具有廣譜終點檢測窗口的多層化學(xué)機械拋光墊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種多層化學(xué)機械拋光墊，其包括：拋光層，所述拋光層具有拋光表面、擴孔開口、與拋光表面平行的拋光層界面區(qū)域；多孔子墊層，該子墊層具有底表面以及平行于底表面的多孔子墊層界面區(qū)域；以及包含環(huán)狀烯烴加成聚合物的廣譜終點檢測窗口塊體；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體在其厚度上具有均勻的化學(xué)組成；其中所述拋光層界面區(qū)域和多孔子墊層界面區(qū)域形成共延伸區(qū)域；其中，所述多層化學(xué)機械拋光墊具有從所述拋光表面延伸至所述多孔子墊層的底表面的貫穿開口；其中，所述擴孔開口開在所述拋光表面上，使所述貫穿開口擴大并形成階狀部分；以及其中，所述廣譜終點檢測窗口塊體設(shè)置在所述擴孔開口內(nèi)。
【專利說明】具有廣譜終點檢測窗口的多層化學(xué)機械拋光墊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般涉及用于化學(xué)機械拋光的拋光墊領(lǐng)域。具體而言，本發(fā)明涉及具有塞入性廣譜終點檢測窗口塊體的多層化學(xué)機械拋光墊；其中，所述廣譜終點檢測窗口塊體具有< 40%的光譜損失。本發(fā)明還涉及使用具有塞入性廣譜終點檢測窗口塊體的多層化學(xué)機械拋光墊對基材進行化學(xué)機械拋光的方法；其中，所述廣譜終點檢測窗口塊體具有< 40%的光譜損失。
【背景技術(shù)】
[0002]化學(xué)機械平面化，即化學(xué)機械拋光(CMP)是一種用來對半導(dǎo)體晶片之類的工件進行平面化或拋光的常規(guī)技術(shù)。在常規(guī)的CMP中，將晶片支架或拋光頭安裝在支架組件上。所述拋光頭固定著所述晶片，將所述晶片置于與拋光墊的拋光層接觸的位置，所述拋光墊安裝在CMP設(shè)備中的臺子或臺面上。所述支架組件在晶片和拋光墊之間提供可以控制的壓力。將拋光介質(zhì)任選地分散在拋光墊上，并流入晶片和拋光層之間的間隙內(nèi)。為了進行拋光，所述拋光墊和晶片通常相對彼此發(fā)生旋轉(zhuǎn)。通過拋光層和拋光介質(zhì)在晶片表面上的化學(xué)和機械作用，晶片表面被拋光并且變得平坦。
[0003]對晶片進行平坦化的一個重要步驟是確定這一過程的終點。一種流行的用于終點檢測的原位方法包括提供具有窗口的拋光墊，該窗口對于選擇的光波長是透射性的以有利于光學(xué)終點檢測技術(shù)。原位光學(xué)終點檢測技術(shù)可分為兩個基本的類別:(I)監(jiān)測在單一波長下的反射的光學(xué)信號或者(2)監(jiān)測來自多個波長的反射的光學(xué)信號。光學(xué)終點檢測常用的波長包括可見光譜(例如400-700納米)、紫外光譜(315-400納米)和紅外光譜(例如700-1000納米)。In U.S.在美國專利第5，433，651中，Lustig等人揭示了一種使用單波長的聚合物終點檢測方法，其中將來自激光光源的光傳輸?shù)骄砻嫔喜⒈O(jiān)測反射的信號。當晶片表面處的組成從一種金屬變?yōu)榱硪环N金屬時，反射率會發(fā)生變化。然后用這種反射率的變化來檢測拋光終點。Bibby等人在美國專利第6，106，662號揭示了使用分光計來獲得可見光譜范圍內(nèi)的反射光的強度譜。在金屬CMP應(yīng)用中，Bibby等人教導(dǎo)使用全譜來檢測拋光終點。
[0004]為了適應(yīng)這些光學(xué)終點檢測技術(shù)，人們開發(fā)了具有窗口的化學(xué)機械拋光墊。例如，在美國專利第5，605, 760號中，Roberts揭示了一種拋光墊，其中拋光墊的至少一部分對一定波長范圍的激光是透射性的。在公開的一些實施方式中，Roberts教導(dǎo)了一種拋光墊，其包括設(shè)置在不同的不透明拋光墊內(nèi)的透明窗口片。所述窗口片可以是設(shè)置在模塑拋光墊內(nèi)的透明聚合物的小棒或者塞塊。所述小棒或者塞塊可以是在所述拋光墊內(nèi)模塑的插入件(即“整體性窗口”)，或者可以在模塑操作之后，安裝入拋光墊內(nèi)的切口中(即“塞入性窗
口 ”)。
[0005]美國專利第6，984，163號中描述的那些基于脂族異氰酸酯的聚氨酯材料，在很寬的光譜范圍內(nèi)提供了改進性透光性。不幸的是，這些脂族聚氨酯窗傾向于缺乏高要求的拋光應(yīng)用所需的嚴格的耐久性。[0006]基于常規(guī)聚合物的終點檢測窗口通常在暴露于波長330-425納米的光時發(fā)生不希望的降解。對于源自芳族聚胺形成的聚合物終點檢測窗口尤其如此，此種材料在暴露于紫外光譜范圍內(nèi)的光時往往會分解或變黃。歷史上，在暴露于終點檢測窗口之前，人們有時會在用于終點檢測目的的光路上使用濾光片，從而減弱這種波長的光。但是，在半導(dǎo)體拋光應(yīng)用中為了促進較薄的材料層以及較小的器件尺寸，使用較短波長的光用于終點檢測目的的壓力逐漸增大。
[0007]在拋光墊中使用塞入性窗口的一個相關(guān)問題涉及在窗口周圍存在滲漏的拋光流體并且這些拋光流體會流入多孔子墊層，這可能會導(dǎo)致整個墊表面上以及在拋光墊的使用壽命中拋光性質(zhì)發(fā)生不希望的變化。
[0008]Tolles的美國專利第6，524, 164號公開了一種緩解拋光墊中窗口滲漏的方法。Tolles公開了用于化學(xué)機械拋光設(shè)備的拋光墊及其制備方法，其中所述拋光墊具有底層、位于頂層上的拋光表面以及介于這兩層之間的透明材料片。Tolles公開了用透明材料片來防止?jié){液在化學(xué)機械拋光過程中滲入拋光墊的底層。
[0009]為了緩解一些多層拋光墊存在的分層問題(即，其中在拋光過程中拋光層與子墊層分開)，一些多層化學(xué)機械拋光墊是通過將拋光層與多孔子墊層直接粘結(jié)來構(gòu)建的，其中多孔子墊層能滲透各種拋光過程中使用的拋光介質(zhì)(例如漿液)。Tolles公開的這種緩解窗口滲漏的方法不適合用于以下的這種拋光墊，即，在所述拋光墊中上述構(gòu)建不利于在拋光層和多孔子墊層之間包含非滲透性的層材料。
[0010]美國專利第7，163，437號(Swedek等人)公開了另一種緩解拋光墊中窗口滲漏的方法。Swedek等人公開了 一種拋光墊，其包括具有拋光表面的拋光層、具有孔和能透過液體的第一部分的背襯層，使用密封劑滲透背襯層的第二部分，從而使得第二部分是基本不可透過液體的，所述第二部分位于與所述孔相鄰并圍繞著孔的位置。相對于背襯層的剩余部分，該第二部分由于有密封劑材料滲透其中，因而是的該第二部分壓縮性降低。由于窗口密封區(qū)域在拋光軌跡(polishing track)之內(nèi)，具有相同的厚度、降低的壓縮性的第二部分在拋光操作過程中像是一個減速帶，使得形成拋光缺陷的可能性增大。
[0011]因此，人們需要能夠使用波長小于400納米的廣譜終點檢測窗口塊體用于基材拋光終點檢測目的，其中，所述廣譜終點檢測窗口塊體在暴露于所述光的時候能夠耐降解并且具有高要求的拋光應(yīng)用所需的耐久性。本領(lǐng)域一直需要新的低缺陷的多層窗口拋光墊構(gòu)造，其經(jīng)由窗口滲漏入子墊層的現(xiàn)象得到緩解。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明提供了 一種用于對基材進行拋光的多層化學(xué)機械拋光墊,所述基材選自磁性基材、光學(xué)基材和半導(dǎo)體基材中的至少一種基材，所述拋光墊包括:拋光層，所述拋光層具有拋光表面、擴孔開口、外周、與拋光表面平行的拋光層界面區(qū)域，并且所述拋光層具有平均非界面區(qū)域厚度TP_avg，該厚度是在垂直于拋光表面的方向上從拋光表面測量到拋光層界面區(qū)域得到的；多孔子墊層，該子墊層具有底表面、外周以及平行于底表面的多孔子墊層界面區(qū)域；壓敏粘合劑層；以及廣譜終點檢測窗口塊體，其沿著垂直于拋光表面的平面的軸方向上具有厚度Tw;其中所述廣譜終點檢測窗口塊體包含環(huán)狀烯烴加成聚合物；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體在其厚度Tw上具有均勻的化學(xué)組成；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體的光譜損失< 40% ;其中所述拋光層界面區(qū)域和所述多孔子墊層界面區(qū)域形成共延伸區(qū)域；其中，所述共延伸區(qū)域在沒有使用層疊粘合劑的情況下將拋光層固定在多孔子墊層上；其中，所述壓敏粘合劑層被施加在多孔子墊層的底表面上；其中，所述多層化學(xué)機械拋光墊具有從所述拋光表面延伸至所述多孔子墊層的底表面的貫穿開口 ；其中，所述擴孔開口開在所述拋光表面上，使所述貫穿開口擴大并形成階狀部分(ledge);其中，所述擴孔開口具有平均深度Dpavg,該深度是在垂直于所述拋光表面的方向上從所述拋光表面的平面測量至所述階狀部分得到的；其中，所述平均深度Dyavg小于所述平均非界面區(qū)域厚度TP_avg ；其中，所述廣譜終點檢測窗口塊體設(shè)置在所述擴孔開口內(nèi)；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體與所述拋光層相粘結(jié)；以及，其中所述拋光表面適合用來對所述基材進行拋光。
[0013]本發(fā)明提供了 一種用于對基材進行拋光的多層化學(xué)機械拋光墊,所述基材選自磁性基材、光學(xué)基材和半導(dǎo)體基材中的至少一種基材，所述拋光墊包括:拋光層，所述拋光層具有拋光表面、擴孔開口、外周、與拋光表面平行的拋光層界面區(qū)域，并且所述拋光層具有平均非界面區(qū)域厚度TP_avg，該厚度是在垂直于拋光表面的方向上從拋光表面測量到拋光層界面區(qū)域得到的；多孔子墊層，該子墊層具有底表面、外周以及平行于底表面的多孔子墊層界面區(qū)域；壓敏粘合劑層；以及廣譜終點檢測窗口塊體，其沿著垂直于拋光表面的平面的軸方向上具有厚度Tw;其中所述廣譜終點檢測窗口塊體是>90重量％的環(huán)狀烯烴加成聚合物；其中所述環(huán)狀烯烴加成聚合物由至少一種脂環(huán)族單體聚合形成；其中所述至少一種脂環(huán)族單體選自具有橋環(huán)雙鍵的脂環(huán)族單體和具有環(huán)外雙鍵的脂環(huán)族單體；其中所述具有橋環(huán)雙鍵的脂環(huán)族單體選自下組:降冰片烯、三環(huán)癸烯、二環(huán)戊二烯、四環(huán)十二碳烯、六環(huán)十七碳烯、三環(huán)十一碳烯、五環(huán)十六碳烯、乙叉降冰片烯、乙烯基降冰片烯、降冰片二烯、烷基降冰片烯、環(huán)戊烯、環(huán)丙烯、環(huán)丁烯、環(huán)己烯、環(huán)戊二烯、環(huán)己二烯、環(huán)辛三烯，以及茚；其中所述具有環(huán)外雙鍵的脂環(huán)族單體選自乙烯基環(huán)己烯、乙烯基環(huán)己烷、乙烯基環(huán)戊烷和乙烯基環(huán)戊烯；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體包含的鹵素〈lppm ;其中所述廣譜終點檢測窗口塊體包含〈I的液體填充的聚合物膠囊；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體沿著垂直于所述拋光表面的平面的軸方向上的平均厚度Tw_avg為5-75密耳；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體的光譜損失< 40% ;其中所述拋光層界面區(qū)域和所述多孔子墊層界面區(qū)域形成共延伸區(qū)域；其中，所述共延伸區(qū)域在沒有使用層疊粘合劑的情況下將拋光層固定在多孔子墊層上；其中，所述壓敏粘合劑層被施加在多孔子墊層的底表面上；其中，所述多層化學(xué)機械拋光墊具有從所述拋光表面延伸至所述多孔子墊層的底表面的貫穿開口 ；其中，所述擴孔開口開在所述拋光表面上，使所述貫穿開口擴大并形成階狀部分；其中，所述擴孔開口具有平均深度Dyavg,該深度是在垂直于所述拋光表面的方向上從所述拋光表面的平面測量至所述階狀部分得到的；其中，所述平均深度Dpavg小于平均非界面區(qū)域厚度TP_avg ;其中，所述廣譜終點檢測窗口塊體設(shè)置在所述擴孔開口內(nèi)；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體與所述拋光層相粘結(jié)；以及，其中所述拋光表面適合用來對所述基材進行拋光。
[0014]本發(fā)明提供了 一種用于對基材進行拋光的多層化學(xué)機械拋光墊,所述基材選自磁性基材、光學(xué)基材和半導(dǎo)體基材中的至少一種基材，所述拋光墊包括:拋光層，所述拋光層具有拋光表面、擴孔開口、外周、與拋光表面平行的拋光層界面區(qū)域，并且所述拋光層具有平均非界面區(qū)域厚度TP_avg，該厚度是在垂直于拋光表面的方向上從拋光表面測量到拋光層界面區(qū)域得到的；多孔子墊層，該子墊層具有底表面、外周以及平行于底表面的多孔子墊層界面區(qū)域；壓敏粘合劑層；以及廣譜終點檢測窗口塊體，其沿著垂直于拋光表面的平面的軸方向上具有厚度Tw ;其中所述廣譜終點檢測窗口塊體包含環(huán)狀烯烴加成聚合物；其中所述環(huán)狀烯烴加成共聚物由至少一種脂環(huán)族單體和至少一種非環(huán)狀烯烴單體共聚形成；其中所述至少一種脂環(huán)族單體選自具有橋環(huán)雙鍵的脂環(huán)族單體和具有環(huán)外雙鍵的脂環(huán)族單體；其中所述具有橋環(huán)雙鍵的脂環(huán)族單體選自下組:降冰片烯、三環(huán)癸烯、二環(huán)戊二烯、四環(huán)十二碳烯、六環(huán)十七碳烯、三環(huán)十一碳烯、五環(huán)十六碳烯、乙叉降冰片烯、乙烯基降冰片烯、降冰片二烯、烷基降冰片烯、環(huán)戊烯、環(huán)丙烯、環(huán)丁烯、環(huán)己烯、環(huán)戊二烯、環(huán)己二烯、環(huán)辛三烯，以及茚；其中所述具有環(huán)外雙鍵的脂環(huán)族單體選自乙烯基環(huán)己烯、乙烯基環(huán)己烷、乙烯基環(huán)戊烷和乙烯基環(huán)戊烯；以及，其中所述至少一種非環(huán)狀烯烴單體選自下組:乙烯、丙烯、1- 丁烯、異丁烯、2- 丁烯、1-戍烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、2-甲基_1_丙烯、3-甲基-1-戍烯、4-甲基-1-戍烯、2- 丁烯、丁二烯、異戍二烯、1，3-戍二烯、I, 4-戊二烯、1，3-己二烯、1，4-己二烯、1，5-己二烯、1，5-庚二烯、1，6-庚二烯、1，6-辛二烯、1，7-辛二烯和1，9_癸二烯；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體在其厚度Tw上具有均勻的化學(xué)組成；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體的光譜損失< 40% ;其中所述拋光層界面區(qū)域和所述多孔子墊層界面區(qū)域形成共延伸區(qū)域；其中，所述共延伸區(qū)域在沒有使用層疊粘合劑的情況下將拋光層固定在多孔子墊層上；其中，所述壓敏粘合劑層被施加在多孔子墊層的底表面上；其中，所述多層化學(xué)機械拋光墊具有從所述拋光表面延伸至所述多孔子墊層的底表面的貫穿開口 ；其中，所述擴孔開口開在所述拋光表面上，使所述貫穿開口擴大并形成階狀部分；其中，所述擴孔開口具有平均深度Dyavg,該深度是在垂直于所述拋光表面的方向上從所述拋光表面的平面測量至所述階狀部分得到的；其中，所述平均深度Dpavg小于所述平均非界面區(qū)域厚度TP_avg ;其中，所述廣譜終點檢測窗口塊體設(shè)置在所述擴孔開口內(nèi)；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體與所述拋光層相粘結(jié)；以及，其中所述拋光表面適合用來對所述基材進行拋光。
[0015]本發(fā)明提供了一種用于對基材進行拋光的多層化學(xué)機械拋光墊,所述基材選自磁性基材、光學(xué)基材和半導(dǎo)體基材中的至少一種基材，所述拋光墊包括:拋光層，所述拋光層具有拋光表面、擴孔開口、外周、與拋光表面平行的拋光層界面區(qū)域，并且所述拋光層具有平均非界面區(qū)域厚度TP_avg，該厚度是在垂直于拋光表面的方向上從拋光表面測量到拋光層界面區(qū)域得到的；多孔子墊層，該子墊層具有底表面、外周以及平行于底表面的多孔子墊層界面區(qū)域；壓敏粘合劑層；以及廣譜終點檢測窗口塊體，其沿著垂直于拋光表面的平面的軸方向上具有厚度Tw ;其中所述廣譜終點檢測窗口塊體包含環(huán)狀烯烴加成聚合物；其中，所述環(huán)狀烯烴加成聚合物由選自下組的通式表示:
【權(quán)利要求】
1.一種用于對基材進行拋光的多層化學(xué)機械拋光墊，所述基材選自磁性基材、光學(xué)基材和半導(dǎo)體基材中的至少一種基材，所述拋光墊包括: 拋光層，所述拋光層具有拋光表面、擴孔開口、外周、與拋光表面平行的拋光層界面區(qū)域，并且所述拋光層具有平均非界面區(qū)域厚度Tp_avg，該厚度是在垂直于拋光表面的方向上從拋光表面測量到拋光層界面區(qū)域得到的； 多孔子墊層，該子墊層具有底表面、外周以及平行于底表面的多孔子墊層界面區(qū)域； 壓敏粘合劑層；以及廣譜終點檢測窗口塊體，其沿著垂直于所述拋光表面的平面的軸方向上的厚度為Tw ；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體包含環(huán)狀烯烴加成聚合物；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體在其厚度Tw上具有均勻的化學(xué)組成；其中所述廣譜終點檢測窗口塊體的光譜損失(40% ； 其中，所述拋光層界面區(qū)域和所述多孔子墊層界面區(qū)域形成共延伸區(qū)域； 其中，所述共延伸區(qū)域在沒有使用層疊粘合劑的情況下將拋光層固定在多孔子墊層上； 其中，所述壓敏粘合劑層被施加在多孔子墊層的底表面上； 其中，所述多層化學(xué)機械拋光墊具有從所述拋光表面延伸至所述多孔子墊層的底表面的貫穿開口； 其中，所述擴孔開口開在所述拋光表面上，使所述貫穿開口擴大并形成階狀部分；其中，所述擴孔開口具有平均深度Dpavg，該深度是在垂直于所述拋光表面的方向上從所述拋光表面的平面測量至所述階狀部分得到的； 其中，所述平均深度Dpavg小于所述平均非界面區(qū)域厚度TP_avg ； 其中，所述廣譜終點檢測窗口塊體設(shè)置在所述擴孔開口內(nèi)； 其中所述廣譜終點檢測窗口塊體與所述拋光層相粘結(jié)； 其中所述拋光表面適合用來對所述基材進行拋光。
2.如權(quán)利要求1所述的多層化學(xué)機械拋光墊，其特征在于，所述廣譜終點檢測窗口塊體是> 90重量％的環(huán)狀烯烴加成聚合物；所述廣譜終點檢測窗口塊體包含的鹵素〈lppm ；所述廣譜終點檢測窗口塊體包含〈I的液體填充的聚合物膠囊；以及，所述廣譜終點檢測窗口塊體沿著垂直于所述拋光表面的平面的軸方向上的平均厚度Tw_avg為5-75密耳。
3.如權(quán)利要求1所述的多層化學(xué)機械拋光墊，其特征在于，所述環(huán)狀烯烴加成聚合物由至少一種脂環(huán)族單體聚合形成；其中所述至少一種脂環(huán)族單體選自具有橋環(huán)雙鍵的脂環(huán)族單體和具有環(huán)外雙鍵的脂環(huán)族單體。
4.如權(quán)利要求3所述的多層化學(xué)機械拋光墊，其特征在于，所述具有橋環(huán)雙鍵的脂環(huán)族單體選自下組:降冰片烯、三環(huán)癸烯、二環(huán)戊二烯、四環(huán)十二碳烯、六環(huán)十七碳烯、三環(huán)十一碳烯、五環(huán)十六碳烯、乙叉降冰片烯、乙烯基降冰片烯、降冰片二烯、烷基降冰片烯、環(huán)戊烯、環(huán)丙烯、環(huán)丁烯、環(huán)己烯、環(huán)戊二烯、環(huán)己二烯、環(huán)辛三烯，以及茚；所述具有環(huán)外雙鍵的脂環(huán)族單體選自乙烯基環(huán)己烯、乙烯基環(huán)己烷、乙烯基環(huán)戊烷、乙烯基環(huán)戊烯。
5.如權(quán)利要求1所述的多層化學(xué)機械拋光墊，其特征在于，所述環(huán)狀烯烴加成共聚物由至少一種脂環(huán)族單體和至少一種非環(huán)狀烯烴單體共聚形成。
6.如權(quán)利要求5所述的多層化學(xué)機械拋光墊，其特征在于，所述至少一種脂環(huán)族單體選自具有橋環(huán)雙鍵的脂環(huán)族單體和具有環(huán)外雙鍵的脂環(huán)族單體； 其中，所述具有橋環(huán)雙鍵的脂環(huán)族單體選自下組:降冰片烯、三環(huán)癸烯、二環(huán)戊二烯、四環(huán)十二碳烯、六環(huán)十七碳烯、三環(huán)十一碳烯、五環(huán)十六碳烯、乙叉降冰片烯、乙烯基降冰片烯、降冰片二烯、烷基降冰片烯、環(huán)戊烯、環(huán)丙烯、環(huán)丁烯、環(huán)己烯、環(huán)戊二烯、環(huán)己二烯、環(huán)辛三烯，以及茚； 其中，所述具有環(huán)外雙鍵的脂環(huán)族單體選自乙烯基環(huán)己烯、乙烯基環(huán)己烷、乙烯基環(huán)戊燒和乙烯基環(huán)戍??；以及 其中，所述至少一種非環(huán)狀烯烴單體選自下組:乙烯、丙烯、1-丁烯、異丁烯、2-丁烯、1_戍稀、1_己稀、1_庚稀、1_羊稀、1_壬稀、1-癸稀、2-甲基-1-丙稀、3_甲基-1-戍稀、4_甲基-1-戊烯、2-丁烯、丁二烯、異戊二烯、1，3-戊二烯、1,4-戊二烯、1，3-己二烯、1,4-己二烯、1，5-己二烯、1，5-庚二烯、1，6-庚二烯、1，6-辛二烯、1，7-辛二烯和1，9-癸二烯。
7.如權(quán)利要求1所述的多層化學(xué)機械拋光墊，其特征在于，所述環(huán)狀烯烴加成聚合物由選自下組的化學(xué)式表示:
8.一種制備用于對基材進行拋光的多層化學(xué)機械拋光墊的方法，所述基材選自磁性基材、光學(xué)基材和半導(dǎo)體基材中的至少一種基材，所述方法包括: 提供拋光層，所述拋光層具有適合用來對所述基材進行拋光的拋光表面、外周、與拋光表面平行的拋光層界面區(qū)域，并且所述拋光層具有平均非界面區(qū)域厚度TP_avg，該厚度是在垂直于拋光表面的方向上從拋光表面測量到拋光層界面區(qū)域得到的； 提供多孔子墊層，該子墊層具有底表面、外周以及平行于所述底表面的多孔子墊層界面區(qū)域； 提供壓敏粘合劑層； 提供包含環(huán)狀烯烴加成聚合物的廣譜終點檢測窗口塊體； 使所述拋光層與所述多孔子墊層接合，形成層疊體，其中所述拋光層的外周與所述多孔子墊層的外周重合，并且其中所述拋光層界面區(qū)域和所述多孔子墊層界面區(qū)域形成共延伸區(qū)域； 提供貫穿開口，其穿過所述層疊體從所述拋光表面延伸至所述底表面； 提供擴孔開口，其開在所述拋光表面上，使所述貫穿開口擴大并形成階狀部分；其中，所述擴孔開口具有平均深度Dyavg,該深度是在垂直于所述拋光表面的方向上從所述拋光表面的平面測量至所述階狀部分得到的；其中，所述平均深度Dyavg小于所述平均非界面區(qū)域厚度 TP_avg ； 將所述廣譜終點檢測窗口塊體設(shè)置在所述擴孔開口內(nèi)并將所述廣譜終點檢測窗口塊體與所述拋光層相粘結(jié)；以及將所述壓敏粘合劑層施加在多孔子墊層的底表面上。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，所述方法還包括: 提供匹配表面； 提供具有突起特征體的壓模機，所述突起特征體對應(yīng)于所述不可逆塌縮的致密化區(qū)域； 將所述層疊體放置在所述匹配表面上，并對著所述層疊體按壓所述壓模機，朝向?qū)?yīng)于所述多孔子墊層外周的層疊體的區(qū)域形成臨界壓縮力，其中所述臨界壓縮力的大小足以沿著所述多孔子墊層的外周在所述多孔子墊層中形成不可逆塌縮的致密化區(qū)域。
10.一種拋光基材的方法，其包括: 提供選自磁性基材、光學(xué)基材和半導(dǎo)體基材中的至少一種的基材； 提供如權(quán)利要求1所述的多層化學(xué)機械拋光墊； 在所述拋光表面和所述基材之間的界面處提供拋光介質(zhì)；以及 在所述拋光表面和所述基材之間的界面處建立動態(tài)接觸； 其中，所述拋光介質(zhì)向所述多孔子墊層中的滲透會受到所述拋光層以及所述不可逆塌縮的致密化區(qū)域的阻礙。
【文檔編號】C08F210/02GK104029115SQ201410080879
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月7日
【發(fā)明者】A·雷珀, D·B·詹姆士, M·A·洛伊格斯, M·德格魯特 申請人:羅門哈斯電子材料Cmp控股股份有限公司, 陶氏環(huán)球技術(shù)有限公司