[0163]〈合成例6>
[0164]將合成例2中得到的液晶取向劑中間體(S2)和合成例5中得到的液晶取向劑中間體(U3)以3:7的比例混合，獲得SiO2換算濃度為4重量％的液晶取向劑[K6]。
[0165]<比較合成例1>
[0166]在裝有溫度計、回流管的200mL的四口反應(yīng)燒瓶中，將22.6g HG、7.5gBCS、39.6gTEOS混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下用30分鐘向該溶液中滴加預(yù)先混合了的11.3g HG,3.8g BCSU0.8g水和0.2g作為催化劑的乙二酸的溶液，再在室溫下攪拌30分鐘。然后，用油浴加熱使其回流I小時后放冷，獲得SiO2換算濃度為12重量％的聚硅氧烷溶液。
[0167]將10.0g所得的聚硅氧烷溶液和20.0g BCS混合，獲得SiO2換算濃度為4重量％的液晶取向劑[LI]。
[0168]〈比較合成例2>
[0169]與合成例I中得到的液晶取向劑中間體(SI)同樣地獲得液晶取向劑[L2]。
[0170]<比較合成例3>
[0171]與合成例2中得到的液晶取向劑中間體(S2)同樣地獲得液晶取向劑[L3]。
[0172]〈實施例1>
[0173]將合成例I中獲得的液晶取向處理劑[K1]旋涂于像素尺寸為100微米X300微米、形成有線/空隙分別為5微米的ITO電極圖案的ITO電極基板的ITO面上。通過80°C的加熱板干燥2分鐘后，通過200°C或220°C的熱風循環(huán)式爐進行30分鐘的燒成，形成膜厚IOOnm的液晶取向膜。將合成例I中得到的液晶取向處理劑[K1]旋涂于未形成電極圖案的ITO面，通過80°C的加熱板干燥2分鐘后，與上述基板同樣地通過200°C或220°C的熱風循環(huán)式爐進行30分鐘的燒成，形成膜厚IOOnm的液晶取向膜。準備這樣2塊基板，在其中一塊基板的液晶取向膜面上散布6 μ m的珠狀間隔物后，在其上印刷密封劑。將另一塊基板以液晶取向膜面為內(nèi)側(cè)的方式貼合后，使密封劑固化而制得空盒。通過減壓注入法在空盒內(nèi)注入液晶MLC-6608 (默克公司(々社)制商品名)，制作液晶盒。
[0174]通過后述的方法測定了所得的液晶盒的響應(yīng)速度特性。然后，在對該液晶盒施加20Vp-p的電壓的狀態(tài)下，從該液晶盒的外側(cè)照射20J的UV (使用波長:365nm帶通濾光片)。然后，再次測定響應(yīng)速度特性，比較UV照射前后的響應(yīng)速度。其結(jié)果示于表I。
[0175]此外，對于盒的垂直取向性，通過后述的方法測定、評價。其結(jié)果也一并示于表I。
[0176]〈實施例2>
[0177]除了將液晶取向處理劑[K1]更改為合成例2中得到的液晶取向處理劑[K2]以夕卜，與實施例1同樣地制成液晶盒，測定響應(yīng)速度。其結(jié)果示于表I。
[0178]〈實施例3>
[0179]除了將液晶取向處理劑[K1]更改為合成例3中得到的液晶取向處理劑[K3]以夕卜，與實施例1同樣地制成液晶盒，測定響應(yīng)速度。其結(jié)果示于表I。
[0180]〈實施例4>
[0181]除了將液晶取向處理劑[K1]更改為合成例4中得到的液晶取向處理劑[K4]以夕卜，與實施例1同樣地制成液晶盒，測定響應(yīng)速度。其結(jié)果示于表I。
[0182]〈實施例5>
[0183]除了將液晶取向處理劑[K1]更改為合成例5中得到的液晶取向處理劑[K5]以夕卜，與實施例1同樣地制成液晶盒，測定響應(yīng)速度。其結(jié)果示于表I。
[0184]〈實施例6>
[0185]除了將液晶取向處理劑[K1]更改為合成例6中得到的液晶取向處理劑[K6]以夕卜，與實施例1同樣地制成液晶盒，測定響應(yīng)速度。其結(jié)果示于表I。
[0186]<比較例1>[0187]除了將液晶取向處理劑[K1]更改為比較合成例I中得到的液晶取向處理劑[LI]以外，與實施例1同樣地制成液晶盒，測定響應(yīng)速度。其結(jié)果示于表1。
[0188]〈比較例2>
[0189]除了將液晶取向處理劑[K1]更改為比較合成例2中得到的液晶取向處理劑[L2]以外，與實施例1同樣地制成液晶盒，測定響應(yīng)速度。其結(jié)果示于表1。
[0190]〈比較例3>
[0191]除了將液晶取向處理劑[K1]更改為比較合成例2中得到的液晶取向處理劑[L3]以外，與實施例1同樣地制成液晶盒，測定響應(yīng)速度。其結(jié)果示于表1。
[0192][響應(yīng)速度特性]
[0193]對于未施加電壓的液晶盒，用示波器讀取施加電壓±4V、頻率IkHz的矩形波時液晶面板的亮度隨時間的變化。將未施加電壓時的亮度設(shè)為O%，施加±4V的電壓，將飽和亮度值設(shè)為100%，將亮度變化至10%~90%為止的時間作為啟動的響應(yīng)速度。
[0194][垂直取向性]
[0195]對于垂直取向性的評價，將盒配置于呈正交尼科爾配置的2塊偏振片間進行觀察，根據(jù)是否顯示為黑色來進行判定。即使提高燒成溫度也呈垂直取向性的試樣被認為具有高垂直取向性。
[0196][表 I]
【權(quán)利要求】
1.液晶取向劑，其特征在于，包含下述的聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)； 聚硅氧烷(A):將包括以式(I)表不的烷氧基硅烷及以式(2)表不的烷氧基硅烷的燒氧基硅烷縮聚而得到的聚硅氧烷，
R1Si(OR2)3 (I) R1是可被氟原子取代的碳數(shù)8~30的烴基，R2表示碳數(shù)I~5的烷基，
R3Si(OR4)3 (2) R3是被丙烯酰基、甲基丙烯酰基或芳基取代的碳數(shù)I~30的烷基，R4表示碳數(shù)I~5的烷基; 聚硅氧烷(B):將包括70%~100%以式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷， Si(OR5)4 (3) R5表示碳數(shù)I~5的烷基。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶取向劑，其特征在于，聚硅氧烷(B)是將還包括以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶取向劑，其特征在于，聚硅氧烷(B)是將還包括以式(4)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷，
R6Si(OR7)3 (4)` R6是碳數(shù)I~5的烷基，R7表示碳數(shù)I~5的烷基。
4.如權(quán)利要求1~3中的任一項所述的液晶取向劑,其特征在于,選自聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的至少一種聚硅氧烷是將還包括以下式(5)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷，
(R8)nSi (OR9) 4_n (5) R8是氫原子或者可被雜原子、鹵素原子、氨基、環(huán)氧丙氧基、巰基、異氰酸酯基或脲基取代的碳數(shù)I~12的烴基，R9是碳數(shù)I~5的烷基，η表示O~3的整數(shù)。
5.如權(quán)利要求1~3中的任一項所述的液晶取向劑，其特征在于，所述以式(I)表示的烷氧基硅烷在用于聚硅氧烷(A)的全部烷氧基硅烷中的含量為I摩爾％~20摩爾％，且所述以式(2)表示的烷氧基硅烷在用于聚硅氧烷(A)的全部烷氧基硅烷中的含量為10摩爾％~80摩爾％。
6.液晶取向膜，其特征在于，將權(quán)利要求1~5中的任一項所述的液晶取向劑涂布于基板，干燥，燒成而得。
7.液晶顯示元件，其特征在于，具有權(quán)利要求6所述的液晶取向膜。
8.液晶顯示元件，其特征在于，在施加電壓的狀態(tài)下對用2炔基板夾持著液晶的液晶盒照射UV而得，所述的2炔基板通過涂布權(quán)利要求1~5中的任一項所述的液晶取向劑并進行燒成而獲得。
9.液晶顯示元件的制造方法，其特征在于，以涂布權(quán)利要求1~5中的任一項所述的液晶取向劑并燒成而得的2炔基板夾持液晶，在施加電壓的狀態(tài)下照射UV0
【文檔編號】C08G77/22GK103492937SQ201280019912
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2012年2月22日 優(yōu)先權(quán)日:2011年2月24日
【發(fā)明者】平賀浩二, 元山賢一, 松本欣也 申請人:日產(chǎn)化學工業(yè)株式會社