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      液晶化合物及包含該液晶化合物的液晶介質(zhì)的制作方法

      文檔序號(hào):8311671閱讀:414來源:國(guó)知局
      液晶化合物及包含該液晶化合物的液晶介質(zhì)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明屬于液晶化合物及其應(yīng)用領(lǐng)域,涉及一種新型環(huán)戊基甲醚類負(fù)介電異性化 合物及其制備方法與應(yīng)用,還涉及包含所述化合物的液晶介質(zhì),所述液晶介質(zhì)適用于無源 或有源驅(qū)動(dòng)液晶顯示技術(shù)。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 目前TFT-IXD已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域和家庭消費(fèi)領(lǐng)域,幾乎完全替代了傳統(tǒng) 的CRT顯示器市場(chǎng)。根據(jù)液晶顯示方式的不同,液晶顯示元件可以分為扭曲向列相(TN)模 式、超扭曲向列相(STN)模式、共面(IPS)模式、垂直配向(VA)模式等多種模式。
      [0003] 當(dāng)前的液晶顯示元件多為扭曲向列相(TN)模式,但其存在對(duì)比度低、視野角窄的 缺點(diǎn),而垂直配向(VA)模式的顯示以其寬視野角、高對(duì)比度和無須摩擦配向等優(yōu)勢(shì),已經(jīng) 得到廣泛應(yīng)用,并成為大尺寸TV用TFT-IXD的常見顯示模式,另外,VA模式顯示的對(duì)比度 對(duì)液晶的雙折射率、液晶層的厚度和入射光的波長(zhǎng)依賴度較小,因此,VA模式成為了現(xiàn)在極 具前景的液晶顯示技術(shù)。
      [0004] 對(duì)于VA模式的顯示方式所用的液晶材料,要求低電壓驅(qū)動(dòng)、快速響應(yīng)、寬的溫度 范圍和良好的低溫穩(wěn)定性。換言之,也就要求我們開發(fā)負(fù)介電各向異性絕對(duì)值大、低黏度、 大的K33值和向列相范圍寬的液晶化合物。
      [0005] 另外,由于在不同區(qū)域,環(huán)境溫度不同,對(duì)混合液晶的向列相范圍要求也會(huì)不同, 比如在維度較高地區(qū),冬季氣溫能到零下30°C,就要求混合液晶在零下30°C正常工作,這 就要求混合液晶的結(jié)晶點(diǎn)至少在零下40°C以下,現(xiàn)有的VA單體液晶種類偏少,不能滿足混 合液晶的開發(fā)需求,開發(fā)更多種類性能優(yōu)異的負(fù)性液晶單體就成為必要。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006] 為解決目前VA液晶存在的上述問題,本發(fā)明給出以下解決方案:
      [0007] -種結(jié)構(gòu)式I所代表的新的環(huán)戊基亞甲醚類負(fù)介電液晶化合物:
      [0008] -種包含所述通式I所代表液晶化合物的液晶介質(zhì);和
      [0009] -種包含所述液晶介質(zhì)的電光學(xué)顯示器。
      [0010] 具體而言,本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種新型環(huán)戊基亞甲醚類負(fù)介電各向 異性液晶化合物、包含此化合物的液晶介質(zhì)、以及包含所述液晶介質(zhì)的電光學(xué)顯示器。所述 液晶化合物兼具有大的K值,適當(dāng)?shù)呢?fù)介電各向異性,較低的旋轉(zhuǎn)粘度,寬的向列相范圍; 包含該化合物的液晶介質(zhì)兼具有低的旋轉(zhuǎn)粘度、較快的響應(yīng)時(shí)間和適當(dāng)?shù)呢?fù)介電各向異 性,以及寬的向列相范圍。
      [0011] 為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是:
      [0012] 本發(fā)明提供了式I所示液晶化合物
      [0013]
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1. 式I所示液晶化合物
      R1表示碳原子數(shù)為1-10的直鏈烷基或碳原子數(shù)為2-10的直鏈烯基,其中另外的,所 述碳原子數(shù)為1-10的直鏈烷基或碳原子數(shù)為2-10的直鏈烯基中含有-CH2-的基團(tuán)中任意 的-CH2-可被-CH2〇-、-〇CH2-、-C=C-代替,所述碳原子數(shù)為1-10的直鏈烷基或碳原子數(shù) 為2-10的直鏈烯基中任意的H可被F代替; ZpZ2各自獨(dú)立地表示單鍵、-C2H4-、-CH=CH-、一、-COO-、-OOC-、-CH2O-、-〇CH2-、-CF2〇-、和/或-OCF2-中的任意ー個(gè)或多個(gè),其中另外的,所述-C2H4-、-CH= CH-、-CH2〇-、-OCH2-中的任意的H可被F代替;
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶化合物,其特征在于,所述式I所示液晶化合物為式I a至式Iz所示化合物

      R1各自獨(dú)立地表示碳原子數(shù)為1-10的直鏈烷基或碳原子數(shù)為2-10的直鏈烯基,其中 另外的,所述碳原子數(shù)為1-10的直鏈烷基或碳原子數(shù)為2-10的直鏈烯基中含有-CH2-的 基團(tuán)中任意的-CH2-可被-CH2〇-、-〇CH2-、-C=C-代替,所述碳原子數(shù)為1-10的直鏈烷基 或碳原子數(shù)為2-10的直鏈烯基中任意的H可被F代替。
      3.根據(jù)權(quán)利要2所述的液晶化合物,其特征在干, 所述式Ia所示化合物為式Ia-1至式Ia-7所示化合物
      所述式Ib所示化合物為式Ib-1至式Ib-6所示化合物





      各式中R1各自獨(dú)立地表示碳原子數(shù)為1-10的直鏈烷基或碳原子數(shù)為2-10的直鏈 烯基,其中另外的,所述碳原子數(shù)為1-10的直鏈烷基或碳原子數(shù)為2-10的直鏈烯基中含 有-CH2-的基團(tuán)中任意的-CH2-可被-CH2〇-、-〇CH2-、-C=C-代替,所述碳原子數(shù)為1-10的 直鏈烷基或碳原子數(shù)為2-10的直鏈烯基中任意的H可被F代替。
      4. ー種液晶介質(zhì),其特征在于,所述液晶介質(zhì)包含權(quán)利要求1至3中任一所述液晶化合 物中的ー種或多種。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶介質(zhì),其特征在于,所述液晶介質(zhì)還包含ー種或多種式 II所示化合物
      其中,R2、R3各自獨(dú)立地表示碳原子數(shù)為1-10的烷基或碳原子數(shù)為2-10的鏈烯基,其 中另外的,所述碳原子數(shù)為1-10的烷基或碳原子數(shù)為2-10的鏈烯基中含有-CH2-的基團(tuán) 中任意的-CH2-可被-CH2〇-、-〇CH2-、-C=C-代替,所述碳原子數(shù)為1-10的烷基或碳原子 數(shù)為2-10的鏈烯基中任意的H可被F代替; 環(huán)B、C、D、E各自獨(dú)立地表不如下基團(tuán)中的任一基團(tuán):
      m,n,o各自獨(dú)立地表示O或I; Z3、Z4、Z5 各自獨(dú)立地代表單鍵、-C2H4-、-CH=CH-、-、-COO-、-OOC-、-CH2O-、-OC H2-、_CF2〇-、或-OCF2-,其中另外的,所述-C2H4-、_CH=CH-、_CH2〇-、-〇CH2-中任意H可被F 代替。
      6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶介質(zhì),其特征在于,所述液晶介質(zhì)還包含ー種或多種式 III所示化合物。
      其中,R4、R5各自獨(dú)立地表示碳原子數(shù)為1-10的烷基或碳原子數(shù)為2-10的鏈烯基,其 中另外的,所述碳原子數(shù)為1-10的烷基或碳原子數(shù)為2-10的鏈烯基中含有-CH2-的基團(tuán) 中任意-CH2-可被-CH2〇-、-〇CH2-、-C=C-代替,所述碳原子數(shù)為1-10的烷基或碳原子數(shù) 為2-10的鏈烯基中任意的H可被F代替; 環(huán)F、G、H、I各自獨(dú)立地表不如下基團(tuán)中的任一基團(tuán):
      p,q、r各自獨(dú)立的表示0或1 ; Z6、Z7、Z8各自獨(dú)立地代表單鍵、-C2H4-、-CH=CH-、一、-C00-、-00C-、-CH2O-、-OCH2_、_CF2〇-、-OCF2-,其中另外的,所述 _C2H4_、-CH=CH_、-CH2〇-、-OCH2-中任意H可被F代 替。
      7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶介質(zhì),其特征在于,所述ー種或多種式II所示化合物為 式IIa至IIo所示化合物中的ー種或多種化合物

      其中,R2、R3、R4、R5各自獨(dú)立地表示下列①~③所示基團(tuán)中的任意一種: ① 碳原子數(shù)為1~7的直鏈烷基或碳原子數(shù)為1~7的直鏈烷氧基, ② ー個(gè)或多個(gè)-CH2-被-0-、-COO-、-OOC-、-CH=CH-取代的①所示基團(tuán), ③ ー個(gè)或多個(gè)-H被-F、-Cl、-CH=CH2或-CH=CH-CH3取代的①所示基團(tuán);
      8. -種電光學(xué)顯不器,其特征在于,所述電光學(xué)顯不器包含權(quán)利要求3-6中任一所述 液晶介質(zhì)。
      【專利摘要】本發(fā)明涉及包含結(jié)構(gòu)式Ⅰ的負(fù)介電液晶化合物,和涉及包括結(jié)構(gòu)式Ⅰ的至少一種化合物的液晶介質(zhì),和涉及含有這一類型的液晶介質(zhì)的電光學(xué)顯示器。此類化合物具有高的負(fù)介電、較大的K值,較低的旋轉(zhuǎn)粘度,適用于快速響應(yīng)VA液晶,尤其適用于VA-TFT,VA-IPS液晶顯示。
      【IPC分類】G02F1-1333, C07C43-225, C07C41-30, C09K19-44, C09K19-30, C09K19-46
      【公開號(hào)】CN104628541
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510064885
      【發(fā)明人】孟勁松, 員國(guó)良, 豐景義, 溫剛, 高紅茹
      【申請(qǐng)人】石家莊誠志永華顯示材料有限公司
      【公開日】2015年5月20日
      【申請(qǐng)日】2015年2月9日
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