晶粒粘結(jié)到聚鄰苯二甲酰胺（PPA) 樹脂外殼1內(nèi)的晶粒座3上，通過發(fā)光二極管（LED)芯片5與內(nèi)部引線2之間的接合線6 進行線接合，以及使用密封材料7將發(fā)光二極管（LED)芯片5、內(nèi)部引線2和接合線連同樹 脂外殼的內(nèi)壁密封在一起。在光學半導體器件中，使用本發(fā)明的固化性硅酮組合物作為形 成粘合劑4和/或密封材料7的組合物。
[0065]
[0066] 在下文中將使用實踐例和比較例來詳細描述本發(fā)明的固化性硅酮組合物。然而， 本發(fā)明不受下列實踐例的描述的限制。
[0067] 「實踐例1至4和比較例1至41
[0068] 根據(jù)表1中所示的組成均勻地混合以下組分以制備實踐例1至4和比較例1至4 的固化性硅酮組合物。在這些式中，Vi表示乙烯基基團，Me表示甲基基團，且Ph表示苯基 基團。此外，在表1中，"SiH/Vi"表示組分⑶中硅鍵合的氫原子的總摩爾數(shù)/1摩爾組分 (A)中的總乙烯基基團。
[0069] 將以下組分用作組分（A)。粘度是在25°C下的值且根據(jù)JIS K 7117-1使用B型 粘度計測得。
[0070] 組分（a-ι):具有1，OOOmPa · s的粘度和以下平均式的甲基苯基聚硅氧烷（乙烯 基基團含量=1.27質(zhì)量％ ):
[0071 ] Me2ViSiO (MePhSiO) 3〇SiMe2Vi
[0072] 組分（a-2):具有15, OOOmPa · s的粘度和以下平均式的甲基苯基聚硅氧烷（乙烯 基基團含量=0.33質(zhì)量％ ):
[0073] Me2ViSiO (MePhSiO) 120SiMe2Vi
[0074] 組分（a-3):在兩個分子末端均被二甲基乙烯基甲硅烷氧基基團封端的二甲基聚 硅氧烷（乙烯基基團含量=0. 48質(zhì)量％ )且其具有300mPa · s的粘度和以下平均式：
[0075] Me2ViSiO (Me2SiO) 150SiMe2Vi
[0076] 組分（a-4):在兩個分子末端均被二甲基乙烯基甲硅烷氧基基團封端的二甲基聚 硅氧烷（乙烯基基團含量=0. 15質(zhì)量％ )且其具有10, OOOmPa · s的粘度和以下平均式：
[0077] Me2ViSiO (Me2SiO) 500SiMe2Vi
[0078] 組分（a-5):每個分子具有至少2個乙烯基基團的有機聚硅氧烷（乙烯基基團含 量=5. 6質(zhì)量％ )且其為在25°C下可溶于甲苯的白色固體并具有以下平均單元式：
[0079] (PhSiOv2) 0 75 (Me2ViSiOv2) 0 25
[0080] 組分（a-6):每個分子具有至少2個乙烯基基團的有機聚硅氧烷（乙烯基基團含 量=2. 3質(zhì)量％ )且其為在25°C下可溶于甲苯的白色固體并具有以下平均單元式：
[0081 ] (PhSiO372) 〇. 75 (MeViSiO272) 〇 10 (Me2SiO272) 〇 15
[0082] 組分（a-7):每個分子具有至少2個乙烯基基團的有機聚硅氧烷（乙烯基基團含 量=4. 2質(zhì)量％ )且其為在25°C下可溶于甲苯的白色固體并具有以下平均單元式：
[0083] (Me2ViSiOl72) 〇. 15 (Me3SiOl72) 〇. 38 (SiO472) 〇. 47 (HO172) 〇. 01
[0084] 組分（a-8):每個分子具有至少2個乙烯基基團的有機聚硅氧烷樹脂（乙烯基基 團含量=3. 4重量％ )且其為在25°C下可溶于甲苯的白色固體并具有以下平均單元式：
[0085] (Me2ViSiOl72) 〇. 13 (Me3SiOl72) 〇. 45 (SiO472) 〇. 42 (HO172) 〇. 01
[0086] 將以下組分用作組分（B)。粘度為在25°C下的值且根據(jù)JIS K 7117-1使用B型 粘度計測得。
[0087] 組分（b-Ι):在兩個分子末端均被二甲基氫甲硅烷氧基基團封端的二苯基聚硅氧 烷（硅鍵合的氫原子含量=0. 6質(zhì)量％ )，其具有5mPa · S的粘度且由以下平均式表示：
[0088] HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H
[0089] 組分（b-2):每個分子含有至少兩個硅鍵合的氫原子的支鏈有機聚硅氧烷（硅鍵 合的氫原子含量=〇. 65質(zhì)量％ )，其具有25mPa · s的粘度且由以下平均單元式表示：
[0090] (PhSiO372) 〇. 4 (HMe2SiOl72) 〇 6
[0091] 組分（b-3):在兩個分子末端均被三甲基甲硅烷氧基基團封端的聚甲基氫硅氧烷 (硅鍵合的氫原子含量=1.6質(zhì)量％ )，其具有20mPa · s的粘度且由以下平均式表示：
[0092] Me3SiO(MeHSiO)55SiMe3
[0093] 組分（B-4):在兩個分子末端均被三甲基甲硅烷氧基基團封端的二甲基硅氧 烷-甲基氫硅氧烷（硅鍵合的氫原子含量=1. 42質(zhì)量％ )，其具有5mPa · S的粘度且由以 下平均式表示：
[0094] Me3SiO(MeHSiO)15SiMe3
[0095] 將以下組分用作組分（C)。
[0096] 組分（C-I) :N，N-雙（2-乙基己基）_[(1，2,4_三唑-1-基）甲基]胺
[0097] 組分（C-2):甲苯基三唑
[0098] 組分（C-3):羧基苯并三唑
[0099] 組分（C-4):硝基苯并三唑
[0100] 組分（c-5):苯并三唑
[0101] 將1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷的鉑復合物的1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷溶 液（鉬金屬含量=約4, OOOppm)用作組分（D)。
[0102] 將1-乙炔基環(huán)己-1-醇用作組分（E)。
[0103] 表 1
[0104]
【主權(quán)項】
1. 一種固化性硅酮組合物，其為用于密封、涂布或粘附光學半導體元件的硅氫加成反 應固化性硅酮組合物；所述固化性硅酮組合物包含選自除未經(jīng)取代的苯并三唑以外的基于 三唑的化合物中的至少一種類型的化合物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的固化性硅酮組合物，其中所述固化性硅酮組合物包含： (A) 每個分子具有至少兩個脂族不飽和烴基的有機聚硅氧烷； (B) 每個分子具有至少兩個硅鍵合的氫原子的有機氫聚硅氧烷； (C) 選自除未經(jīng)取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物中的至少一種類型的化合 物；以及 (D) 硅氫加成反應催化劑。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的固化性硅酮組合物，其中組分（A)為由以下平均組成式表示 的有機聚硅氧烷： (R^iO^) a (R2R3Si02/2) b (R4R5R6Si01/2) c (Si04/2) d 其中，R1至R6可為相同或不同類型的單價烴基，所有單價烴基中的0. 01至50摩爾％ 為脂族不飽和烴基；"a"、"b"、"c"和"d"表示相應硅氧烷單元的摩爾比且為分別滿足以下 條件的數(shù)：a+b+c+d = 1. 0,0 彡 a 彡 1. 0,0 彡 b 彡 1. 0,0 彡 c〈0. 83 且 0 彡 d〈0. 50。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的固化性硅酮組合物，其中組分（B)為由以下平均組成式 表不的有機氛聚娃氧燒： R eHfSiO[(4-e-f)/2] 其中，R7為除脂族不飽和烴基以外的經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的單價烴基；且"e"和"f"為 分別滿足以下條件的數(shù)：1. 0彡e彡2. 0,0? l〈f〈l. 0且1. 5彡e+f〈2. 7。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的固化性硅酮組合物，其中所述基于三唑的化合 物選自N-烷基取代的三唑、N-烷基氨基烷基取代的三唑、烷基取代的苯并三唑、羧基取代 的苯并三唑和硝基取代的苯并三唑。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的固化性硅酮組合物，其中所述基于三唑的化合 物為選自以下的至少一種類型：N，N-雙（2-乙基己基）-[(1，2,4_三唑-1-基）甲基]胺、 甲苯基三唑、羧基苯并三唑和硝基苯并三唑。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的固化性硅酮組合物；其中所述基于三唑的化合 物在所述固化性硅酮組合物中的含量以質(zhì)量計為〇. Olppm至3%。
8. -種光學半導體器件，通過使用根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的固化性硅酮組 合物密封、涂布或粘附光學半導體元件而制造。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學半導體器件，其中所述光學半導體元件為發(fā)光二極管。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種固化性硅酮組合物，其為用于密封、涂布或粘附光學半導體元件的硅氫加成反應固化性硅酮組合物并包含選自除苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一種類型的化合物。所述固化性硅酮組合物例如包含(A)每個分子具有至少2個脂族不飽和烴基的有機聚硅氧烷，(B)每個分子具有至少兩個硅鍵合的氫原子的有機聚硅氧烷，(C)選自除未經(jīng)取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一種類型的化合物，以及(D)硅氫加成反應催化劑。所述固化性硅酮組合物形成具有極佳透明性和耐熱沖擊性的固化產(chǎn)品，并且利用所述組合物的光學半導體器件具有極佳的可靠性。
【IPC分類】C08G77-50, C08L83-04, C08L83-07, H01L23-29
【公開號】CN104583280
【申請?zhí)枴緾N201380044230
【發(fā)明人】宮本侑典, 吉武誠, 吉田宏明, 中田稔樹, 平井和夫
【申請人】道康寧東麗株式會社
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年9月6日
【公告號】EP2892945A2, US20150218417, WO2014038727A2, WO2014038727A3