本發(fā)明屬于硅表面洗液生產(chǎn)，尤其涉及一種12寸集成電路用硅表面減薄清洗液工藝。
背景技術：
1、硅表面減薄清洗液在半導體制造中扮演著重要的角色，特別是在集成電路(ic)的生產(chǎn)過程中。這些清洗液主要用于去除硅片表面的污染物和氧化層，提高硅片的潔凈度，從而確保芯片的性能和可靠性，但現(xiàn)有的清洗液配方大多采用氫氟酸和硝酸為主要體系，雖然蝕刻速率過快，但不容易控制，可能導致蝕刻形貌凹凸不平，對硅損失量難以管控，為此我們提出一種12寸集成電路用硅表面減薄清洗液工藝。
技術實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明提供一種12寸集成電路用硅表面減薄清洗液工藝，以解決上述背景技術中提出的問題。
2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：一種12寸集成電路用硅表面減薄清洗液工藝，包括以下步驟：
3、s1、準備原料：鹽酸：5%-25%、硝酸：10%-20%、醋酸：10%-20%和表面活性劑：0.1%-0.5%；
4、s2、對s1中的原料進行物理純化去除雜質；
5、s3、待s2中原料物理純化去除雜質完成后，通過氣動泵將物理純化去除雜質完成后的原料添加到反應釜中進行混配；
6、s4、待s3中的原料混配完成后，將混配完成的原料進行循環(huán)混合；
7、s5、循環(huán)混合后，通過管道倒入成品罐中，進行過濾分裝。
8、進一步的，在所述步驟s2中，物理純化去除雜質的具體方式為：
9、對鹽酸和硝酸的純化除雜方式為：采用減壓多級精餾方式，去除產(chǎn)品中金屬離子與其他雜質，通過納濾超濾方式對產(chǎn)品的顆粒進行精確管控，管控粒徑包括0.1μm、0.05μm和0.2μm；
10、對醋酸純化除雜方式為：采用分子篩除水，采用陰陽離子交換樹脂去除陰陽離子，再通過納濾超濾方式對產(chǎn)品的顆粒進行精確管控，管控粒徑包括0.1μm、0.05μm和0.2μm。
11、進一步的，在所述s4步驟中，反應釜中混合容量以10立方計算，混合時間兩小時，內置冷卻水盤管對反應過程降溫冷卻。
12、進一步的，在所述s3步驟中，混配方式的反應方程式為：
13、2hno3+3r=3ro+2no+h2o；
14、h++no3-+2no+h2o=3hno2；
15、2hno2+r=ro+2no+h2o。
16、進一步的，在所述s5步驟中，通過循環(huán)混合裝置進行三次循環(huán)混合，并且三次循環(huán)混合時間為2h。
17、本發(fā)明的有益效果是：
18、通過在配方體系中增加氟化銨、醋酸、磷酸與氟硼酸，改善了蝕刻速率過快不易控制這一缺點，同時增加表面活性劑與添加劑等優(yōu)化蝕刻形貌，增強硅表面氧化層的去除能力。
1.一種12寸集成電路用硅表面減薄清洗液工藝，其特征在于：包括以下步驟：
2.根據(jù)權利要求1所述的一種12寸集成電路用硅表面減薄清洗液工藝，其特征在于：在所述步驟s2中，物理純化去除雜質的具體方式為：
3.根據(jù)權利要求1所述的一種12寸集成電路用硅表面減薄清洗液工藝，其特征在于：在所述s4步驟中，反應釜中混合容量以10立方計算，混合時間兩小時，內置冷卻水盤管對反應過程降溫冷卻。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種12寸集成電路用硅表面減薄清洗液工藝，其特征在于：在所述s3步驟中，混配方式的反應方程式為：
5.根據(jù)權利要求1所述的一種12寸集成電路用硅表面減薄清洗液工藝，其特征在于：在所述s5步驟中，通過循環(huán)混合裝置進行三次循環(huán)混合，并且三次循環(huán)混合時間為2h。