硬掩模的制作方法
【專利摘要】提供了適用于旋涂金屬硬掩模的包含某些有機(jī)金屬低聚物的組合物，其中該組合物可以被改變組成以提供具有一系列刻蝕選擇性的金屬氧化物硬掩模。還提供了使用本發(fā)明的組合物沉積金屬氧化物硬掩模的方法。
【專利說明】硬掩模
[0001]本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，和更特別地涉及在半導(dǎo)體制造中使用的硬掩模領(lǐng)域。
[0002]隨著在193nm浸沒式光刻中的臨界尺寸和節(jié)距連續(xù)降低，歸功于硬掩模材料的優(yōu)異的刻蝕選擇性，在集成電路制造的某些層中使用硬掩模已經(jīng)變得越來越流行。某些金屬硬掩模，例如TiN是通過化學(xué)氣相沉積(CVD)施加到加工晶片上。通過CVD或旋涂技術(shù)施加的無定形碳硬掩模和硅硬掩模(或硅抗反射涂層或SiARC)是集成電路制造中的常規(guī)技術(shù)之中。目前，旋涂金屬硬掩模在集成電路工業(yè)中獲得了關(guān)注，部分是由于與常規(guī)方法相比潛在的成本降低以及制備方法的簡化。
[0003]US專利N0.7364832公開了通過將一層包含下式金屬-氧聚合物的組合物沉積在基板上獲得的濕顯影性的保護(hù)層。
【權(quán)利要求】
1.一種制造電子器件的方法，包括: (a)提供電子器件基板；(b)在電子器件基板上設(shè)置一層有機(jī)金屬低聚物；和(C)固化所述有機(jī)金屬低聚物以在電子器件基板上形成金屬氧化物層；其中有機(jī)金屬低聚物選自:(i)包括含金屬側(cè)基的低聚物；(ii)式(2)的低聚物

2.權(quán)利要求1的方法，其中M1選自鈦、鋯、鉿、鎢、鉭、鑰和鋁。
3.權(quán)利要求1的方法，其中所述包括含金屬側(cè)基的低聚物包括一種或多種式(I)的單體作為聚合單元，
4.權(quán)利要求3的方法，其中M選自鈦、鋯、鉿、鎢、鉭、鑰和鋁。
5.權(quán)利要求3的方法,其中每一個L選自(C1-C6)烷氧基。
6.權(quán)利要求1的方法，其中每一個L1選自3-二酮、0-羥基酮、0-二酮亞胺酯/根、脒酯/根、胍酯/根和β -羥亞胺。
7.權(quán)利要求6的方法，其中每一個L1選自丙酮基丙酮酸酯/根、六氟丙酮基丙酮酸酯/根、N，N’-二甲基-甲基脒酸酯/根合、N，N’- 二乙基-甲基脒酸酯/根合、Ν，Ν’_ 二乙基-乙基脒酸酯/根合、N，N’ - 二-異-丙基-甲基脒酸酯/根合、N，N’ -二-異-丙基-異-丙基脒酸酯/根合、N，N’ - 二甲基-苯基脒酸酯/根合、四甲基胍酯/根和四乙基胍酯/根。
8.權(quán)利要求1的方法，其中m=2。
9.權(quán)利要求1的方法，其中p=2-10。
10.權(quán)利要求1的方法，其中使用包括有機(jī)金屬低聚物和有機(jī)溶劑的組合物進(jìn)行步驟(b)。
11.權(quán)利要求10的方法，其中有機(jī)溶劑包含<1000Oppm的水。
12.權(quán)利要求10的方法，所述方法進(jìn)一步包括在固化步驟之前移除有機(jī)溶劑的步驟。
13.權(quán)利要求1的方法，其中所述包括含金屬側(cè)基的低聚物是包括一種或多種單體作為聚合單元的共聚物，所述一種或多種單體選自以下單體:(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸羥烷基酯、(甲基)丙烯酸烯基酯、(甲基)丙烯酸芳酯；和一種或多種式⑴單體，
14.一種包括一種或多種式(I)的單體作為聚合單元的聚合物，

15.權(quán)利要求12的聚合物，所述聚合物進(jìn)一步包括一種或多種選自以下的單體作為聚合單元:(甲基)丙烯酸烷基酯單體、(甲基)丙烯酸芳基酯單體、(甲基)丙烯酸羥烷基酯單體、(甲基)丙烯酸烯基酯、(甲基)丙烯酸和乙烯基芳族單體。
【文檔編號】C08F220/10GK103681253SQ201310571344
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月23日
【發(fā)明者】D·王, 孫紀(jì)斌, 莊芃薇, P·特雷弗納三世, 劉驄 申請人:羅門哈斯電子材料有限公司