專利名稱：：聚合物薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及聚合物薄膜，特別涉及含有填料粒子的聚合物薄膜。人們知道，聚合物薄膜通常具有不良的可加工特性(handlingproperties)，而可能導(dǎo)致難于將其收卷成為高質(zhì)量的膜卷，以及不能順利地穿過(guò)加工設(shè)備例如縱切機(jī)。薄膜可加工性能可通過(guò)增加薄膜的表面糙度、適當(dāng)?shù)厥褂猛苛稀⒒蛲ㄟ^(guò)摻入填料，例如有機(jī)和/或無(wú)機(jī)粒子到薄膜中而被改善?？梢酝瑫r(shí)使用涂料或填料來(lái)改進(jìn)薄膜的可加工性能。使用涂料來(lái)改進(jìn)薄膜可加工性的問(wèn)題在于限制了薄膜的應(yīng)用范圍，因?yàn)檫@會(huì)使施加另外的所需要涂層(例如，為了提供抗靜電性、粘合促進(jìn)性或剝離性)造成困難。被摻入到涂層中的填料容易從涂層中刮掉。各種各樣的填料現(xiàn)已被摻入到薄膜中以改進(jìn)可加工性，例如二氧化鈦、碳酸鈣、玻璃、硫酸鋇、硅石、高嶺土、瓷土、沸石(zeeospheres)和磷酸鈣。要求填料粒子具有均勻的粒徑，并且優(yōu)選為球形，以便生產(chǎn)出具有均勻表面糙度的薄膜。各種各樣類型的硅石粒子是市場(chǎng)上可購(gòu)得的。然而，上述的硅石粒子通常缺乏至少一種的所要求的性質(zhì)，例如使填料符合許多聚合物薄膜嚴(yán)格要求的粒徑以及其均勻性、球形。特別是，現(xiàn)在缺乏商業(yè)上可購(gòu)得的較大粒徑、例如大于2～3μm的均一球形粒子的硅石。歐洲專利No.229670公開一種包含0.005％～1％的具有平均粒徑為0.01μm至4μm的硅氧烷樹脂粒子的聚酯薄膜。該薄膜被用于磁性記錄介質(zhì)中。遺憾的是，其中公開的硅氧烷樹脂粒子是非常憎水性的，并且可能難于均勻地?fù)饺氲骄酆衔锉∧ぶ?。在聚合物薄膜中，填料的存在?dǎo)致薄膜透光性下降和霧度增加。透光性和透明度是各種各樣的薄膜應(yīng)用，諸如包裝材料、上金薄膜、電子翻印薄膜與一般工藝用薄膜方面的重復(fù)指標(biāo)。對(duì)顯示高透光性、低霧度和卓越的可加工性的薄膜存在持續(xù)的需求。我們現(xiàn)已令人驚奇地減輕或基本上克服了上述問(wèn)題中的一個(gè)或更多個(gè)的問(wèn)題。于是，本發(fā)明提供一種包含(以薄膜中的聚合物重量為基準(zhǔn)計(jì))0.0005％～2％重量的、具有體積分布的中等粒徑為0.1～12.5μm的填料粒子的聚合物薄膜，所說(shuō)的填料粒子可在其被摻入到薄膜聚合物中之前通過(guò)煅燒前體硅氧烷樹脂粒子而得到。本發(fā)明還提供一種包含(以薄膜中的聚合物重量為基準(zhǔn)計(jì))0.0005％-2％重量填料粒子的聚合物薄膜，填料粒子中的有機(jī)基團(tuán)與硅原子的比例范圍從0.05至0.9∶1，所說(shuō)的填料粒子具有體積分布的中等粒徑為0.1～12.5μm。本發(fā)明還提供一種包含(以薄膜中的聚合物重量為基準(zhǔn)計(jì))0.0005％～2％重量填料粒子的聚合物薄膜，該填料粒子包含三維空間鏈結(jié)構(gòu)的聚合物，分子式如下Rx(OH)ySiO2－[(x＋y)/2]在所說(shuō)的式中x為0.05～0.9，y為0～1.2，和R代表有機(jī)基團(tuán)，所說(shuō)的填料粒子具有體積分布的中等粒徑為0.1～12.5μm。本發(fā)明還提供一種生產(chǎn)聚合物薄膜的方法，它包括以下步驟(i)在溫度至少為250℃下煅燒前體硅氧烷樹脂粒子，以生產(chǎn)具有體積分布的中等粒徑為0.1～12.5μm的煅燒的填料粒子，(ii)將煅燒的填料粒子與聚合物或形成聚合物的原料混合，煅燒的填料粒子的濃度以聚合物的重量為基準(zhǔn)計(jì)為0.0005％～2％重量，和(iii)擠塑該聚合物和煅燒的填料粒子混合物以形成薄膜。該聚合物薄膜是自支承薄膜，即一種在沒(méi)有支承底基的情況下能獨(dú)自存在的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的聚合物薄膜可由任何合成的、成膜的聚合物料形成。合適的熱塑性的合成材料包括1-烯烴例如乙烯、丙烯或丁烯-1的均聚物或共聚物，聚酰胺，聚碳酸酯，以及特別是合成的線型聚酯。該合成的線型聚酯可以通過(guò)將一種或多種的二元羧酸或其低級(jí)烷基(高達(dá)6個(gè)碳原子)的二酯，例如對(duì)苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2，5-或2，6-或2，7-萘二羧酸、琥珀酸、癸二酸、己二酸、壬二酸、4，4′-聯(lián)苯二羧酸，六氫化對(duì)苯二甲酸或1，2-雙對(duì)羧基苯氧基乙烷(可隨意地帶或不帶一元羧酸，例如新戊酸)與一種或多種的二元醇，例如乙二醇、1，3-丙二醇、1，4-丁二醇、新戊二醇和1，4-環(huán)己二甲醇的縮聚而得到。優(yōu)選聚對(duì)苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯薄膜。聚對(duì)苯二甲酸乙二酯薄膜特別被優(yōu)選，尤其是通過(guò)順序地在兩個(gè)相互垂直方向上，在通常為70～125℃被拉伸，并且優(yōu)選經(jīng)過(guò)150～250℃的熱定形的雙軸向取向的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯薄膜，這樣薄膜的例子被介紹于英國(guó)專利公開838708號(hào)中。該聚合物薄膜還可包含聚芳醚或其硫代類似物，特別是聚芳醚酮、聚芳醚砜、聚芳醚醚酮、聚芳醚醚砜、或它們的共聚物或硫代類似物。這些聚合物的例子被公開在EP-A-1879、EP-A-184458知US-A-4008203中。這些聚合物薄膜可以包含聚(亞芳基硫)，特別是聚對(duì)亞苯基硫或其共聚物。還可以使用上述聚合物的摻合物。適用的熱固性樹脂料包括加聚樹脂，諸如丙烯酸樹脂，乙烯基樹脂、雙馬來(lái)酰亞胺和不飽和聚酯；甲醛縮合物樹脂，例如甲醛與尿素、三聚氰胺或苯酚的縮合物，氰酸鹽樹脂，官能化聚酯，聚酰胺或聚酰亞胺。本發(fā)明的聚合物薄膜可以是未取向的、或單軸向取向的，但是優(yōu)選的是通過(guò)在薄膜平面的兩個(gè)相互垂直方向上拉伸而實(shí)現(xiàn)將機(jī)械與物理性能令人滿意地結(jié)合的雙軸向取向的聚合物薄膜。通過(guò)擠出聚合物管膜，隨之將其驟冷、再加熱和然后藉內(nèi)部的氣體壓力而膨脹引起橫向取向，和以會(huì)引起縱向取向的速率拉曳管膜可以進(jìn)行同時(shí)發(fā)生的雙軸向取向。順序拉伸可以以展幅機(jī)法通過(guò)擠出熱塑性塑料作為平的擠出物，隨后先在一方向上拉伸，然后在另一的相互垂直方向上拉伸來(lái)進(jìn)行。一般說(shuō)來(lái)，優(yōu)選的是首先在縱向上拉伸，即穿過(guò)薄膜拉伸機(jī)的前進(jìn)方向拉伸，然后在橫向上拉伸。拉伸薄膜可以并且優(yōu)選是在溫度高于其玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度，和對(duì)尺寸進(jìn)行限制的條件下，通過(guò)熱定形而尺寸穩(wěn)定化的拉伸薄膜。根據(jù)本發(fā)明，用于摻入到聚合物薄膜中的填料粒子能通過(guò)煅燒前體硅氧烷樹脂粒子而適當(dāng)?shù)刂苽洹Ｇ绑w硅氧烷樹脂粒子優(yōu)選包含式RxSiO2－(x/2)的三維空間的聚合物鏈結(jié)構(gòu)，式中x為大于或等于1，優(yōu)選為1～1.9，更優(yōu)選為1～1.5，最優(yōu)選為1～1.2，R代表有機(jī)基團(tuán)，諸如脂族烴基，例如甲基、乙基或丁基，或芳族烴基，例如苯基，或不飽和的烴基例如乙烯基。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案中，R為具有1～8個(gè)、更優(yōu)選為具有1～5個(gè)碳原子的烴基。在本發(fā)明的特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，R代表甲基。R可以包含上述烴基中的任何二種或多種烴基的混合物。特別優(yōu)選的前體硅氧烷樹脂粒子包含甲基倍半環(huán)氧乙烷(methylsesquioxane)。前體硅氧烷樹脂粒子適當(dāng)?shù)匕Y(jié)構(gòu)為和的混合物的硅氧烷鏈的交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，其中R如以上的規(guī)定。適用的前體硅氧烷樹脂粒子是市場(chǎng)上可購(gòu)得的，例如“Tospearl”硅氧烷樹脂粒子，可從ToshibaSiliconeCoLtd，Japan購(gòu)得。煅燒前體硅氧烷樹脂粒子導(dǎo)致除去有機(jī)R基，并因此降低了式RxSiO2－(x/2)中的x值。當(dāng)所有的有機(jī)物質(zhì)已被除掉時(shí)，x＝0的和最終的粒子為硅石粒子(SiO2)。通過(guò)在溫度高于250℃、優(yōu)選為270℃～650℃、更優(yōu)選為280℃～500℃、特別為290℃～400℃，并且尤其在300℃～350℃下加熱前體硅氧烷樹脂粒子能適當(dāng)?shù)貙?shí)現(xiàn)煅燒。硅氧烷樹脂粒子優(yōu)選被加熱至少1小時(shí)、更優(yōu)選為2～12小時(shí)、特別為3～8小時(shí)，并且尤其為3～5小時(shí)。硅氧烷樹脂粒子最好在空氣氣氛的爐中被加熱，或者在合適的惰性氣氛例如氮?dú)獾臓t中被加熱。在煅燒前體硅氧烷樹脂粒子期間，除掉有機(jī)物質(zhì)，導(dǎo)致減少粒子的重量。在煅燒過(guò)程中，聚硅氧烷樹脂顆粒損失原始重量的0％～20％、更優(yōu)選為損失高達(dá)10％、特別為損失高達(dá)5％，并且尤其為損失高達(dá)2％。根據(jù)本發(fā)明用于聚合物薄膜的煅燒的填料粒子可含或不含有機(jī)基團(tuán)。有機(jī)基團(tuán)(優(yōu)選為甲基)與煅燒的填料粒子中存在的硅原子之比優(yōu)選為0～0.9∶1、更優(yōu)選為0.05～0.7∶1、特別為0.1～0.5∶1、并且尤其為0.15～0.3∶1。填料粒子適當(dāng)?shù)匕綖镽x(OH)ySiO2－[(x＋y)/2]的三維空間的聚合物鏈結(jié)構(gòu)，式中R代表如以上對(duì)前體硅氧烷樹脂粒子所規(guī)定的有機(jī)基團(tuán)。在煅燒期間，至少在空氣中，發(fā)生消除R基和形成Si-OH鍵和另外的Si-O-Si鍵。在前體硅氧烷樹脂粒子中基本上不存在Si-OH鍵。進(jìn)一步的煅燒導(dǎo)致Si-OH鍵轉(zhuǎn)變?yōu)镾i-O-Si鍵，并最終形成硅石粒子。x值優(yōu)選為0～0.9、更優(yōu)選為0.05～0.7、特別為0.1～0.5、并且尤其為0.15～0.3。y值優(yōu)選為0～1.2、更優(yōu)選為0.2～1.0、特別為0.4～0.8、并且尤其為0.5～0.7。x與y值可以通過(guò)例如29Si變幻角自旋NMR光譜法(29SimagicanglespinningNMRspectroscopy)測(cè)定。用于本發(fā)明中的填料粒子的化學(xué)組成優(yōu)選為80％～100％、更優(yōu)選為90％～99.9％、特別為92％～98％、并且尤其94％～97％重量的無(wú)機(jī)物，和相應(yīng)地優(yōu)選為0％～20％、更優(yōu)選為0.1％～10％、特別為2％～8％、并且尤其為3％～6％重量的有機(jī)物。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案中，填料粒子的有機(jī)組分主要、并且更優(yōu)選地基本上為甲基基團(tuán)。填料粒子的無(wú)機(jī)組分優(yōu)選包含至少為98％、更優(yōu)選至少為99％、特別至少為99.5％、并且尤其至少為99.9％的硅石或羥基化的硅石，即硅、氧和氫原子。為了達(dá)到本發(fā)明的優(yōu)異性質(zhì)，如此處規(guī)定的填料粒子在聚合物薄膜中的濃度應(yīng)為0.0005％～2％、優(yōu)選為0.001％～0.5％、更優(yōu)選為0.0025％～0.1％、特別為0.004％～0.02％、并且尤其為0.005％～0.01％重量，基于薄膜中聚合物的重量計(jì)算。上述的優(yōu)選濃度范圍對(duì)充填的單層薄膜尤為適用。然而，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的聚合物薄膜是具有第一層和第二層的復(fù)合膜，第一層優(yōu)選基本上是未充填的，在其至少一個(gè)表面上的第二層優(yōu)選包含(以第二層中聚合物的重量為基準(zhǔn)計(jì))0.02％～0.5％、更優(yōu)選為0.04％～0.3％，并且特別為0.05％～0.08％重量的填料粒子。根據(jù)本發(fā)明被摻入到聚合物薄膜中的填料粒子的體積分布的中等粒徑〔從有關(guān)粒子粒徑的體積百分比累積分布曲線上讀出，它相應(yīng)于全部粒子的50％體積的當(dāng)量球直徑，通常被稱為“D(V，0.5)值”〕為0.1～12.5μm、合適地為0.4～8.0μm、優(yōu)選為0.7～6.0μm、更優(yōu)選為1.8～5.0μm、特別為2.8～4.5μm，并且尤其為4.1～4.5μm。填料粒子的大小分布在制取具有均勻表面糙度的聚合物薄膜時(shí)還是一項(xiàng)重要的參數(shù)。填料粒子具有粒徑分布率D25/D75(此處，D25和D75分別為基于累積粒徑分布曲線的25％和75％體積的粒徑)值為1.1～1.6、優(yōu)選為1.15～1.5、更優(yōu)選為1.2～1.4、并且特別為1.25～1.35。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案中，填料粒子還具有粒徑分布率D10/D90(此處，D10和D90分別為基于累積粒徑分布曲線的10％和90％體積的粒徑)值為1.2～2.2、優(yōu)選為1.3～2.0、更優(yōu)選為1.5～1.9、并且特別為1.7～1.8。過(guò)大填料粒子的存在能導(dǎo)致薄膜顯示難看的“斑點(diǎn)”，即此時(shí)在薄膜中存在的各別的樹脂粒子是可用肉眼看出的。因此，希望的是99.9％體積的粒子的實(shí)際粒徑不應(yīng)超過(guò)20μm，并且優(yōu)選為不超過(guò)15μm。優(yōu)選至少90％、更優(yōu)選至少95％體積的粒子是處于體積分布的中等粒徑±1.5μm、特別為±1.0μm、并且尤其為±0.5μm的范圍內(nèi)。粒子的粒徑可以通過(guò)電子顯微鏡、庫(kù)耳特顆粒計(jì)數(shù)器、沉積分析法和光散射法來(lái)測(cè)定，而優(yōu)選的方法是基于激光衍射的各種方法。用于本發(fā)明的填料粒子具有不管從任何方向看為基本上圓形的截面。粒子顯示平均長(zhǎng)徑比d1/d2(此處d1和d2分別為粒子的最大直徑和最小直徑)為1∶1～1∶0.9、優(yōu)選為1∶1～1∶0.95、并且特別為1∶1～1∶0.98。填料粒子的長(zhǎng)徑比能通過(guò)測(cè)定由使用掃描電子顯微鏡得到的照片圖像中選出的填料粒子的d1和d2值來(lái)確定。平均長(zhǎng)徑比可以通過(guò)計(jì)算100個(gè)典型填料粒子的平均值而得到。在本發(fā)明的特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，填料粒子具有BET比表面積(按本文所說(shuō)的方法測(cè)定)為小于80、更優(yōu)選為3～50、特別為5～45、并且尤其為15～40m2/g。填料粒子的骨架密度(skeletaldensity)，(按本文所述的方法測(cè)定)優(yōu)選為1.95～2.3、更優(yōu)選為2.00～2.2、并且特別為2.05～2.15g/cm2。填料粒子可以在擠塑聚合物前的制膜過(guò)程的任何時(shí)刻，被添加到聚合物層或形成聚合物層的物料。例如，在生產(chǎn)優(yōu)選的聚酯薄膜中，粒子可在單體轉(zhuǎn)移期間或在反應(yīng)釜中被添加，雖然優(yōu)選的是在聚酯合成的酯化反應(yīng)階段期間將粒子以二元醇分散體形式摻入。另外，粒子可以作為干粉末通過(guò)雙螺桿擠塑機(jī)或通過(guò)母煉膠技術(shù)(masterbatchtechnology)摻入熔融的聚合物中。本發(fā)明的聚合物薄膜合適地是透明的，優(yōu)選具有廣角霧度，按本文所說(shuō)的方法測(cè)定，就75μm厚的薄膜來(lái)說(shuō)，廣角霧度為小于10％、更優(yōu)選為小于5％、特別為小于2％，并且尤其為小于1％。本發(fā)明的聚合物薄膜表面優(yōu)選顯示靜摩擦系數(shù)，按本文所說(shuō)的方法測(cè)定，當(dāng)用其本身測(cè)定時(shí)，為小于0.9、優(yōu)選為小于0.7、特別為小于0.5、并且尤其為小于0.4。本發(fā)明的薄膜的各層可以常規(guī)地含有在制造聚合物薄膜中慣用的任何添加劑。于是，添加劑諸如染料、顏料、潤(rùn)滑劑、抗氧劑、防粘連劑、表面活性劑、滑爽劑、光澤改進(jìn)劑、降解助劑、紫外光穩(wěn)定劑、粘度調(diào)節(jié)劑和分散穩(wěn)定劑，如果想望使用的話，可被摻入到聚合物薄膜層。這些添加劑優(yōu)選不會(huì)使聚合物薄膜的廣角霧度增大到或超過(guò)上述的值。例如，為了形成與其組分材料相比顯示改進(jìn)的性質(zhì)，諸如改進(jìn)的抗靜電性、粘合促進(jìn)性或剝離性的層壓材料或復(fù)合材料，本發(fā)明的聚合物薄膜可以用一種或多種的另外的涂層、油墨、漆和/或金屬層包覆在其一個(gè)或二個(gè)表面上。一種優(yōu)選的抗靜電涂層包含季銨化合物，優(yōu)選是與丙烯酸樹脂相混合的季銨化合物。在將涂料介質(zhì)沉積在聚合物薄膜之前，如果需要的話，可使暴露表面經(jīng)受化學(xué)或物理的表面改性處理，以提高該表面與隨后施加的涂層之間的粘著性。優(yōu)選的處理方法是電暈放電，它可以在大氣壓下的空氣中，通過(guò)使用高頻、高壓發(fā)生器與慣用設(shè)備來(lái)進(jìn)行，優(yōu)選的高頻、高壓發(fā)生器在電勢(shì)為1～100KV時(shí)，輸出功率為1～20KW。放電是通過(guò)使薄膜以優(yōu)選為1.0～500米/分的線速度在放電工位的電介質(zhì)襯輥上通過(guò)而方便地實(shí)現(xiàn)的。放電電極處于離移動(dòng)的薄膜表面0.1～10.0mm處。另外，聚合物薄膜的暴露表面可以用本
技術(shù)領(lǐng)域：
中已知的化學(xué)藥劑進(jìn)行預(yù)處理。該化學(xué)藥劑是聚合物層的溶劑或?qū)酆衔飳泳哂腥苊涀饔?。特別適用于處理聚酯薄膜表面的這樣的化學(xué)藥劑的例子，包括被溶于常用有機(jī)溶劑中的鹵代酚，例如對(duì)氯間甲酚、2，4-二氯苯酚、2，4，5-或2，4，6-三氯苯酚或4-氯間苯二酚在丙酮或甲醇中的溶液。涂料介質(zhì)可被施加到已取向的聚合物薄膜表面，但是涂料介質(zhì)的施加優(yōu)選在拉伸作業(yè)之前或之中進(jìn)行。特別是，最好應(yīng)在熱塑性塑料薄膜雙軸拉伸作業(yè)的兩個(gè)步驟(縱向拉伸與橫向拉伸)之間，將涂料介質(zhì)施加到薄膜表面。這樣的順序拉伸和涂布對(duì)生產(chǎn)包含聚對(duì)苯二甲酸乙二酯涂布的聚酯薄膜來(lái)說(shuō)尤被優(yōu)選，它最好先在一系列的轉(zhuǎn)輥上進(jìn)行縱向拉伸、涂布涂層、然后在展幅爐中進(jìn)行橫向拉伸，最好接著進(jìn)行熱定形。本發(fā)明的聚合物薄膜適用于眾多方面的薄膜應(yīng)用，諸如包裝材料，例如紙盒窗、上金薄膜、電子翻印薄膜和一般工業(yè)用薄膜。此處所介紹的聚合物薄膜特別適用于資料保存與顯示，諸如成像、畫面剪輯、掩蔽、模板、高架投影、膜接觸開關(guān)、縮微膠片和印刷例如熱蠟轉(zhuǎn)印。在此說(shuō)明書中以下的測(cè)試方法用來(lái)測(cè)定填料粒子和聚合物薄膜的某些性質(zhì)。填料粒子分析體積分布的中等粒徑和粒子大小分布率D25/D75與D10/D90是用庫(kù)耳特LS130粒度儀(英國(guó)倫敦庫(kù)耳特電子有限公司制造)測(cè)定的。BET比表面積是使用MicromeriticsASAP2400(MicromeriticsLimited，Dunstable，UK)通過(guò)多點(diǎn)氮吸附作用測(cè)定的。使用的相對(duì)壓力在0.05～0.21之間，除氣條件用氮?dú)庠?40℃清洗1小時(shí)(1～2升氮?dú)?小時(shí))。骨架密度是通過(guò)氦比重法(heliumpycnometry)使用MicromeriticsAccupyc1330(Micromeritics，Dunstable，UK)測(cè)定的。甲基與硅原子之比是通過(guò)29Si變幻角自旋NMR光譜法測(cè)定的。光譜是在BrukerMSL200NMR光譜儀，在就29Si來(lái)說(shuō)以頻率為39.73MHz下操作得到的。使用KBr設(shè)定變幻角和自旋速度為5050Hz。單一脈沖激勵(lì)的脈沖程序(thesinglepulseexcitationpulsesequence)與高功率的1H去耦元件一起使用，其中1H去耦場(chǎng)(decouplingfield)約為70KHz，達(dá)到由2K復(fù)合數(shù)據(jù)點(diǎn)組成的NMR自由感應(yīng)衰減。光譜寬度為20KHz，29Si脈沖強(qiáng)度5.5μs(90°)和循環(huán)延時(shí)60s。累積1000個(gè)瞬時(shí)點(diǎn)。數(shù)據(jù)處理由使用BruckerLB參數(shù)等于60Hz的指數(shù)的切趾法，接著通過(guò)傅里葉變換、相位調(diào)整、基線校正與使用Brucker軟件EP-1程序的積分法組成。聚合物薄膜分析聚合物薄膜本身的靜摩擦系數(shù)是通過(guò)基于ASTM試驗(yàn)D4518-87、使用ModelIPST(SpecialistEngineering，welwyn，UK)的斜面法測(cè)定的。廣角霧度是以透光百分率測(cè)定的，在光穿過(guò)薄膜期間，它偏離薄膜表面法線的平均量大于2.5°的弧度，廣角霧度基本上是按照ASTM試驗(yàn)D1003-61、使用HazegardXL211霧度計(jì)(BYKGardner，US)測(cè)定。薄膜的可加工性和收卷性是在縱切機(jī)上評(píng)估的。膜卷長(zhǎng)度在1000m與3000m之間，寬度為500mm～2000mm，膜卷以每分鐘50～400米的速度被縱切。評(píng)估所得的分切膜卷的物理外觀。通過(guò)參考下面的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。實(shí)施例1將前體硅氧烷樹脂粒子(Tospeasl145，由ToshibaSiliconeCoLtd，Japan供應(yīng))在溫度300℃的空氣氣氛的爐中加熱4小時(shí)進(jìn)行煅燒，以生產(chǎn)本發(fā)明中使用的填料粒子。生成的填料粒子顯示使用本文所述方法測(cè)定的下列特性(i)體積分布的中等粒徑＝4.4μm(ii)粒度分布率D25/D75＝1.40(iii)粒度分布率D10/D90＝1.85(iv)BET比表面積＝45m2/g(v)骨架密度＝2.06g/cm3(vi)甲基基團(tuán)與硅原子之比＝0.2將含有約600ppm(按以上所述通過(guò)煅燒前體硅氧烷樹脂粒子生產(chǎn)的)填料粒子的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯聚合物，穿過(guò)成膜模頭擠出到水冷的旋轉(zhuǎn)的驟冷鼓上，產(chǎn)生無(wú)定形流延復(fù)合擠出物。將此流延擠出物加熱到溫度約80℃，然后以前進(jìn)牽引比為3.2∶1進(jìn)行縱向拉伸。將聚合物薄膜送入到展幅機(jī)爐，在該處將薄膜在橫向上拉伸到其初始尺寸的約3.4倍。該雙軸向拉伸的聚合物薄膜在約225℃的溫度被熱定形。最終的薄膜厚度約為188μm。該薄膜的廣角霧度約為20％和靜摩擦系數(shù)為0.55。在收卷試驗(yàn)中產(chǎn)生的分切膜卷具有卓越的物理外觀。分切膜卷未顯示“大小頭”或“跑遍”跡象，即膜卷的兩端是平的，并與膜卷的圓柱軸完全相垂直。實(shí)施例2重復(fù)實(shí)施例1的程序，除了Tospearl145在溫度400℃的爐中煅燒10小時(shí)外。得到的填料粒子顯示使用此處所述方法測(cè)定的下列特性(i)體積分布的中等粒徑＝3.8μm(ii)BET比表面積＝4m2/g(v)骨架密度＝2.2g/cm3(iv)甲基基團(tuán)與硅原子之比＝0按實(shí)施例1中所述生產(chǎn)聚對(duì)苯二甲酸乙二酯薄膜，除了薄膜含有2400ppm如以上產(chǎn)生的填料粒子外。最終的薄膜厚度約為100μm。薄膜的廣角霧度約為30％和靜摩擦系數(shù)為0.4。在收卷試驗(yàn)中產(chǎn)生的分切膜卷具有卓越的物理外觀。分切膜卷不顯示“大小頭”或“跑遍”跡象，即膜卷的二端是平的并與膜卷的圓柱軸完全相垂直。權(quán)利要求1.一種包含以薄膜中聚合物重量為基準(zhǔn)計(jì)為0.0005％～2％重量的、具有體積分布的中等粒徑為0.1～12.5μm的填料粒子的聚合物薄膜，所說(shuō)的填料粒子是在其被摻入到薄膜聚合物中之前通過(guò)煅燒前體硅氧烷樹脂粒子而得到的。2.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜，其中填料粒子可不含或含有有機(jī)基團(tuán)，而有機(jī)基團(tuán)與填料粒子中存在的硅原子之比為0～0.9∶1。3.根據(jù)權(quán)利要求1和2的任一項(xiàng)的薄膜，其中填料粒子具有BET比表面積為小于80m2/g。4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的薄膜，其中填料粒子具有骨架密度為1.95～2.3g/cm3。5.一種包含以薄膜中聚合物重量為基準(zhǔn)計(jì)為0.0005％～2％重量、有機(jī)基團(tuán)與硅原子的比例為0.05～0.9∶1的填料粒子的聚合物薄膜，所說(shuō)的填料粒子具有體積分布的中等粒徑為0.1～12.5μm.6.一種包含以薄膜中聚合物重量為基準(zhǔn)計(jì)為0.0005％～2％重量、包含分子式為Rx(OH)ySiO2－[(x＋y)/2]的三維空間聚合物鏈結(jié)構(gòu)的填料粒子的聚合物薄膜，在所說(shuō)的式中x為0.05～0.9，y為0～1.2，和R代表有機(jī)基團(tuán)，所說(shuō)的填料粒子具有體積分布的中等粒徑為0.1～12.5μm。7.一種生產(chǎn)聚合物薄膜的方法，包括以下步驟(i)在溫度至少為250℃下煅燒前體硅氧烷樹脂粒子，以生產(chǎn)具有體積分布的中等粒徑為0.1～12.5μm的煅燒的填料粒子，(ii)將煅燒的填料粒子與聚合物或形成聚合物的料混合，煅燒的填料粒子的濃度以聚合物的重量為基準(zhǔn)計(jì)為0.0005％～2％重量，和(iii)擠塑該聚合物和煅燒的填料粒子混合物以形成薄膜。8.一種根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中煅燒的填料粒子包含式Rx(OH)ySiO2－[(x＋y)/2]的三維空間的聚合物鏈結(jié)構(gòu)，式中x為0～0.9，y為0～1.2，和R代表有機(jī)基團(tuán)。9.一種根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中x為0.05～0.9。10.一種根據(jù)權(quán)利要求8和9的任何一項(xiàng)的方法，其中y為0.2～1.0。全文摘要一種包含0.0005％～2％重量的具有體積分布的中等粒徑為0.1～12.5μm的填料粒子的聚合物薄膜。該填料粒子可通過(guò)在摻入到薄膜聚合物之前煅燒前體硅氧烷樹脂粒子獲得。該聚合物薄膜優(yōu)選為聚酯薄膜。文檔編號(hào)C08K7/16GK1151748SQ9519397公開日1997年6月11日申請(qǐng)日期1995年7月6日優(yōu)先權(quán)日1994年7月7日發(fā)明者P·D·A·米爾斯,J·A·西迪奎,K·拉科斯申請(qǐng)人:帝國(guó)化學(xué)工業(yè)公司