樹脂組合物、制造樹脂組合物的方法、基底、制造電子裝置的方法和電子裝置的制造方法
【專利摘要】提供了能夠用于制造包括具有優(yōu)異顯示特性的透明樹脂膜的電子裝置的樹脂組合物和基底、制造這樣的樹脂組合物的方法和使用這樣的基底制造電子裝置的方法、以及所述電子裝置。本發(fā)明的樹脂組合物包含芳香族聚酰胺、具有兩個(gè)或更多個(gè)官能團(tuán)(包括羧基或氨基)的芳香族多官能化合物、以及溶解所述芳香族聚酰胺的溶劑。
【專利說明】
樹脂組合物、制造樹脂組合物的方法、基底、制造電子裝置的 方法和電子裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及樹脂組合物、制造樹脂組合物的方法、基底、制造電子裝置的方法和電 子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 在顯示裝置（電子裝置)如有機(jī)EL(電致發(fā)光）顯示裝置和液晶顯示裝置中，用于顯 示裝置的基底需要具有透明性。因此，已知使用透明樹脂膜作為顯示裝置中使用的基底(例 如，專利文獻(xiàn)1)。
[0003] 用作基底的透明樹脂膜通常具有柔性(柔軟特性）。因此，首先使透明樹脂膜在板 狀基體構(gòu)件的第一表面上形成(成膜），然后使待設(shè)置在顯示裝置中的每個(gè)元件在該透明樹 脂膜上形成。最后，通過從基體構(gòu)件上剝離透明樹脂膜，可以制造出包括透明樹脂膜和元件 的顯示裝置。
[0004]在制造這樣的顯示裝置的方法中，從基體構(gòu)件上剝離透明樹脂膜通過用光如激光 從基體構(gòu)件的第二表面的一側(cè)照射透明樹脂膜來實(shí)現(xiàn)，所述第二表面與其上設(shè)置有透明樹 脂膜的第一表面相對(duì)。光的照射導(dǎo)致透明樹脂膜在基體構(gòu)件與透明樹脂膜之間的界面處從 基體構(gòu)件上剝離。
[0005] 如上所述，待設(shè)置在顯示裝置中的每個(gè)元件形成在透明樹脂膜上。在形成每個(gè)元 件時(shí)，使用包含溶劑的液體材料。在透明樹脂膜上形成每個(gè)元件的方法可包括以下步驟:通 過將液體材料供應(yīng)到透明樹脂膜上形成顯示裝置的每個(gè)元件的至少一部分，然后干燥透明 樹脂上的液體材料。
[0006] 因此，根據(jù)液體材料中包含的溶劑的種類，透明樹脂膜的構(gòu)成材料通過將液體材 料供應(yīng)到透明樹脂膜上而改變或劣化。由于透明樹脂膜的構(gòu)成材料的改變或劣化，所以出 現(xiàn)了對(duì)顯示裝置的顯示特性產(chǎn)生不利影響的問題。
[0007] 引用列表
[0008] 專利文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn) 1:W0 2004/039863

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本發(fā)明的一個(gè)目的是提供能夠用于制造包括具有優(yōu)異顯示特性的透明樹脂膜的 電子裝置的樹脂組合物和基底。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供制造這樣的樹脂組合物的方 法、使用這樣的基底制造電子裝置的方法和所述電子裝置。
[0011] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明包括以下特征（1)至(25)。
[0012 ](1) -種樹脂組合物，包含：
[0013] 芳香族聚酰胺；
[0014] 芳香族多官能化合物，其具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)；和
[0015] 溶解所述芳香族聚酰胺的溶劑。
[0016] (2)在根據(jù)本發(fā)明的上述樹脂組合物中，優(yōu)選的是，所述芳香族多官能化合物的每 個(gè)官能團(tuán)是羧基。
[0017] (3)在根據(jù)本發(fā)明的上述樹脂組合物中，還優(yōu)選的是，所述芳香族多官能化合物選 自由以下通式(A)至(C)表示的化合物：
[0019] 其中r = l或2，p = 3或4，q = 2或3，1^、1?2、1?3、1?4和1^各自選自氫原子、鹵素(氟原子、 氣原子、漠原子和鵬原子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、 經(jīng)取代的烷氧基如鹵代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基 酯基、及其組合，并且Gi選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF 3)2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)(X表示 鹵素原子）、C0基團(tuán)、氧原子、硫原子、S02基團(tuán)、Si(CH3)2基團(tuán)、9,9-芴基、經(jīng)取代的9,9-芴基 和0Z0基團(tuán)（Z表示芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9，9-雙苯基芴基和 經(jīng)取代的9,9-雙苯基芴基）。
[0020] (4)在根據(jù)本發(fā)明的上述樹脂組合物中，還優(yōu)選的是，所述芳香族多官能化合物是 苯均三酸。
[0021] (5)在根據(jù)本發(fā)明的上述樹脂組合物中，還優(yōu)選的是，所述芳香族聚酰胺是全芳香 族聚酰胺。
[0022] (6)在根據(jù)本發(fā)明的上述樹脂組合物中，還優(yōu)選的是，所述芳香族聚酰胺具有由以 下通式（I)表示的重復(fù)單元：
[0024]其中X是1或更大的整數(shù)，An由以下通式(II)、（III)或（IV)表示：
[0026](其中卩=4;9 = 3;1?1、1?2、1?3、1?4和1?5各自選自氫原子、|^素原子(氟原子、氯原子、溴 原子和鵬原子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取代的 烷氧基如鹵代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、及其 組合；并且Gi選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF 3)2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)（X表示鹵素原 子）、C0基團(tuán)、氧原子、硫原子、S〇2基團(tuán)、Si(CH3)2基團(tuán)、9,9-芴基、經(jīng)取代的9,9-芴基和020基 團(tuán)（Z表示芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9,9_雙苯基芴基和經(jīng)取代 的9,9_雙苯基芴基）），并且Ar2由以下通式(V)或(VI)表示：
[0028](其中p = 4 ;R6、R7和R8各自選自氫原子、lif素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、及其組合;并且 G2選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF3) 2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)（X表示鹵素原子）、C0基團(tuán)、 氧原子、硫原子、S〇2基團(tuán)、Si (CH3)2基團(tuán)、9，9-芴基、經(jīng)取代的9，9-芴基和0Z0基團(tuán)（Z表示芳 基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9，9_雙苯基芴基和經(jīng)取代的9，9_雙苯 基芴基））。
[0029] (7)在根據(jù)本發(fā)明的上述樹脂組合物中，還優(yōu)選的是，所述樹脂組合物用于形成 層，并且所述層在355nm波長(zhǎng)下的總透光率為10%或更小。
[0030] (8)在根據(jù)本發(fā)明的上述樹脂組合物中，還優(yōu)選的是，所述芳香族聚酰胺包含萘結(jié) 構(gòu)。
[0031] (9)在根據(jù)本發(fā)明的上述基底中，優(yōu)選的是，所述芳香族聚酰胺的至少一個(gè)末端是 封端的。
[0032] (10)在根據(jù)本發(fā)明的上述基底中，還優(yōu)選的是，所述溶劑是極性溶劑。
[0033] (11)在根據(jù)本發(fā)明的上述基底中，還優(yōu)選的是，所述溶劑是有機(jī)溶劑和/或無機(jī)溶 劑。
[0034] (12)在根據(jù)本發(fā)明的上述基底中，還優(yōu)選的是，所述樹脂組合物還包含無機(jī)填料。
[0035] (13)-種制造樹脂組合物的方法，包括：
[0036] 將一種或更多種芳香族二胺與溶劑混合以獲得混合物；
[0037] 通過向所述混合物中添加芳香族二酸二氯使所述芳香族二酸二氯與所述芳香族 二胺反應(yīng)以產(chǎn)生包含芳香族聚酰胺和鹽酸的溶液；
[0038] 從所述溶液中除去所述鹽酸；以及
[0039]向所述溶液中添加具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能 化合物以制造所述樹脂組合物。
[0040] (14) -種用于在其上形成電子元件的基底，包括：
[0041 ]板狀基體構(gòu)件，其具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面;和
[0042] 電子元件形成層，其設(shè)置在基體構(gòu)件的第一表面的一側(cè)并且構(gòu)造成能夠在所述電 子元件形成層上形成所述電子元件，
[0043] 其中所述電子元件形成層包含通過使芳香族聚酰胺與具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧 基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合物反應(yīng)獲得的反應(yīng)物。
[0044] (15)在根據(jù)本發(fā)明的上述基底中，優(yōu)選的是，所述電子元件形成層具有耐溶劑性。
[0045] (16)在根據(jù)本發(fā)明的上述基底中，還優(yōu)選的是，所述電子元件形成層的熱膨脹系 數(shù)(CTE)為1 OOppm/Κ或更小。
[0046] (17)在根據(jù)本發(fā)明的上述基底中，還優(yōu)選的是，所述電子元件形成層的平均厚度 在1微米至50微米的范圍內(nèi)。
[0047] (18)在根據(jù)本發(fā)明的上述基底中，還優(yōu)選的是，所述電子元件是有機(jī)EL元件。
[0048] (19) 一種制造電子裝置的方法，包括：
[0049] 制備基底，所述基底包括：
[0050] 板狀基體構(gòu)件，其具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，和
[0051] 電子元件形成層，其設(shè)置在所述基體構(gòu)件的所述第一表面的一側(cè)，
[0052]其中所述電子元件形成層包含通過使芳香族聚酰胺與具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧 基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合物反應(yīng)獲得的反應(yīng)物；
[0053] 在所述電子元件形成層的與所述基體構(gòu)件相對(duì)的表面上形成所述電子元件；
[0054] 形成覆蓋層以覆蓋所述電子元件；
[0055] 用光照射所述電子元件形成層，由此在所述基體構(gòu)件與所述電子元件形成層之間 的界面處使所述電子元件形成層從所述基體構(gòu)件上剝離；以及
[0056] 將包括所述電子元件、所述覆蓋層和所述電子元件形成層的電子裝置與所述基體 構(gòu)件分離。
[0057] (20)在根據(jù)本發(fā)明的上述制造電子裝置的方法中，優(yōu)選的是，所述電子元件形成 層具有耐溶劑性。
[0058] (21)在根據(jù)本發(fā)明的上述制造電子裝置的方法中，還優(yōu)選的是，所述電子元件形 成層的熱膨脹系數(shù)(CTE)為1 OOppm/Κ或更小。
[0059] (22)在根據(jù)本發(fā)明的上述制造電子裝置的方法中，還優(yōu)選的是，所述電子元件形 成層的平均厚度在1微米至50微米的范圍內(nèi)。
[0060] (23)在根據(jù)本發(fā)明的上述制造電子裝置的方法中，還優(yōu)選的是，所述芳香族多官 能化合物選自由以下通式(A)至(C)表示的化合物：
[0062] 其中r = l或2，p = 3或4，q = 2或3，心、1?2、1?3、1?4和1^各自選自氫原子、鹵素(氟原子、 氣原子、漠原子和鵬原子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、 經(jīng)取代的烷氧基如鹵代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基 酯基、及其組合，并且Gi選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF 3)2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)(X表示 鹵素原子）、C0基團(tuán)、氧原子、硫原子、S02基團(tuán)、Si(CH3)2基團(tuán)、9,9-芴基、經(jīng)取代的9,9-芴基 和0Z0基團(tuán)（Z表示芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9，9-雙苯基芴基和 經(jīng)取代的9,9-雙苯基芴基）。
[0063] (24)在根據(jù)本發(fā)明的上述制造電子裝置的方法中，還優(yōu)選的是，所述芳香族聚酰 胺具有由以下通式(I)表示的重復(fù)單元：
[0065]其中X是1或更大的整數(shù)，An由以下通式(II)、（III)或（IV)表示：
[0067](其中卩=4;9 = 3;1?1、1?2、1?3、1?4和1?5各自選自氫原子、|^素原子(氟原子、氯原子、溴 原子和鵬原子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取代的 烷氧基如鹵代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、及其 組合；并且Gi選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF 3)2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)（X表示鹵素原 子）、C0基團(tuán)、氧原子、硫原子、S〇2基團(tuán)、Si(CH3)2基團(tuán)、9,9-芴基、經(jīng)取代的9,9-芴基和020基 團(tuán)（Z表示芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9,9_雙苯基芴基和經(jīng)取代 的9,9_雙苯基芴基）），并且Ar2由以下通式(V)或(VI)表示：
[0069](其中p = 4 ;R6、R7和R8各自選自氫原子、lif素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、及其組合;并且 G2選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF3) 2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)（X表示鹵素原子）、C0基團(tuán)、 氧原子、硫原子、S〇2基團(tuán)、Si (CH3)2基團(tuán)、9，9-芴基、經(jīng)取代的9，9-芴基和0Z0基團(tuán)（Z表示芳 基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9，9_雙苯基芴基和經(jīng)取代的9，9_雙苯 基芴基））。
[0070] (25)-種電子裝置，其通過使用根據(jù)本發(fā)明的上述制造電子裝置的方法制造。
[0071] 根據(jù)本發(fā)明，通過使用樹脂組合物可以形成具有優(yōu)異耐溶劑性的層，所述樹脂組 合物包含芳香族聚酰胺、具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合 物、以及溶解所述芳香族聚酰胺的溶劑。通過使用樹脂組合物形成的該層被用作設(shè)置在電 子裝置中的電子元件形成層。將電子元件形成層設(shè)置在基體構(gòu)件的第一表面上以與基體構(gòu) 件接觸。此外，待設(shè)置在電子裝置中的每個(gè)元件通過使用包含溶劑的液體材料形成在電子 元件形成層上。通過使用由本發(fā)明的樹脂組合物形成的層作為電子元件形成層，可以適當(dāng) 地防止或抑制由液體材料中包含的溶劑與電子元件形成層接觸引起的電子元件形成層的 改變或劣化。因此，可以可靠地防止顯示裝置的顯示特性通過液體材料中包含的溶劑與電 子元件形成層接觸受到不利影響。
【附圖說明】
[0072] [圖1]圖1是示出通過應(yīng)用本發(fā)明的制造電子裝置的方法作為制造有機(jī)電致發(fā)光 顯示裝置的方法所制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一個(gè)實(shí)施方案的垂直截面圖。
[0073] [圖2]圖2是示出通過應(yīng)用本發(fā)明的制造電子裝置的方法所制造的傳感器元件的 一個(gè)實(shí)施方案的截面圖。
[0074] [圖3]圖3是說明制造圖1所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置或圖2所示的傳感器元件 的方法(制造本發(fā)明的電子裝置的方法)的垂直截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0075] 下文中，基于附圖中所示的優(yōu)選實(shí)施方案，將對(duì)根據(jù)本發(fā)明的樹脂組合物、制造樹 脂組合物的方法、基底和制造電子裝置的方法進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0076] 首先，在描述根據(jù)本發(fā)明的樹脂組合物、制造樹脂組合物的方法、基底和制造電子 裝置的方法之前，將對(duì)通過使用本發(fā)明的制造電子裝置的方法所制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示 裝置(有機(jī)EL顯示裝置)和傳感器元件進(jìn)行描述。即，首先對(duì)有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置和傳感 器元件作為本發(fā)明電子裝置的實(shí)例進(jìn)行描述。
[0077]〈有機(jī)EL顯示裝置〉
[0078]首先，將對(duì)通過應(yīng)用本發(fā)明的制造電子裝置的方法所制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝 置進(jìn)行描述。圖1是示出通過應(yīng)用本發(fā)明的制造電子裝置的方法作為制造有機(jī)電致發(fā)光顯 示裝置的方法所制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一個(gè)實(shí)施方案的垂直截面圖。在以下描述 中，將圖1中的上側(cè)稱為"上"，將圖1中的下側(cè)稱為"下"。
[0079]圖1中所示的有機(jī)EL顯示裝置1包括由本發(fā)明的樹脂組合物形成的樹脂膜（電子元 件形成層)A、各自設(shè)置成對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素的發(fā)光元件C和用于分別驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件C的多個(gè)薄 膜晶體管B。
[0080] 在這一方面，應(yīng)注意在本實(shí)施方案中有機(jī)EL顯示裝置1是底部發(fā)射型顯示面板。當(dāng) 發(fā)光裝置C發(fā)射光時(shí)，底部發(fā)射型顯示面板可以允許所發(fā)射的光通過樹脂膜A透射至圖1中 的下側(cè)并且從有機(jī)EL顯示裝置1的下側(cè)提取。
[0081] 薄膜晶體管B設(shè)置在樹脂膜（電子元件形成層)A上以對(duì)應(yīng)于包括在有機(jī)EL顯示裝 置1中的多個(gè)發(fā)光元件C。在樹脂膜A上形成由絕緣材料構(gòu)造的平坦化層301以覆蓋每個(gè)薄膜 晶體管B。
[0082]每個(gè)薄膜晶體管B包括在樹脂膜A上形成的柵電極200、形成為覆蓋柵電極200的柵 絕緣層201、設(shè)置在柵絕緣層201上的源電極202和漏電極204、以及由氧化物半導(dǎo)體材料構(gòu) 造并在源電極202與漏電極204之間的溝道區(qū)中形成的半導(dǎo)體層203。
[0083] 氧化物半導(dǎo)體材料的實(shí)例包括含有以下的材料:至少一個(gè)氧原子(0)作為非金屬 元素(例如氮原子(N)和氧原子(0));硼原子(B)、硅原子(Si)、鍺原子(Ge)、砷原子(As)、銻 原子(Sb)、碲原子(Te)和釙原子(Po)中的至少一種作為類金屬元素；以及鋁原子(A1)、鋅原 子(Zn)、鎵原子(Ga)、錦原子(Cd)、銦原子(In)、錫原子(Sn)、萊原子(Hg)、銘原子(T1)、鉞原 子(Tb)和鉍原子(Bi)中的至少一種作為金屬元素。在這一方面，優(yōu)選的是非金屬元素是包 含氧原子(〇)和氮原子(N)的混合物。此外，優(yōu)選的是氧化物半導(dǎo)體材料包含銦原子(In)、錫 原子(Sn)、硅原子(Si)、氧原子(0)和氮原子(N)作為其主要組分。
[0084] 這種氧化物半導(dǎo)體材料的具體實(shí)例包括通過使金屬原材料(In203，Sn02)與絕緣原 材料(Si3N4)組合獲得的材料。
[0085]此外，發(fā)光元件(有機(jī)EL元件)C設(shè)置在平坦化層301上以分別對(duì)應(yīng)于薄膜晶體管B。 [0086] 在該實(shí)施方案中，每個(gè)發(fā)光元件C包括陽(yáng)極302和陰極306,并且還包括空穴傳輸層 303、發(fā)射層304和電子傳輸層305，其以這種順序從陽(yáng)極302起在陽(yáng)極302與陰極306之間層 合。
[0087]此外，每個(gè)發(fā)光元件C的陽(yáng)極302通過導(dǎo)電部件300與各自對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管B的漏 電極204電連接。
[0088]在包括具有這種構(gòu)造的多個(gè)發(fā)光元件C的有機(jī)EL顯示裝置1中，每個(gè)發(fā)光元件C的 發(fā)光亮度可以通過使用各自對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管B來控制。即，通過控制待施加至每個(gè)發(fā)光元 件C的電壓，可以控制每個(gè)發(fā)光裝置C的發(fā)光亮度。通過控制每個(gè)發(fā)光元件C的發(fā)光亮度，有 機(jī)EL顯示裝置1變得可以進(jìn)行全色顯示。此外，還可以通過同時(shí)由發(fā)光元件C同步地發(fā)射光 來進(jìn)行單色顯示。
[0089]此外，在該實(shí)施方案中，在每個(gè)發(fā)光元件C上形成密封基底400以覆蓋發(fā)光元件C。 這使得可以確保發(fā)光元件C的氣密性，由此能夠防止氧或水分滲透到發(fā)光元件C中。
[0090] 〈傳感器元件〉
[0091] 然后，將描述通過應(yīng)用本發(fā)明的制造電子裝置的方法所制造的傳感器元件。圖2是 示出通過應(yīng)用本發(fā)明的制造電子裝置方法所制造的傳感器元件的一個(gè)實(shí)施方案的截面圖。 在以下描述中，將圖2中的上側(cè)稱為"上"，將圖2中的下側(cè)稱為"下"。
[0092] 本發(fā)明的傳感器元件是，例如，可以用于輸入裝置的傳感器元件。在本公開內(nèi)容的 一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明的傳感器元件是包括由本發(fā)明的樹脂組合物形成的樹脂膜 (電子元件形成層)A的傳感器元件。在本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明的傳感 器元件是在基體構(gòu)件500上的樹脂膜A上形成的傳感器元件。在本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí) 施方案中，本發(fā)明的傳感器元件是可以從基體構(gòu)件500上剝離的傳感器元件。
[0093] 本發(fā)明的傳感器元件的實(shí)例包括：用于捕獲圖像的光學(xué)傳感器元件、用于傳感電 磁波的電磁傳感器元件、用于傳感輻射如X-射線的輻射傳感器元件、用于傳感磁場(chǎng)的磁傳 感器元件、用于傳感電容電荷變化的電容傳感器元件、用于傳感壓力變化的壓力傳感器元 件、觸摸傳感器元件和壓電傳感器元件。
[0094] 使用本發(fā)明的傳感器元件的輸入裝置的實(shí)例包括:使用輻射(X-射線)傳感器元件 的輻射(X-射線）成像裝置、使用光學(xué)傳感器元件的可見光成像裝置、使用磁傳感器元件的 磁傳感裝置、使用觸摸傳感器元件或壓力傳感器元件的觸摸面板、使用光學(xué)傳感器元件的 指紋驗(yàn)證裝置、以及使用壓電傳感器的發(fā)光裝置。使用本發(fā)明的傳感器元件的輸入裝置還 可具有輸出裝置的功能如顯不功能等。
[0095] 下文中，將描述包括光電二極管的光學(xué)傳感器元件作為本發(fā)明的傳感器元件的一 個(gè)實(shí)例。
[0096] 圖3中所示的傳感器元件10包括由本發(fā)明的樹脂組合物形成的樹脂膜（電子元件 形成層)A和設(shè)置在樹脂膜A上的多個(gè)像素電路11。
[0097] 在該傳感器元件10中，每個(gè)像素電路11包括光電二極管(光電轉(zhuǎn)換元件）11A和充 當(dāng)光電二極管11A的驅(qū)動(dòng)元件的薄膜晶體管(TFT) 11B。通過用每個(gè)光電二極管11A傳感穿過 樹脂膜A的光，傳感器元件10可以充當(dāng)光學(xué)傳感器元件。
[0098] 在樹脂膜A上設(shè)置有柵絕緣膜21。柵絕緣膜21由以下構(gòu)造:包括二氧化硅（Si02) 膜、氮氧化硅(SiON)膜和氮化硅(SiN)膜中的任一種的單層膜;或者包含這些膜中的兩個(gè)或 更多個(gè)的層合膜。在柵絕緣膜21上設(shè)置有第一間層絕緣膜12A。第一間層絕緣膜12A由二氧 化硅膜、氮化硅膜等構(gòu)造。該第一間層絕緣膜12A還可以充當(dāng)保護(hù)膜(鈍化膜）以覆蓋下述薄 膜晶體管11B的頂部。
[0099]光電二極管11A通過柵絕緣膜21和第一間層絕緣膜12A形成在樹脂膜A的選擇性區(qū) 域上。光電二極管11A包括:在第一間層絕緣膜12A上形成的下電極24、n-型半導(dǎo)體層25N、i- 型半導(dǎo)體層25I、p-型半導(dǎo)體層25P、上電極26和布線層27。下電極24、n-型半導(dǎo)體層25N、i- 型半導(dǎo)體層25I、p-型半導(dǎo)體層25P、上電極26和布線層27從第一間層絕緣膜12A側(cè)起以這種 順序?qū)雍稀?br>[0100]上電極26充當(dāng)用于在光電轉(zhuǎn)換期間向光電轉(zhuǎn)換層供應(yīng)，例如，參考電勢(shì)(偏電勢(shì)） 的電極。光電轉(zhuǎn)換層由η-型半導(dǎo)體層25N、i-型半導(dǎo)體層251和p-型半導(dǎo)體層25P構(gòu)造。上電 極26與充當(dāng)用于供應(yīng)參考電勢(shì)的電源供應(yīng)布線的布線層27連接。該上電極26由ΙΤ0(銦錫氧 化物)等的透明導(dǎo)電膜構(gòu)造。
[0101]薄膜晶體管11Β由例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)構(gòu)造。薄膜晶體管11Β包括柵電極20、柵 絕緣膜21、半導(dǎo)體膜22、源電極23S和漏電極23D。
[0102] 柵電極20由鈦(1^))1、10、鎢(1)、鉻(〇)等形成并在樹脂膜4上形成。柵絕緣膜21 在柵電極20上形成。半導(dǎo)體層22具有溝道區(qū)并且在柵絕緣膜21上形成。源電極23S和漏電極 23D在半導(dǎo)體膜22上形成。在該實(shí)施方案中，漏電極23D與光電二極管的下電極24連接并且 源電極23S與傳感器元件10的中繼電極28連接。
[0103] 此外，在該實(shí)施方案的傳感器元件10中，第二間層絕緣膜12Β、第一扁平膜13Α、保 護(hù)膜14和第二扁平膜13Β以這種順序?qū)雍显诠怆姸O管11Α和薄膜晶體管11Β上。此外，在第 一扁平膜13Α上形成開口 3以對(duì)應(yīng)于光電二極管11Α在其上形成的選擇性區(qū)域的附近。
[0104] 在具有這種構(gòu)造的傳感器元件10中，從外部透射至傳感器元件10中的光穿過樹脂 膜Α并到達(dá)光電二極管11Α。因此，可以傳感從外部透射至傳感器元件10中的光。
[0105] (制造有機(jī)EL顯示裝置1或傳感器元件10的方法）
[0106] 具有上述構(gòu)造的有機(jī)EL顯示裝置1或具有上述構(gòu)造的傳感器元件10通過，例如，使 用本發(fā)明的樹脂組合物如下制造。即，有機(jī)EL顯示裝置1或傳感器元件10可通過使用本發(fā)明 的制造電子裝置的方法來制造。
[0107] 圖3是說明制造圖1所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置或圖2所示的傳感器元件的方法 (本發(fā)明的制造電子裝置的方法）的垂直截面圖。在以下描述中，將圖3中的上側(cè)稱為"上"， 將圖3中的下側(cè)稱為"下"。
[0108] 首先，將對(duì)制造圖1所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置1的方法進(jìn)行描述。
[0109] [1]首先，制備基底(本發(fā)明的基底）。所述基底(本發(fā)明的基底)包括:板狀基體構(gòu) 件500,其具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面;和樹脂膜(電子元件形成層)A。在該 步驟中，將樹脂膜A設(shè)置在基體構(gòu)件500的第一表面的一側(cè)。
[0110] [1-A]首先，制備具有第一表面和第二表面并且具有透光性的基體構(gòu)件500。
[0111] 例如，將玻璃、金屬、硅酮、樹脂等用作用于基體構(gòu)件500的構(gòu)成材料。這些材料可 單獨(dú)使用或者適當(dāng)時(shí)以兩種或更多種的組合使用。
[0112] [ 1-B]然后，在基體構(gòu)件500的第一表面(一個(gè)表面)上形成樹脂膜A。因此，獲得包 括基體構(gòu)件500和樹脂膜A的基底(圖3中的層合復(fù)合材料）。
[0113] 本發(fā)明的樹脂組合物用于形成樹脂膜A。本發(fā)明的樹脂組合物包含芳香族聚酰胺、 具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合物、以及溶解所述芳香族 聚酰胺的溶劑。通過使用這樣的樹脂組合物，可以形成包含通過使芳香族聚酰胺與具有兩 個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合物反應(yīng)獲得的反應(yīng)物的樹脂膜 (電子元件形成層)A。
[0114] 形成樹脂膜A的方法的實(shí)例包括這樣的方法:其中通過使用圖3(A)所示的模涂法 將樹脂組合物(清漆)供應(yīng)(流延)在基體構(gòu)件500的第一表面上，然后將樹脂組合物干燥并 加熱(參照?qǐng)D3(B))。
[0115] 在這一方面，應(yīng)注意將樹脂組合物供應(yīng)在基體構(gòu)件500的第一表面上的方法不限 于模涂法。多種液相成膜法如噴墨法、旋涂法、棒涂法、輥涂法、線棒式涂覆法和浸涂法均可 以用作這種方法。
[0116]此外，如上所述，本發(fā)明的樹脂組合物包含:芳香族聚酰胺、具有兩個(gè)或更多個(gè)包 括羧基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合物、以及溶解所述芳香族聚酰胺的溶劑。通過 使用這樣的樹脂組合物，可以形成包含通過使芳香族聚酰胺與具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基 或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合物反應(yīng)獲得的反應(yīng)物的樹脂膜A。稍后將描述這種本 發(fā)明的樹脂組合物。
[0117] [2]然后，在設(shè)置在所獲得的基底中的樹脂膜A上形成薄膜晶體管B以對(duì)應(yīng)于待形 成的像素。此后，在樹脂膜A上形成平坦化層301以覆蓋每個(gè)薄膜晶體管B。
[0118] [2-A]首先，在樹脂膜A上形成每個(gè)薄膜晶體管B。
[0119] [2-Aa]首先，在樹脂膜A上形成導(dǎo)電膜。此后，通過對(duì)導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化處理形成 柵電極200。
[0120] 可通過用濺射法等將金屬材料例如鋁、鉭、鉬、鈦和鎢供應(yīng)至樹脂膜A上來進(jìn)行導(dǎo) 電膜在樹脂膜A上的形成?；蛘撸淇梢酝ㄟ^使用以下方法來進(jìn)行:濕鍍法如電鍍法、浸鍍法 和非電鍍法;或者利用液體材料的溶膠-凝膠法，其中將包含上述金屬材料的金屬基化合物 溶解或分散在溶劑或分散介質(zhì)中。
[0121] [2-Ab]然后，在樹脂膜A上形成柵絕緣層201以覆蓋柵電極200。
[0122] 該柵絕緣層201使用例如TE0S(四乙氧基硅烷）、氧氣、氮?dú)獾茸鳛樵蠚怏w(源氣 體）用等離子體CVD法形成。通過使用這種等離子體CVD法，可以形成由二氧化硅或氮化硅 (其為柵絕緣層201的主要材料)構(gòu)造的柵絕緣層201。
[0123] [2-Ac]然后，再次在柵絕緣層201上形成導(dǎo)電膜。此后，通過對(duì)柵絕緣層201上的導(dǎo) 電膜進(jìn)行圖案化處理形成源電極202和漏電極204。
[0124] 導(dǎo)電膜在柵絕緣層201上的形成可通過使用與步驟[2-Aa]中所述的相同方法來進(jìn) 行。
[0125] [2-Ad]然后，在位于源電極202與漏電極204之間的溝道區(qū)中形成半導(dǎo)體層203。
[0126] 可以通過濺射法在含氧(和氮)的氣氛下使用包含類金屬元素和/或金屬元素的金 屬靶形成該半導(dǎo)體層203,所述類金屬元素和/或金屬元素包含在上述氧化物半導(dǎo)體材料 中。
[0127] [2-B]然后，在樹脂膜A上形成平坦化層301以覆蓋薄膜晶體管B。此外，形成導(dǎo)電部 件300以使陽(yáng)極302和漏電極204電連接。
[0128] [2-Ba]首先，形成平坦化層301以覆蓋樹脂膜A和在樹脂膜A上形成的薄膜晶體管 B〇
[0129] [2-Bb]然后形成接觸孔，并且然后在接觸孔中形成導(dǎo)電部件300。
[0130] [3]然后，在每個(gè)平坦化層301上形成發(fā)光元件（電子元件)C以對(duì)應(yīng)于每個(gè)薄膜晶 體管B。
[0131] [3-A]首先，在平坦化層301上形成陽(yáng)極（單個(gè)電極）302以對(duì)應(yīng)于每個(gè)導(dǎo)電部件 300 〇
[0132] [3-B]然后，形成空穴傳輸層303以覆蓋陽(yáng)極302。
[0133] [3-C]然后，形成發(fā)射層304以覆蓋空穴傳輸層303。
[0134] [3-D]然后，形成電子傳輸層305以覆蓋發(fā)射層304。
[0135] [3-E]然后，形成陰極306以覆蓋電子傳輸層305。
[0136] 在這一方面，步驟[3-A]至[3-E]中所形成的每個(gè)層可通過使用以下方法形成：氣 相成膜法，例如濺射法、真空沉積法和CVD法;或者液相成膜法，例如噴墨法、旋涂法和流延 法。在使用液相膜形成法的情況下，每個(gè)層的形成可以通過以下過程進(jìn)行：制備液體材料， 其中將用于每個(gè)層的構(gòu)成材料溶解或分散在溶劑或分散介質(zhì)中，使用上述液相膜形成方法 將該液體材料供應(yīng)至每個(gè)層待形成于其上的層上，然后對(duì)其進(jìn)行干燥。
[0137] [4]然后，制備密封基底400。然后，通過用密封基底(覆蓋層)400覆蓋每個(gè)發(fā)光裝 置C的陰極306來用密封基底400密封發(fā)光元件C。即，形成密封基底400以覆蓋每個(gè)發(fā)光元件 C〇
[0138] 在這一方面，上述用密封基底400密封可通過將粘合劑置于陰極306與密封基底 400之間，然后干燥所述粘合劑來進(jìn)行。
[0139] 通過進(jìn)行上述步驟[1]至[4]，在基體構(gòu)件500上形成了包括樹脂膜A，薄膜晶體管 B、發(fā)光元件C和密封基底400的有機(jī)EL顯示裝置1 (參照?qǐng)D3(C))。
[0140] [5]然后，用來自基體構(gòu)件500-側(cè)的光照射樹脂膜A(電子元件形成層）。
[0141] 如此在基體構(gòu)件500與樹脂膜A之間的界面處使樹脂膜A從基體構(gòu)件500的第一表 面上剝離。
[0142] 因此，使有機(jī)EL顯示裝置(電子裝置)1與基體構(gòu)件500分離(參照?qǐng)D3(D))。
[0143] 待照射至樹脂膜A的光不特別限于特定種類，只要通過用該光照射樹脂膜A可以在 基體構(gòu)件500與樹脂膜A之間的界面處使樹脂膜A從基體構(gòu)件500的第一表面上剝離即可。所 述光優(yōu)選為激光。通過使用激光，可以可靠地在基體構(gòu)件500與樹脂膜A之間的界面處使樹 脂膜A從基體構(gòu)件500上剝離。
[0144] 此外，激光的實(shí)例包括脈沖振蕩型或連續(xù)發(fā)射型的準(zhǔn)分子激光、二氧化碳激光、 YAG激光和YV〇4激光。
[0145] 通過進(jìn)行上述步驟[1]至[5]，可獲得從基體構(gòu)件500上剝離的有機(jī)電致發(fā)光顯示 裝置1。
[0146] 然后，將描述制造圖3所示的傳感器元件的方法。
[0147] [ 1 ]首先，以與制造圖1所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置1的方法相同的方式，制備包 括基體構(gòu)件500和在基體構(gòu)件500上形成的樹脂膜（電子元件形成層)A的基底(本發(fā)明的基 底）。由于用于在基體構(gòu)件500上形成樹脂膜A的步驟與上述制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置1的 方法相同，所以在此省略對(duì)于在基體構(gòu)件500上形成樹脂膜A的步驟的描述(參照?qǐng)D3(A)和 圖 3(B))。
[0148] [2]然后，在設(shè)置在所獲得的基底中的樹脂膜A上形成上述傳感器元件10。用于在 樹脂膜A上形成傳感器元件10的方法不特別限于特定方法。在樹脂膜A上形成傳感器元件10 可以用為制造期望的傳感器元件而適當(dāng)選擇或修改的已知合適的方法進(jìn)行。
[0149] 通過進(jìn)行上述步驟[1]至[2]，在基體構(gòu)件500上形成包括樹脂膜A、像素電路11的 傳感器元件1〇(參照?qǐng)D3(C))。以與制造有機(jī)EL顯示裝置1的方法相同的方式，在步驟[2]中 也將液體材料供應(yīng)在樹脂膜A上用于形成每個(gè)元件和每個(gè)膜(層）。
[0150] [3]然后，用來自基體構(gòu)件500側(cè)的光照射樹脂膜（電子元件形成層)A以將傳感器 元件（電子裝置）1〇從基體構(gòu)件500上剝離（參照?qǐng)D4(D))。由于用于將傳感器元件10從基體 構(gòu)件500上剝離的步驟與上述用于將有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置1從基體構(gòu)件500上剝離的步驟 相同，在此省略對(duì)于將傳感器元件10從基體構(gòu)件500上剝離的步驟的描述。
[0151] 通過進(jìn)行上述步驟[1]至[3]，可以獲得從基體構(gòu)件500上剝離的傳感器元件10。
[0152] 以這種方式，制造了與基體構(gòu)件500分離的有機(jī)EL顯示裝置1。根據(jù)有機(jī)EL顯示裝 置1的制造，可通過在步驟[2-Aa]和[3-A]至[3-E]中使用液體材料形成設(shè)置在其中的每個(gè) 元件(柵電極和發(fā)光元件）。在樹脂膜A對(duì)于液體材料中包含的溶劑具有較差的耐溶劑性的 情況下，通過用液體材料形成每個(gè)元件使樹脂膜A的至少一部分暴露于液體材料。因此，存 在樹脂膜A的構(gòu)成材料改變或劣化的風(fēng)險(xiǎn)。由于樹脂膜A的改變或劣化，出現(xiàn)了對(duì)有機(jī)EL顯 示裝置1的顯示特性產(chǎn)生不利影響的問題。
[0153] 如上所述，在用于制造傳感器元件10的方法中，也將液體材料供應(yīng)到樹脂膜A上用 于形成每個(gè)元件和每個(gè)膜(層）。因此，在樹脂膜A對(duì)于液體材料中包含的溶劑具有較差的耐 溶劑性的情況下，通過用液體材料形成每個(gè)元件和每個(gè)膜(層)使樹脂膜A的至少一部分暴 露于液體材料。因此，存在樹脂膜A的構(gòu)成材料改變或劣化的風(fēng)險(xiǎn)。由于樹脂膜A的改變或劣 化，出現(xiàn)了對(duì)傳感器元件10的檢測(cè)特性產(chǎn)生不利影響的問題。
[0154] 出于解決這樣的問題的目的，在本發(fā)明中，樹脂膜A由包含使芳香族聚酰胺與具有 兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合物反應(yīng)獲得的反應(yīng)物的層構(gòu) 造，由于具有這樣的結(jié)構(gòu)的樹脂膜A表現(xiàn)出優(yōu)異的耐溶劑性，所以可以可靠地防止或抑制樹 脂膜A改變或劣化，即使將樹脂膜A暴露于步驟[2-Aa]和[3-A]至[3-E]中的液體材料中包含 的溶劑(或分散介質(zhì))也是如此。因此，可以可靠地防止由于將樹脂膜A暴露于這樣的液體材 料中而對(duì)有機(jī)EL顯示裝置1的顯示特性或傳感器元件10的檢測(cè)特性產(chǎn)生不利影響。
[0155] 如上所述，具有上述構(gòu)造的樹脂膜A可通過使用本發(fā)明的樹脂組合物形成，所述樹 脂組合物包含芳香族聚酰胺、具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能 化合物、以及溶解所述芳香族聚酰胺的溶劑。下文中，將對(duì)用于本發(fā)明的樹脂組合物的構(gòu)成 材料進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0156]〈芳香族聚酰胺〉
[0157] 使用芳香族聚酰胺作為樹脂組合物的一種主要材料。通過在樹脂組合物中包含芳 香族聚酰胺，可以由通過使芳香族聚酰胺與具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)的 芳香族多官能化合物反應(yīng)獲得的反應(yīng)物形成樹脂膜（電子元件形成層)A。所述反應(yīng)物是樹 脂膜A的主要組分。
[0158] 此外，通過在樹脂組合物中包含芳香族聚酰胺，還可以有效地進(jìn)行由于光向樹脂 膜A照射導(dǎo)致的樹脂膜A在基體構(gòu)件500與樹脂膜A之間的界面處從基體構(gòu)件500上剝離。
[0159] 芳香族聚酰胺不特別限于特定種類，只要其可以將樹脂膜A在355nm波長(zhǎng)下的總透 光率設(shè)定為10%或更小即可。
[0160] 優(yōu)選的是，所述芳香族聚酰胺是全芳香族聚酰胺。通過使用包含全芳香族聚酰胺 的樹脂組合物，可以可靠地將所形成的樹脂膜A的總透光率設(shè)定為落在上述范圍內(nèi)。在這一 方面，應(yīng)注意，全芳香族聚酰胺是指包含在芳香族聚酰胺主鏈中的所有酰胺鍵通過芳香族 基團(tuán)（芳香環(huán))彼此鍵合而不通過鏈狀或環(huán)狀脂肪族基團(tuán)彼此鍵合。
[0161] 鑒于前述內(nèi)容，優(yōu)選的是，所述芳香族聚酰胺具有由以下通式（I)表示的重復(fù)單 元：
[0163]其中X是1或更大的整數(shù)，An由以下通式(II)、（III)或（IV)表示：
[0165](其中口 = 4;9 = 3;1?1、1?2、1?3、1?4和1?5各自選自氫原子、|^素原子(氟原子、氯原子、溴 原子和鵬原子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取代的 烷氧基如鹵代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、及其 組合；并且Gi選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF 3)2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)（X表示鹵素原 子）、C0基團(tuán)、氧原子、硫原子、S〇2基團(tuán)、Si(CH3)2基團(tuán)、9,9-芴基、經(jīng)取代的9,9-芴基和020基 團(tuán)（Z表示芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9,9_雙苯基芴基和經(jīng)取代 的9,9_雙苯基芴基）），并且Ar2由以下通式(V)或(VI)表示：
[0167](其中p = 4 ;R6、R7和R8各自選自氫原子、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、及其組合;并且 G2選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF3) 2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)（X表示鹵素原子）、C0基團(tuán)、 氧原子、硫原子、S〇2基團(tuán)、Si (CH3)2基團(tuán)、9，9-芴基、經(jīng)取代的9，9-芴基和0Z0基團(tuán)（Z表示芳 基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9，9_雙苯基芴基和經(jīng)取代的9，9_雙苯 基芴基））。
[0168] 此外，優(yōu)選的是，樹脂組合物包含芳香族聚酰胺以將樹脂膜A在355nm波長(zhǎng)下的總 透光率設(shè)定在期望值。特別地，通過在樹脂組合物中包含芳香族聚酰胺，樹脂膜A在355nm波 長(zhǎng)下的總透光率優(yōu)選設(shè)定為10%或更小，更優(yōu)選設(shè)定為5%或更小，還更優(yōu)選設(shè)定為2%或 更小，并且甚至更優(yōu)選設(shè)定為1%或更小。通過將樹脂膜A在355nm波長(zhǎng)下的總透光率設(shè)定為 落在上述范圍內(nèi)，可以可靠地抑制或防止從基體構(gòu)件500的第一表面的一側(cè)照射至樹脂膜A 的光(特別地，具有短波長(zhǎng)的光)傳送通過樹脂膜A。
[0169] 在樹脂膜A在短波長(zhǎng)下具有透光性的情況下，當(dāng)在剝離樹脂膜A的步驟中具有短波 長(zhǎng)的光從基體構(gòu)件500的第一表面的一側(cè)照射至樹脂膜A時(shí)，設(shè)置在每個(gè)薄膜晶體管B中的 半導(dǎo)體層203被光(包括具有短波長(zhǎng)的光）照射。半導(dǎo)體層203暴露于具有短波長(zhǎng)的光引起包 含在半導(dǎo)體層203中的氧化物半導(dǎo)體材料的改變或劣化。因此，對(duì)有機(jī)EL顯示裝置1的開關(guān) 特性產(chǎn)生不利影響。
[0170] 以相同的方式，從基體構(gòu)件500的第一表面的一側(cè)照射至樹脂膜A的光傳送通過樹 脂膜A，然后到達(dá)設(shè)置在傳感器元件10中的光電二極管11A和薄膜晶體管11B。此時(shí)，如果所 照射的光包含具有短波長(zhǎng)的光，則設(shè)置在每個(gè)光電二極管11A中的半導(dǎo)體層25N、25I、25P所 包含的氧化物半導(dǎo)體材料和每個(gè)薄膜晶體管11B中的半導(dǎo)體膜22所包含的氧化物半導(dǎo)體材 料由于暴露于具有短波長(zhǎng)的光而改變或劣化。因此，出現(xiàn)了對(duì)傳感器元件10的開關(guān)特性產(chǎn) 生不利影響的問題。
[0171]另一方面，在本發(fā)明中，可以適當(dāng)?shù)胤乐够蛞种凭哂卸滩ㄩL(zhǎng)的光傳送通過樹脂膜 A。這使得可以可靠地防止對(duì)有機(jī)EL顯示裝置1的開關(guān)性質(zhì)和傳感器元件10的開關(guān)性質(zhì)產(chǎn)生 不利影響。
[0172]此外，優(yōu)選的是，可以將樹脂膜A的總透光率設(shè)定為落在上述范圍內(nèi)的芳香族聚酰 胺包含萘結(jié)構(gòu)作為其主要化學(xué)結(jié)構(gòu)。具體地，包含由上述通式(I)表示的重復(fù)單元的芳香族 聚酰胺是優(yōu)選的，其中An由上述通式（III)表示。通過使用包含這樣的芳香族聚酰胺的樹 脂組合物，可以可靠地將所形成的樹脂膜A的總透光率設(shè)定為落在上述范圍內(nèi)。
[0173] 在本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，選擇通式（I)和（II)使得芳香族聚酰胺 在極性溶劑或包含一種或更多種極性溶劑的混合溶劑中是可溶的。在本公開內(nèi)容的一個(gè)或 多個(gè)實(shí)施方案中，通式(I)的X在90.0摩爾％至99.99摩爾％的范圍內(nèi)變化，并且通式(II)的 y在10.0摩爾％至0.01摩爾％的范圍內(nèi)變化。在本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，通式 (I)的X在90.1摩爾％至99.9摩爾％的范圍內(nèi)變化，并且通式（II)的y在9.9摩爾％至0.1摩 爾％的范圍內(nèi)變化。在本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，通式（I)的X在90.0摩爾％至 99.0摩爾％的范圍內(nèi)變化，并且通式（II)的y在10.0摩爾％至1.0摩爾％的范圍內(nèi)變化。在 本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，通式(I)的X在92.0摩爾％至98.0摩爾％的范圍內(nèi)變 化，并且通式(II)的y在8.0摩爾％至2.0摩爾％的范圍內(nèi)變化。在本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè) 實(shí)施方案中，芳香族聚酰胺包含用通式（I)和（II)表示的多個(gè)重復(fù)單元，其中An、Ar2和Ar3可以彼此相同或不同。
[0174] 此外，芳香族聚酰胺的數(shù)均分子量(Μη)優(yōu)選為6.0X104或更大，更優(yōu)選6.5 X104或 更大，更優(yōu)選7.0 X 104或更大，還更優(yōu)選7.5 X 104或更大，并且甚至更優(yōu)選8.0 X 104或更大。 此外，芳香族聚酰胺的數(shù)均分子量?jī)?yōu)選為1.0 X 1〇6或更小，更優(yōu)選8.0 X 105或更小，還更優(yōu) 選6.0 X 105或更小，并且甚至更優(yōu)選4.0 X 105或更小。通過使用滿足上述條件的芳香族聚酰 胺，可以使樹脂膜Α可靠地提供作為有機(jī)EL顯示裝置1或傳感器元件10中的基礎(chǔ)層的功能。 此外，可以可靠地允許樹脂膜A具有優(yōu)異的耐溶劑性。
[0175] 在本說明書中，芳香族聚酰胺的數(shù)均分子量(Μη)和重均分子量(Mw)用凝膠滲透色 譜來測(cè)量。具體地，其通過使用以下實(shí)施例中的方法來測(cè)量。
[0176] 此外，芳香族聚酰胺的分子量分布（=Mw/Mn)優(yōu)選為5.0或更小，更優(yōu)選4.0或更 小，更優(yōu)選3.0或更小，還更優(yōu)選2.8或更小，還更優(yōu)選2.6或更小，并且甚至更優(yōu)選2.4或更 小。此外，芳香族聚酰胺的分子量分布優(yōu)選為2.0或更大。通過使用滿足上述條件的芳香族 聚酰胺，可以使樹脂膜A可靠地提供作為有機(jī)EL顯示裝置1或傳感器元件10中的基礎(chǔ)層的功 能。此外，可以可靠地允許樹脂膜A具有優(yōu)異的耐溶劑性。
[0177] 優(yōu)選的是，通過在合成芳香族聚酰胺之后使其再沉淀的步驟獲得芳香族聚酰胺。 通過使用通過再沉淀的步驟獲得的芳香族聚酰胺，可以使樹脂膜A可靠地提供作為有機(jī)EL 顯示裝置1或傳感器元件10中的基礎(chǔ)層的功能。此外，可以可靠地允許樹脂膜A具有優(yōu)異的 耐溶劑性。
[0178] 在本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，對(duì)芳香族聚酰胺的末端COOH基和末端 NH2基之一或兩者進(jìn)行封端。從提高聚酰胺膜（即，樹脂膜A)的耐熱性的視角來看，對(duì)末端進(jìn) 行封端是優(yōu)選的。芳香族聚酰胺的末端可通過與苯甲酰氯反應(yīng)(在其每個(gè)末端是-NH2的情 況下）或者通過與苯胺反應(yīng)(在其每個(gè)末端是-COOH的情況下)進(jìn)行封端。然而，封端的方法 不限于該方法。
[0179]〈芳香族多官能化合物〉
[0180] 芳香族多官能化合物具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)。使用芳香族多 官能化合物作為樹脂組合物的另一種主要材料。通過在樹脂組合物中包含芳香族多官能化 合物，可以由通過使芳香族聚酰胺與具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)的芳香族 多官能化合物反應(yīng)獲得的反應(yīng)物形成樹脂膜(電子元件形成層)A。如上面提到的，所述反應(yīng) 物是樹脂膜A的主要組分。
[0181] 此外，通過在樹脂組合物中包含芳香族多官能化合物，可以改善樹脂膜A的耐溶劑 性，所述樹脂膜A是由作為其主要組分的通過使芳香族聚酰胺與具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧 基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合物反應(yīng)獲得的反應(yīng)物構(gòu)造的層(膜）。
[0182] 芳香族多官能化合物優(yōu)選包含羧基作為每個(gè)官能團(tuán)。通過使用包含羧基的芳香族 多官能化合物，可以可靠地進(jìn)行芳香族聚酰胺與芳香族多官能化合物的反應(yīng)。這使得可以 更可靠地改善所形成的樹脂膜A的耐溶劑性。
[0183] 此外，芳香族多官能化合物優(yōu)選包含一個(gè)芳香環(huán)或者兩個(gè)或更多個(gè)芳香環(huán)。通過 使用包含一個(gè)芳香環(huán)或者兩個(gè)或更多個(gè)芳香環(huán)的芳香族多官能化合物，可以更可靠地改善 所形成的樹脂膜A的耐溶劑性。在芳香族多官能化合物包含兩個(gè)(多個(gè))芳香環(huán)的情況下，所 述芳香環(huán)可以是稠合多環(huán)的環(huán)體系或連接多環(huán)的環(huán)體系。
[0184] 考慮到這些點(diǎn)，由以下通式(A)、（B)或(C)表示的化合物優(yōu)選地用作芳香族多官能 化合物。
[0186] (其中r=l或2，p = 3或4，q = 2或3，心、1?2、1?3、1?4和1^各自選自氫原子、鹵素原子(氟 原子、氯原子、溴原子和碘原子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷 氧基、經(jīng)取代的烷氧基如鹵代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的 烷基酯基、及其組合，并且G!選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF 3)2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)(X 表示鹵素原子）、⑶基團(tuán)、氧原子、硫原子、S02基團(tuán)、Si(CH3)2基團(tuán)、9,9-芴基、經(jīng)取代的9,9- 芴基和0Z0基團(tuán)(Z表示芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9,9-雙苯基芴 基和經(jīng)取代的9,9-雙苯基芴基）。
[0187] 其中，優(yōu)選使用由上述通式(A)表示的化合物。更特別地，優(yōu)選使用苯均三酸。通過 使用包含這樣的化合物作為芳香族多官能化合物的樹脂組合物，可以更可靠地改善所形成 的樹脂膜A的耐溶劑性。
[0188] 此外，相對(duì)于包含在樹脂組合物中的芳香族聚酰胺的量，包含在其中的芳香族多 官能化合物的量?jī)?yōu)選在1重量％至1〇重量％的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選在3重量％至7重量％的 范圍內(nèi)。通過將樹脂組合物中芳香族多官能化合物的量設(shè)定為落在上述范圍內(nèi)，可以更可 靠地改善樹脂膜A的耐溶劑性。
[0189] 〈無機(jī)填料〉
[0190]優(yōu)選的是，樹脂組合物除芳香族聚酰胺以外還包含無機(jī)填料。通過使用包含無機(jī) 填料的樹脂組合物，可以降低樹脂膜A的熱膨脹系數(shù)(CTE)并且可靠地改善樹脂膜A的耐溶 劑性。
[0191]該無機(jī)填料不特別限于特定種類，但是優(yōu)選地由纖維構(gòu)造或者優(yōu)選地形成顆粒形 狀。
[0192] 此外，用于無機(jī)填料的構(gòu)成材料不特別限于特定材料，只要其是無機(jī)材料即可。這 種用于無機(jī)填料的構(gòu)成材料的實(shí)例包括:金屬氧化物，例如二氧化硅、氧化鋁和氧化鈦;礦 物質(zhì)，例如云母;玻璃;及其混合物。這些材料可以單獨(dú)使用或者以兩種或更多種的組合使 用。在這一方面，玻璃種類的實(shí)例包括:E玻璃、C玻璃、A玻璃、S玻璃、D玻璃、NE玻璃、T玻璃、 低介電常數(shù)玻璃和高介電常數(shù)玻璃。
[0193] 在無機(jī)填料由纖維構(gòu)造的情況下，纖維的平均纖維直徑優(yōu)選地在lnm至lOOOnm的 范圍內(nèi)。通過使用包含具有上述平均纖維直徑的無機(jī)填料的樹脂組合物，可以使樹脂膜A可 靠地提供作為有機(jī)EL顯示裝置1或傳感器元件10中的基礎(chǔ)層的功能。此外，可以可靠地改善 樹脂膜A的耐溶劑性。
[0194] 此處，纖維可由單纖維形成。包含在其中的單纖維彼此不平行地布置并且彼此充 分隔開，以使基體樹脂的液體前體進(jìn)入單纖維之間。在這種情況下，平均纖維直徑對(duì)應(yīng)于單 纖維的平均直徑。此外，纖維可構(gòu)造其中多個(gè)單纖維成束的一條線狀物。在這種情況下，平 均纖維直徑被定義為該條線狀物的直徑的平均值。具體地，通過實(shí)施例中的方法測(cè)量平均 纖維直徑。此外，從改善膜透明度的視角來看，纖維的平均纖維直徑優(yōu)選是較小的。此外，樹 脂組合物(聚酰胺溶液）中所包含的芳香族聚酰胺的折射率和無機(jī)填料的折射率優(yōu)選彼此 接近。例如，在待用作纖維的材料與芳香族聚酰胺在589nm波長(zhǎng)下的折射率差異為0.01或更 小的情況下，無論纖維直徑如何，都可以形成具有高透明度的膜。此外，測(cè)量平均纖維直徑 的方法的實(shí)例包括用電子顯微鏡觀察纖維的方法。
[0195] 此外，在無機(jī)填料形成顆粒形狀的情況下，顆粒的平均粒徑優(yōu)選在lnm至lOOOnm的 范圍內(nèi)。通過使用包含呈具有上述平均粒徑的顆粒形狀形式的無機(jī)填料的樹脂組合物，可 以使樹脂膜A可靠地提供作為有機(jī)EL顯示裝置1或傳感器元件10中的基礎(chǔ)層的功能。此外， 可以可靠地改善樹脂膜A的耐溶劑性。
[0196] 此處，顆粒的平均粒徑是指對(duì)應(yīng)于平均投影圓的直徑。具體地，顆粒的平均粒徑通 過實(shí)施例中的方法測(cè)量。
[0197] 每個(gè)顆粒的形狀不特別限于特定形狀。形狀的實(shí)例包括球形、完美球形、棒形、板 形、及其組合的形狀。通過使用具有這樣的形狀的無機(jī)填料，可以可靠地改善樹脂膜A的耐 溶劑性。
[0198] 此外，顆粒的平均粒徑優(yōu)選是較小的。此外，樹脂組合物(聚酰胺溶液）中所包含的 芳香族聚酰胺的折射率與無機(jī)填料的折射率優(yōu)選彼此接近。這使得可進(jìn)一步改善樹脂膜A 的透明度。例如，在待用作顆粒的材料與芳香族聚酰胺在589nm波長(zhǎng)下的折射率差異為0.01 或更小的情況下，無論粒徑如何，都可形成具有高透明度的樹脂膜A。此外，測(cè)量平均粒徑的 方法的實(shí)例包括用粒徑分析儀測(cè)量平均粒徑的方法。
[0199] 樹脂組合物(聚酰胺溶液）中所包含的固體物質(zhì)中無機(jī)填料的比率不特別限于特 定值，但是優(yōu)選在1體積％至50體積％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在2體積％至40體積％的范圍內(nèi)，并 且甚至更優(yōu)選在3體積％至30體積％的范圍內(nèi)。另一方面，樹脂組合物(聚酰胺溶液）中所包 含的固體物質(zhì)中芳香族聚酰胺的比率不特別限于特定值，但是優(yōu)選在50體積％至99體積％ 的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在60體積％至98體積％的范圍內(nèi)，并且甚至更優(yōu)選在70體積％至97體 積％的范圍內(nèi)。
[0200] 在這一方面，應(yīng)注意"固體物質(zhì)"在本說明書中是指樹脂組合物中所包含的除溶劑 以外的組分。固體物質(zhì)的體積換算、無機(jī)填料的體積換算和/或芳香族聚酰胺的體積換算可 由制備聚酰胺溶液時(shí)各成分的使用量來計(jì)算?；蛘撸溥€可以通過從聚酰胺溶液中去除溶 劑來計(jì)算。
[0201]〈其他組分〉
[0202]此外，如果需要的話，樹脂組合物可包含抗氧化劑、紫外線吸收劑、染料、顏料、填 料(如另外的無機(jī)填料)等，至有機(jī)EL顯示裝置1或傳感器元件10中的基礎(chǔ)層的功能不受損 并且樹脂膜A的總透光率被設(shè)置為落在上述范圍內(nèi)的程度。
[0203]〈固體物質(zhì)的量〉
[0204] 樹脂組合物中所包含的固體物質(zhì)的比率優(yōu)選為1體積％或更大，更優(yōu)選地2體積％ 或更大，并且甚至更優(yōu)選3體積％或更大。此外，樹脂組合物中所包含的固體物質(zhì)的比率優(yōu) 選為40體積％或更小，更優(yōu)選30體積％或更小，并且甚至更優(yōu)選20體積％或更小。通過將樹 脂組合物中所包含的固體物質(zhì)的比率設(shè)置為落在上述范圍內(nèi)，可以使樹脂膜A可靠地提供 作為有機(jī)EL顯示裝置1或傳感器元件10中的基礎(chǔ)層的功能。此外，可以可靠地將樹脂膜A的 總透光率設(shè)置為落在上述范圍內(nèi)。
[0205] 〈溶劑〉
[0206] 能夠溶解芳香族聚酰胺的溶劑被用作用于制備包含樹脂組合物的清漆(液體材 料)的溶劑。
[0207] 用于制備液體材料的溶劑優(yōu)選為極性溶劑。通過使用用于制備液體材料的極性溶 劑，可以可靠地將芳香族聚酰胺溶解在極性溶劑中。此外，在如下所述使用這樣的極性溶劑 來生產(chǎn)芳香族聚酰胺的情況下，可以順利地進(jìn)行芳香族二胺與芳香族二酸二氯的反應(yīng)。
[0208] 此外，所述溶劑可為有機(jī)溶劑或無機(jī)溶劑，但是優(yōu)選為有機(jī)溶劑。通過使用有機(jī)溶 劑，可以可靠地將芳香族聚酰胺溶解在有機(jī)溶劑中。此外，在如下所述使用這樣的有機(jī)溶劑 來生產(chǎn)芳香族聚酰胺的情況下，可以容易地除去在產(chǎn)生芳香族聚酰胺期間生成的副產(chǎn)物， 如游離鹽酸。
[0209]在本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，就提高芳香族聚酰胺在溶劑中的溶解度 而言，溶劑優(yōu)選為極性溶劑或包含一種或更多種極性溶劑的混合溶劑。在本公開內(nèi)容的一 個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，就提高芳香族聚酰胺在溶劑中的溶解度以及提高樹脂膜A與基體構(gòu) 件500之間的粘合性而言，溶劑優(yōu)選為：甲酚;N，N-二甲基乙酰胺(DMAc);N-甲基-2-吡咯烷 酮(NMP);二甲基亞砜(DMS0);1，3-二甲基-咪唑啉酮(DMI);N，N-二甲基甲酰胺(DMF); 丁基 溶纖劑(BCS); γ-丁內(nèi)酯(GBL)或包含甲酚、N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)、N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP)、二甲基亞砜(DMS0)、1，3-二甲基-咪唑啉酮(DMI)、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、丁基溶 纖劑(BCS)和γ -丁內(nèi)酯(GBL)中至少一種的混合溶劑;其組合;或者包含其極性溶劑中至少 一種的混合溶劑。
[0210] 在這些極性溶劑中，尤其優(yōu)選使用Ν，Ν-二甲基乙酰胺(DMAc)。通過使用Ν，Ν-二甲 基乙酰胺(DMAc)作為溶劑，可以更顯著地表現(xiàn)出上述效果。
[0211] 如上所述，通過以下過程獲得樹脂膜A:將包含上述組分的樹脂組合物供應(yīng)(流延） 到基體構(gòu)件500的第一表面上，然后對(duì)其進(jìn)行干燥和加熱。例如，每個(gè)步驟中的條件設(shè)定如 下。
[0212] 在將樹脂組合物供應(yīng)(流延)到基體構(gòu)件500的第一表面上的步驟中，優(yōu)選將樹脂 組合物的溫度設(shè)定為低于220°C，并且更優(yōu)選設(shè)定為低于180°C。通過將該步驟中的樹脂組 合物的溫度設(shè)定為落在上述范圍內(nèi)，可以將樹脂組合物供應(yīng)(流延)到基體構(gòu)件500的第一 表面上，使得樹脂膜A的厚度變得均勻，并且可靠地防止或抑制芳香族聚酰胺與芳香族多官 能化合物的反應(yīng)不期望地進(jìn)行。
[0213] 在對(duì)基體構(gòu)件500的第一表面上的樹脂組合物進(jìn)行干燥和加熱的步驟中，優(yōu)選將 樹脂組合物的溫度設(shè)定為接近芳香族聚酰胺的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。更具體地，優(yōu)選將樹 脂組合物的溫度設(shè)定在Tg-10 °C至Tg+10 °C的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選地設(shè)定在Tg-5 °C至Tg+5 °C 的范圍內(nèi)。通過將該步驟中的樹脂組合物的溫度設(shè)定為落在上述范圍內(nèi)，可以使芳香族聚 酰胺與芳香族多官能化合物反應(yīng)，由此產(chǎn)生通過使樹脂膜A中的芳香族聚酰胺與芳香族多 官能化合物反應(yīng)獲得的反應(yīng)物。因此，對(duì)于無機(jī)溶劑和有機(jī)溶劑兩者，樹脂膜A均可以表現(xiàn) 出優(yōu)異的耐溶劑性。
[0214] 關(guān)于一般的酰胺，公知的是，一般的酰胺經(jīng)歷酰胺交換反應(yīng)。這樣的反應(yīng)預(yù)計(jì)不會(huì) 例如在羧酸與聚酰胺主鏈之間迅速地(劇烈地)發(fā)生。由于羧酸與聚酰胺主鏈之間的酰胺交 換反應(yīng)是不劇烈的，所以在常規(guī)技術(shù)中羧酸不用作聚酰胺的熱固化中的交聯(lián)劑。特別地，芳 香族聚酰胺具有非常高的Tg并且不溶于一般的無機(jī)溶劑。出于上述原因，尚未對(duì)芳香族聚 酰胺的熱交聯(lián)進(jìn)行研究。
[0215] 然而，在本發(fā)明中，通過使用具有羧基作為官能團(tuán)的芳香族多官能化合物，通過加 熱芳香族聚酰胺相對(duì)短的時(shí)間可以甚至使芳香族聚酰胺交聯(lián)，由此賦予樹脂膜A高的耐溶 劑性。這也由樹脂膜A不發(fā)生熱分解和顯色的事實(shí)而明顯。
[0216]在這一方面，應(yīng)注意，對(duì)樹脂組合物進(jìn)行干燥和加熱的時(shí)間（持續(xù)時(shí)間）優(yōu)選為1分 鐘或更長(zhǎng)，并且更優(yōu)選在1分鐘至60分鐘的范圍內(nèi)。
[0217]此外，優(yōu)選在減壓或惰性氣氛下進(jìn)行樹脂組合物的干燥和加熱。
[0218]如上所述，對(duì)于多種溶劑，尤其是優(yōu)選對(duì)于極性溶劑，樹脂膜A可以表現(xiàn)出高的耐 溶劑性。這樣的極性溶劑的實(shí)例包括：甲酚;N，N-二甲基乙酰胺(DMAc);N-甲基-2-吡咯烷酮 (匪？）；二甲基亞砜(01^0);1，3-二甲基-咪唑啉酮(011)九1二甲基甲酰胺(01^) ;丁基溶 纖劑(BCS); γ-丁內(nèi)酯(GBL)或包含甲酚、N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)、N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP)、二甲基亞砜(DMS0)、1，3-二甲基-咪唑啉酮(DMI)、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、丁基溶 纖劑(BCS)和γ-丁內(nèi)酯(GBL)中至少一種的混合溶劑;其組合；以及包含其極性溶劑中至少 一種的混合溶劑。
[0219]〈制造樹脂組合物的方法〉
[0220] 可通過例如使用包括以下步驟的制造方法制造上述樹脂組合物。
[0221] 然而，本發(fā)明的樹脂組合物不限于通過使用以下制造方法制造的樹脂組合物。
[0222] 制造根據(jù)該實(shí)施方案的樹脂組合物的方法包括：
[0223] (a)將一種或更多種芳香族二胺與溶劑混合以獲得混合物；
[0224] (b)通過向所述混合物中添加芳香族二酸二氯使芳香族二酸二氯與所述芳香族二 胺反應(yīng)以產(chǎn)生包含芳香族聚酰胺和鹽酸的溶液；
[0225] (c)從所述溶液中除去所述鹽酸；以及
[0226] (d)向所述溶液中添加具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官 能化合物以制造所述樹脂組合物。
[0227] 下文中，將逐一描述每個(gè)步驟。
[0228] 步驟(a):首先，將一種或更多種芳香族二胺與溶劑混合(溶解到溶劑中）以獲得混 合物。
[0229] 在用于制造本公開內(nèi)容的樹脂組合物的方法的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，芳香族二 胺的實(shí)例包括由以下通式(D)和(E)表示的化合物：
[0231 ]其中p = 4，R6、R7和R8各自選自氫原子、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、及其組合，并且 G2選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF3) 2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)（其中X表示鹵素原子）、C0基 團(tuán)、氧原子、硫原子、S〇2基團(tuán)、Si(CH3)2基團(tuán)、9,9-芴基、經(jīng)取代的9,9-芴基和020基團(tuán)（2表示 芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9，9-雙苯基芴基和經(jīng)取代的9，9-雙 苯基芴基）。
[0232] 具體地，上述芳香族二胺的實(shí)例包括以下化合物。這些化合物可以單獨(dú)使用或者 以其兩種或更多種的組合使用。
[0233] 4，4 ' -二氨基-2，2 ' -雙三氟甲基聯(lián)苯胺(PFMB)
[0235] 4，4 ' -二氨基-2，2 ' -雙三氟甲氧基聯(lián)苯胺(PFM0B)
[0237] 4，4 ' -二氨基-2，2 ' -雙三氟甲基二苯醚(6F0DA)
[0239] 雙(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6F0QDA)
[0241] 雙(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)聯(lián)苯(6F0BDA)
[0243] 9,9-雙(4-氨基苯基)芴(FDA)
[0245] 9,9-雙（3-氟_4-氨基苯基）芴$卩0八）
[0247] 3，5_ 二氨基苯甲酸(DAB)
[0249] 4,4，_二氨基二苯基砜(DDS)
[0251 ]關(guān)于二氨基二苯基砜(DDS)，二氨基二苯基砜可為由上式表示的4，4 二氨基二苯 基諷、3，3 二氛基二苯基諷或2，2 二氛基二苯基諷。
[0252] 此外，上面提到的包含在樹脂組合物中的溶劑可以用作該步驟中的溶劑。
[0253] 步驟(b):然后，向所述混合物中添加芳香族二酸二氯。這時(shí)，芳香族二酸二氯與包 含在混合物中的芳香族二胺反應(yīng)。因此，產(chǎn)生了包含芳香族聚酰胺和鹽酸的溶液。
[0254] 在用于制造本公開內(nèi)容的樹脂組合物的方法的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方案中，芳香族 二酸二氯的實(shí)例包括由以下通式(F)至(H)表示的化合物：
[0256]其中口 = 4,9 = 3，1?1、1?2、1?3、1?4和1?5各自選自氫原子、|^素原子(氟原子、氯原子、溴原 子和鵬原子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取代的燒 氧基如鹵代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、及其組 合，并且Gi選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF 3)2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)(X表示鹵素原子）、 C0基團(tuán)、氧原子、硫原子、S〇2基團(tuán)、S i (CH3) 2基團(tuán)、9，9-芴基、經(jīng)取代的9，9-芴基和0Z0基團(tuán)（Z 表示芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9,9_雙苯基芴基和經(jīng)取代的9， 9-雙苯基芴基）。
[0257] 具體地，上述香族二酸二氯的實(shí)例包括以下化合物。
[0258] 對(duì)苯二甲酰二氯(TPC)
[0260] 間苯二甲酰二氯(IPC)
[0262] 2,6_萘二酰氯(燦〇
[0264] 4,4-聯(lián)苯基二甲酰氯0?〇〇
[0266] 在本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，就提高樹脂膜A的耐熱性而言，所述方法 還包括對(duì)芳香族聚酰胺的末端-C00H基和末端-NH2基之一或兩者進(jìn)行封端的步驟。芳香族 聚酰胺的末端可通過與苯甲酰氯反應(yīng)(在其每個(gè)末端是-NH2的情況下）或者通過與苯胺反 應(yīng)(在其每個(gè)末端是-C00H的情況下)進(jìn)行封端。然而，封端的方法不限于該方法。
[0267] 步驟(c):然后，從溶液中除去副產(chǎn)物鹽酸。即，使芳香族聚酰胺與鹽酸分離。
[0268] 使芳香族聚酰胺與鹽酸分離的方法的實(shí)例包括:方法1 )，其中向溶液中添加試劑， 使得由于試劑與鹽酸反應(yīng)而產(chǎn)生揮發(fā)性組分，由此將揮發(fā)性組分從溶液中除去；以及方法 2)，其中向溶液中添加試劑，使得由于試劑與鹽酸反應(yīng)而產(chǎn)生非揮發(fā)性組分，通過使芳香族 聚酰胺再沉淀使其與溶液分離，然后將芳香族聚酰胺再溶解至另一種溶劑中。根據(jù)上述方 法1)和2)，通過所述試劑可以可靠地捕獲包含在溶液中的鹽酸，并且因此可靠地從溶液中 除去鹽酸。
[0269] 用于方法1)的試劑的實(shí)例包括環(huán)氧丙烷(PrO)等。
[0270] 在本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，在步驟(c)之前或期間向所述溶液中添 加試劑(捕獲試劑）。通過在步驟(c)之前或期間添加試劑，可以降低步驟(c)之后溶液中的 粘度和縮合的產(chǎn)生，并由此提高樹脂組合物的生產(chǎn)率。當(dāng)試劑是有機(jī)試劑如環(huán)氧丙烷時(shí)，這 些效果變得尤其顯著。
[0271] 用于方法2)的試劑的實(shí)例包括無機(jī)鹽。這些化合物可以單獨(dú)使用或者以其兩種或 更多種的組合使用。
[0272] 在方法2)中，芳香族聚酰胺的再沉淀可以用已知方法進(jìn)行。在本公開內(nèi)容的一個(gè) 或多個(gè)實(shí)施方案中，可以通過向例如甲醇、乙醇、異丙醇等中添加所述溶液進(jìn)行再沉淀。
[0273] 通過根據(jù)上述方式從所述溶液中除去鹽酸，可以獲得不包含無機(jī)鹽的樹脂組合 物。
[0274] 此外，在使用方法1)的情況下，不需要進(jìn)行分離芳香族聚酰胺(聚合物)的步驟。因 此，在使用方法1)的情況下，可以簡(jiǎn)化所述方法并降低用于制造樹脂組合物的成本。
[0275] 步驟(d):然后，向所述溶液中添加芳香族多官能化合物。在該步驟中，可以制造包 含芳香族聚酰胺、具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合物、和 溶解所述芳香族聚酰胺的溶劑的樹脂組合物(即，獲得本發(fā)明的樹脂組合物）。
[0276] 在用于制造本公開內(nèi)容的樹脂組合物的方法的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方案中，芳香族 多官能化合物的實(shí)例包括由以下通式(A)至(C)表示的化合物：
[0278] 其中r=l或2，p = 3或4，q = 2或3，1?1、1?2、1?3、1?4和1?5各自選自氫原子、鹵素原子(氟原 子、氯原子、溴原子和碘原子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧 基、經(jīng)取代的烷氧基如鹵代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷 基酯基、及其組合，并且G!選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF 3)2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)（X表 示鹵素原子）、C0基團(tuán)、氧原子、硫原子、S02基團(tuán)、Si(CH3)2基團(tuán)、9,9-芴基、經(jīng)取代的9,9-芴 基和0Z0基團(tuán)（Z表示芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9，9-雙苯基芴基 和經(jīng)取代的9,9-雙苯基芴基）。
[0279] 具體地，上述芳香族多官能化合物的實(shí)例包括以下化合物。
[0280] 苯均三酸（TA)
[0282] 2,4,6,8-萘基四羧酸(TTNA)
[0284] 3,3，，5,5，_聯(lián)苯基四羧酸(BPTA 1)
[0286] 2,2'，4,4'_聯(lián)苯基四羧酸(BPTA 2)
[0288] 通過進(jìn)行上述步驟，可以制造樹脂組合物。
[0289] 此外，優(yōu)選的是，將通過使用樹脂組合物形成的樹脂膜A在400nm至750nm波長(zhǎng)下的 總透光率設(shè)定為變得更高。特別地，樹脂膜A在400nm波長(zhǎng)下的總透光率優(yōu)選為70 %或更大， 更優(yōu)選75 %或更大，并且甚至更優(yōu)選90 %或更大。此外，樹脂膜A在550nm波長(zhǎng)下的總透光率 優(yōu)選為80 %或更大，更優(yōu)選85 %或更大，并且甚至更優(yōu)選95 %或更大。通過將樹脂膜A的總 透光率設(shè)定為落在上述范圍內(nèi)，可以使具有長(zhǎng)波長(zhǎng)的光(可見光)可靠地傳送通過樹脂膜A， 由此可靠地在有機(jī)EL顯示裝置1外提取由發(fā)光元件C發(fā)射的光，并且可靠地將由外面?zhèn)魉偷?光引入傳感器元件1 〇中。
[0290] 此外，樹脂膜A的熱膨脹系數(shù)(CTE)優(yōu)選為100.0ppm/K或更小，更優(yōu)選80ppm/K或更 小，還更優(yōu)選60ppm/K或更小并且甚至更優(yōu)選35ppm/K或更小。在這一方面，應(yīng)注意，樹脂膜A 的CTE用熱機(jī)械分析儀(TMA)獲得，具體地，樹脂膜A的熱膨脹系數(shù)(CTE)通過使用實(shí)施例中 的方法測(cè)量。
[0291]此外，樹脂膜A的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)優(yōu)選為300°C或更大，更優(yōu)選350°C或更大， 并且甚至更優(yōu)選400°C或更大。在這一方面，應(yīng)注意，樹脂膜A的Tg用熱分析儀獲得。
[0292]通過分別將CTE和Tg設(shè)定為落在上述范圍內(nèi)，可以可靠地抑制或防止包括基體構(gòu) 件500和樹脂膜A的基底的翹曲。因此，可以改善通過使用這種基底所獲得的有機(jī)EL顯示裝 置1或傳感器元件10的屈服比。
[0293] 此外，樹脂膜A的拉伸強(qiáng)度優(yōu)選為200MPa或更大，更優(yōu)選250Mpa或更大，并且甚至 更優(yōu)選300Mpa或更大。樹脂膜A在69 °C和50 % RH條件下的吸濕率優(yōu)選為2 %或更小，更優(yōu)選 1.5%或更小，并且甚至更優(yōu)選1%或更小。通過分別設(shè)定樹脂膜A的拉伸強(qiáng)度和吸濕率以滿 足上述條件，可以使樹脂膜A更可靠地提供作為有機(jī)EL顯示裝置1或傳感器元件10中的基礎(chǔ) 層的功能。
[0294] 在樹脂膜A包含無機(jī)填料的情況下，相對(duì)于樹脂膜A的體積，樹脂膜A中所包含的無 機(jī)填料的量?jī)?yōu)選在1體積％至50體積％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選2體積％至40體積％的范圍內(nèi)，并 且甚至更優(yōu)選3體積％至30體積％的范圍內(nèi)。通過向樹脂膜A中以上述量添加無機(jī)填料，可 以容易地將樹脂膜A的CTE設(shè)定為落在上述范圍內(nèi)。在這一方面，樹脂膜A的體積換算和/或 無機(jī)填料的體積換算可以分別由制備樹脂組合物時(shí)的組分使用量來計(jì)算，或者其還可以通 過測(cè)量樹脂膜A的體積來獲得。
[0295] 此外，樹脂膜A的平均厚度不特別限于特定值，但是優(yōu)選為50微米或更小，更優(yōu)選 30微米或更小，并且甚至更優(yōu)選20微米或更小。此外，平均厚度優(yōu)選為1微米或更大，更優(yōu)選 2微米或更大，并且甚至更優(yōu)選3微米或更大。通過使用具有上述平均厚度的樹脂膜A，可以 使樹脂膜A可靠地提供作為有機(jī)EL顯示裝置1或傳感器元件10中的基礎(chǔ)層的功能。此外，可 以可靠地抑制或防止樹脂膜A中產(chǎn)生裂縫。
[0296] 雖然已基于實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明的樹脂組合物、制造樹脂組合物的方法、基底和制 造電子裝置的方法進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明不限于此。
[0297] 例如，在本發(fā)明的樹脂組合物和基底中，每個(gè)成分均可以被能夠提供相同功能的 任意組分代替。或者可向其中添加任意組分。
[0298] 此外，在本發(fā)明的制造電子裝置的方法中，還可出于任意目的添加一個(gè)或更多個(gè) 步驟。
[0299]此外，在上述實(shí)施方案中，使用本發(fā)明的制造電子裝置的方法來制造有機(jī)EL顯示 裝置或傳感器元件10。然而，本發(fā)明的制造電子裝置的方法不限于此。例如，本發(fā)明的制造 電子裝置的方法不僅可用于制造其他顯示裝置例如液晶顯示裝置，還可用于制造多種電子 裝置，例如包括傳感器元件作為電子元件的輸入裝置、包括顯示元件作為電子元件的顯示 裝置、包括光學(xué)元件作為電子元件的光學(xué)裝置以及包括光電轉(zhuǎn)換元件作為電子元件的太陽(yáng) 能電池。此外，電子元件的實(shí)例不僅包括薄膜晶體管和光電二極管，而且包括發(fā)光裝置如有 機(jī)EL裝置、光電轉(zhuǎn)換元件和壓電元件。
[0300] 實(shí)施例
[0301 ]下文中，將基于具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0302] 1.樹脂組合物的制備和樹脂膜的形成 [0303]〈實(shí)施例1>
[0304]〈樹脂組合物的制備〉
[0305] 〈1>向配備有機(jī)械攪拌器、氮?dú)馊肟诤统隹诘?50ml三頸圓底燒瓶中添加 PFMB (3.20248,0.01111〇1)和干0嫩(3(451111)，然后使??1^完全溶解以獲得溶液。
[0306] 〈2>然后，在溶液冷卻至0°C之后，在室溫下向溶液中添加 IPC(0.6395g， 0.003mol)，并且用DMAc( 1.5ml)洗滌燒瓶壁。15分鐘之后，向溶液中添加 TPC( 1.421 lg， 0.007mo 1)，然后再次用DMAc (1.5ml)洗滌燒瓶壁。
[0307] 〈3>然后，在溶液快速變粘并形成凝膠之后，向凝膠（溶液）中添加 Pr0( 1.4g， 0.024mo 1)。這時(shí)，凝膠緩慢破碎以形成粘性且均勻的溶液。
[0308] 〈4>然后，在將溶液攪拌4小時(shí)之后，向溶液中添加 TA(0.225g)，然后將溶液再攪拌 2小時(shí)。
[0309] 通過進(jìn)行上述步驟，制備了樹脂組合物（聚合物溶液），其包含5%的TA(相對(duì)于聚 合物的重量比）以及由TPC、IPC和PFMB(混合比=70摩爾％/30摩爾％/100摩爾％)產(chǎn)生的芳 香族聚酰胺(聚合物）。
[0310]〈樹脂膜(聚酰胺膜)的形成>
[0311] 通過使用所制備的樹脂組合物在玻璃基底上形成樹脂膜。
[0312] 即，首先，將樹脂組合物施加到平坦的玻璃基底（10cmX 10cm，由Corning Inc.， U. S. A.生產(chǎn)的"EAGLE XG"）上，然后用刮片使其平坦化。以這種方式，使樹脂組合物形成具 有均勻厚度的膜。
[0313] 然后，在減壓下在60°C下使所獲得的膜(樹脂組合物)干燥幾分鐘。之后，使溫度從 60°C升高至200°C。通過在氮?dú)饬飨卤３?00°C的溫度1小時(shí)來干燥所述膜。
[0314]然后，通過在真空氣氛下或惰性氣氛下在接近芳香族聚酰胺的Tg的溫度（即，330 °c)下將經(jīng)干燥的膜加熱幾分鐘使其經(jīng)受固化處理。由此，在玻璃基底上形成了樹脂膜。
[0315] 在這一方面，所獲得的樹脂膜的厚度為約10微米。
[0316] 〈實(shí)施例2>
[0317] 以與實(shí)施例1相同的方式制備實(shí)施例2的樹脂組合物(聚合物溶液），不同之處在于 改變以下點(diǎn)。在步驟〈4>之前，通過向溶液中添加甲醇，使所產(chǎn)生的芳香族聚酰胺再沉淀為 纖維狀沉淀物。利用過濾收集沉淀物，用甲醇洗滌，然后干燥。之后，將所獲得的干燥產(chǎn)物 (芳香族聚酰胺)再溶解至DMAc中，由此制備10%芳香族聚酰胺溶液。然后，向溶液中添加 TA (0.225g)，并且如步驟〈4>將溶液再攪拌2小時(shí)。之后，以與實(shí)施例1相同的方式通過使用樹 脂組合物在玻璃基底上形成樹脂膜。
[0318] 在這一方面，所獲得的樹脂膜的厚度為約10微米。
[0319] 〈實(shí)施例3>
[0320] 以與實(shí)施例2相同的方式制備實(shí)施例3的樹脂組合物(聚合物溶液），不同之處在于 在步驟〈2>中，將1?(：和了？(：的組合改變成1?(：(0.63958,0.003111〇1)和^^(1.70978， 0.007mol)的組合。之后，以與實(shí)施例1相同的方式通過使用樹脂組合物在玻璃基底上形成 樹脂膜。
[0321] 在這一方面，所獲得的樹脂膜的厚度為約10微米。
[0322] 〈比較例〉
[0323] 以與實(shí)施例1相同的方式制備比較例的樹脂組合物(聚合物溶液），不同之處在于 步驟〈4>，即，省略向樹脂組合物中添加 TA(0.225g)。
[0324] 在這一方面，所獲得的樹脂膜的厚度為約10微米。
[0325] 2.評(píng)估
[0326] 根據(jù)以下方法評(píng)估由實(shí)施例和比較例各自的樹脂組合物獲得的樹脂膜。
[0327] 〈玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)>
[0328] 通過使用熱機(jī)械分析儀（由BrukerAXS Corporation生產(chǎn)的"TMA4000SA"）測(cè)量樹 脂膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。
[0329] 〈總透光率（355nm和400nm的波長(zhǎng))>
[0330] 樹脂膜在355nm和400nm波長(zhǎng)下的總透光率通過使用分光光度計(jì)（由Shimadzu Corporation生產(chǎn)的 "UV 2450"）獲得。
[0331] 〈熱膨脹系數(shù)(CTE)>
[0332] 熱膨脹系數(shù)(CTE)作為如下測(cè)量的平均熱膨脹系數(shù)獲得。
[0333] 在BrukerAXS Corporation生產(chǎn)的熱機(jī)械分析儀"TMA4000SA"中，在氮?dú)夥障乱?0 °C/1分鐘的速率將溫度從30°C升高至300°C。然后，將溫度在300°C下保持30分鐘。之后，當(dāng) 以10 °C/1分鐘的速率將溫度冷卻至25 °C時(shí)，在冷卻時(shí)測(cè)量平均熱膨脹系數(shù)。將樣品的寬度 設(shè)定為5mm并且將載荷設(shè)定為2g。以拉伸的模式進(jìn)行測(cè)量。用以下方案(方程)計(jì)算平均熱膨 脹系數(shù)。
[0334] 平均熱膨脹系數(shù)(ppm/K) = ((L3(x)-L3())/L3())/(300-30)X 106，
[0335] L· :300 °C溫度下的樣品長(zhǎng)度
[0336] L3Q:30°C溫度下的樣品長(zhǎng)度
[0337] 〈耐溶劑性〉
[0338] 通過使用NNP作為有機(jī)溶劑評(píng)估樹脂膜的耐溶劑性。將膜浸入有機(jī)溶劑中，然后觀 察樹脂膜的溶解和溶脹以及表面的翹曲和損壞。沒有觀察到這些的樹脂膜被定義為"A"，觀 察到這些的樹脂膜被定義為"B"。
[0339] 由上述實(shí)施例和比較例各自制備的樹脂組合物獲得的樹脂膜的評(píng)估結(jié)果分別示 于下表1中。
[0340] [表1]
[0342]如表1所示，在實(shí)施例中獲得的每個(gè)樹脂膜中，其在400nm波長(zhǎng)下的總透光率為 70 %或更大，其在550nm波長(zhǎng)下的總透光率為80 %或更大，其熱膨脹系數(shù)(CTE)較小，并且其 耐溶劑性是優(yōu)異的。
[0343]相比之下，在比較例獲得的樹脂膜中沒有獲得良好的結(jié)果。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種樹脂組合物，包含： 芳香族聚酰胺； 芳香族多官能化合物，其具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)；和 溶解所述芳香族聚酰胺的溶劑。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂組合物，其中所述芳香族多官能化合物的所述官能團(tuán)中 的每一個(gè)是駿基。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的樹脂組合物，其中所述芳香族多官能化合物選自由以下通式 (A)至(C)表示的化合物：其中r = l或2，p = 3或4，q = 2或3，仏、1?2、1?3、1?4和1^各自選自氫原子、鹵素(氟原子、氯原 子、溴原子和碘原子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取 代的烷氧基如鹵代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、 及其組合，并且Gi選自共價(jià)鍵、CH 2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF3)2基團(tuán)、C(CX 3)2基團(tuán)（X表示鹵素 原子）、C0基團(tuán)、氧原子、硫原子、S02基團(tuán)、Si(CH 3)2基團(tuán)、9,9_芴基、經(jīng)取代的9,9_芴基和0Z0 基團(tuán)（Z表示芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9,9_雙苯基芴基和經(jīng)取 代的9,9-雙苯基芴基）。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的樹脂組合物，其中所述芳香族多官能化合物是苯均三酸。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂組合物，其中所述芳香族聚酰胺是全芳香族聚酰胺。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂組合物，其中所述芳香族聚酰胺具有由以下通式（I)表示 的重復(fù)單元：其中X是1或更大的整數(shù)，An由以下通式(II)、（III)或(IV)表示：(其中口 = 4;9 = 3;1?1、1?2、1?3、1?4和1?5各自選自氫原子、|^素原子(氟原子、氯原子、溴原子 和鵬原子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取代的燒氧 基如鹵代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、及其組 合;并且Gi選自共價(jià)鍵、CH 2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF3)2基團(tuán)、C(CX 3)2基團(tuán)(X表示鹵素原子）、 C0基團(tuán)、氧原子、硫原子、S〇2基團(tuán)、S i (CH3) 2基團(tuán)、9，9-芴基、經(jīng)取代的9，9-芴基和0Z0基團(tuán)（Z 表示芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9,9_雙苯基芴基和經(jīng)取代的9， 9-雙苯基芴基）），并且Ar 2由以下通式(V)或(VI)表示：(其中P = 4;R6、R7和R8各自選自氫原子、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原子）、 烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取代的烷氧基如鹵代燒 氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、及其組合;并且6 2選 自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF 3)2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)(X表示鹵素原子）、C0基團(tuán)、氧原 子、硫原子、S〇2基團(tuán)、Si(CH 3)2基團(tuán)、9,9-芴基、經(jīng)取代的9,9-芴基和020基團(tuán)（2表示芳基或 經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9，9-雙苯基芴基和經(jīng)取代的9，9-雙苯基芴 基)）。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂組合物，其中所述樹脂組合物用于形成層，并且所述層在 355nm波長(zhǎng)下的總透光率為10 %或更小。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的樹脂組合物，其中所述芳香族聚酰胺包含萘結(jié)構(gòu)。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂組合物，其中所述芳香族聚酰胺的至少一個(gè)末端是封端 的。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂組合物，其中所述溶劑是極性溶劑。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂組合物，其中所述溶劑是有機(jī)溶劑和/或無機(jī)溶劑。12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂組合物，其中所述樹脂組合物還包含無機(jī)填料。13. -種制造樹脂組合物的方法，包括： 將一種或更多種芳香族二胺與溶劑混合以獲得混合物； 通過向所述混合物中添加芳香族二酸二氯使所述芳香族二酸二氯與所述芳香族二胺 反應(yīng)以產(chǎn)生包含芳香族聚酰胺和鹽酸的溶液； 從所述溶液中除去所述鹽酸；以及 向所述溶液中添加具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合 物以制造所述樹脂組合物。14. 一種用于在其上形成電子元件的基底，包括： 板狀基體構(gòu)件，其具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面;和 電子元件形成層，其設(shè)置在所述基體構(gòu)件的所述第一表面的一側(cè)并且構(gòu)造成能夠在所 述電子元件形成層上形成所述電子元件； 其中所述電子元件形成層包含通過使芳香族聚酰胺與具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或 氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合物反應(yīng)獲得的反應(yīng)物。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的基底，其中所述電子元件形成層具有耐溶劑性。16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的基底，其中所述電子元件形成層的熱膨脹系數(shù)（CTE)為 100ppm/K或更小。17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的基底，其中所述電子元件形成層的平均厚度在1微米至50微 米的范圍內(nèi)。18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的基底，其中所述電子元件是有機(jī)EL元件。19. 一種制造電子裝置的方法，包括： 制備基底，所述基底包含： 板狀基體構(gòu)件，其具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，和 電子元件形成層，其設(shè)置在所述基體構(gòu)件的所述第一表面的一側(cè)， 其中所述電子元件形成層包含通過使芳香族聚酰胺與具有兩個(gè)或更多個(gè)包括羧基或 氨基的官能團(tuán)的芳香族多官能化合物反應(yīng)獲得的反應(yīng)物； 在所述電子元件形成層的與所述基體構(gòu)件相對(duì)的表面上形成所述電子元件； 形成覆蓋層以覆蓋所述電子元件； 用光照射所述電子元件形成層，由此在所述基體構(gòu)件與所述電子元件形成層之間的界 面處使所述電子元件形成層從所述基體構(gòu)件上剝離；以及 使包括所述電子元件、所述覆蓋層和所述電子元件形成層的所述電子裝置與所述基體 構(gòu)件分離。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述電子元件形成層具有耐溶劑性。21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述電子元件形成層的熱膨脹系數(shù)（CTE)為 100ppm/K或更小。22. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述電子元件形成層的平均厚度在1微米至50微 米的范圍內(nèi)。23. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述芳香族多官能化合物選自由以下通式(A)至 (C)表示的化合物：其中r = l或2，p = 3或4，q = 2或3，仏、1?2、1?3、1?4和1^各自選自氫原子、鹵素(氟原子、氯原 子、溴原子和碘原子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取 代的烷氧基如鹵代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、 及其組合，并且Gi選自共價(jià)鍵、CH 2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF3)2基團(tuán)、C(CX 3)2基團(tuán)（X表示鹵素 原子）、C0基團(tuán)、氧原子、硫原子、S02基團(tuán)、Si(CH 3)2基團(tuán)、9,9_芴基、經(jīng)取代的9,9_芴基和0Z0 基團(tuán)（Z表示芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9,9_雙苯基芴基和經(jīng)取 代的9,9-雙苯基芴基）。24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述芳香族聚酰胺具有由以下通式(I)表示的重 復(fù)單元：其中X是1或更大的整數(shù)，An由以下通式(II)、（III)或(IV)表示：(其中口 = 4;9 = 3;1?1、1?2、1?3、1?4和1?5各自選自氫原子、|^素原子(氟原子、氯原子、溴原子 和鵬原子）、烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取代的燒氧 基如鹵代烷氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、及其組 合;并且Gi選自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF 3)2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)(X表示鹵素原子）、 C0基團(tuán)、氧原子、硫原子、S〇2基團(tuán)、S i (CH3) 2基團(tuán)、9，9-芴基、經(jīng)取代的9，9-芴基和0Z0基團(tuán)（Z 表示芳基或經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9,9_雙苯基芴基和經(jīng)取代的9， 9-雙苯基芴基）），并且Ar 2由以下通式(V)或(VI)表示：(其中P = 4;R6、R7和R8各自選自氫原子、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原子）、 烷基、經(jīng)取代的烷基如鹵代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、經(jīng)取代的烷氧基如鹵代燒 氧基、芳基、經(jīng)取代的芳基如鹵代芳基、烷基酯基、經(jīng)取代的烷基酯基、及其組合;并且6 2選 自共價(jià)鍵、CH2基團(tuán)、C(CH3)2基團(tuán)、C(CF 3)2基團(tuán)、C(CX3)2基團(tuán)(X表示鹵素原子）、C0基團(tuán)、氧原 子、硫原子、S〇2基團(tuán)、Si(CH 3)2基團(tuán)、9,9-芴基、經(jīng)取代的9,9-芴基和020基團(tuán)（2表示芳基或 經(jīng)取代的芳基，例如苯基、聯(lián)苯基、全氟聯(lián)苯基、9，9-雙苯基芴基和經(jīng)取代的9，9-雙苯基芴 基)）。25.-種電子裝置，其通過使用根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法制造。
【文檔編號(hào)】H05B33/02GK105960436SQ201480057963
【公開日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2014年10月21日
【發(fā)明人】孫立民, 張東, 景蛟凱, 法蘭克·W·哈里斯, 楳田英雄, 川崎律也, 岡田潤(rùn), 井上美津穗, 內(nèi)藤學(xué)
【申請(qǐng)人】亞克朗聚合物系統(tǒng)公司, 住友電木株式會(huì)社