二駿基苯基）_1_苯基-2, 2, 2-二氣乙燒二酐；2, 2-二[4-(3, 4-二駿基 苯氧基）苯基]六氣丙烷二酐；1，1_二[4- (3, 4-二駿基苯氧基）苯基]-1-苯基-2, 2, 2-二 氟乙烷二酐；和4, 4' -二[2-(3, 4-二羧基苯基）六氟異丙基]二苯基醚二酐。
[0101] 由化學(xué)式3表示的二胺化合物可包括選自如下的一種或多種：間苯二胺；對(duì)苯二 胺；1，3-二（4-氨基苯基）丙烷；2, 2-二（4-氨基苯基）丙烷；4, 4' -二氨基-二苯基甲 烷；1，2-二（4-氨基苯基）乙烷；1，1-二（4-氨基苯基）乙烷；2, 2' -二氨基-二乙基硫 釀；二（4-氨基苯基）硫釀；2, 4' -二氨基-二苯基硫釀；二（3-氨基苯基）諷；二（4-氨 基苯基）諷；4, 4' -二氨基-二芐基亞諷；二（4-氨基苯基）釀；二（3-氨基苯基）釀；二 (4-氨基苯基）二乙基硅烷；二（4-氨基苯基）二苯基硅烷；二（4-氨基苯基）乙基膦氧化 物；二（4-氨基苯基）苯基膦氧化物；二（4-氨基苯基）-N-苯基胺；二（4-氨基苯基）-N-甲 基胺；1，2-二氨基-萘；1，4-二氨基-萘；1，5-二氨基-萘；1，6-二氨基-萘；1，7-二氨 基-萘；1，8-二氨基-萘；2, 3-二氨基-萘；2, 6-二氨基-萘；1，4-二氨基-2-甲基-萘； 1，5-二氨基-2-甲基-萘；1，3-二氨基_2_苯基-萘；4, 4' -二氨基-聯(lián)苯；3, 3' -二氨 基-聯(lián)苯；3, 3' -二氯-4, 4' -二氨基-聯(lián)苯；3, 3' -二甲基-4, 4' -二氨基-聯(lián)苯；3, 4'-二 甲基-4, 4' -二氨基-聯(lián)苯；3, 3' -二甲氧基-4, 4' -二氨基-聯(lián)苯；4, 4' -二（4-氨基苯氧 基）_聯(lián)苯；2, 4-二氨基-甲苯；2, 5-二氨基-甲苯；2, 6-二氨基-甲苯；3, 5-二氨基-甲 苯；1，3-二氨基-2, 5-二氯-苯；1，4-二氨基-2, 5-二氯-苯；1-甲氧基-2, 4-二氨基-苯； 1，4-二氨基-2-甲氧基-5-甲基-苯；1，4-二氨基-2, 3, 5, 6-四甲基-苯；1，4-二（2-甲 基-4-氨基-戊基）_苯；1，4-二（1，1-二甲基-5-氨基-戊基）-苯；1，4-二（4-氨基苯 氧基）-苯；鄰-苯二甲二胺；間-苯二甲二胺；對(duì)-苯二甲二胺；3, 3' -二氨基-二苯甲酮； 4, 4' -二氨基-二苯甲酮；2, 6-二氨基-R比啶；3, 5-二氨基-R比啶；1，3-二氨基-金剛燒； 二[2_(3_氨基苯基）六氣異丙基]二苯基釀；3, 3' -二氨基-1，Γ -二金剛燒；N-(3-氨基 苯基）-4_氨基苯甲酰胺；3-氨基苯甲酸4-氨基苯酯；2, 2-二（4-氨基苯基）六氟丙烷； 2, 2-二（3-氨基苯基）六氣丙烷；2- (3-氨基苯基）_2_ (4-氨基苯基）六氣丙烷；2, 2-二
[4- (4-氨基苯氧基）苯基]六氟丙烷；2, 2-二[4- (2-氯-4-氨基苯氧基）苯基]六氟丙 燒；1，1-二（4-氨基苯基）_1_苯基-2, 2, 2-二氣乙燒；1，1-二[4-(4-氨基苯氧基）苯 基]-1-苯基-2, 2, 2-二氣乙燒；1，4-二（3-氨基苯基）丁 -1-稀_3_塊；1，3-二（3-氨基 苯基）六氟丙烷；1，5-二（3-氨基苯基）十氟戊燒；和4, 4'-二[2- (4-氨基苯氧基苯基） 六氟異丙基]二苯基醚，二氨基環(huán)己烷，二環(huán)己基二胺，4, 4'-二氨基環(huán)己基甲烷（4, 4'-二 氨基二環(huán)己基甲烷），和二氨基芴。
[0102] 由化學(xué)式4表示的羥基二胺化合物可為選自如下的一種或多種：3, 3' -二羥基聯(lián) 苯胺；3, 4' -二氨基-3'，4-二羥基聯(lián)苯；3, 3' -二氨基-4, 4' -二羥基聯(lián)苯；3, 3' -二輕 基-4, 4'-二氨基二苯基釀；3, 3'-二羥基-4, 4'-二氨基二苯基諷；二（3-氨基_4_羥基苯 基）諷；2, 2-二-(3-氨基-4-羥基苯基）丙烷；二-(3-羥基-4-氨基苯基）甲燒；4, 6-二 氨基間苯二酚；3, 3' -二羥基-4, 4' -二氨基二苯甲酮；1，1-二-(3-羥基-4-氨基苯基） 乙燒；1，3-二-(3-羥基_4_氨基苯基）丙烷；2, 2-二-(3-羥基_4_氨基苯基）丙烷；和 2, 2-二-(3-氨基_4_羥基苯基）六氣丙烷。
[0103] 由化學(xué)式2表示的四羧酸二酐化合物對(duì)由化學(xué)式3表示的二胺化合物和由化學(xué)式 4表示的羥基二胺化合物的摩爾比率可為約0. 9-約1. 1。
[0104] 由化學(xué)式4表示的羥基二胺化合物相對(duì)于由化學(xué)式4表示的羥基二胺化合物和由 化學(xué)式3表示的二胺化合物的摩爾比率可小于約0. 01。
[0105] 所述縮聚可通過(guò)將所述組合物在約0-約100°C的溫度下、在需要時(shí)在惰性氣體氣 氛下攪拌而進(jìn)行。
[0106] 所述酰亞胺化可通過(guò)化學(xué)酰亞胺化或熱酰亞胺化進(jìn)行。
[0107] 所述熱處理可在約50-約500°C的溫度下、在需要時(shí)在惰性氣體氣氛下進(jìn)行。
[0108] 所述熱處理可在大于或等于350°C且小于或等于450°C的溫度下進(jìn)行。
[0109] 在另一實(shí)施方式中，所述電子器件可包括所述透明膜。
[0110] 所述電子器件可為平板顯示器、觸摸屏面板、太陽(yáng)能電池、電子視窗、熱鏡、透明晶 體管、柔性顯示器、互補(bǔ)金屬氧化物膜半導(dǎo)體傳感器、或者發(fā)光二極管發(fā)光體（燈，light)。
[0111] 在另一實(shí)施方式中，提供包括由化學(xué)式5表示的聚酰胺酸的組合物：
[0112] 化學(xué)式5
[0114] 其中在化學(xué)式5中，
[0115] 各4彼此相同或不同，并且獨(dú)立地為取代或未取代的四價(jià)C6-C24脂族環(huán)基團(tuán)、取 代或未取代的四價(jià)C6-C24芳族環(huán)基團(tuán)、或者取代或未取代的四價(jià)C4-C24雜芳族環(huán)基團(tuán)， 其中在所述脂族環(huán)基團(tuán)、所述芳族環(huán)基團(tuán)、或者所述雜芳族環(huán)基團(tuán)中，環(huán)是單獨(dú)存在的；兩 個(gè)或更多個(gè)環(huán)彼此稠合以提供稠環(huán)體系；或者兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)通過(guò)單鍵、-〇-、-s-、-C(= 0)-、-CH(OH)-、-S( = 0)2_、-Si(CH3)2-、（CH2) P(其中 1 彡 p 彡 10)、（CF2)q(其中 1 < q < 10)、-CR2-(其中R獨(dú)立地為氫、C1-C10脂族烴基、C6-C20芳族烴基、或者C6-C20 脂環(huán)族烴基）、-C (CF3) 2_、-C (CF3) (C6H5)-、或者-C ( = 0) NH-連接，
[0116] A2'為選自以下化學(xué)式的含羥基的基團(tuán)：
[0118] 其中在所述化學(xué)式中，
[0119] 各L彼此相同或者不同，并且獨(dú)立地為單鍵、-〇-、-S-、_C ( = 0) -、_CH(0H) -、_S (= 0)2-、-Si(CH3)2-、（CH2) P (其中 1 彡p 彡 10)、（CF2)q (其中 1 彡 q彡 10)、-CR2_(其中 R 獨(dú)立 地為氫、C1-C10脂族烴基、C6-C20芳族烴基、或者C6-C20脂環(huán)族烴基）、-C(CF3)2-、-C(CF 3) (〇^5)-、或者-(：(=0)順-，
[0120] *為所述殘基與相鄰原子連接的點(diǎn)，和
[0121] -OH取代基位于所述殘基與相鄰原子連接的點(diǎn)的鄰位，
[0122] 六3為取代或未取代的二價(jià)C6-C24脂族環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的二價(jià)C6-C24芳 族環(huán)基團(tuán)、或者取代或未取代的二價(jià)C4-C24雜芳族環(huán)基團(tuán)，其中在所述脂族環(huán)基團(tuán)、所 述芳族環(huán)基團(tuán)、或者所述雜芳族環(huán)基團(tuán)中，環(huán)是單獨(dú)存在的；兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)彼此稠合以 提供稠環(huán)體系；或者兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)通過(guò)單鍵、-〇_、-S-、_C( = 0)-、-CH(OH)-、-S(= 0)2-、-Si(CH3)2-、（CH2) P (其中 1 彡p 彡 10)、（CF2)q (其中 1 彡 q彡 10)、-CR2_(其中 R 獨(dú)立 地為氫、C1-C10脂族烴基、C6-C20芳族烴基、或者C6-C20脂環(huán)族烴基）、-C(CF3)2-、-C(CF 3) (C6H5)-、或者-C ( = 0) NH-連接，
[0123] m和η為表示酰亞胺結(jié)構(gòu)單元和苯并唑結(jié)構(gòu)單元的摩爾比率的實(shí)數(shù)，條件是η 與m之比大于約0且小于約0. 01。
[0124] 在另一實(shí)施方式中，提供包括由化學(xué)式6表示的聚酰亞胺的組合物：
[0125] 化學(xué)式6
[0126]
[0127] 其中在化學(xué)式6中，
[0128] 各&彼此相同或不同，并且獨(dú)立地為取代或未取代的四價(jià)C6-C24脂族環(huán)基團(tuán)、取 代或未取代的四價(jià)C6-C24芳族環(huán)基團(tuán)、或者取代或未取代的四價(jià)C4-C24雜芳族環(huán)基團(tuán)， 其中在所述脂族環(huán)基團(tuán)、所述芳族環(huán)基團(tuán)、或者所述雜芳族環(huán)基團(tuán)中，環(huán)是單獨(dú)存在的；兩 個(gè)或更多個(gè)環(huán)彼此稠合以提供稠環(huán)體系；或者兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)通過(guò)單鍵、-〇-、-s-、-C(= 0)-、-CH(OH)-、-S( = 0)2_、-Si(CH3)2-、（CH2) P(其中 1 彡 p 彡 10)、（CF2)q(其中 1 < q < 10)、-CR2-(其中R獨(dú)立地為氫、C1-C10脂族烴基、C6-C20芳族烴基、或者C6-C20 脂環(huán)族烴基）、-C (CF3) 2_、-C (CF3) (C6H5)-、或者-C ( = 0) NH-連接，
[0129] A2'為選自以下化學(xué)式的含羥基的基團(tuán)：
[0131] 其中在所述化學(xué)式中，
[0132] 各L彼此相同或者不同，并且獨(dú)立地為單鍵、-〇-、-S-、_C ( = 0) -、_CH(0H) -、_S (= 0)2-、-Si(CH3)2-、（CH2) P (其中 1 彡p 彡 10)、（CF2)q (其中 1 彡 q彡 10)、-CR2_(其中 R 獨(dú)立 地為氫、C1-C10脂族烴基、C6-C20芳族烴基、或者C6-C20脂環(huán)族烴基）、-C(CF3)2-、-C(CF 3) (〇^5)-、或者-(：(=0)順-，
[0133] *為所述殘基與相鄰原子連接的點(diǎn)，和
[0134] -OH取代基位于所述殘基與相鄰原子連接的點(diǎn)的鄰位，
[0135] 六3為取代或未取代的二價(jià)C6-C24脂族環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的二價(jià)C6-C24芳 族環(huán)基團(tuán)、或者取代或未取代的二價(jià)C4-C24雜芳族環(huán)基團(tuán)，其中在所述脂族環(huán)基團(tuán)、所 述芳族環(huán)基團(tuán)、或者所述雜芳族環(huán)基團(tuán)中，環(huán)是單獨(dú)存在的；兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)彼此稠合以 提供稠環(huán)體系；或者兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)通過(guò)單鍵、-〇-、-S-、-c( = 0)-、-CH(OH)-、-s(= 0)2-、-Si(CH3)2-、（CH2) P (其中 1 彡p 彡 10)、（CF2)q (其中 1 彡 q彡 10)、-CR2_(其中 R 獨(dú)立 地為氫、C1-C10脂族烴基、C6-C20芳族烴基、或者C6-C20脂環(huán)族烴基）、-C(CF3)2-、-C(CF 3) (C6H5)-、或者-C ( = 0) NH-連接，
[0136] m和η為表示酰亞胺結(jié)構(gòu)單元和苯并唑結(jié)構(gòu)單元的摩爾比率的實(shí)數(shù)，條件是η 與m之比大于約0且小于約0. 01。
[0137] 在前述實(shí)施方式中，提供具有改善的熱性質(zhì)（例如，低的熱膨脹系數(shù)）的聚合物膜 變成可能的。這樣的聚合物膜可在用于LED、半導(dǎo)體傳感器等的制造的柔性基底和各種保護(hù) 膜中找到其用途。
【附圖說(shuō)明】
[0138] 通過(guò)參照附圖更詳細(xì)地描述本公開內(nèi)容的示例性實(shí)施方式，本公開內(nèi)容的以上和 其它方面、優(yōu)點(diǎn)和特征將變得更明晰，其中：
[0139] 圖1為顯示實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1和實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3的結(jié)果的在430納米處的透射率和熱膨 脹系數(shù)（CTE)(百萬(wàn)分率/攝氏度，ppm/°C )對(duì)2, 2-二（3-氨基-4-羥基苯基）六氟丙烷 (Bis-APAF)的量（摩爾百分?jǐn)?shù)，mol% )的圖；
[0140] 圖2顯示在Si氧化物沉積膜的形成實(shí)驗(yàn)中在膜1、膜2和膜3、以及實(shí)施例1-3的 膜上形成的硅氧化物沉積膜的掃描電子顯微鏡（SEM)圖像；和
[0141] 圖3顯示在Si氧化物沉積膜的形成實(shí)驗(yàn)中在實(shí)施例4-6的膜上形成的硅氧化物 沉積膜的掃描電子顯微鏡（SEM)圖像。
【具體實(shí)施方式】
[0142] 下文中，詳細(xì)地描述示例性實(shí)施方式，并且其可由具有相關(guān)領(lǐng)域中的普通知識(shí)的 人員容易地實(shí)施。然而，這些實(shí)施方式是示例性的，并且本公開內(nèi)容不限于此。
[0143] 因此，以下僅通過(guò)參照附圖描述實(shí)施方式，以說(shuō)明本描述的方面。如本文中使用 的，術(shù)語(yǔ)"和/或"包括相關(guān)列舉項(xiàng)目的一個(gè)或多個(gè)的任意和全部組合。術(shù)語(yǔ)"或"意味著 "和/或"。表述例如的至少一個(gè)（種）"在位于要素列表之前或之后時(shí)修飾整個(gè)要素 列表而不是修飾該列表的單獨(dú)要素。
[0144] 將理解，當(dāng)一個(gè)元件被稱為"在"另外的元件"上"時(shí)，其可直接在所述另外的元件 上，或者其間可存在中間元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱為"直接在"另外的元件"上"時(shí)，則 不存在中間元件。
[0145] 將理解，盡管術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等可用在本文中描述各種元件、部件（組分）、 區(qū)域、層和/或部分（截面），但是這些元件、部件（組分）、區(qū)域、層和/或部分（截面）不 應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、部件（組分）、區(qū)域、層或部分（截面）與 另外的元件、部件（組分）、區(qū)域、層或部分（截面）區(qū)分開。因此，在不背離本實(shí)施方式的 教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、部件（組分）、區(qū)域、層或部分（截面）可稱為第二元 件、部件（組分）、區(qū)域、層或部分（截面）。
[0146] 本文中所使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述【具體實(shí)施方式】的目的，而不意圖為限制性的。如 本文中使用的，單數(shù)形式"一個(gè)（種）（a，an)"和"該（所述）"也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非 上下文清楚地另外指明。術(shù)語(yǔ)"或"意味著"和/或"。術(shù)語(yǔ)"和/或"包括相關(guān)列舉項(xiàng)目的 一個(gè)或多個(gè)的任意和全部組合。表述例如的至少一個(gè)（種）"在位于要素列表之前或 之后時(shí)修飾整個(gè)要素列表而不是修飾該列表的單獨(dú)要素。
[0147] 將進(jìn)一步理解，當(dāng)用在本說(shuō)明書中時(shí)，術(shù)語(yǔ)"包括"和/或"包含"、或者"含有"和 /或"含"表明存在所陳述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或部件（組分），但是不 排除存在或增加一個(gè)或多個(gè)其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、部件（組分）、和/或其 集合。
[0148] 如本文中使用的"約"或"大約"包括所陳述的值并且意味著在如本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員考慮到所討論的測(cè)量以及與具體量的測(cè)量有關(guān)的誤差（即，測(cè)量系統(tǒng)的限制）而確定 的對(duì)于具體值的可接受的偏差范圍內(nèi)。
[0149] 除非另外定義，在本文中所使用的所有術(shù)語(yǔ)（包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)）的含義與該 總體發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同。將進(jìn)一步理解，術(shù)語(yǔ)例如在 常用詞典中定義的那些應(yīng)被解釋具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域和本公開內(nèi)容的背景中的含義一 致的含義，并且將不以理想化或過(guò)度形式的意義進(jìn)行解釋，除非在本文中清楚地如此定義。
[0150] 在本文中參照作為理想化實(shí)施方式的示意圖的橫截面圖描述示例性實(shí)施方式。照 這樣，將預(yù)計(jì)到由于例如制造技術(shù)和/或公差導(dǎo)致的與圖示形狀的偏差。因此，本文中所描 述的實(shí)施方式不應(yīng)解釋為局限于本文中圖示的區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造導(dǎo)致 的形狀方面的偏差。例如，圖示或者描述為平的區(qū)域可典型地具有粗糙的或非線性的特征。 此外，所圖示的尖銳的角可為圓形的。因而，圖中所示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，并且它 們的形狀不意圖圖示區(qū)域的精確形狀，并且不意圖限制本權(quán)利要求的范圍。
[0151] 如本文中使用的"混合物"涵蓋包括共混物、合金、溶液等在內(nèi)的所有類型的組合。
[0152] 當(dāng)未另外提供定義時(shí)，如本文中使用的術(shù)語(yǔ)"取代（的）"指的是用選自如下的 至少一種取代基代替所給出的官能團(tuán)的至少一個(gè)氫而進(jìn)行取代：鹵素（-F、-Cl、-Br、或 者-I);羥基；硝基；氰基；氨基（NH2、NH(R1Q°)、或 N(R1Q1) (R1。2)，其中 R1Q°、R1Q1、和 R1。2相同或 不同并且獨(dú)立地為C1-C10烷基）；脈基；餅基；腺基；駿基；酯基；酬基；取代或未取代的燒 基；取代或未取代的脂環(huán)族有機(jī)基團(tuán)（例如，環(huán)烷基）；取代或未取代的芳基（例如，芐基、 萘基、或者芴基）；取代或未取代的烯基；取代或未取代的炔基；取代或未取代的雜芳基；和 取代或未取代的雜環(huán)基；并且所述取代基可彼此連接以提供環(huán)。
[0153] 當(dāng)未另外提供定義時(shí)，如本文中使用的術(shù)語(yǔ)"烷基"指的是C1-C30烷基、并且特別 是C1-C15烷基，術(shù)語(yǔ)"環(huán)烷基"指的是C3-C30環(huán)烷基、并且特別是C3-C18環(huán)烷基，術(shù)語(yǔ)"烷 氧基"指的是C1-C30烷氧基、并且特別是C1-C