激光切割用膜基材、激光切割用膜以及電子部件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種厚度為50μm以上200μm以下的范圍，初期應力為9MPa以上19MPa以下的范圍，擴張率為102％以上120％以下的范圍，霧度值為10以下，全光線透過率為90％以上的隱形切割用膜基材。
【專利說明】激光切割用膜基材、激光切割用膜以及電子部件的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種隱形切割(stealth dicing)用膜基材，以及使用該膜基材的隱形切割用膜和電子部件的制造方法。
【背景技術】
[0002]在切割半導體晶片(wafer)時，一邊使用冷卻水和洗滌水，一邊通過切割刀切斷晶片，并在接下來的擴張工序中，對切斷的晶片所對應的切割用膜進行擴張，從而進行芯片的小片化。這時，通過切割用膜固定半導體晶片，防止芯片的飛散。
[0003]另一方面，作為半導體晶片的切割方法，已經(jīng)提出了通過激光來切割半導體晶片的方法(例如，參見日本特開2007 — 245173號公報)。對于利用激光的切割法，一直以來已知有將激光聚集在晶片表面上，使晶片表面吸收激光，從而挖開溝的表面燒蝕方式。近年來，還提出了將激光聚集在晶片內(nèi)部形成改性區(qū)域后，通過拉伸與晶片對應的切割用膜，從而以前述改性區(qū)域為起點分割晶片的方法(例如，隱形切割法)。
[0004]在利用激光的切割法中，在隔著切割用膜照射激光時，為了不阻礙照射的激光而分切晶片，要求切割用膜具有高透明性。此外，對于切割用膜，還要求具有激光照射后的晶片分切可以良好進行的性狀。
[0005]在與上述情況的相關事項中，作為有關利用激光的切割法的技術，例如，已經(jīng)公開了包含具有規(guī)定的拉伸彈性模量、粘合力等的粘合層和具有規(guī)定的拉伸彈性模量的基材層，并且擴張率和霧度處于規(guī)定范圍內(nèi)的切割膜(例如，參見日本特開2011 — 61097號公報)。通過該切割膜，可以得到高分切率。
[0006]作為使用離子交聯(lián)聚合物的切割技術，已經(jīng)公開了具備含有鉀離子交聯(lián)聚合物的層的切割帶用基材(例如，參見日本特開2011 — 40449號公報)。根據(jù)該切割帶用基材，在抗靜電性能方面優(yōu)異。此外，還公開了具有以離子鍵樹脂作為原料聚合物并配合了規(guī)定的結晶分散劑的基礎片材和粘合劑層的半導體晶片用片材(例如，參見日本特開2000 -273416號公報和日本特開2000 — 345129號公報)。根據(jù)該半導體晶片用片材，可以得到擴展(expand)均勻性。
[0007]此外，作為使用含離子交聯(lián)聚合物的交聯(lián)樹脂的切割技術，作為其基材膜，記載了通過使維卡軟化點和由熱收縮所產(chǎn)生的應力增大處于規(guī)定范圍，從而在加熱收縮工序后不會因松弛產(chǎn)生問題的切割膜(例如，參見日本特開2011 — 216508號公報)。此外，從防止須狀切削屑的絲狀化的觀點考慮，還公開了一種用鋅或鎂等金屬離子進行交聯(lián)得到的離子鍵樹脂(例如，參見日本特開2011 — 210887號公報)。
[0008]進而，公開了一種在使用了 EMAA的30 μ m厚的粘合劑涂布層和使用了低密度聚乙烯的30 μ m厚的擴展接觸層之間，配置了含有結晶性聚丙烯的40 μ m厚的中間層的3層結構的晶片切割帶用基材(例如，參見日本特開2003 — 158098號公報)。根據(jù)該晶片切割帶用基材，在均勻擴張性方面優(yōu)異。此外，還公開了一種在使用了低密度聚乙烯的2層之間，配置了使用了乙烯一甲基丙烯酸一(丙烯酸2 —甲基一丙酯)3元共聚物或其鋅離子鍵樹脂的中心層的3層結構的半導體晶片固定用粘合帶(例如，參見日本特開平7 - 230972號公報)。根據(jù)該半導體晶片固定用粘合帶，可以防止擴展時的頸縮和在拾取針(pickup pin)上的附著。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]然而，雖然對于日本特開2011 - 61097號公報中記載的切割用膜來說，在高效分割基板這一點上，具有一定程度的適應性，并且對于日本特開2011 — 40449號公報中記載的切割帶用基材來說，通過使用了鉀離子交聯(lián)聚合物，可以期待抗靜電性能的改善，但在透明性或晶片的分切性方面，均存在有不一定適合市場要求的情況。此外，日本特開2000 -273416號公報和日本特開2000 — 345129號公報中記載的片材，設想通過切割刀進行切割，而難以適用于使用激光的切割。進而，在日本特開2011 - 216508號公報中，公開了將離子交聯(lián)聚合物適用于晶片加工用粘合帶的相關內(nèi)容，但這是用于解決使用切割刀切割時所存在問題的技術，無法預料到激光切割時的加工性。
[0010]在日本特開2011 - 210887號公報中，公開了將離子交聯(lián)聚合物適用于晶片加工用粘合帶的相關內(nèi)容，但該公開也是用于解決使用切割刀切割時所存在問題的技術，無法預料到激光切割時的加工性。
[0011]如上所述，對于切割用膜的激光加工性而言，期待進一步的改善。
[0012]此外，在日本特開2003 — 158098號公報中記載的晶片切割帶用基材中，可以使用聚丙烯等聚烯烴作為構成層疊結構的中間層。一般來說，由于聚丙烯等在伸長時的應力極大，因此特別是在隱形切割法中，如果在進行激光照射后擴張切割用膜，則在擴展切割用膜時容易產(chǎn)生白化現(xiàn)象。相反，在構成為以使用3元共聚物的層作為中間層的3層結構的日本特開平7 — 230972號公報所記載的技術中，由于伸長初期的應力過小，因此難以良好地進行晶片的分切。在這種情況下，為了提高晶片的分切性，必須增加粘合帶的擴展量，而增加粘合帶的擴展量，則粘合帶的撓曲量增大，結果可能會對搬送工序等產(chǎn)生不良影響。
[0013]如此所述，在利用激光的以往的切割技術中，當隔著切割用膜照射激光時，從不受吸收、散射等影響使照射的激光聚集在晶片內(nèi)部的觀點考慮，實際上不一定能夠確保充分的透明性。進而從確定激光照射位置的觀點考慮，可見區(qū)域的透明性是必要的。
[0014]此外，在利用激光的隱形切割法中，在激光照射后通過擴展切割用膜而均勻地擴張切割用膜，并且以切割用膜所對應的晶片內(nèi)部的裂縫作為起點進行分切。為了提高這時的分切性，要求切割用膜所必需的應力，滿足不會對白化等其他性狀產(chǎn)生不良影響的規(guī)定范圍。特別是在切割用膜的應力不足時，未必能夠得到充分的分切性。此外，對于切割用膜來說，還要求具備抗靜電性。
[0015]本發(fā)明鑒于上述情況而完成，其提供一種適合于利用激光的隱形切割，透明性和晶片分切性優(yōu)異的隱形切割用膜基材和隱形切割用膜、以及晶片分切性優(yōu)異的電子部件的制造方法。
[0016]所謂晶片的分切性，是指利用激光所形成的晶片內(nèi)部的改性區(qū)域中的分割難易度。從獲得良好分切性的觀點考慮，切割用膜基材優(yōu)選具備9MPa以上19MPa以下范圍(優(yōu)選的下限值為超過IOMPa的范圍)的應力，以及具有102%以上的擴張性(擴張率)。[0017]本發(fā)明人等為了改善制作具備粘合層和基材的隱形切割用膜時所設置的前述基材(以下，有時稱為“隱形切割用膜基材”。)的晶片分切性(即，初期應力)和擴張性而反復進行了研究。本發(fā)明通過將前述膜基材的厚度保持為適當?shù)暮穸?，并且將膜基材的初期應力和擴張率調(diào)節(jié)至規(guī)定的范圍，得到了實現(xiàn)膜基材的分切性和擴張性的平衡的見解，并且基于這種見解而完成。
[0018]用于解決前述問題的具體方案如下所述。
[0019]〈1> 一種隱形切割用膜基材，其能夠用作具備粘合層和基材的隱形切割用膜的所述基材，并且厚度為50 μ m以上200 μ m以下的范圍，初期應力為9MPa以上19MPa以下的范圍，擴張率為102%以上120%以下的范圍，霧度值為10以下，全光線透過率為90%以上。
[0020]<2>如〈1>所述的隱形切割用膜基材，其含有選自乙烯.(甲基)丙烯酸系共聚物的鎂離子交聯(lián)聚合物和乙烯.(甲基)丙烯酸系共聚物的鋅離子交聯(lián)聚合物，并且共聚物中的來自(甲基)丙烯酸烷基酯的結構單元的共聚比低于7質量％的離子鍵樹脂。
[0021]<3>如〈2>所述的隱形切割用膜基材，其中，所述鎂離子交聯(lián)聚合物和所述鋅離子交聯(lián)聚合物的至少一方的所述來自(甲基)丙烯酸的結構單元在共聚物中的共聚比為超過10質量％且30質量％以下。
[0022]<4>如〈2>或〈3>所述的隱形切割用膜基材，其中，所述鎂離子交聯(lián)聚合物和所述鋅離子交聯(lián)聚合物的至少一種的中和度為超過O %且60%以下。
[0023]<5>如〈2>或〈3>所述的隱形切割用膜基材，其中，所述鎂離子交聯(lián)聚合物和所述鋅離子交聯(lián)聚合物的至少一種的中和度為10%以上40%以下。
[0024]<6>如〈1>所述的隱形切割用膜基材，其具有與所述粘合層接觸的層X、第I層Y和第2層Z依次層疊的層疊結構、或者與所述粘合層接觸的層X、第2層Z和第I層Y依次層疊的層疊結構，并且所述層X、所述層Y和所述層Z的厚度為10 μ m以上100 μ m以下的范圍。
[0025]<7>如〈6>所述的隱形切割用膜基材，其中，所述與粘合層接觸的層X含有樹脂A，所述樹脂A的彎曲剛性模量為IOOMPa以上350MPa以下的范圍，所述第I層Y含有樹脂B，所述樹脂B的彎曲剛性模量為5MPa以上350MPa以下的范圍，所述第2層Z含有樹脂C，所述樹脂C的彎曲剛性模量為50MPa以上350MPa以下的范圍，
[0026]并且，分別從所述樹脂A或所述樹脂C的彎曲剛性模量中減去所述樹脂B的彎曲剛性模量的差的絕對值較大一方的值為50MPa以上345MPa以下的范圍。
[0027]<8>如〈6>或〈7>所述的隱形切割用膜基材，其中，所述與粘合層接觸的層X含有樹脂A，所述樹脂A為乙烯.不飽和羧酸2元共聚物的離子交聯(lián)聚合物。
[0028]<9>如〈8>所述的隱形切割用膜基材，其中，所述2元共聚物中由不飽和羧酸衍生的結構單元的含量為I質量％以上35質量％以下。
[0029]<10>如〈6>?〈9>中任一項所述的隱形切割用膜基材，其中，所述第I層Y含有樹脂B，所述樹脂B為選自低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、乙烯.不飽和羧酸2元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、乙烯.不飽和羧酸.不飽和羧酸酯3元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、以及乙烯.不飽和羧酸酯2元共聚物中的至少I種。
[0030]〈11>如〈6>?〈10>中任一項所述的隱形切割用膜基材，其中，所述第2層Z含有樹脂C，所述樹脂C為選自乙烯.不飽和羧酸2元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、以及乙烯.不飽和羧酸.不飽和羧酸酯3元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物中的至少I種。
[0031]〈12>如〈1>?〈11>中任一項所述的隱形切割用膜基材，其含有熔點為155°C以上185°C以下的抗靜電劑。
[0032]〈13>如〈1>?〈12>中任一項所述的隱形切割用膜基材，其表面電阻率為1X109Q/Sq 以上 1X1012Q/Sq 以下。
[0033]〈14> 一種隱形切割用膜,其具備粘合層和〈1>?〈13>中任一項所述的隱形切割用膜基材。
[0034]<15> 一種電子部件的制造方法，其包含將〈14>所述的隱形切割用膜粘附在晶片背面的工序，以及
[0035]從所述隱形切割用膜側對粘附了所述隱形切割用膜的晶片照射激光，并隔著隱形切割用膜由激光切割所述晶片的工序。
[0036]〈16>—種使用膜基材作為隱形切割用膜基材的方法，其中，所述膜基材的厚度為50 μ m以上200 μ m以下的范圍，初期應力為9MPa以上19MPa以下的范圍，擴張率為102%以上120%以下的范圍，霧度值為10以下，全光線透過率為90%以上。
[0037]〈17> —種膜基材的用于制造隱形切割用膜的用途，其中，所述膜基材的厚度為50μπι以上200μπι以下的范圍，初期應力為9MPa以上19MPa以下的范圍，擴張率為102%以上120%以下的范圍，霧度值為10以下，全光線透過率為90%以上。
[0038]需要說明的是，在本說明書中使用“?”表示的數(shù)值范圍，是指含有“?”前后所記載的數(shù)值作為下限值和上限值的范圍。
[0039]發(fā)明效果
[0040]根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種適合于利用激光的切割，透明性和晶片分切性優(yōu)異的隱形切割用膜基材和隱形切割用膜。此外，根據(jù)本發(fā)明，還提供一種晶片分切性優(yōu)異的電子部件的制造方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1是表示本發(fā)明的一種實施方式中的隱形切割用膜的構成例的概略截面圖。
[0042]圖2是表示圖1的隱形切割用膜基材的其他構成例的概略截面圖。
[0043]圖3A是表示在切割晶片時，隔著隱形切割用膜照射激光時的概略圖。
[0044]圖3B是表示在切割晶片時，在晶片中形成改性部的狀態(tài)的概略圖。
[0045]圖4是表示對隱形切割用膜施加外部應力，將晶片分離為多個芯片時的概略圖。
【具體實施方式】
[0046]以下，參照附圖，對本發(fā)明的隱形切割用膜基材以及使用該膜基材的隱形切割用膜和電子部件的制造方法進行說明。
[0047][隱形切割用膜基材和隱形切割用膜]
[0048]參照圖1?圖4，對隱形切割用膜I進行說明，并且通過該說明對本發(fā)明的隱形切割用膜基材進行詳細描述。圖1是表示隱形切割用膜的構成例的概略截面圖。
[0049]隱形切割是通過將激光聚集在硅晶片的內(nèi)部，在晶片內(nèi)形成改性層(裂縫等)，并通過粘合帶擴展等施加外部應力，從而進行芯片分割的切割方法。[0050]如圖1所示，隱形切割用膜I具備隱形切割用膜基材11 (以下，稱為基材11。)和設置在基材11上的粘合層12。
[0051]基材11可以構成為單層或多層的任一種形式。當基材11構成為多層時，基材11，例如如圖2所示，可以構成為包含3層結構的結構，所述3層結構為與構成隱形切割用膜的粘合層12接觸的層IIX、中間層IlY(或11Z)和內(nèi)層IlZ(或11Y)層疊的3層結構。
[0052]在隱形切割法中，利用切割用膜的伸長力，將晶片芯片化。在通過近年受到關注的隱形切割法生產(chǎn)微小尺寸的半導體芯片時，可以直接使用一直以來廣泛利用的用于切割刀切割、激光切割的切割片材。然而，在使用這種以往的切割片材時，有時擴張初期的強度(初期應力)會過低。如果膜的初期應力過低，則伸長力無法充分傳遞至在晶片內(nèi)部所形成的改性部，因此難以將晶片芯片化。也就是說，不能充分獲得初期應力的膜，無法以切割線分割各芯片，芯片形成了多個連在一起的狀態(tài)，半導體芯片的生產(chǎn)成品率可能會下降。因此，在本發(fā)明中，為了改善隱形切割用膜基材的晶片分切性(即，初期強度(也稱為初期應力))和擴張性，將前述基材的厚度保持為規(guī)定的厚度，將前述基材的初期應力和擴張率調(diào)節(jié)至規(guī)定的范圍，從而實現(xiàn)了分切性和擴張性的平衡。
[0053]特別是在基材構成為多層時，為了和前述同樣地改善晶片分切性(初期強度)和擴張性，將層IlY(第I層Y)和層IlZ(第2層Z)相對于與粘合層接觸的層X進行層疊，將基材的初期應力調(diào)節(jié)為9MPa以上19MPa以下的范圍，從而實現(xiàn)了分切性和擴張性的平衡。此外，本發(fā)明的膜基材在形成為層疊結構的同時維持了層的透明性，激光的散射、吸收少，利用隱形切割的加工適應性優(yōu)異。
[0054]隱形切割用膜1，其一面構成為粘合面，可以用于以通過激光照射在晶片中所形成的裂縫為起點，非接觸地分切(分離)晶片的所謂隱形切割。具體而言，如圖3A所示，將隱形切割用膜I放置在切割臺6上，粘附在晶片W的背面，并隔著隱形切割用膜I照射激光。通過激光照射將激光L傳導至晶片W的內(nèi)部，如圖3B所示，通過激光在晶片W的內(nèi)部形成多個改性區(qū)域W1。然后，如圖4所示，通過對隱形切割用膜I施加外部應力使其向箭頭方向擴張，從而以前述改性區(qū)域Wl為起點，將晶片W分離為各個芯片。
[0055]需要說明的是，隱形切割用膜1，不僅適用于上述的隱形切割，而且還可以適用于使用切割刀的切割方法、利用激光的其他切割方法。
[0056](基材)
[0057]基材可以構成為單層或2層以上的多層的任一種形式。
[0058]?A.單層構成?
[0059]首先，對基材構成為單層結構的情況進行說明。
[0060]圖1表示基材11構成為單層結構的例子。在圖1中，基材11是使用乙烯.(甲基)丙烯酸系共聚物的鎂離子交聯(lián)聚合物和/或乙烯.(甲基)丙烯酸系共聚物的鋅離子交聯(lián)聚合物所形成的離子鍵樹脂基材。
[0061]作為鎂離子交聯(lián)聚合物，優(yōu)選為乙烯.(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物或乙烯.(甲基)丙烯酸.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物的至少一部分被鎂中和的鎂離子交聯(lián)聚合物。在共聚物中，可以是嵌段共聚物、無規(guī)共聚物、接枝共聚物的任一種，而考慮到透明性，則優(yōu)選使用2元無規(guī)共聚物、3元無規(guī)共聚物、2元無規(guī)共聚物的接枝共聚物或3元無規(guī)共聚物的接枝共聚物，更優(yōu)選為2元無規(guī)共聚物或3元無規(guī)共聚物。
[0062]在前述離子鍵樹脂中，優(yōu)選的鎂離子交聯(lián)聚合物是用鎂離子中和如下聚合物所得的離子交聯(lián)聚合物，所述聚合物是以通過高壓自由基聚合法合成的乙烯與(甲基)丙烯酸的共聚物為基礎，并且前述(甲基)丙烯酸的共聚比為超過10質量％且30質量％以下的范圍的聚合物?；阪V離子的中和度為超過O %至60%的范圍，在該范圍內(nèi)時，擴張性和分切性優(yōu)異。優(yōu)選的中和度為10%以上60%以下的范圍，如果在該范圍內(nèi)，則透明性優(yōu)異。更優(yōu)選的中和度為10 %以上40 %以下的范圍，如果在該范圍內(nèi)，則擴張性、分切性和透明性的平衡優(yōu)異。
[0063]其中，從擴張性、成型加工性、分切性和透明性的平衡優(yōu)異，在工業(yè)上容易獲得的觀點考慮，鎂離子交聯(lián)聚合物中的(甲基)丙烯酸的共聚比更優(yōu)選為超過10質量％且20質量％以下。
[0064]作為鋅離子交聯(lián)聚合物，優(yōu)選為乙烯.(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物或乙烯.(甲基)丙烯酸.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物的至少一部分被鋅中和的鋅離子交聯(lián)聚合物。共聚物和前述鎂離子交聯(lián)聚合物同樣地，可以是嵌段共聚物、無規(guī)共聚物或接枝共聚物的任一種，而考慮到透明性，則優(yōu)選為2元無規(guī)共聚物、3元無規(guī)共聚物、2元無規(guī)共聚物的接枝共聚物或3元無規(guī)共聚物的接枝共聚物，更優(yōu)選為2元無規(guī)共聚物或3元無規(guī)共聚物。
[0065]優(yōu)選的鋅離子交聯(lián)聚合物，是用鋅離子中和如下聚合物所得的離子交聯(lián)聚合物，所述聚合物是以通過高壓自由基聚合法合成的乙烯與(甲基)丙烯酸的共聚物為基礎，并且前述(甲基)丙烯酸的共聚比為超過10質量％且30質量％以下的范圍的聚合物?；阡\離子的中和度為超過O %至60 %的范圍，在該范圍內(nèi)時，擴張性和分切性優(yōu)異。優(yōu)選的中和度為10%以上60%以下的范圍，如果在該范圍內(nèi)，則透明性優(yōu)異。更優(yōu)選的中和度為10%以上40%以下的范圍，如果在該范圍內(nèi)，則擴張性、分切性和透明性的平衡優(yōu)異。
[0066]其中，從擴張性、成型加工性、分切性和透明性的平衡優(yōu)異，在工業(yè)上容易獲得的觀點考慮，鋅離子交聯(lián)聚合物中的(甲基)丙烯酸的共聚比更優(yōu)選為超過10質量％且20質量％以下。
[0067]構成離子交聯(lián)聚合物的乙烯.(甲基)丙烯酸系共聚物，是至少乙烯與丙烯酸或甲基丙烯酸共聚的共聚物，此外，也可以是與第3共聚成分共聚的3元以上的多元共聚物。
[0068]作為形成多元共聚物的單體，除了乙烯和能夠與該乙烯共聚的前述(甲基)丙烯酸之外，作為第3共聚成分，可以共聚不飽和羧酸酯(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯、馬來酸二甲酯、馬來酸二乙酯等(甲基)丙烯酸烷基酯)、乙烯基酯(例如，乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等)、不飽和烴(例如，丙烯、丁烯、1，3—丁二烯、戊烯、1，3—戊二烯、I 一己烯等)、乙烯基硫酸或乙烯基硝酸等的氧化物、含鹵化合物(例如，氯乙烯、氟乙烯等)、含乙烯基的伯、仲胺化合物、一氧化碳、二氧化硫等。
[0069]其中，作為前述第3共聚成分，優(yōu)選不飽和羧酸酯，更優(yōu)選(甲基)丙烯酸烷基酯(烷基部位的優(yōu)選碳數(shù)為I?4)。
[0070]來自前述第3共聚成分的結構單元在乙烯.(甲基)丙烯酸系共聚物中的含有比率，優(yōu)選為小于7質量％的范圍。[0071]本發(fā)明中的離子鍵樹脂，可以含有不飽和羧酸酯，但特別優(yōu)選來自(甲基)丙烯酸烷基酯的結構單元在共聚物中所占的含有比率小于7質量％。如果來自(甲基)丙烯酸烷基酯的結構單元的含有比率小于7質量％，則由于保持了切割用膜的應力，因此可以得到更優(yōu)異的分切性。作為來自(甲基)丙烯酸烷基酯的結構單元的含有比率，優(yōu)選為5質量％以下，更優(yōu)選不含有來自(甲基)丙烯酸烷基酯的結構單元(含有比率:0% [質量比])。
[0072]?B.多層構成?
[0073]接著，對基材構成為多層結構的情況進行說明。
[0074]如圖2所示，基材11可以構成為設置多層結構，所述多層結構為選自至少與粘合層12接觸的層11X、層IlY(第I層Y)和層IlZ(第2層Z)以該順序層疊的層疊結構、和至少與前述粘合層12接觸的層X、層IlZ(第2層Z)和層IlY(第I層Y)以該順序層疊的層疊結構的由3層以上構成的多層結構。
[0075]如圖2所示，基材11通過在其一側與用來固定晶片的粘合層12接觸，可以構成隱形切割用膜。在作為隱形切割用膜時，如圖2所示，粘合層12與基材11的層疊結構中的“與粘合層接觸的層11X”密接。因此，與粘合層接觸的層IlX被設置為位于層疊結構的表層(最外層)。
[0076]當基材11具有與粘合層接觸的層X、第I層Y和第2層Z以該順序配置的層疊結構時，第I層Y成為形成3層結構的中間層。并且，該層疊結構，除了與粘合層接觸的層X、第I層Y和第2層Z的3層以外，還可以在與粘合層接觸的層X和第I層Y之間或在第I層Y和第2層Z之間，或者在作為與粘合層接觸的層X/第I層Y/第2層Z的3層結構一端的第2層Z上進一步設置其他層，構成4層以上的層疊結構。
[0077]此外，關于基材11，作為具有與粘合層接觸的層X、第I層Y和第2層Z的層疊結構的其他方式，還可以將第I層Y和第2層Z反過來配置，構成與粘合層接觸的層X、第2層Z和第I層Y以該順序配置的層疊結構。這時，第2層Z成為形成3層結構的中間層。該層疊結構的情況與上述結構時同樣，還可以在與粘合層接觸的層X和第2層Z之間或在第2層Z和第I層Y之間，或者在作為與粘合層接觸的層X/第2層Z/第I層Y的3層結構一端的第I層Y上進一步設置其他層，構成4層以上的層疊結構。
[0078][與粘合層接觸的層X]
[0079]如圖2所示，與粘合層接觸的層X，是和用于固定晶片的、例如由粘合劑所形成的粘合層12密接的層，并且至少含有樹脂(在本說明書中，也稱為“樹脂A”)。作為密接的方法，可以采用使用公知的方法，例如凹版輥涂布機、逆轉輥涂布機、混合輥式涂布機、浸潰輥涂布機、棒涂機、刮刀涂布機、噴涂機等將粘合劑直接涂布在層X面上的方法；或者通過上述公知的方法將粘合劑涂布在剝離片材上設置粘合層后，將其粘合在層X上，轉印粘合層的方法等。作為層X的樹脂A，可以優(yōu)選使用具有極性、與優(yōu)選構成為紫外線固化性的粘合層12的粘合劑的相容性良好的樹脂。如后所述，粘合層12優(yōu)選構成為紫外線固化性的層，這種情況下可以優(yōu)選使用保持與紫外線固化性的組成的良好密接的樹脂構成。
[0080]與粘合層接觸的層X含有樹脂A。作為前述樹脂A的彎曲剛性模量，優(yōu)選為IOOMPa以上350MPa以下的范圍。樹脂A的彎曲剛性模量處于前述范圍內(nèi)，則表示適合于通過隱形切割進行的加工(分切加工，特別是初期應力的維持)。其中，從晶片分切性的觀點考慮，樹脂A的彎曲剛性模量更優(yōu)選為150MPa以上350MPa以下，進一步優(yōu)選為180MPa以上350MPa以下。
[0081]作為與粘合層接觸的層X中含有的樹脂A，優(yōu)選為熱塑性樹脂，更優(yōu)選為烯烴系聚合物，例如為含有乙烯和不飽和羧酸作為共聚成分的乙烯?不飽和羧酸系共聚物。其中，可以優(yōu)選使用乙烯和不飽和羧酸共聚的2元共聚物(乙烯?不飽和羧酸2元共聚物)的離子交聯(lián)聚合物。通過使用乙烯.不飽和羧酸2元共聚物的離子交聯(lián)聚合物，透明性(霧度和全光線透過率)和分切性優(yōu)異。
[0082]在成為離子交聯(lián)聚合物的原料聚合物的前述乙烯.不飽和羧酸2元共聚物中，由不飽和羧酸衍生的結構單元的含有比例，優(yōu)選為I質量％以上35質量％以下的范圍，更優(yōu)選為5質量％以上25質量％以下的范圍，特別優(yōu)選為10質量％以上20質量％以下的范圍。由不飽和羧酸衍生的結構單元的含有比例為I質量％以上，表示積極地含有該結構單元，通過含有不飽和羧酸，透明性、粘接性變得良好。通過由不飽和羧酸衍生的結構單元的含有比例為35質量％以下，可以維持實用的耐熱性。
[0083]此外，作為由乙烯衍生的結構單元的含有比例，優(yōu)選為99質量％以上65質量％以下的范圍，更優(yōu)選為90質量％以上80質量％以下的范圍。
[0084]作為構成乙烯.不飽和羧酸2元共聚物的不飽和羧酸，例如，可以列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、富馬酸、馬來酸酐、馬來酸單酯等，特別優(yōu)選丙烯酸或甲基丙烯酸。
[0085]作為中和成為離子交聯(lián)聚合物的原料聚合物的2元共聚物中羧基的金屬離子，例如，可以列舉鋰離子、鈉離子、鉀離子等堿金屬離子；鎂離子、鈣離子、鋅離子、鋁離子等多價金屬的離子等。
[0086]這些離子中，更優(yōu)選鎂離子或鋅離子。這些金屬離子可以單獨使用I種，也可以將2種以上組合使用。對于離子交聯(lián)聚合物來說，通過前述金屬離子以2元共聚物中羧基的100%以下的范圍進行中和，該中和度優(yōu)選為90%以下，更優(yōu)選為20%以上85%以下的范圍。
[0087]作為鎂離子交聯(lián)聚合物，優(yōu)選乙烯.(甲基)丙烯酸共聚物的至少一部分被鎂中和的鎂離子交聯(lián)聚合物。在共聚物中，可以是嵌段共聚物、無規(guī)共聚物、或接枝共聚物的任一種，而考慮到透明性，則優(yōu)選為2元無規(guī)共聚物。
[0088]在前述離子鍵樹脂中，優(yōu)選的鎂離子交聯(lián)聚合物是用鎂離子中和如下聚合物所得的離子交聯(lián)聚合物，所述聚合物是以通過高壓自由基聚合法合成的乙烯與(甲基)丙烯酸的共聚物為基礎，并且前述(甲基)丙烯酸的共聚比為超過10質量％且30質量％以下的范圍的聚合物?；阪V離子的中和度為超過O %至60%的范圍，在該范圍內(nèi)時，擴張性和分切性優(yōu)異。優(yōu)選的中和度為10%以上60%以下的范圍，如果在該范圍內(nèi)，則透明性優(yōu)異。更優(yōu)選的中和度為10 %以上40 %以下的范圍，如果在該范圍內(nèi)，則擴張性、分切性和透明性的平衡優(yōu)異。
[0089]其中，從擴張性、成型加工性、分切性和透明性的平衡優(yōu)異，在工業(yè)上容易獲得的觀點考慮，鎂離子交聯(lián)聚合物中的(甲基)丙烯酸的共聚比更優(yōu)選為超過10質量％且20質量％以下。 [0090]作為鋅離子交聯(lián)聚合物，優(yōu)選乙烯.(甲基)丙烯酸共聚物的至少一部分被鋅中和的鋅離子交聯(lián)聚合物。共聚物和前述鎂離子交聯(lián)聚合物同樣地，可以是嵌段共聚物、無規(guī)共聚物、或接枝共聚物的任一種，而考慮到透明性，則優(yōu)選為2元無規(guī)共聚物。[0091]優(yōu)選的鋅離子交聯(lián)聚合物，是用鋅離子中和如下樹脂所得的離子交聯(lián)聚合物，所述樹脂是以通過高壓自由基聚合法合成的乙烯與(甲基)丙烯酸的共聚物為基礎，并且前述(甲基)丙烯酸的共聚比為超過10質量％且30質量％以下的范圍的樹脂。基于鋅離子的中和度為超過0%至90%的范圍，在該范圍內(nèi)時，擴張性和分切性優(yōu)異。優(yōu)選的中和度為10%以上90%以下的范圍，如果在該范圍內(nèi)，則透明性優(yōu)異。
[0092]其中，從擴張性、成型加工性、分切性和透明性的平衡優(yōu)異，在工業(yè)上容易獲得的觀點考慮，鋅離子交聯(lián)聚合物中的(甲基)丙烯酸的共聚比更優(yōu)選為超過10質量％且20質量％以下。
[0093]作為形成與粘合層接觸的層X的離子交聯(lián)聚合物，從容易獲得的觀點考慮，優(yōu)選為乙烯.丙烯酸共聚物的鎂(Mg)離子交聯(lián)聚合物或鋅(Zn)離子交聯(lián)聚合物、和乙烯.甲基丙烯酸共聚物的鎂(Mg)離子交聯(lián)聚合物或鋅(Zn)離子交聯(lián)聚合物。
[0094]作為前述與粘合層接觸的層X的厚度，優(yōu)選為10 μ m以上100 μ m以下的范圍。該厚度處于前述范圍內(nèi)，則表示適合于通過隱形切割進行的加工(分切加工，特別是初期應力的維持)。與粘合層接觸的層X的優(yōu)選厚度為15 μ m以上80 μ m以下。
[0095]作為與粘合層接觸的層X在隱形切割用膜基材中的厚度比率，從作為膜基材的穩(wěn)定生產(chǎn)的觀點考慮，優(yōu)選為膜基材整體厚度的10%以上。從實現(xiàn)分切性和擴張性的平衡的觀點考慮，第I層Y的厚度比率優(yōu)選為膜基材整體厚度的20%以上。
[0096][第I 層 Y]
[0097]構成基材11的層疊結構的層IIY (第I層Y)，優(yōu)選被配設為設置在前述與粘合層接觸的層X和后述的層IlZ (第2層Z)之間的中間層(圖2的符號11Y)，或者為相對于前述與粘合層接觸的層X隔著層IlZ(第2層Z)進行設置的內(nèi)層(圖2的符號11Y)。
[0098]第I層Y含有樹脂B。作為前述樹脂B的彎曲剛性模量，優(yōu)選為5MPa以上350MPa以下的范圍。樹脂B的彎曲剛性模量處于前述范圍內(nèi)，則表示適合于通過隱形切割進行的加工(分切加工，特別是初期應力的維持)。其中，從擴張性的觀點考慮，樹脂B的彎曲剛性模量更優(yōu)選為5MPa以上330MPa以下，進一步優(yōu)選為IOMPa以上270MPa以下。
[0099]作為第I層Y中含有的樹脂B，優(yōu)選為熱塑性樹脂，例如，可以優(yōu)選使用低密度聚乙烯(low-density polyethylene ;LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(linear low-densitypolyethylene ；LLDPE)、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、乙烯.不飽和羧酸2元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、乙烯.不飽和羧酸.不飽和羧酸酯3元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、乙烯.不飽和羧酸酯2元共聚物等。
[0100]在前述樹脂B的例子中，對于乙烯?不飽和羧酸2元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、和乙烯.不飽和羧酸.不飽和羧酸酯3元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物來說，由不飽和羧酸衍生的結構單元的含有比例優(yōu)選為I質量％以上35質量％以下的范圍，更優(yōu)選為5質量％以上25質量％以下的范圍,特別優(yōu)選為10質量％以上20質量％以下的范圍。由不飽和羧酸衍生的結構單元的含有比例為I質量％以上，表示積極地含有該結構單元，通過含有不飽和羧酸，透明性、金屬粘接性變得良好。通過不飽和羧酸衍生的結構單元的含有比例為35質量％以下，可以維持實用的耐熱性。
[0101]此外，作為由乙烯衍生的結構單元的含有比例，優(yōu)選為99質量％以上65質量％以下的范圍，更優(yōu)選為90質量％以上80質量％以下的范圍。[0102]作為構成前述2元共聚物或前述3元共聚物的不飽和羧酸，例如，可以列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、富馬酸、馬來酸酐、馬來酸單酯等，并特別優(yōu)選丙烯酸或甲基丙烯酸。
[0103]作為構成前述3元共聚物的不飽和羧酸酯，例如，可以列舉丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯、馬來酸二甲酯、馬來酸二乙酯等(甲基)丙烯酸烷基酯等。其中，更優(yōu)選為(甲基)丙烯酸烷基酯(烷基部位的優(yōu)選碳數(shù)為I?4)。
[0104]作為中和成為離子交聯(lián)聚合物的原料聚合物的2元共聚物或3元共聚物中羧基的金屬離子，優(yōu)選為鎂、鋅、鈉、鉀等，其中，更優(yōu)選為鎂和鋅。對于離子交聯(lián)聚合物來說，通過前述金屬離子以2元共聚物中羧基的100%以下的范圍進行中和，該中和度優(yōu)選為90%以下，更優(yōu)選為20%以上85%以下的范圍。
[0105]作為鎂離子交聯(lián)聚合物，優(yōu)選為乙烯.(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物、或乙烯.(甲基)丙烯酸.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物的至少一部分被鎂中和的鎂離子交聯(lián)聚合物。在共聚物中，可以是嵌段共聚物、無規(guī)共聚物、或接枝共聚物的任一種，而考慮到透明性，則優(yōu)選使用2元無規(guī)共聚物、3元無規(guī)共聚物、2元無規(guī)共聚物的接枝共聚物或者3元無規(guī)共聚物的接枝共聚物，更優(yōu)選為2元無規(guī)共聚物或3元無規(guī)共聚物。
[0106]在前述離子鍵樹脂中，優(yōu)選的鎂離子交聯(lián)聚合物是用鎂離子中和如下樹脂所得的離子交聯(lián)聚合物，所述樹脂是以通過高壓自由基聚合法合成的乙烯與(甲基)丙烯酸的共聚物為基礎，并且前述(甲基)丙烯酸的共聚比為超過10質量％且30質量％以下的范圍的樹脂?；阪V離子的中和度為超過O %至60 %的范圍，在該范圍內(nèi)時，擴張性和分切性優(yōu)異。優(yōu)選的中和度為10%以上60%以下的范圍，如果在該范圍內(nèi)，則透明性優(yōu)異。更優(yōu)選的中和度為IO %以上40 %以下的范圍，如果在該范圍內(nèi)，則擴張性、分切性和透明性的平衡優(yōu)異。
[0107]其中，從擴張性、成型加工性、分切性和透明性的平衡優(yōu)異，在工業(yè)上容易獲得的觀點考慮，鎂離子交聯(lián)聚合物中的(甲基)丙烯酸的共聚比更優(yōu)選為超過10質量％且20質量％以下。
[0108]作為鋅離子交聯(lián)聚合物，優(yōu)選為乙烯.(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物或乙烯.(甲基)丙烯酸.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物的至少一部分被鋅中和的鋅離子交聯(lián)聚合物。共聚物和前述鎂離子交聯(lián)聚合物同樣地，可以是嵌段共聚物、無規(guī)共聚物或接枝共聚物的任一種，而考慮到透明性，則優(yōu)選為2元無規(guī)共聚物、3元無規(guī)共聚物、2元無規(guī)共聚物的接枝共聚物或3元無規(guī)共聚物的接枝共聚物，更優(yōu)選為2元無規(guī)共聚物或3元無規(guī)共聚物。
[0109]優(yōu)選的鋅離子交聯(lián)聚合物，是用鋅離子中和如下樹脂所得的離子交聯(lián)聚合物，所述樹脂是以通過高壓自由基聚合法合成的乙烯與(甲基)丙烯酸的共聚物為基礎，并且前述(甲基)丙烯酸的共聚比為超過10質量％且30質量％以下的范圍的樹脂?；阡\離子的中和度為超過O %至90 %的范圍，在該范圍內(nèi)時，擴張性和分切性優(yōu)異。優(yōu)選的中和度為10%以上90%以下的范圍，如果在該范圍內(nèi)，則透明性優(yōu)異。
[0110]其中，從擴張性、成型加工性、分切性和透明性的平衡優(yōu)異，在工業(yè)上容易獲得的觀點考慮，鋅離子交聯(lián)聚合物中的(甲基)丙烯酸的共聚比更優(yōu)選為超過10質量％且20質量％以下。
[0111]在前述樹脂B的例子中，乙烯?不飽和羧酸酯共聚物優(yōu)選為乙烯.(甲基)丙烯酸烷基酷共聚物。
[0112]作為構成乙烯.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如，可以優(yōu)選列舉丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯、馬來酸二甲酯、馬來酸二乙酯等。
[0113]在本發(fā)明中，優(yōu)選的方式之一是第I層Y設置為配置在與粘合層接觸的層X和第2層Z之間的中間層的方式。其他的優(yōu)選方式之一是第2層Z設置為配置在與粘合層接觸的層X和第I層Y之間的中間層的方式。
[0114]當?shù)贗層Y設置為配置在構成層疊結構的與粘合層接觸的層X和第2層Z之間的中間層時，構成為比與粘合層接觸的層X和第2層Z柔軟的層，并且從緩和作為膜基材的應力(特別是初期應力)，具有擴張功能的觀點考慮，作為第I層Y中含有的樹脂B，例如，優(yōu)選為低密度聚乙烯(low-density polyethylene ;LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(linearlow-density polyethylene ；LLDPE)、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、乙烯.不飽和羧酸2元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、以及乙烯.不飽和羧酸.不飽和羧酸酯3元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物。
[0115]此外，當?shù)?層Z設置為配置在與粘合層接觸的層X和第I層Y之間的中間層時，從緩和作為膜基材的應力(特別是初期應力)，具有擴張功能、在擴張時和與層Y接觸的擴張平臺的滑動性、防粘連性的觀點考慮，作為第2層Z中含有的樹脂C，例如，優(yōu)選為低密度聚乙烯(low-density polyethylene ;LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(linear low-densitypolyethylene ；LLDPE)、乙烯.不飽和羧酸2元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、以及乙烯.不飽和羧酸.不飽和羧酸酯3元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物。
[0116]作為前述第I層Y的厚度，優(yōu)選為10 μ m以上100 μ m以下的范圍。該厚度處于前述范圍內(nèi)，則表示適合于通過隱形切割進行的加工(分切加工，特別是初期應力的維持)。第I層Y的優(yōu)選厚度為15 μ m以上80 μ m以下。
[0117]作為第I層Y在隱形切割用膜基材中的厚度比率，從作為膜基材的穩(wěn)定生產(chǎn)的觀點考慮，優(yōu)選為膜基材整體厚度的10%以上。從實現(xiàn)分切性和擴張性的平衡的觀點考慮，第I層Y的厚度比率優(yōu)選為膜基材整體厚度的20%以上。
[0118][第2層 Z]
[0119]構成基材11的層疊結構的層IIZ (第2層Z)，被配設為相對于前述與粘合層接觸的層X隔著層IlY(第I層Y)進行設置的內(nèi)層(圖2的符號11Z)，或者為設置在前述與粘合層接觸的層X和前述層IlY(第I層Y)之間的中間層(圖2的符號11Z)。
[0120]第2層Z含有樹脂C。作為前述樹脂C的彎曲剛性模量，優(yōu)選為50MPa以上350MPa以下的范圍。樹脂C的彎曲剛性模量處于前述范圍內(nèi)，則表示適合于通過隱形切割進行的加工(分切加工，特別是初期應力的維持)。其中，從晶片分切性的觀點考慮，樹脂C的彎曲剛性模量更優(yōu)選為50MPa以上330MPa以下，進一步優(yōu)選為70MPa以上330MPa以下。 [0121]作為第2層Z中含有的樹脂C，優(yōu)選為熱塑性樹脂，例如，可以優(yōu)選使用乙烯?不飽和羧酸2元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、以及乙烯.不飽和羧酸.不飽和羧酸酯3元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物。
[0122]在前述樹脂C的例子中，對于乙烯?不飽和羧酸2元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、和乙烯.不飽和羧酸.不飽和羧酸酯3元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物來說，由不飽和羧酸衍生的結構單元的含有比例優(yōu)選為I質量％以上35質量％以下的范圍，更優(yōu)選為5質量％以上20質量％以下的范圍。由不飽和羧酸衍生的結構單元的含有比例為I質量％以上,表示積極地含有該結構單元，通過含有不飽和羧酸，透明性、金屬粘接性變得良好。通過不飽和羧酸衍生的結構單元的含有比例為35質量％以下，可以維持實用的耐熱性。
[0123]此外，作為由乙烯衍生的結構單元的含有比例，優(yōu)選為99質量％以上65質量％以下的范圍，更優(yōu)選為95質量％以上80質量％以下的范圍。
[0124]對于構成前述2元共聚物或前述3元共聚物的不飽和羧酸、以及構成前述3元共聚物的不飽和羧酸酯的詳細內(nèi)容，和上文說明的構成第I層Y中的2元共聚物或3元共聚物的不飽和羧酸和不飽和羧酸酯含義相同，并且優(yōu)選方式也相同。
[0125]作為中和成為離子交聯(lián)聚合物的原料聚合物的2元共聚物中的羧基的金屬離子，例如，可以列舉鋰離子、鈉離子、鉀離子等堿金屬離子；鎂離子、鈣離子、鋅離子、鋁離子等多價金屬的離子等。 [0126]這些離子中，更優(yōu)選鎂離子或鋅離子。這些金屬離子可以單獨使用I種，也可以將2種以上組合使用。對于離子交聯(lián)聚合物來說，通過前述金屬離子以2元共聚物中羧基的100%以下的范圍進行中和，該中和度優(yōu)選為90%以下，更優(yōu)選為20%以上85%以下的范圍。
[0127]上述中，作為鎂離子交聯(lián)聚合物，優(yōu)選為乙烯.(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物、或乙烯.(甲基)丙烯酸.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物的至少一部分被鎂中和的鎂離子交聯(lián)聚合物。
[0128]作為鋅離子交聯(lián)聚合物，優(yōu)選為乙烯.(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物、或乙烯.(甲基)丙烯酸.(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物的至少一部分被鋅中和的鋅離子交聯(lián)聚合物。
[0129]對于這些鎂離子交聯(lián)聚合物、鋅離子交聯(lián)聚合物的詳細內(nèi)容，和在上文說明的第I層Y的項下所說明的鎂離子交聯(lián)聚合物以及鋅離子交聯(lián)聚合物同樣，并且優(yōu)選方式也相同。
[0130]作為前述第2層Z的厚度，優(yōu)選為10 μ m以上100 μ m以下的范圍。該厚度處于前述范圍內(nèi)，則表示適合于通過隱形切割進行的加工(分切加工，特別是初期應力的維持)。第2層Z的優(yōu)選厚度為15 μ m以上80 μ m以下。
[0131]作為第2層Z在隱形切割用膜基材中的厚度比率，從作為膜基材的穩(wěn)定生產(chǎn)的觀點考慮，優(yōu)選為膜基材整體厚度的10%以上。從實現(xiàn)分切性和擴張性的平衡的觀點考慮，第2層Z的厚度比率優(yōu)選為膜基材整體厚度的20%以上。
[0132]在本發(fā)明中，分別從前述與粘合層接觸的層X中含有的樹脂A的彎曲剛性模量或前述層Z中含有的樹脂C的彎曲剛性模量中減去層Y中含有的樹脂B的彎曲剛性模量的差的絕對值(I樹脂A的彎曲剛性模量一樹脂B的彎曲剛性模量I或I樹脂C的彎曲剛性模量一樹脂B的彎曲剛性模量I)的較大一方的值，優(yōu)選為50MPa以上345MPa以下的范圍。需要說明的是，“I I”的符號表示絕對值。[0133]如果前述值為50MPa以上，則在X的強度低時，晶片分切性更優(yōu)異，并且在X的強度高時，擴張性更優(yōu)異。此外，如果前述值為345MPa以下，則在能夠以分切性良好的程度緩和與粘合層接觸的層X的強度(彎曲剛性模量)這一點上是有利的。
[0134]其中，基于和前述同樣的理由，前述差的絕對值較大一方的值，更優(yōu)選為50MPa以上330MPa以下的范圍。
[0135]從利用隱形切割的晶片分切性更優(yōu)異方面考慮，對于本發(fā)明的隱形切割用膜基材，優(yōu)選的方式是與粘合層接觸的層X的厚度為15 μ m以上80 μ m以下，前述層Y的厚度為15 μ m以上80 μ m以下，前述層Z的厚度為15 μ m以上80 μ m以下。
[0136]本發(fā)明的隱形切割用膜基材的優(yōu)選方式是含有與粘合層接觸的層X、第I層Y和第2層Z依次層疊的層疊結構、或者與粘合層接觸的層X、第2層Z和第I層Y依次層疊的層疊結構，前述與粘合層接觸的層X含有樹脂A，前述樹脂A的彎曲剛性模量為ISOMPa以上350MPa以下，前述第I層Y含有樹脂B，前述樹脂B的彎曲剛性模量為IOMPa以上270MPa以下，前述第2層Z含有樹脂C，前述樹脂C的彎曲剛性模量為70MPa以上330MPa以下。
[0137]進而，本發(fā)明的隱形切割用膜基材的優(yōu)選方式是含有與粘合層接觸的層X、第I層Y和第2層Z依次層疊的層疊結構，前述與粘合層接觸的層X中含有的樹脂A為乙烯.丙烯酸共聚物的Zn離子交聯(lián)聚合物或Mg離子交聯(lián)聚合物、乙烯.甲基丙烯酸共聚物的Zn離子交聯(lián)聚合物或Mg離子交聯(lián)聚合物，前述第I層Y中含有的樹脂B為低密度聚乙烯(low-density polyethylene ;LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(linear low-densitypolyethylene ；LLDPE)、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、乙烯.(甲基)丙烯酸2元共聚物及其Zn離子交聯(lián)聚合物、乙烯.(甲基)丙烯酸.(甲基)丙烯酸(優(yōu)選碳數(shù)為I~4)烷基酯3元共聚物及其Zn離子交聯(lián)聚合物，前述第2層Z中含有的樹脂C為乙烯.(甲基)丙烯酸2元共聚物及其Zn離子交聯(lián)聚合物和Mg離子交聯(lián)聚合物、以及乙烯?不飽和羧酸?不飽和羧酸酯3元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物。
[0138]作為構成隱形切割用膜基材的與粘合層接觸的層X與第2層Z (或層Y)與第I層Y (或層Z)的層厚(ym)比率(X/Z/Y (或X/Y/Z))，優(yōu)選層X的比率為10%以上80%以下，層Y的比率為10%以上70%以下，層Z的比率為10%以上80%以下。選擇各層厚的比率以使得合計為100%。比率[% ]可以由“各層的厚度/總厚度X 100”求出。
[0139]~物性~
[0140]從提高分切性方面考慮，為了不阻礙激光的透過，本發(fā)明的隱形切割用膜基材的霧度越小越優(yōu)選。具體而言，霧度為10以下。霧度為10以下,則表示具有適合于通過利用激光的隱形切割進行的加工的透明性。其中，霧度優(yōu)選為9.0以下，更優(yōu)選為8.0以下。
[0141]霧度是使用霧度計并根據(jù)JIS K7136所測定的值。
[0142]此外，從提高隱形切割工序中使用照相機的照射位置精度方面考慮，本發(fā)明的隱形切割用膜基材的全光線透過率為90%以上。全光線透過率為90%以上，則表示具備適合于通過利用激光的隱形切割進行的加工的光透過性。全光線透過率是使用HM — 150型((株)村上色彩研究所制)，在23°C、50%相對濕度的氣氛下，根據(jù)JIS K7361所測定的值。
[0143]本發(fā)明的隱形切割用膜基材的初期應力為9MPa以上19MPa以下的范圍，優(yōu)選的下限值為超過IOMPa的范圍。進而，初期應力更優(yōu)選為IOMPa以上且小于17MPa。如果初期應力小于9MPa，則無法保持分切晶片時的外部應力，無法良好地進行晶片的分割。此外，如果初期應力超過19MPa，則擴張率變差，無法均勻分切等分切性較差。
[0144]本發(fā)明中的初期應力，是根據(jù)JIS K7127，對于隱形切割用膜基材的MD方向和TD方向，在試驗速度:500mm/s、試驗片:寬IOmmX長200mm、卡盤間:IOOmm的條件下,作為試驗片伸長6%時測定的應力而得到的，并且由MD和TD的測定值的平均進行評價。
[0145]本發(fā)明的隱形切割用膜基材的擴張率為102%以上120%以下，優(yōu)選為104%以上120%以下，更優(yōu)選為104%以上110%以下。如果擴張率小于前述范圍的下限值(102% )，則無法保持分切晶片時的外部應力，無法良好地進行晶片的分切。擴張率超過前述范圍上限值(120% )的隱形切割用膜基材，在初期應力為9MPa以上19MPa以下的范圍中實際無法存在。
[0146]擴張率是通過以下方法測定的值。
[0147]S卩，從制成的隱形切割用膜基材上切出縱(MD)方向300mm以上X橫(TD)方向300mm以上的方形試驗片。制作使用油性筆等書寫用具在該試驗片上畫出141mm見方的正方形的測定對象1，將該測定對象I安裝在8英寸晶片用的晶片擴張裝置(Technovision公司制的晶片擴張裝置TEX - 218G GR 一 8)上，使平臺中心和測定對象I中所畫的正方形中心重合。接著，將平臺提升15_，擴張隱形切割用膜后靜置60秒，測定測定對象I的正方形各邊長度(邊長)。對于所得的4個邊長，分別計算伸長率;=擴張后的邊長/擴張前的邊長X 100)，求出其平均值。
[0148]作為基材11的厚度，為50 μ m以上200 μ m以下的范圍。基材總厚度處于前述范圍內(nèi)，則表示為適合于隱形切割的基材厚度。此外，從擴張性和透明性的觀點考慮，基材的厚度優(yōu)選為150 μ m以下，另外，從分切性的觀點考慮，優(yōu)選為80 μ m以上。
[0149]此外，基材11優(yōu)選不會使激光L散射，表面和背面優(yōu)選為平滑的?；?1的表面和背面的表面粗糙度Ra(算數(shù)平均粗糙度)優(yōu)選為1.0 μ m以下。
[0150]表面粗糙度(Ra)是使用光干涉式的非接觸型表面形狀粗糙度測定器，根據(jù)JISB0601 — 2001所測定的值。
[0151]從抗靜電性能的觀點考慮，本發(fā)明的隱形切割用膜基材的表面電阻率優(yōu)選為1.0X109Q/sq以上1.0X1012Q/Sq以下。表面電阻率的調(diào)節(jié)例如可以如日本專利第4606029號中公開那樣采用添加含有聚醚酯成分的抗靜電劑的方法、或在隱形切割用膜基材中預先添加離子傳導性化合物的方法等公知方法而進行。
[0152]表面電阻率是使用Hiresta — UP (三菱化學(株)制)，在試驗溫度23°C、相對濕度50%的條件下，將施加電壓設定為500V所測定的值。
[0153]本發(fā)明的隱形切割用膜基材優(yōu)選含有含聚醚酯成分的抗靜電劑。抗靜電劑的熔點優(yōu)選為155°C以上185°C以下，更優(yōu)選為160°C以上185°C以下，特別優(yōu)選為160°C以上180°C以下。通過含有這種抗靜電劑，可以提高抗靜電性，而不會損害膜基材的透明性。通過使抗靜電劑的熔點為前述范圍，可以維持含有抗靜電劑時的離子鍵樹脂(特別是鋅離子交聯(lián)聚合物或鎂離子交聯(lián)聚合物)的高的透明性。
[0154]熔點是通過差示掃描熱量測定(Differential scanning calorimetry ；DSC),測量測定試樣和基準物質之間的熱量差，并由出現(xiàn)的峰波形求出。
[0155]作為前述抗靜電劑，可以列舉低分子型抗靜電劑、高分子型抗靜電劑，優(yōu)選高分子型抗靜電劑，作為高分子型抗靜電劑，可以列舉在分子內(nèi)具有磺酸鹽的乙烯基共聚物、烷基磺酸鹽、烷基苯磺酸鹽、甜菜堿等。此外，還可以列舉聚醚、聚酰胺彈性體、聚酯彈性體、聚醚酰胺或聚醚酯酰胺的無機質子酸鹽等。作為無機質子酸鹽，可以列舉堿金屬鹽、堿土類金屬鹽、鋅鹽或銨鹽。
[0156]作為聚醚酯酰胺，可以列舉由聚酰胺嵌段和聚氧亞烷基二醇嵌段構成，并且這些嵌段進行酯鍵合的嵌段共聚物。
[0157]聚醚酯酰胺中的聚酰胺嵌段，例如由二羧酸(例:草酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、十二烷二酸、對苯二甲酸、間苯二甲酸、1，4 一環(huán)己烷二甲酸等)與二胺(例:乙二胺、四亞甲基二胺、五亞甲基二胺、六亞甲基二胺、十亞甲基二胺、2，2，4 一三甲基六亞甲基二胺、2，4，4 一三甲基六亞甲基二胺、1，3—二(氨基甲基)環(huán)己烷、1，4 一二(氨基甲基)環(huán)己烷、亞甲基二(4 一氨基環(huán)己烷)、間苯二甲胺、對苯二甲胺等)的縮聚；ε —己內(nèi)酰胺、ω -十二內(nèi)酰胺等內(nèi)酰胺的開環(huán)聚合；6—氨基己酸、9 一氨基壬酸、11 一氨基十一烷酸、12—氨基十二烷酸等氨基羧酸的縮聚；或者由前述內(nèi)酰胺、二羧酸和二胺的共聚等而得到。這種聚酸胺片段為 Nylon4> Nylon6> Nylon46> Nylon66> Nylon610> Nylon612> Nylon6T> NylonlKNylonl2、Nylon6/66、Nylon6/12、Nylon6/610、Nylon66/12、Nylon6/66/610 等，特別優(yōu)選為Nylonl1、Nylonl2等。聚酰胺嵌段的分子量，例如為400~5000左右。
[0158]此外，作為聚醚嵌段，可以舉例聚氧乙烯二醇、聚氧丙烯二醇、聚氧四亞甲基二醇、聚氧乙烯.聚氧丙烯二醇等聚氧亞烷基二醇或它們的混合物等。它們的分子量例如為400~6000左右，更優(yōu)選為600~5000左右。
[0159]作為抗靜電劑，可以使用上市的市售品，作為具體例子，可以列舉BASF Japan公司制的 Irgastat P — 16、Irgastat P — 18、Irgastat P — 20、Irgastat P — 22 等，三洋化成工業(yè)公司制的 Pelestat230、Pelestat HC250、Pelestat300、Pelestat2450、Pelectron PVH,三井.杜邦聚合化學公司制的Entira MK400、MK440、SD100等。
[0160]前述抗靜電劑可以以規(guī)定量熔融混合在熱塑性樹脂中，或者將抗靜電劑與熱塑性樹脂干混，再將它們進行熔融混合。
[0161]前述抗靜電劑可以包含在構成膜基材的層X、層Y和層Z的任一者中，也可以包含在層X、層Y和層Z的所有層中。在含有紫外線吸收劑時，可以通過混煉加入紫外線吸收劑的方法等前述方法進行。
[0162]在含有前述抗靜電劑時，作為前述抗靜電劑在膜基材中的含量，相對于離子鍵樹月旨，優(yōu)選為超過10質量％至30質量更優(yōu)選為超過10質量％至20質量％。通過使抗靜電劑的含量超過10質量％，膜基材的抗靜電效果優(yōu)異。通過使抗靜電劑的含量為30質量％以下，可以保持膜基材的透明性。通過使抗靜電劑的含量為上述范圍，可以將膜基材的表面電阻率適當?shù)卣{(diào)節(jié)至1.0X109Q/sq以上1.0X1012Q/sq以下的范圍。
[0163]在本發(fā)明的隱形切割用膜基材中，除了上述成分之外，還可以進一步配合任意的各種添加劑。作為這種添加劑的一例，可以列舉抗氧化劑、熱穩(wěn)定劑、光穩(wěn)定劑、紫外線吸收齊?、潤滑劑、防粘連劑、防銹劑、抗菌劑、阻燃劑、阻燃助劑、交聯(lián)材料、交聯(lián)助劑等。此外，根據(jù)需要，還可以對隱形切割用膜基材進行電子束照射。 [0164]作為隱形切割用膜基材的制造方法，可以采用以往公知的T型模澆鑄成型法、T型模擠壓成型法、吹脹成型法、擠出層壓法、壓延成型法等方法。
[0165](粘合層)[0166]對于粘合層12，沒有特別限定，優(yōu)選構成為紫外線固化性的層，例如，可以使用紫外線固化型的丙烯酸系粘合劑等形成。
[0167]作為紫外線固化型的丙烯酸系粘合劑的具體例子，可以列舉至少含有(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系單體的(甲基)丙烯酸系聚合物、前述(甲基)丙烯酸系單體與官能性單體(例如，聚丙烯酸丁酯、聚丙烯酸2 —乙基己酯等聚丙烯酸酯)的共聚物、氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物以及這些聚合物的混合物，和光聚合引發(fā)劑的紫外線固化性粘合劑。
[0168]前述聚合物的平均分子量優(yōu)選為50萬?100萬左右的高分子量。平均分子量是指通過凝膠滲透色譜(GPC)測定的聚苯乙烯換算的重均分子量。
[0169]作為前述(甲基)丙烯酸酯，例如，可以列舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4 一丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6 —己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、低聚酯(甲基)丙烯酸酯等。
[0170]前述氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物，是至少具有2個碳碳不飽和雙鍵的紫外線聚合性化合物，例如，可以列舉使具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸2 —羥基乙酯、甲基丙烯酸2 —羥基乙酯、丙烯酸2 —羥基丙酯、甲基丙烯酸2 —羥基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)，與聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物和多異氰酸酯化合物(例如，2，4 -甲苯二異氰酸酯、2，6 -甲苯二異氰酸酯、1，3 一苯二亞甲基二異氰酸酯、1，4 一苯二亞甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷4，4 一二異氰酸酯等)反應所得的末端異氰酸酯基的氨基甲酸酯預聚物進行反應而得到的物質。
[0171]作為前述光聚合引發(fā)劑，例如，可以列舉苯偶姻異丙醚、異丁基芐基醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯代噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、芐基二甲基縮酮、α 一羥基環(huán)己基苯基酮、2—羥基甲基苯基丙烷等。光聚合引發(fā)劑可以單獨使用，也可以將2種以上組合使用。通過在粘合層中添加光聚合引發(fā)劑，可以抑制固化反應時間或放射線照射量，高效地進行固化反應。
[0172]此外，粘合層也和前述基材同樣，優(yōu)選透明性高。
[0173]作為粘合層中的可見光的光線透過率，在可見光線的400nm?800nm的全波長區(qū)域中，粘合層中的光線透過率優(yōu)選為90%以上。
[0174]此外，在使用基材的光線透過率為90%以上的波長的可見光線時，隱形切割用膜整體的光線透過率優(yōu)選為90%以上，進而，在使用400nm?800nm的全波長區(qū)域的光時，隱形切割用膜整體的光線透過率優(yōu)選為90%以上。
[0175]需要說明的是，光線透過率是使用分光光度計測定的值。
[0176]粘合層12的厚度優(yōu)選為5μπι以上，更優(yōu)選為IOym以上。
[0177]從提高分切率方面考慮，為了不阻礙激光的透過，本發(fā)明的隱形切割用膜的霧度越小越優(yōu)選。具體而言，霧度優(yōu)選為10以下，更優(yōu)選為9.0以下，進一步優(yōu)選為8.0以下。霧度的測定方法如前所述。
[0178]此外，在膜擴張后，希望不會發(fā)現(xiàn)膜的全體或一部分出現(xiàn)白化現(xiàn)象。
[0179]本發(fā)明的隱形切割用膜的初期應力優(yōu)選為超過9MPa，更優(yōu)選為IOMPa以上19MPa以下，進一步優(yōu)選為IOMPa以上且小于17MPa。如果初期應力為超過9MPa的范圍，則可以保持分切晶片時的外部應力，可以良好地進行晶片的分切。此外，如果初期應力為19MPa以下，則在擴張性方面上是有利。初期應力的測定方法如前所述(根據(jù)JIS K7127)。
[0180]本發(fā)明的隱形切割用膜的擴張率優(yōu)選為102%以上120%以下，更優(yōu)選為104%以上120%以下。如果擴張率為前述范圍的下限值以上，則可以保持分切晶片時的外部應力，可以良好地進行晶片的分切。如果擴張率為前述范圍的上限值以下，則可以均勻地拉伸膜，并且抑制擴張不均、膜變形的產(chǎn)生。擴張率的測定方法如前所述。
[0181][電子部件的制造方法]
[0182]對于使用本發(fā)明的隱形切割用膜的電子部件的制造方法進行詳細說明。
[0183]本發(fā)明的電子部件的制造方法是構成為設置下述工序:將前述的本發(fā)明的隱形切割用膜粘附在晶片背面的工序(膜粘附工序)、以及從隱形切割用膜側對粘附了隱形切割用膜的晶片照射激光，隔著隱形切割用膜由激光對晶片進行隱形切割的工序(切割工序)。本發(fā)明的電子部件 的制造方法根據(jù)需要還可以構成為進一步設置其他工序。
[0184]如圖3A所示，將隱形切割用膜I的粘合層12固定在晶片W的背面(與元件形成面相反一側的面)，并且放置隱形切割用膜1，使其粘合層12的端部與切割臺6接觸，并通過粘合層12固定在切割臺上(膜粘附工序)。
[0185]接著，從切割帶I的基材11側照射激光，隔著隱形切割用膜I將激光L傳導至晶片W的內(nèi)部，由此，如圖3B所示，沿著晶片W的內(nèi)部切割線形成改性部(改性區(qū)域)W1。然后，如圖4所示，通過向箭頭方向拉隱形切割用膜I的端部，使膜擴張(切割工序)。由此，以前述改性部Wl為起點，沿著改性部Wl將晶片W分割為多塊。
[0186]接著，如果對隱形切割用膜I的粘合層12照射紫外線，則粘合層12固化，該層的粘合力下降。由此，可以從隱形切割用膜I上取下多塊晶片，即各個芯片(電子部件)，可以得到所希望的電子部件。
[0187]作為激光，例如，可以根據(jù)情況選擇產(chǎn)生脈沖激光的Nd =YAG激光、Nd =YVO激光、Nd =YLF激光、鈦藍寶石激光、CO2激光、氬離子激光等公知的激光。
[0188]雖然本發(fā)明的電子部件的制造方法以硅晶片作為對象，但也可以使用例如玻璃晶片、碳化娃晶片、監(jiān)寶石晶片、憐化嫁晶片、神化嫁晶片等化合物半導體晶片等。
[0189]實施例
[0190]以下，通過實施例對本發(fā)明進行說明，但本發(fā)明并不限定于這些實施例。需要說明的是，乙烯單元含量是指來自乙烯的結構單元的含有比率，甲基丙烯酸單元含量是指來自甲基丙烯酸的結構單元的含有比率，丙烯酸異丁酯單元含量是指來自丙烯酸異丁酯的結構單元的含有比率。
[0191][A]實施例1~27和比較例I~4
[0192]以下所示的實施例1~27和比較例I~4中使用的原料的組成和物性、以及所得的膜和片材的物性的測定方法如下所述。
[0193]— 1.原材料一
[0194](I)離子交聯(lián)聚合物(10 -1)
[0195]原料聚合物:乙烯?甲基丙烯酸共聚物(乙烯單元含量:85質量％、甲基丙烯酸單元含量:15質量％ )[0196]金屬陽離子源:鎂
[0197]中和度:35%
[0198]MFR(190°C、2160g 負荷):5.9g/10 分鐘
[0199](2)離子交聯(lián)聚合物(10 - 2)
[0200]原料聚合物:乙烯.甲基丙烯酸共聚物(乙烯單元含量:85質量％、甲基丙烯酸單元含量:15質量％ )
[0201]金屬陽離子源:鎂
[0202]中和度:54%
[0203]MFR(190°C、2160g 負荷):0.7g/10 分鐘
[0204](3)離子交聯(lián)聚合物(10 - 3)
[0205]原料聚合物:乙烯.甲基丙烯酸.丙烯酸異丁酯共聚物(乙烯單元含量:80質量％、甲基丙烯酸單元含量:10質量％、丙烯酸異丁酯單元含量:10質量％ )
[0206]金屬陽離子源:鋅
[0207]中和度:70%
[0208]MFR(190°C、2160g 負荷):1.0g/10 分鐘
[0209](4)離子交聯(lián)聚合物(10 - 4)
[0210]原料聚合物:乙烯?甲基丙烯酸共聚物(乙烯單元含量:89質量％、甲基丙烯酸單元含量:11質量％ )
[0211]金屬陽離子源:鋅
[0212]中和度:65%
[0213]MFR(190°C、2160g 負荷):5.0g/10 分鐘
[0214](5)離子交聯(lián)聚合物(10 - 5)
[0215]原料聚合物:乙烯.甲基丙烯酸.丙烯酸異丁酯共聚物(乙烯單元含量:81質量％、甲基丙烯酸單元含量:11.5質量％、丙烯酸異丁酯單元含量:7.5質量％ )
[0216]金屬陽離子源:鎂
[0217]中和度:14%
[0218]MFR(190°C、2160g 負荷):5.9g/10 分鐘
[0219](6)離子交聯(lián)聚合物(10 - 6)
[0220]原料聚合物:乙烯.甲基丙烯酸.丙烯酸異丁酯共聚物(乙烯單元含量:82質量％、甲基丙烯酸單元含量:13質量％、丙烯酸異丁酯單元含量:5質量％ )
[0221]金屬陽離子源:鎂
[0222]中和度:27%
[0223]MFR(190°C、2160g 負荷):5.9g/10 分鐘
[0224](7)離子交聯(lián)聚合物(10 - 7)
[0225]原料聚合物:乙烯.甲基丙烯酸共聚物(乙烯單元含量:85質量％、甲基丙烯酸單元含量:15質量％ )
[0226]金屬陽離子源:鋅
[0227]中和度:59%
[0228]MFR(190°C、2160g 負荷):0.9g/10 分鐘[0229](8)乙烯.(甲基)丙烯酸共聚物(EMAA)
[0230]乙烯.甲基丙烯酸共聚物(乙烯單元含量:91質量％、甲基丙烯酸單元含量:9質量％ )
[0231]MFR(190°C、2160g 負荷):3.0g/10 分鐘
[0232](9)聚醚酯成分(B -1)
[0233]商品名=IrgastatP — 16(熔點(DSC 測定):158°C, BASF Japan (株)制，聚醚酯酰胺嵌段共聚物)
[0234](10)聚醚酯成分(B - 2)
[0235]商品名=IrgastatP — 18(熔點(DSC 測定):173°C, BASF Japan(株)制，聚醚酯酰胺嵌段共聚物)
[0236](11)聚醚酯成分(B - 3)
[0237]商品名=IrgastatP — 20(熔點(DSC 測定):195°C, BASF Japan (株)制，聚醚酯酰胺嵌段共聚物)
[0238]- 2.物性測定方法一
[0239]對于隱形切割用膜基材的物性，使用后述的實施例和比較例中制造的離子交聯(lián)聚合物膜基材等進行了測定。測定結果示于下述表1~表2。
[0240](I)初期應力
[0241]對于制成的各隱形切割用膜基材的縱(MD)方向和橫(TD)方向，根據(jù)JIS K7127在下述條件下測定伸長6%時的應力。下述表1~表2中所示的值是MD和TD的平均值。
[0242]< 條件 >
[0243].試驗速度:500mm/秒
[0244].試驗片:寬 10mmX 長 200mm
[0245]?卡盤間:100mm
[0246](2)霧度
[0247]對于制成的各隱形切割用膜基材，使用(株)村上色彩研究所制的HM - 150型，在溫度23°C、相對濕度50%的氣氛下，根據(jù)JISK7136進行了測定。
[0248](3)擴張性(擴張率)
[0249]從制成的各隱形切割用膜基材上切出縱(膜的MD方向)300mm以上X橫(膜的TD方向)300mm以上的方形膜基材片，使用油性筆等書寫用具在該切下的膜基材片上畫出141mm見方的正方形(以下，稱為測定對象I)。將測定對象I安裝在8英寸晶片用的晶片擴張裝置(Technovision公司制的晶片擴張裝置TEX — 218G GR — 8)上。這時，以晶片擴張裝置的平臺中心和測定對象I中所畫的正方形中心重合的方式安裝。接著，將平臺提升15_，擴張隱形切割用膜后，靜置60秒，測定測定對象I的正方形各邊長度(邊長)。對于所得的4個邊長，分別計算 伸長率;=擴張后的邊長/擴張前的邊長X 100)，并將其平均值作為擴張率[%]。
[0250](4)分切性
[0251]按照下述的評價基準，評價制成的各隱形切割用膜基材的分切性能。需要說明的是，所謂分切率[% ]，是由“(實際能分切數(shù)量)/(總分割數(shù))X100”所求出的值。
[0252]<評價基準>[0253]A:分切率為80%以上100%以下。
[0254]B:分切率為60%以上且小于80%。
[0255]C:分切率小于60%。
[0256]D:未能容易分切。
[0257](5)表面電阻率
[0258]使用三菱化學(株)制的Hiresta — UP，在23°C、50%相對濕度的氣氛下，將施加電壓設定為500V，進行測定。
[0259](6)全光線透過率
[0260]對于制成的各隱形切割用膜基材，使用(株)村上色彩研究所制的HM - 150型，在23 °C、50%相對濕度的氣氛下，根據(jù)JIS K7361進行測定。
[0261]首先，作為不含抗靜電劑時的例子，將實施例1?4與比較例進行對比例示。
[0262][實施例1]
[0263]使用Cp50mm單螺桿擠出機吹脹成型機，向該成型機的樹脂投入口中投入前述離子交聯(lián)聚合物(10 -1)，將模溫設定為190°C，制作了 80 μ m厚的離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率和全光線透過率的測定。結果示于下述表I。
[0264][實施例2]
[0265]除了在實施例1中，將離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為離子交聯(lián)聚合物(10 -
6)，并且將模溫替換為200°C以外，與實施例1同樣地制作了離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率和全光線透過率的測定。結果示于下述表I。
[0266][實施例3]
[0267]除了在實施例1中，將離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為離子交聯(lián)聚合物(10 -
2)，并且將模溫替換為230°C以外，與實施例1同樣地制作了離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率和全光線透過率的測定。結果示于下述表I。
[0268][實施例4]
[0269]除了在實施例1中，將離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為離子交聯(lián)聚合物(10 -
4)，并且將模溫替換為180°C以外，與實施例1同樣地制作了離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率和全光線透過率的測定。結果示于下述表I。
[0270][比較例I]
[0271]除了在實施例1中，將離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為離子交聯(lián)聚合物(10 -
3)，并且將模溫替換為210°C以外，與實施例1同樣地制作了離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率和全光線透過率的測定。結果示于下述表I。
[0272][比較例2]
[0273]除了在實施例1中，將離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為離子交聯(lián)聚合物(10 -
5)，并且將模溫替換為180°C以外，與實施例1同樣地制作了離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率和全光線透過率的測定。結果示于下述表I。
[0274][比較例3]
[0275]除了在實施例1中，將離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為離子交聯(lián)聚合物(10 -
7)，并且將模溫替換為210°C，將厚度替換為220 μ m以外，與實施例1同樣地制作了離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率和全光線透過率的測定。結果示于下述表I。
[0276][比較例4]
[0277]除了在實施例1中，將離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為EMAA,并且將模溫替換為180°C以外，與實施例1同樣地制作了膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率和全光線透過率的測定。結果示于下述表I。
[0278]接著，含有抗靜電劑時的例子示于實施例5?實施例9。
[0279][實施例5]
[0280]在實施例1中，將使用的離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為離子交聯(lián)聚合物(10 -1) 85質量份、Irgastat P — 16 (聚醚酯成分(B — 1))7.5質量份和Irgastat P — 18 (聚醚酯成分(B — 2))7.5質量份，對這些成分進行干混。將該干混的原料投入到具備全螺紋型螺桿(cp40mm )的單螺桿擠出機的樹脂投入口中后，熔融混煉，進行顆粒化。使用所得的顆粒，與實施例1同樣地制作了離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率、表面電阻率和全光線透過率的測定。結果示于下述表2。
[0281][實施例6]
[0282]在實施例1中，將使用的離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為離子交聯(lián)聚合物(10 -1) 85質量份和Irgastat P — 18 (聚醚酯成分(B — 2)) 15質量份，對這些成分進行干混。將
該干混的原料投入到具備全螺紋型螺桿((p40mm )的單螺桿擠出機的樹脂投入口中后，熔融混煉，進行顆?；?。使用所得的顆粒，與實施例1同樣地制作了離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率、表面電阻率和全光線透過率的測定。結果示于下述表2。
[0283][實施例7]
[0284]除了在實施例5中，將離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為離子交聯(lián)聚合物(10 — 2)以外，和實施例5同樣地制作了離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率、表面電阻率和全光線透過率的測定。結果示于下述表2。
[0285][實施例8]
[0286]除了在實施例6中，將離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為離子交聯(lián)聚合物(10 — 2)以外，與實施例6同樣地制作了離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率、表面電阻率和全光線透過率的測定。結果示于下述表2。
[0287][實施例9][0288]除了在實施例6中，將離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為離子交聯(lián)聚合物(10 —2)，并且將Irgastat P - 18 (15質量份)替換為Irgastat P — 16 (聚醚酯成分(B — I)) 15質量份以外，與實施例6同樣地制作了離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率、表面電阻率和全光線透過率的測定。結果示于下述表2。
[0289][比較例5]
[0290]除了在實施例6中，將離子交聯(lián)聚合物(10 -1)替換為離子交聯(lián)聚合物(10 -2)，并且將Irgastat P - 18 (15質量份)替換為IrgastatP — 20 (聚醚酯成分(B — 3)) 15質量份以外，與實施例6同樣地制作了離子交聯(lián)聚合物膜基材(隱形切割用膜基材)。對于該制成的膜基材，進行了初期應力、霧度、擴張率、表面電阻率和全光線透過率的測定。結果示于下述表2。
[0291][表1]
[0292][不含抗靜電劑]
[0293]
離
【權利要求】
1.一種隱形切割用膜基材，其能夠用作具備粘合層和基材的隱形切割用膜的所述基材，并且厚度為50 μ m以上200 μ m以下的范圍，初期應力為9MPa以上19MPa以下的范圍，擴張率為102%以上120%以下的范圍，霧度值為10以下，全光線透過率為90%以上。
2.如權利要求1所述的隱形切割用膜基材，其含有選自乙烯.(甲基)丙烯酸系共聚物的鎂離子交聯(lián)聚合物和乙烯.(甲基)丙烯酸系共聚物的鋅離子交聯(lián)聚合物，并且共聚物中的來自(甲基)丙烯酸烷基酯的結構單元的共聚比低于7質量％的離子鍵樹脂。
3.如權利要求2所述的隱形切割用膜基材，其中，所述鎂離子交聯(lián)聚合物和所述鋅離子交聯(lián)聚合物的至少一方的所述來自(甲基)丙烯酸的結構單元在共聚物中的共聚比為超過10質量％且30質量％以下。
4.如權利要求2或3所述的隱形切割用膜基材，其中，所述鎂離子交聯(lián)聚合物和所述鋅離子交聯(lián)聚合物的至少一種的中和度為超過0%且60%以下。
5.如權利要求2或3所述的隱形切割用膜基材，其中，所述鎂離子交聯(lián)聚合物和所述鋅離子交聯(lián)聚合物的至少一種的中和度為10%以上40%以下。
6.如權利要求1所述的隱形切割用膜基材，其具有與所述粘合層接觸的層X、第I層Y和第2層Z依次層疊的層疊結構、或者與所述粘合層接觸的層X、第2層Z和第I層Y依次層疊的層疊結構，并且所述層X、所述層Y和所述層Z的厚度為10 μ m以上100 μ m以下的范圍。
7.如權利要求6所述的隱形切割用膜基材，其中，所述與粘合層接觸的層X含有樹脂A，所述樹脂A的彎曲剛性模量為IOOMPa以上350MPa以下的范圍，所述第I層Y含有樹脂B，所述樹脂B的彎曲剛性模量為5MPa以上350MPa以下的范圍，所述第2層Z含有樹脂C，所述樹脂C的彎曲剛性模量為50MPa以上350MPa以下的范圍， 并且，分別從所述樹脂A或所述樹脂C的彎曲剛性模量中減去所述樹脂B的彎曲剛性模量的差的絕對值較大一方的值為50MPa以上345MPa以下的范圍。
8.如權利要求6或7所述的隱形切割用膜基材，其中，所述與粘合層接觸的層X含有樹脂A，所述樹脂A為乙烯.不飽和羧酸2元共聚物的離子交聯(lián)聚合物。
9.如權利要求8所述的隱形切割用膜基材，其中，所述2元共聚物中由不飽和羧酸衍生的結構單元的含量為I質量％以上35質量％以下。
10.如權利要求6~9中任一項所述的隱形切割用膜基材，其中，所述第I層Y含有樹脂B，所述樹脂B為選自低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、乙烯.不飽和羧酸2元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、乙烯.不飽和羧酸.不飽和羧酸酯3元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、以及乙烯.不飽和羧酸酯2元共聚物中的至少I種。
11.如權利要求6~10中任一項所述的隱形切割用膜基材，其中，所述第2層Z含有樹脂C，所述樹脂C為選自乙烯.不飽和羧酸2元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物、以及乙烯.不飽和羧酸.不飽和羧酸酯3元共聚物及其離子交聯(lián)聚合物中的至少I種。
12.如權利要求1~11中任一項所述的隱形切割用膜基材，其含有熔點為155°C以上185°C以下的抗靜電劑。
13.如權利要求1~12中任一項所述的隱形切割用膜基材，其表面電阻率為1.0 X IO9 Ω/sq 以上 1.0 X IO12 Ω/sq 以下。
14.一種隱形切割用膜，其具備粘合層和權利要求1~13中任一項所述的隱形切割用膜基材。
15.一種電子部件的制造方法，其包含將權利要求14所述的隱形切割用膜粘附在晶片背面的工序，以及 從所述隱形切割用膜側對粘附了所述隱形切割用膜的晶片照射激光，并隔著隱形切割用膜由激光切割所述晶片的工序。
【文檔編號】C08F210/02GK104011836SQ201280064243
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2012年12月20日 優(yōu)先權日:2011年12月26日
【發(fā)明者】中野重則, 錦織雅弘, 橋本芳惠, 宮下雄介 申請人:三井—杜邦聚合化學株式會社