光學構(gòu)件、其制造方法以及具備該光學構(gòu)件的物品的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供與由現(xiàn)有的乙烯/四氟乙烯共聚物構(gòu)成的成形體相比，透明性、耐熱性優(yōu)異且耐光性良好的光學構(gòu)件、其制造方法以及具備該光學構(gòu)件的物品。光學構(gòu)件，由包含乙烯/四氟乙烯共聚物的交聯(lián)物的成形體構(gòu)成，上述乙烯/四氟乙烯共聚物具有基于四氟乙烯的單元(A)、基于乙烯的單元(B)和基于CH2＝CHCnF2n+1的單元(C)，其中，n是2～10的整數(shù)，上述單元(A)與上述單元(B)的摩爾比(A)/(B)是50/50～66/34，上述單元(C)與上述單元(A)和上述單元(B)的總計的摩爾比(C)/{(A)+(B)}是4.0/100～10/100。
【專利說明】光學構(gòu)件、其制造方法以及具備該光學構(gòu)件的物品

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及光學構(gòu)件、其制造方法以及具備該光學構(gòu)件的物品。

【背景技術(shù)】
[0002] 電子部件、電子設(shè)備等有時具備光學構(gòu)件（光學膜、光學透鏡、發(fā)光二極管的密封 材料等）。
[0003] 對于該光學構(gòu)件，由于下述⑴的理由等，有時要求其使用樹脂材料。
[0004] (i)隨著電子部件、電子設(shè)備等的小型化、高集成化、高性能化等，對光學構(gòu)件也要 求小型化。作為該光學構(gòu)件的材料，從容易將光學構(gòu)件加工為小型構(gòu)件的方面考慮，優(yōu)選樹 脂材料。
[0005] 此外，對于該光學構(gòu)件，從下述（ii)、（iii)的理由等考慮，有時要求耐熱性、耐光 性。
[0006] (ii)有時通過回流焊法將光學構(gòu)件安裝在電路基板上?；亓骱阜ㄖ?，從對環(huán)境問 題的應(yīng)對方面考慮，理想的是使用無鉛焊錫。因此，對于光學構(gòu)件，要求在無鉛焊錫的回流 焊溫度（約260°C )下也不熔融而能夠維持形狀的耐熱性。
[0007] (iii)伴隨著發(fā)光二極管的高亮度化，對于密封材料，要求更進一步的耐熱性、耐 光性。
[0008] 作為耐熱性、耐光性優(yōu)異的樹脂材料，已知乙烯/四氟乙烯共聚物（以下記作 ETFE)。但是，通常的ETFE因為結(jié)晶性高而透明性低，不適合作為光學構(gòu)件用的樹脂材料。
[0009] 作為透明性得到了改善的ETFE，提出了下述的ETFE。
[0010] 由基于四氟乙烯（以下記作TFE)的單元（A)、基于乙烯（以下記作E)的單元（B) 和基于CH2 = CHCnF2n+1 (其中，η是2?10的整數(shù)）的單元（C)構(gòu)成，單元（A)與單元（B) 的摩爾比（(Α) ΛΒ))為50/50?60/40,單元（C)的含量是2?7摩爾％的ETFE (專利文獻 1)。
[0011] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0012] 專利文獻
[0013] 專利文獻1 :日本專利第3424270號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] 發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0015] 作為光學構(gòu)件的樹脂材料，理想的是透明性盡可能高。因此，要求透明性比專利文 獻1所述的ETFE更高的ETFE。
[0016] 本發(fā)明提供與由現(xiàn)有的ETFE構(gòu)成的成形體相比，透明性、耐熱性優(yōu)異且耐光性良 好的光學構(gòu)件、其制造方法以及具備該光學構(gòu)件的物品。
[0017] 解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0018] 本發(fā)明的光學構(gòu)件的特征是由包含下述ETFE的交聯(lián)物的成形體構(gòu)成。
[0019] (ETFE)
[0020] 所述ETFE具有基于TFE的單元（A)、基于E的單元⑶和基于CH2 = CHCnF2n+1 的單元（C)，其中，n是2?10的整數(shù)，上述單元㈧與上述單元⑶的摩爾比（Α)ΛΒ) 是50/50?66/34,上述單元（C)與上述單元（Α)和上述單元（Β)的總計的摩爾比（C)/ {(A)+ (B)}是 4. 0/100 ?10/100。
[0021] 上述（C)/{(A) + (B)}較好是 4. 0/100 ?7. 5/100。
[0022] 本發(fā)明的光學構(gòu)件的波長400nm處的光線透射率在厚220 μ m的光學構(gòu)件中較好 是90.0%以上。
[0023] 在厚500 μ m的光學構(gòu)件的情況下，將本發(fā)明的光學構(gòu)件以280°C加熱5分鐘時的 收縮率在縱向和橫向均為5%以內(nèi)。
[0024] 本發(fā)明的光學構(gòu)件的制造方法是制造本發(fā)明的光學構(gòu)件的方法，其特征是，通過 對包含上述ETFE的樹脂材料的成形體照射放射線，使上述ETFE交聯(lián)。
[0025] 本發(fā)明的光學構(gòu)件的制造方法中，放射線的輻射劑量較好是1?lOMrad。
[0026] 本發(fā)明的光學構(gòu)件的制造方法中，放射線較好是電子射線。
[0027] 本發(fā)明的物品的特征是具備本發(fā)明的光學構(gòu)件。
[0028] 發(fā)明效果
[0029] 本發(fā)明的光學構(gòu)件與由現(xiàn)有的ETFE構(gòu)成的成形體相比，透明性、耐熱性優(yōu)異，且 耐光性良好。
[0030] 根據(jù)本發(fā)明的光學構(gòu)件的制造方法，可制造與現(xiàn)有的ETFE相比，透明性得到改善 且耐熱性、耐光性優(yōu)異的光學構(gòu)件。
[0031] 本發(fā)明的物品具備與現(xiàn)有的ETFE相比透明性得到改善且耐熱性、耐光性優(yōu)異的 光學構(gòu)件。

【具體實施方式】
[0032] 本說明書中的"單元"是指通過單體的聚合而形成的來源于該單體的重復單元。單 元既可以是通過聚合直接形成的單元，也可以是通過對聚合物進行處理而將該單元的一部 分轉(zhuǎn)化成了其它結(jié)構(gòu)的單元。
[0033] 此外，本說明書中的"單體"是指具有聚合性不飽和基團的化合物。
[0034] 此外，本發(fā)明書中的"（甲基）丙烯酸酯"是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
[0035] 此外，本發(fā)明中的"放射線"是指Y射線、電子射線、X射線等電離性放射線。
[0036] 〈光學構(gòu)件〉
[0037] 本發(fā)明的光學構(gòu)件是由包含特定的ETFE的交聯(lián)物的成形體構(gòu)成的光學構(gòu)件。 ETFE的交聯(lián)物是通過對ETFE照射放射線使ETFE交聯(lián)而形成的交聯(lián)物。
[0038] (ETFE)
[0039] 本發(fā)明中的ETFE具有基于TFE的單元（A)、基于E的單元⑶和基于CH2 = CHCnF2n+1的單元（C)，其中，η是2?10的整數(shù)。
[0040] 單元⑷與單元⑶的摩爾比（Α)八8)是50/50?66/34，較好是53/47?65/35， 更好是56/44?60/40。如果（AV(B)在該范圍內(nèi)，則透明性、耐熱性、耐光性、耐候性、耐化 學品性、阻氣性、燃料阻隔、機械強度、成形性等的平衡良好。
[0041] 單元（C)與單元㈧和單元⑶的總計的摩爾比（C)/{(A) + (B)}為4.0/100? 10/100,較好是 4. 0/100 ?7. 5/100,更好是 4. 5/100 ?7. 5/100,進一步更好是 4. 6/100 ? 7. 5/100。如果（C) / {(A) + (B)}在 4. 0/100 以上，則透明性高。如果（C) / {(A) + (B)}在 10/100 以下，則ETFE的制造容易。
[0042] CH2 = CHCnF2n+1中的η是2?10的整數(shù)，較好是2?8,更好是2?6。如果η在 2以上，則所得的ETFE的耐應(yīng)力龜裂等物性優(yōu)異。如果η在10以下，則CH 2 = CHCnF2n+1的 制造容易，聚合性優(yōu)異。
[0043] 作為 CH2 = CHCnF2n+1 的具體例，可例舉 CH2 = CH(CF2)2F、CH2 = CH(CF2)3F、CH2 = ch(cf2)4f, ch2 = ch(cf2)5f, ch2 = ch(cf2)6f, ch2 = ch(cf2)7f, ch2 = ch(cf2)8f, ch2 = CH (CF2) 9F、CH2 = CH (CF2) 10F 等。
[0044] 作為CH2 = CHCnF2n+1，由于聚合性優(yōu)異且ETFE的物性優(yōu)異，較好是CH2 = CH(CF2)2F、 ch2 = ch(cf2)3f、ch2 = ch(cf2)4f、ch2 = ch(cf2)5f、ch2 = ch(cf2)6f、或 ch2 = ch(cf2)7f、ch2 =ch(cf2)8f，更好是 ch2 = ch(cf2)2f、ch2 = ch(cf2)3f、ch2 = ch(cf2)4f、ch2 = ch(cf2)5f、 或 ch2 = ch(cf2)6f。
[0045] CH2 = CHCnF2n+1可以單獨使用1種，也可以并用2種以上。
[0046] 除單元（A)、單元（B)和單元（C)以外，本發(fā)明中的ETFE還可以具有基于其他單體 的單元（D)。
[0047] 作為其他單體，可例舉烴類烯烴（丙烯、丁烯等）、不飽和基團中具有氫原子的氟 代烯烴（偏氟乙烯、氟乙烯、三氟乙烯等）、不飽和基團中不具有氫原子的氟代烯烴（六氟丙 烯、三氟氯乙烯等；但是TFE除外）、全氟（烷基乙烯基醚）（全氟（丙基乙烯基醚）等）、乙 烯基醚（烷基乙烯基醚、（氟烷基）乙烯基醚、縮水甘油基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚、甲基 乙烯氧基丁基碳酸酯等）、乙烯基酯（乙酸乙烯酯、氯乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、叔戊酸乙烯 酯、苯甲酸乙烯酯、丁烯酸乙烯酯等）、（甲基）丙烯酸酯（（多氟烷基）丙烯酸酯、（多氟烷 基）甲基丙烯酸酯等）、酸酐（馬來酸酐、衣康酸酐、檸康酸酐、5-降冰片烯-2, 3-二羧酸酐 等）等°
[0048] 其他單體可以單獨使用1種，也可以并用2種以上。
[0049] 本發(fā)明中的ETFE具有單元（D)的情況下，單元（D)的比例在ETFE中的全部單元 100摩爾％中較好是0. 01?20摩爾％，更好是0. 01?10摩爾％，進一步更好是0. 05?5 摩爾％，特別好是〇. 1?3摩爾％。
[0050] 作為本發(fā)明中的ETFE，從耐熱性等物性優(yōu)異、制造容易的方面考慮，較好是僅由單 元（A)、單元⑶和單元（C)構(gòu)成的ETFE。
[0051] 本發(fā)明中的ETFE的體積流速（以下也稱為Q值）較好是1?1000mm3/秒，更好 是5?500mm 3/秒，進一步更好是5?200mm3/秒。Q值是表示ETFE的熔融流動性的指標， 是分子量的基準。Q值越大則表示分子量越低，Q值越小則表示分子量越高。本發(fā)明中的 ETFE的Q值是使用島津制作所株式會社（島津制作所社）制的流動試驗儀在溫度297°C、 荷重7kg下擠出至直徑2. 1mm、長8mm的孔中時的ETFE的擠出速度。
[0052] (ETFE的制造方法）
[0053] ETFE可通過例如日本專利特開2004-238405號公報中記載的方法等來制造 。ETFE 的制造方法不限定于該方法。
[0054] ETFE的制造方法中，采用通常的使用自由基聚合引發(fā)劑的聚合法。作為聚合方法， 可例舉本體聚合法、使用有機溶劑（氟代烴、氯代烴、氟氯烴、醇、烴等）的溶液聚合法、使用 水性介質(zhì)和根據(jù)需要使用的適當?shù)挠袡C溶劑的懸浮聚合法、使用水性介質(zhì)和乳化劑的乳液 聚合法。由于在ETFE中不殘留乳化劑等雜質(zhì)，所以優(yōu)選溶液聚合法或懸浮聚合法。
[0055] 作為自由基聚合引發(fā)劑，從聚合溫度的觀點考慮，較好是半衰期10為小時時的溫 度為0°C?100°C的引發(fā)劑，更好是溫度為20?90°C的引發(fā)劑。
[0056] 作為自由基聚合引發(fā)劑的具體例子，可例舉偶氮化合物（偶氮二異丁腈等）、非 氟類二?；^氧化物（過氧化二異丁酰、過氧化二辛酰、過氧化二苯甲酰、過氧化二月桂酰 等）、過氧化二碳酸酯（過氧化二碳酸二異丙酯等）、過氧化酯（過氧化新戊酸叔丁酯、過氧 化異丁酸叔丁酯、過氧化乙酸叔丁酯等）、含氟二酰基過氧化物（以示的化 合物等，其中，Z為氫原子、氟原子或氯原子，p為1?10的整數(shù)）、無機過氧化物（過硫酸 鉀、過硫酸鈉、過硫酸銨等）等。
[0057] 溶液聚合法中，為了控制ETFE的體積流速，較好是使用鏈轉(zhuǎn)移劑。作為鏈轉(zhuǎn) 移劑，可例舉醇（甲醇、乙醇等）、氯氟烴（1，3-二氯_1，1，2, 2, 3-五氟丙烷、3, 3-二 氯-1，1，1，2, 2-五氟丙烷、1，1-二氯-1-氟乙烷等）、烴（戊烷、己烷、環(huán)戊烷、環(huán)己烷等） 等。此外，為了將與基材（聚酰胺等）的粘接性優(yōu)異的官能團引入ETFE的末端，可以使用 具有官能團（酯基、碳酸酯基、羥基、羧基、碳酰氟等）的鏈轉(zhuǎn)移劑。作為該鏈轉(zhuǎn)移劑，可例 舉乙酸、乙酸甲酯、乙二醇、丙二醇等。
[0058] 聚合溫度較好是0°C?100°C，更好是20?90°C。
[0059] 聚合壓力較好是0· 1?lOMPa，更好是0· 5?3MPa。
[0060] 聚合時間較好是1?30小時，更好是2?20小時，進一步更好是2?10小時。另 夕卜，確認如果過多地添加自由基聚合引發(fā)劑，則ETFE中殘存的自由基聚合引發(fā)劑在加熱成 形時發(fā)泡，需要設(shè)定為不發(fā)泡的范圍內(nèi)的聚合時間。
[0061] (其他成分）
[0062] 從熱穩(wěn)定性優(yōu)異的方面考慮，本發(fā)明的光學構(gòu)件可以含有熱穩(wěn)定劑。作為熱穩(wěn) 定劑，較好是選自銅化合物、錫化合物、鐵化合物、鉛化合物、鈦化合物和鋁化合物的一種 以上。作為具體例子，可例舉氧化銅、碘化銅、氧化鋁、硫酸錫、硫酸鍺、堿性硫酸鉛、亞硫 酸錫、硫酸鋇、焦磷酸錫等，優(yōu)選氧化銅或碘化銅。熱穩(wěn)定劑的含量在光學構(gòu)件中較好是 1 X 10_8?5質(zhì)量％，更好是1 X 10_7?2質(zhì)量％，進一步更好是5 X 10_7?1質(zhì)量％。
[0063] 本發(fā)明的光學構(gòu)件可以根據(jù)用途、目的含有其他摻合劑。作為其他摻合劑，可例舉 各種添加劑、填料、其他合成樹脂等。熱穩(wěn)定劑及其他摻合劑的總含量較好是80質(zhì)量％以 下，更好是50質(zhì)量％以下，進一步更好是20質(zhì)量％以下。
[0064] (透明性）
[0065] 本發(fā)明的光學構(gòu)件的波長400nm處的光線透射率在厚度220 μ m的情況下較好是 90. 0%以上，更好是90. 5%以上，進一步更好是90. 9%以上。
[0066] 光線透射率如下測定。
[0067] 將包含ETFE的樹脂材料在熔點+50°C ±20°C的范圍（例如熔點250°C的情況下為 280°C?320°C )內(nèi)進行壓制成形，得到厚220 μ m的ETFE膜。對該ETFE膜照射放射線，得 到試樣。對于該試樣，使用分光光度計測定波長400nm處的光線透射率。
[0068] (耐熱性）
[0069] 本發(fā)明的光學構(gòu)件的280°C下加熱5分鐘時的收縮率，較好是在縱向和橫向均為 5%以內(nèi)，更好是3%以內(nèi)，進一步更好是2%以內(nèi)。
[0070] 收縮率通過從對ETFE進行壓制成形而制作的厚500 μ m的膜切割出50mmX 50mm， 以280°C加熱5分鐘后進行測定。
[0071](耐光性）
[0072] 通常，使用日光耐候性試驗機（須賀試驗機），黑色面板溫度（日文：，7 7夕" 木&溫度）評價以63°C照射100小時后的透明性，確認透明性無變化。
[0073](光學構(gòu)件的制造方法）
[0074] 本發(fā)明的光學構(gòu)件通過對包含特定的ETFE的樹脂材料的成形體照射放射線，使 該ETFE交聯(lián)來制造。
[0075] 除包含ETFE外，樹脂材料也可以包含上述熱穩(wěn)定劑、其他摻合劑。
[0076] 成形體通過對樹脂材料進行成形而得到。作為成形法，可例舉公知的成形法（擠 出成形法、注塑成形法、壓制成形法等）。
[0077] ETFE的交聯(lián)條件根據(jù)成形體的形狀、厚度等進行適當設(shè)定。
[0078] 光學構(gòu)件通過對上述成形體照射Y射線、電子射線、X射線等電離性放射線而得 至IJ。交聯(lián)條件根據(jù)成形體的形狀、厚度等而不同，所以不能一概而論，作為放射線，從設(shè)備方 面考慮，較好是電子射線。
[0079] 電子射線的照射在低于氟樹脂的熔點的溫度氣氛、優(yōu)選玻璃化溫度以下的溫度氣 氛下進行至少1次以上，并且在氟樹脂的熔點以上的溫度氣氛下進行至少1次以上。通過 在低于氟樹脂的熔點的溫度氣氛下實施照射電子射線的交聯(lián)，對于成形體即使在進行第2 次照射時加熱到氟樹脂的熔點以上，也不會出現(xiàn)熔融或變形，可維持成形體的形狀。如上所 述，交聯(lián)物是指氟樹脂的Q值為〇mm 3/秒、且失去熔融成形性的物質(zhì)。
[0080] 放射線的輻射劑量通常為1?20Mrad，較好是3?lOMrad。
[0081] (作用效果）
[0082] 以上說明的本發(fā)明的光學構(gòu)件的情況下，由包含以特定的比例含有基于CH2 = CHCnF2n+1 (其中，η是2?10的整數(shù)）的單元（C)的ETFE的交聯(lián)物的成形體構(gòu)成，所以透明 性比由現(xiàn)有的ETFE構(gòu)成的未交聯(lián)的成形體更優(yōu)異。一直以來已知通過增加 ETFE中的單元 (C)的比例，可改善成形體的透明性，本發(fā)明中通過對單元（C)的比例較多的ETFE照射放射 線，使ETFE交聯(lián)，進一步改善了成形體的透明性。
[0083] 此外，以上說明的本發(fā)明的光學構(gòu)件的情況下，由包含ETFE的交聯(lián)物的成形體構(gòu) 成，所以耐熱性比由現(xiàn)有的ETFE構(gòu)成的未交聯(lián)的成形體更優(yōu)異。
[0084] 此外，以上說明的本發(fā)明的光學構(gòu)件的情況下，因為使用了本來耐光性就好的 ETFE，所以耐光性良好。
[0085] 本發(fā)明的光學構(gòu)件在維持現(xiàn)有的ETFE的耐光性、耐候性、耐化學品性、阻氣性等 特性的同時，具有能適用于光學構(gòu)件的高透明性。
[0086] 此外，本發(fā)明的光學構(gòu)件具有能適用于使用了無鉛焊錫的回流焊的高耐熱性。
[0087]〈具備光學構(gòu)件的物品〉
[0088] 本發(fā)明的物品是具備本發(fā)明的光學構(gòu)件的物品。
[0089] 作為本發(fā)明的物品，可例舉將本發(fā)明的光學構(gòu)件作為光學膜（導光板、光擴散片、 聚光片等）、光學透鏡（拾取透鏡、照相機透鏡、微陣列透鏡、投影機透鏡、菲涅耳透鏡等）等 而安裝的電子設(shè)備（手機、筆記本電腦、數(shù)碼照相機、液晶電視等），將本發(fā)明的光學構(gòu)件作 為密封材料而具備的發(fā)光二極管等。
[0090] 實施例
[0091] 下面例舉實施例對本發(fā)明進行具體說明，但本發(fā)明并不局限于這些例子。
[0092] 例1?7是實施例，例8?13是比較例。
[0093] (各單元的比例）
[0094] ETFE中的各單元的比例根據(jù)總氟量測定和熔融19F_NMR測定的結(jié)果算出。
[0095] (熔點）
[0096] ETFE的熔點通過使用差示掃描量熱儀（SII株式會社制，EXSTARDSC7020)，根據(jù)將 ETFE以10°C /分鐘加熱時的吸熱峰來算出。
[0097] (Q 值）
[0098] 將使用島津制作所株式會社制的流動試驗儀在溫度297°C、荷重7kg下擠出至直 徑2. 1mm、長8mm的孔中時的ETFE的擠出速度（mm3/秒）作為Q值。
[0099] (ETFE交聯(lián)前的光線透射率）
[0100] 將ETFE在熔點+50°C ±20°C的范圍內(nèi)進行壓制成形得到厚220 μ m的ETFE膜。對 于該ETFE膜，使用島津制作所株式會社制的UV-3600測定波長400nm處的光線透射率。
[0101] (ETFE交聯(lián)后的光線透射率）
[0102] 將ETFE在熔點+50°C ±20°C的范圍內(nèi)進行沖壓得到厚220 μ m的ETFE膜。對該 ETFE膜照射放射線，得到試樣。對于該試樣，使用島津制作所株式會社制的UV-3600測定波 長400nm處的光線透射率。
[0103] (耐熱性）
[0104] 收縮率通過將壓制成形而制作的厚500 μ m的膜切割為50mmX50mm，以280°C加熱 5分鐘后進行測定。收縮率在縱向和橫向均為5%以內(nèi)的情況記作〇（優(yōu)良），收縮率在縱 向和橫向中的任一方或雙方超過5%的情況記作X (不良），由此進行評價。
[0105] [例 1]
[0106] 在真空脫氣后的94L的不銹鋼制高壓釜中，投入87. 3kg的1-氫十三氟己烷、 4. 21kg的1，3_二氯-1,1，2, 2, 3-五氟丙烷（旭硝子株式會社制、AK225cb，以下記作 AK225cb)、2. 13kg 的 CH2 = CH(CF2)4F，一邊攪拌一邊升溫至 66°C，導入 TFE/E = 89/11(摩 爾比）的混合氣體直至達到1. 5MPaG，投入50質(zhì)量％的過氧化新戊酸叔丁酯的AK225cb 溶液60.4g，開始聚合。聚合過程中，按照壓力達到1. 5MPaG的條件連續(xù)地添加 TFE/ E = 60/40(摩爾比）的混合氣體和相對于該混合氣體相當于7. 0摩爾％的量的CH2 = CH(CF2)4F，投入7. 19kg的TFE/E混合氣體后，冷卻高壓釜，清除殘留氣體，終止聚合。聚合 所需的時間為333分鐘。
[0107] 將所得的ETFE漿料轉(zhuǎn)移至220L的造粒槽中，添加77L的水一邊攪拌一邊加熱，除 去聚合溶劑和殘留單體，得到7. 2kg的ETFE1。ETFE1中的各單元的比例是單元（A)/單元 ?)/單元（〇= 54.5/39.0/6.5(摩爾比）。仏)八8)、（〇/{仏)+出)}、熔點、0值示于表1 中。
[0108] 將ETFE1以250°C進行壓制成形得到厚220 μ m的ETFE膜。對該ETFE膜以輻射劑 量為5Mrad的條件照射放射線（電子射線），得到試樣。該試樣的波長400nm處的光線透射 率示于表1。此外，對于該試樣評價了 280°C時的耐熱性，沒有發(fā)現(xiàn)變形。耐光性也沒有問 題。
[0109] [例 2]
[0110] 對內(nèi)容積為1. 3L的帶攪拌機的聚合槽進行脫氣，投入1198. 2g的1-氫十三氟己 烷、104. 2g 的 AK225cb、32. 8g 的 CH2 = CH(CF2)4F，壓入 182. 7g 的 TFE、6. 3g 的 E，將聚合槽 內(nèi)升溫至66°C，作為自由基聚合引發(fā)劑投入2. 5質(zhì)量％的過氧化新戊酸叔丁酯的1-氫十三 氟己烷溶液15. 4mL，開始聚合。聚合過程中，以壓力達到恒定的條件連續(xù)地投入TFE/E = 60/40 (摩爾比）的混合氣體，以相對于該混合氣體為5. 0摩爾％的條件連續(xù)地投入CH2 = CH(CF2)4F。聚合開始239分鐘后，在投入100g混合氣體的時刻，將聚合槽內(nèi)降至室溫并排 氣至常壓。
[0111] 對所得的ETFE漿料用玻璃濾器進行抽濾，于150°C干燥15小時，從而得到107g的 ETFE2。ETFE2中的各單元的比例是單元（A)/單元（B)/單元（C) = 53. 0/41.4/5. 6(摩爾 比）。（Α)ΛΒ)、（C)/{㈧+ (B)}、熔點、Q值示于表1中。
[0112] 將ETFE2以270°C進行壓制成形得到厚220 μ m的ETFE膜。對該ETFE膜以輻射劑 量為5Mrad的條件照射放射線（電子射線），得到試樣。該試樣的波長400nm處的光線透射 率示于表1。此外，對于該試樣評價了 280°C時的耐熱性，沒有發(fā)現(xiàn)變形。耐光性也沒有問 題。
[0113] [例 3]
[0114] 對內(nèi)容積為1. 3L的帶攪拌機的聚合槽進行脫氣，投入1156. 5g的1-氫十三氟己 烷、142. 9g 的 AK225cb、22. 7g 的 CH2 = CH(CF2)4F，壓入 187. 6g 的 TFE、6. 5g 的 E，將聚合槽 內(nèi)升溫至66°C，作為自由基聚合引發(fā)劑投入2. 5質(zhì)量％的過氧化新戊酸叔丁酯的1-氫十三 氟己烷溶液10. 6mL，開始聚合。聚合過程中，以壓力達到恒定的條件連續(xù)地投入TFE/E = 60/40 (摩爾比）的混合氣體，以相對于該混合氣體為4. 0摩爾％的條件連續(xù)地投入CH2 = CH(CF2)4F。聚合開始196分鐘后，在投入100g混合氣體的時刻，將聚合槽內(nèi)降至室溫并排 氣至常壓。
[0115] 對所得的ETFE漿料用玻璃濾器進行抽濾，于150°C干燥15小時，從而得到96g的 ETFE3。ETFE3中的各單元的比例是單元（A)/單元（B)/單元（C) = 54. 3/41.3/4. 4(摩爾 比）。（AV(B)、（C)/{(A) +⑶}、熔點、Q值示于表1中。
[0116] 將ETFE3以270°C進行壓制成形得到厚220 μ m的ETFE膜。對該ETFE膜以輻射劑 量為5Mrad的條件照射放射線（電子射線），得到試樣。該試樣的波長400nm處的光線透射 率示于表1。此外，對于該試樣評價了 280°C時的耐熱性，沒有發(fā)現(xiàn)變形。耐光性也沒有問 題。
[0117] [例 4]
[0118] 對內(nèi)容積為1. 3L的帶攪拌機的聚合槽進行脫氣，投入1179. 4g的1-氫十三氟己 烷、167. 4g 的 AK225cb、15. 5g 的 CH2 = CH(CF2)2F，壓入 187. 6g 的 TFE、6. 5g 的 E，將聚合槽 內(nèi)升溫至66°C，作為自由基聚合引發(fā)劑投入2. 5質(zhì)量％的過氧化新戊酸叔丁酯的1-氫十三 氟己烷溶液10. 6mL，開始聚合。聚合過程中，以壓力達到恒定的條件連續(xù)地投入TFE/E = 60/40 (摩爾比）的混合氣體，以相對于該混合氣體為4. 0摩爾％的條件連續(xù)地投入CH2 = CH(CF2)2F。聚合開始200分鐘后，在投入100g混合氣體的時刻，將聚合槽內(nèi)降至室溫并排 氣至常壓。
[0119] 對所得的ETFE漿料用玻璃濾器進行抽濾，于150°C干燥15小時，從而得到98g的 ETFE4。ETFE4中的各單元的比例是單元（A)/單元（B)/單元（C) = 54. 2/41.3/4. 5(摩爾 比）。（AV(B)、（C)/{(A) +⑶}、熔點、Q值示于表1中。
[0120] 將ETFE4以270°C進行壓制成形得到厚220 μ m的ETFE膜。對該ETFE膜以輻射劑 量為5Mrad的條件照射放射線（電子射線），得到試樣。該試樣的波長400nm處的光線透射 率示于表1。此外，對于該試樣評價了 280°C時的耐熱性，沒有發(fā)現(xiàn)變形。耐光性也沒有問 題。
[0121] [例 5]
[0122] 對內(nèi)容積為1. 3L的帶攪拌機的聚合槽進行脫氣，投入1194. 5g的1-氫十三氟己 烷、153. 4g 的 AK225cb、33. 0g 的 CH2 = CH(CF2)6F，壓入 187. 6g 的 TFE、6. 5g 的 E，將聚合槽 內(nèi)升溫至66°C，作為自由基聚合引發(fā)劑投入2. 5質(zhì)量％的過氧化新戊酸叔丁酯的1-氫十三 氟己烷溶液10. 6mL，開始聚合。聚合過程中，以壓力達到恒定的條件連續(xù)地投入TFE/E = 60/40 (摩爾比）的混合氣體，以相對于該混合氣體為4. 0摩爾％的條件連續(xù)地投入CH2 = CH(CF2)6F。聚合開始193分鐘后，在投入100g混合氣體的時刻，將聚合槽內(nèi)降至室溫并排 氣至常壓。
[0123] 對所得的ETFE漿料用玻璃濾器進行抽濾，于150°C干燥15小時，從而得到99g的 ETFE5。ETFE5中的各單元的比例是單元（A)/單元（B)/單元（C) = 54. 4/41.3/4. 3(摩爾 比）。（AV(B)、（C)/{(A) +⑶}、熔點、Q值示于表1中。
[0124] 將ETFE5以270°C進行壓制成形得到厚220 μ m的ETFE膜。對該ETFE膜以輻射劑 量為5Mrad的條件照射放射線（電子射線），得到試樣。該試樣的波長400nm處的光線透射 率示于表1。此外，對于該試樣評價了 280°C時的耐熱性，沒有發(fā)現(xiàn)變形。耐光性也沒有問 題。
[0125] [例 6]
[0126] 對內(nèi)容積為1. 3L的帶攪拌機的聚合槽進行脫氣，投入1128. 8g的1-氫十三氟己 烷、168. 7g 的 AK225cb、20. 2g 的 CH2 = CH(CF2)4F，壓入 187. 6g 的 TFE、6. 5g 的 E，將聚合槽 內(nèi)升溫至66°C，作為自由基聚合引發(fā)劑投入2. 5質(zhì)量％的過氧化新戊酸叔丁酯的1-氫十三 氟己烷溶液10. 6mL，開始聚合。聚合過程中，以壓力達到恒定的條件連續(xù)地投入TFE/E = 60/40 (摩爾比）的混合氣體，以相對于該混合氣體為4. 0摩爾％的條件連續(xù)地投入CH2 = CH(CF2)4F。聚合開始175分鐘后，在投入100g混合氣體的時刻，將聚合槽內(nèi)降至室溫并排 氣至常壓。
[0127] 對所得的ETFE漿料用玻璃濾器進行抽濾，于150°C干燥15小時，從而得到98g的 ETFE6。ETFE6中的各單元的比例是單元（A)/單元（B)/單元（C) = 56. 4/39. 6/4. 0(摩爾 比）。（AV(B)、（C)/{(A) +⑶}、熔點、Q值示于表1中。
[0128] 將ETFE6以270°C進行壓制成形得到厚220 μ m的ETFE膜。對該ETFE膜以輻射劑 量為5Mrad的條件照射放射線（電子射線），得到試樣。該試樣的波長400nm處的光線透射 率示于表1。此外，對于該試樣評價了 280°C時的耐熱性，沒有發(fā)現(xiàn)變形。耐光性也沒有問 題。
[0129] [例 7]
[0130] 對內(nèi)容積為1. 3L的帶攪拌機的聚合槽進行脫氣，投入1217. 0g的1-氫十三氟己 燒、12.3g的甲醇、24.5g的CH2 = CH(CF2)4F，壓入209. lg的TFE、7.4g的E，將聚合槽內(nèi)升 溫至35°C，作為自由基聚合引發(fā)劑投入30質(zhì)量％的過氧化二碳酸二異丙酯的1-氫十三 氟己烷溶液30. 8mL，開始聚合。聚合過程中，以壓力達到恒定的條件連續(xù)地投入TFE/E = 60/40 (摩爾比）的混合氣體，以相對于該混合氣體為4. 0摩爾％的條件連續(xù)地投入CH2 = CH(CF2)4F。聚合開始187分鐘后，在投入100g混合氣體的時刻，將聚合槽內(nèi)降至室溫并排 氣至常壓。
[0131] 對所得的ETFE漿料用玻璃濾器進行抽濾，于150°C干燥15小時，從而得到93. 8g 的ETFE7。ETFE7中的各單元的比例是單元（A)/單元（B)/單元（C) =54. 3/41.6/4. 1(摩 爾比）。（AV(B)、（C)/KA) + (B)}、熔點、Q值示于表1中。
[0132] 將ETFE7以270°C進行壓制成形得到厚220 μ m的ETFE膜。對該ETFE膜以輻射劑 量為5Mrad的條件照射放射線（電子射線），得到試樣。該試樣的波長400nm處的光線透射 率示于表1。此外，對于該試樣評價了 280°C時的耐熱性，沒有發(fā)現(xiàn)變形。耐光性也沒有問 題。
[0133] [例 8]
[0134] 例1的未交聯(lián)的ETFE膜的光線透射率示于表2。此外，對于該膜評價了 280°C時 的耐熱性，結(jié)果發(fā)生熔融。
[0135] [例 9]
[0136] 例4的未交聯(lián)的ETFE膜的光線透射率示于表2。此外，對于該膜評價了 280°C時 的耐熱性，結(jié)果發(fā)生熔融。
[0137] [例 10]
[0138] 例5的未交聯(lián)的ETFE膜的光線透射率示于表2。此外，對于該膜評價了 280°C時 的耐熱性，結(jié)果發(fā)生熔融。
[0139] [例 11]
[0140] 例7的未交聯(lián)的ETFE膜的光線透射率示于表2。此外，對于該膜評價了 280°C時 的耐熱性，結(jié)果發(fā)生熔融。
[0141] [例 12]
[0142] 對內(nèi)容積為1. 3L的帶攪拌機的聚合槽進行脫氣，投入1274. 3g的1-氫十三氟己 烷、23.4g的甲醇、8. lg的CH2 = CH(CF2)4F，壓入183.5g的TFE、11.0g的E，將聚合槽內(nèi)升 溫至35°C，作為自由基聚合引發(fā)劑投入15質(zhì)量％的過氧化二碳酸二異丙酯的1-氫十三 氟己烷溶液15. 4mL，開始聚合。聚合過程中，以壓力達到恒定的條件連續(xù)地投入TFE/E = 54/46 (摩爾比）的混合氣體，以相對于該混合氣體為1. 4摩爾％的條件連續(xù)地投入CH2 = CH(CF2) 4F。聚合開始300分鐘后，在投入90g混合氣體的時刻，將聚合槽內(nèi)降至室溫并排氣 至常壓。
[0143] 對所得的ETFE漿料用玻璃濾器進行抽濾，于150°C干燥15小時，從而得到95. 8g 的ETFE8。ETFE8中的各單元的比例是單元（A)/單元（B)/單元（C) = 52. 2/46. 3/1. 5(摩 爾比）。（AV(B)、（C)/KA) + (B)}、熔點、Q值示于表2中。
【權(quán)利要求】
1. 一種光學構(gòu)件，其特征在于，由包含下述乙烯/四氟乙烯共聚物的交聯(lián)物的成形體 構(gòu)成； 所述乙烯/四氟乙烯共聚物具有基于四氟乙烯的單元（A)、基于乙烯的單元（B)和基于 CH2 = CHCnF2n+1的單元（C)，其中η為2?10的整數(shù)；所述單元⑷與所述單元⑶的摩爾 比（(A)ΛΒ))是50/50?66/34 ;所述單元（C)與所述單元㈧和所述單元⑶的總計的 摩爾比、即（C)/{(A)+ (Β)}為 4. 0/100 ?10/100。
2. 如權(quán)利要求1所述的光學構(gòu)件，其特征在于，所述（C)/{(A) + (B)}為4.0/100? 7. 5/100。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的光學構(gòu)件，其特征在于，波長400nm處的光線透射率在厚 220 μ m的光學構(gòu)件中為90. 0%以上。
4. 如權(quán)利要求1?3中任一項所述的光學構(gòu)件，其特征在于，在厚500 μ m的光學構(gòu)件 的情況下，以280°C加熱5分鐘時的收縮率在縱向和橫向均為5%以內(nèi)。
5. -種光學構(gòu)件的制造方法，它是制造權(quán)利要求1?4中任一項所述的光學構(gòu)件的方 法，其特征在于，通過對包含所述乙烯/四氟乙烯共聚物的樹脂材料的成形體照射放射線， 使所述乙烯/四氟乙烯共聚物交聯(lián)。
6. 如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，放射線的輻射劑量為1?lOMrad。
7. 如權(quán)利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，放射線是電子射線。
8. -種物品，其特征在于，具備權(quán)利要求1?4中任一項所述的光學構(gòu)件。
【文檔編號】C08F210/02GK104093772SQ201380007072
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2013年1月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月30日
【發(fā)明者】田口大輔, 安宅真和, 浜崎一夫 申請人:旭硝子株式會社