一種ttr增強蠟基用bopet的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于BOPET領(lǐng)域,具體涉及一種TTR增強蠟基用BOPET。該BOPET厚度為4.5微米,由基料和混合硅母料制備而成;其中基料占40%~60%。應(yīng)用本發(fā)明所制備的BOPET產(chǎn)品,相較于現(xiàn)有技術(shù)中使用的4.5微米過渡產(chǎn)品,其熱穩(wěn)定性、厚度及拉伸強度等性能能夠滿足高速打印的各項需求,同時由于產(chǎn)品的針對性更強,因此BOPET的熱穩(wěn)定性、拉伸強度等各項性能更適于TTR增強蠟基高速涂布專用。
【專利說明】—種TTR增強蠟基用BOPET
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于BOPET (雙向拉伸聚酯薄膜)領(lǐng)域,具體涉及一種TTR (熱轉(zhuǎn)印色帶)增強蠟基用BOPET。
【背景技術(shù)】 [0002]目前,在TTR增強蠟基高速涂布中使用的BOPET—般為電容器專用或為生產(chǎn)電容器專用BOPET的4.5微米過渡產(chǎn)品,沒有為TTR增強蠟基高速涂布專用4.5微米Β0ΡΕΤ。電容器用BOPET的4.5微米過渡產(chǎn)品從原料到工藝,全是針對電容器膜的耐擊穿、絕緣等性能,無法滿足TTR增強蠟基高速涂布所需要的熱穩(wěn)定性、拉伸強度等性能,且電容器用BOPET的4.5微米過渡產(chǎn)品的厚度偏厚對后期高速打印也有一定的影響。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明目的在于提供一種TTR增強蠟基高速涂布專用4.5微米BOPET。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種TTR增強蠟基用Β0ΡΕΤ,厚度為4.5微米,由基料和混合硅母料制備而成;
所述基料為聚對苯二甲酸乙二醇酯;
所述混合硅母料為聚對苯二甲酸乙二醇酯與混合SiO2的混合物,混合SiO2的含量為300(T8000ppm ;所述混合SiO2為小粒徑SiO2 (粒徑小于1.0微米)與普通粒徑SiO2 (粒徑大于2.5微米)的混合物,普通粒徑SiO2比例為25%…35%。
[0005]所述TTR增強蠟基用Β0ΡΕΤ,以質(zhì)量百分比計,基料占40%~60%。
[0006]所述TTR增強蠟基用Β0ΡΕΤ,以質(zhì)量百分比計,基料占45%。
[0007]需要說明的是,為更好的制備4.5微米的Β0ΡΕΤ,制備本發(fā)明TTR增強蠟基高速涂布專用4.5微米的BOPET的生產(chǎn)線上的相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備由奧地利安德里茨公司所生產(chǎn),所引進的生產(chǎn)設(shè)備在MDO (縱向拉伸)、TDO (橫向拉伸)區(qū)域相較于國內(nèi)設(shè)備能夠更好的滿足生產(chǎn)所需。
[0008]本發(fā)明相較于現(xiàn)有技術(shù)中使用的4.5微米過渡產(chǎn)品,在使用性能上其熱穩(wěn)定性、厚度及拉伸強度等性能能夠滿足高速打印的各項需求,同時由于產(chǎn)品的針對性更強,因此BOPET的熱穩(wěn)定性、拉伸強度等各項性能更適于TTR增強蠟基高速涂布專用。
【具體實施方式】
[0009]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明做進一步的介紹說明。
[0010]實施例1
按基料與混合硅母料=4:6的質(zhì)量比進行配制,所述基料為聚對苯二甲酸乙二醇酯;所述混合娃母料為聚對苯二甲酸乙二醇酯與混合SiO2的混合物,混合SiO2的含量為5000ppm ;所述混合SiO2為小粒徑SiO2 (粒徑小于1.0微米)與普通粒徑SiO2 (粒徑大于2.5微米)的混合物,普通粒徑SiO2比例為25%…35%。[0011]將配制好的原料經(jīng)混合、干燥后,進入擠出機在280°C溫度下進行原料熔融,首先將熔融后原料經(jīng)過5 μ m高精度過濾器過濾后,在T型模頭擠出并在急冷輥冷卻,后經(jīng)過MDO550C ^760C的預(yù)熱后,進行3.65倍縱拉和TDO的4.1倍橫拉,在TDO橫拉末段進行冷卻結(jié)晶處理,然后再經(jīng)過切邊、收卷等工序收成半成品,最后經(jīng)分切、包裝后,成為TTR混合基高速涂布專用4.5微米BOPET成品。
[0012]對本實施例制備的TTR增強蠟基高速涂布專用4.5微米BOPET成品進行分切,成品優(yōu)等級品率可達92%,涂布A級品率可達81%。
[0013]本實施例主要物化指標(biāo)測定如下表所示:
【權(quán)利要求】
1.一種TTR增強蠟基用BOPET,其特征在于,該BOPET產(chǎn)品厚度為4.5微米,由基料和混合硅母料制備而成; 所述基料為聚對苯二甲酸乙二醇酯; 所述混合硅母料為聚對苯二甲酸乙二醇酯與混合SiO2的混合物,混合SiO2的含量為300(T8000ppm ;所述混合SiO2為小粒徑SiO2與普通粒徑SiO2的混合物,普通粒徑SiO2比例為25%~~35%。
2.如權(quán)利要求1所述TTR增強蠟基用Β0ΡΕΤ,其特征在于,以質(zhì)量百分比計,基料占40%~60%。
3.如權(quán)利要求2所述 TTR增強蠟基用Β0ΡΕΤ,其特征在于,以質(zhì)量百分比計,基料占45%。
【文檔編號】C08L67/02GK103554853SQ201310550121
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月8日
【發(fā)明者】李東升, 韓冰冰, 李加坤, 李娟
申請人:河南卓立膜材料股份有限公司