一種具有潛在熒光材料的萘雙三唑鎘配合物及其制備方法
【專利說明】
[0001] 本發(fā)明得到國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(21471113)、青年拔尖人才支持計(jì)劃、 天津市教委面上項(xiàng)目(20140506)、天津師范大學(xué)中青年教師學(xué)術(shù)創(chuàng)新推進(jìn)計(jì)劃項(xiàng)目 (52XC1401)、天津市科委面上項(xiàng)目(11JCYBJC03600)以及天津市高等學(xué)校創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)培養(yǎng)計(jì) 劃(TD12-5038)的資助。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明屬于有機(jī)和無機(jī)合成技術(shù)領(lǐng)域,涉及述萘雙三唑鎘配合物[Cd(L)2(SCN)2] (1)仏=1-[7-(111-1,2,4-三氮唑-1-基)萘-2-基)-111-1,2,4-三氮唑)的制備方法及 作為潛在的熒光材料的應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0003] 1,2, 4-三唑及其衍生物兼有吡唑和咪唑的配位特點(diǎn),是配位能力較強(qiáng)的橋連配 體,目前已合成并表征了大量的單核、多核和多維化合物。這些配體能夠以1,2位上的氮原 子與金屬離子配位形成Nl,N2-橋連模式,對于4位未取代的1,2, 4-三唑衍生物能通過2, 4 位上的氮原子形成N2,N4-橋連模式,這種N2,N4-橋連模式同金屬酶中咪唑的Nl,N3-橋連 模式類似。對于三唑類化合物的特殊用途還表現(xiàn)在分子器件化的設(shè)計(jì)上,合成具有不同維 數(shù)的金屬配合物乃是完成器件化至關(guān)重要的一步。
[0004] 本發(fā)明即是采用"常溫?fù)]發(fā)法",Cd(C104)2 ?6H20、NH4SCN和L在水中攪拌半小時后 過濾,濾液常溫?fù)]發(fā)兩周得到適合X-射線單晶衍射的淺黃色塊狀晶體[Cd(L)2(SCN)2] (1) (1=1-[7-(111-1,2,4-三氮唑-1-基)萘-2-基)-111-1,2,4-三氮唑)。該配合物還可作 為潛在的熒光材料方面得以應(yīng)用。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本發(fā)明的另一個目的在于提供一種萘雙三唑鎘配合物[Cd(L)2(SCN)2] (1)(L= 1-[7-(111-1,2,4-三氮唑-1-基)萘-2-基)-111-1,2,4-三氮唑)單晶及其制備方法。
[0006] 為此本發(fā)明人提供了如下的技術(shù)方案: 萘雙三唑鎘配合物[Cd(L)2(SCN)2] (1)仏=1-[7-(111-1,2,4-三氮唑-1-基) 萘-2-基)-lH-l,2,4-三氮唑)的結(jié)構(gòu)基元如圖1所示。
[0007] 本發(fā)明進(jìn)一步公開了萘雙三唑鎘配合物[Cd(L)2(SCN)2] (1)(L= 1-[7-(111-1,2,4-三氮唑-1-基)萘-2-基)-111-1,2,4-三氮唑)單晶,其特征在于該單 晶結(jié)構(gòu)采用APEXIIC⑶單晶衍射儀,使用經(jīng)過石墨單色化的Moka射線(入=0.71073 A)為入射輻射,以《_2 〃掃描方式收集衍射點(diǎn),經(jīng)過最小二乘法修正得到晶胞參數(shù),從差 值傅立葉電子密度圖利用SHELXL-97直接法解得單晶數(shù)據(jù): 表1.配合物1的晶體學(xué)數(shù)據(jù)
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 蔡雙H哇領(lǐng)配合物[Cd(L) 2(SCN)2] (1)的結(jié)構(gòu)基元如圖1所示: L = l-[7-(lH-l,2,4-H氮哇-1-基)蔡-2-基)-lH-l,2,4-H氮哇。
2. 權(quán)利要求1所述蔡雙H哇領(lǐng)配合物的單晶,其特征在于該單晶結(jié)構(gòu)采用APEX II CCD單晶衍射儀,使用經(jīng)過石墨單色化的Mok a射線(A = 0.71073 A)為入射福射,W W-2 0掃描方式收集衍射點(diǎn),經(jīng)過最小二乘法修正得到晶胞參數(shù),從差值傅立葉電子密度 圖利用軟件解出單晶數(shù)據(jù): 表1.配合物1的晶體學(xué)數(shù)據(jù)
o
3. 權(quán)利要求1所述蔡雙;哇領(lǐng)配合物[Cd(L) 2(SCN)2] (1) a = 1-[7-加-1,2, 4-S 氮哇-1-基)蔡-2-基2, 4-H氮哇)的制備方法,其特征在于它是采用"常溫?fù)]發(fā) 法",即Cd (C1化)2 ?SHsCKNHaSCN和L在水中攬拌半小時后過濾,濾液常溫?fù)]發(fā)兩周W制備該 配合物
L。
4. 權(quán)利要求1所述蔡雙;哇領(lǐng)配合物腳江)2(SCN)2] (1) a = 1-[7-加-1,2, 4-S 氮哇-1-基)蔡-2-基2, 4- H氮哇)作為潛在的英光材料方面的應(yīng)用。
【專利摘要】本發(fā)明公開了具有潛在熒光材料的萘雙三唑鎘配合物及其制備方法,其中萘雙三唑鎘配合物[Cd(L)2(SCN)2] (1)的結(jié)構(gòu)基元如圖1所示。同時還公開了[Cd(L)2(SCN)2] (1) (1) (L = 1-[7-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)萘-2-基)-1H-1,2,4-三氮唑)的制備方法。它是采用“常溫?fù)]發(fā)”,即Cd(ClO4)2·6H2O、NH4SCN和L在水中攪拌半小時后過濾,濾液常溫?fù)]發(fā)兩周得到適合X-射線單晶衍射的淺黃色塊狀晶體。本發(fā)明進(jìn)一步公開了萘雙三唑鎘配合物作為潛在的熒光材料方面的應(yīng)用。
【IPC分類】C07F3-08, C09K11-06
【公開號】CN104592274
【申請?zhí)枴緾N201510088216
【發(fā)明人】王英
【申請人】天津師范大學(xué)
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2015年2月26日