用于電子器件的化合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于電子器件的化合物。具體地，本發(fā)明涉及通式(I)的化合物和其在有機電子器件中的用途，以及包括優(yōu)選作為空穴傳輸材料和/或特別是與另外的基質(zhì)材料結(jié)合作為基質(zhì)材料的通式(I)化合物的有機電子器件。
【專利說明】
用于電子器件的化合物
[00011 本申請是申請日為2010年12月17日、申請?zhí)枮?01080062377.X、發(fā)明名稱為"用于 電子器件的化合物"的中國發(fā)明專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明涉及用于電子器件的化合物。具體地，本發(fā)明涉及通式（I)的化合物，和其 在電子器件中的用途，和包括這些化合物的電子器件。
【背景技術(shù)】
[0003] 正在開發(fā)許多不同的電子器件應(yīng)用的有機半導(dǎo)體材料，例如本發(fā)明的化合物。
[0004] 例如在US 4539507、US 5151629、EP 0676461 和W0 98/27136中描述了其中本發(fā)明 的化合物可以用作功能材料的有機電致發(fā)光器件(0LED)的結(jié)構(gòu)。
[0005] 關(guān)于有機電致發(fā)光器件的性能數(shù)據(jù)，仍有進一步改進的必要，特別是廣泛的商業(yè) 用途。在這一點上特別重要的是壽命，有機電致發(fā)光器件的效率和工作電壓，和實現(xiàn)的色 值。特別是在發(fā)藍色光的電致發(fā)光器件的情況下，這對于器件壽命的改進是可能的。
[0006] 另外，希望用作有機半導(dǎo)體材料的化合物具有高的熱穩(wěn)定性和高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫 度，而且在不分解的情況下可升華。
[0007]此外，現(xiàn)有技術(shù)中空穴傳輸材料情況中的電壓通常隨著空穴傳輸層的層厚度增 加。在實踐中，通常希望空穴傳輸層具有更大的層厚度，但這通常產(chǎn)生更高的工作電壓和更 差的性能數(shù)據(jù)的后果。在這一點上，需要新穎的具有高電荷載流子迀移率的空穴傳輸材料， 能夠使較厚的空穴傳輸層實現(xiàn)略微的工作電壓增加。
[0008] 現(xiàn)有技術(shù)中芳基胺衍生物已知作為空穴傳輸和空穴注入材料。該類型基于茚并芴 的材料例如公開在W0 06/100896和W0 06/122630中。上面描述的茚并芴胺存在加工性方面 的缺點:在氣相沉積或涂覆過程期間，會發(fā)生過早的沉積，因此使工業(yè)過程復(fù)雜化。另外，已 知的空穴傳輸材料通常具有低的電子穩(wěn)定性，這導(dǎo)致包括該化合物電子器件短的壽命。在 這一點上需要進一步改進。
[0009] 此外，需要用于電子器件的可選的基質(zhì)材料。特別是，需要同時導(dǎo)致良好效率、長 壽命和低工作電壓的磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料。正是基質(zhì)材料的性能通常限制有機電致發(fā)光 器件的壽命和效率。
[0010] 根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，味挫衍生物，例如雙(味唑基)聯(lián)苯通常用作基質(zhì)材料。在這一點上 仍有改進的可能，特別是在材料的壽命和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度方面。此外，需要改進包括所討論 材料的電子器件的工作電壓。
[0011] 此外，酮(W0 04/093207)，氧化膦，砜(W0 05/003253)和三嗪化合物，例如三嗪基 螺二芴（參看申請W0 05/053055和申請W0 10/015306和W0 10/072300)，用作磷光發(fā)光體的 基質(zhì)材料。特別是對于酮可實現(xiàn)低工作電壓和長壽命。在這一點上仍有改進的可能，特別是 在包括二酮化物配體例如乙酰丙酮化物的金屬絡(luò)合物的效率和相容性方面。
[0012]此外，金屬絡(luò)合物，例如BAlq或雙[2-(2-苯并噻唑基)苯酸]鋅（II)，用作磷光發(fā)光 體的基質(zhì)材料。在這一點上仍需要改進，特別是在工作電壓及化學(xué)穩(wěn)定性方面的改進。純粹 地有機化合物通常比這些金屬絡(luò)合物更加穩(wěn)定。因此，一些金屬絡(luò)合物對水解敏感，使得處 理所述絡(luò)合物更加困難。
[0013] 同樣，特別使人感興趣的是提供作為混合基質(zhì)體系的基質(zhì)組分的替代材料。在本 申請意義上的混合基質(zhì)體系被認(rèn)為是指其中兩種或更多種不同的基質(zhì)化合物與一種或多 種摻雜劑化合物混合在一起用作發(fā)光層的體系。這些體系在有機電致磷光器件情況中是特 別使人感興趣的。對于更詳細的信息，參見未公開的申請DE 102009014513.3。
[0014] 作為混合基質(zhì)體系中的基質(zhì)組分的可被提及的現(xiàn)有技術(shù)的化合物，尤其是CBP(二 咔唑基聯(lián)苯)和TCTA(三咔唑基三苯基胺）（參考實施例部分表4)。然而，仍需要用作混合基 質(zhì)體系的基質(zhì)組分的替代化合物。特別是，需要能實現(xiàn)電子器件工作電壓和壽命改進的化 合物。
[0015] 對于熒光0LED，現(xiàn)有技術(shù)中使用的尤其是用于發(fā)藍色光電致發(fā)光器件的基質(zhì)材 料，尤其是稠合芳族化合物，特別是蒽衍生物，例如9,10-雙（2-萘基）蒽（US 5935721)10 03/095445和CN 1362464公開了9,10-雙（1-萘基）蒽衍生物用于0LED中。其它的蒽衍生物公 開在WO 01/076323、W0 01/021729、W0 04/013073、W0 04/018588、W0 03/087023或TO 04/ 018587中?；诜蓟〈能藕涂叩幕|(zhì)材料公開在WO 04/016575中。基于苯并蒽衍生物 的基質(zhì)材料公開在W0 08/145239中。對于高質(zhì)量的應(yīng)用，希望具有可利用的其它基質(zhì)材料， 其優(yōu)選具有改進的性能。
[0016] 在發(fā)藍色光化合物情況下，可以提及的現(xiàn)有技術(shù)是使用芳基乙烯基胺（例如W0 04/013073、W0 04/016575、W0 04/018587)。然而，這些化合物是熱不穩(wěn)定的，不能在沒有分 解的情況下蒸發(fā)，對于0LED制造這需要高的技術(shù)復(fù)雜性，因此代表一種技術(shù)上的缺點。對于 高質(zhì)量的應(yīng)用，因此，希望得到改進的特別是在器件和升華穩(wěn)定性和發(fā)光顏色方面改進的 發(fā)光體。
[0017] 總的說來，在電子器件的功能材料的領(lǐng)域中需要優(yōu)選具有改進性能的替代材料。
[0018] 申請W0 2006/033563和US 2009/0136779特別是公開了其中單個芳基基團彼此橋 接的三芳基胺衍生物。該化合物用作電子器件中的空穴傳輸材料和/或發(fā)光材料。
[0019] 申請W0 10/083871公開了其中芳基基團稠合在哌啶環(huán)上的化合物。該化合物用作 電子器件中的空穴傳輸材料和/或發(fā)光材料。
[0020] 此外，未公開的申請DE 102009048791.3公開了含有三嗪基基團的橋接咔唑衍生 物。所述化合物優(yōu)選用作磷光摻雜劑的基質(zhì)材料和用作電子傳輸材料。
[0021] 然而，仍需要改進器件的壽命、效率和工作電壓。另外，對于化合物有利的是具有 高熱穩(wěn)定性和高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，并在不分解情況下可升華。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0022] 因此，本發(fā)明涉及通式（I)的化合物
[0023；
[0024] 其中以下適用于存在的符號和標(biāo)記：
[0025] Y在每次出現(xiàn)時相同或不同地是單鍵、BR2、C(R2)2、R2C = CR2、Si(R2)2、C = 0、C = NR2、 0、S、SO、S02、PR2、P0R2或NR 2，其中存在至少一個代表單鍵的基團Y;
[0026] T1、!'2、!'3 在每次出現(xiàn)時相同或不同地是單鍵、BR2、C(R2)2、R2C = CR2、Si(R2)2、C = 0、 C = NR2、0、S、SO、S〇2、PR2、POR2SNR2;
[0027] Ph是苯基基團，其可被一個或多個基團R1取代；
[0028] Ar1是具有6至30個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，其可被一個或多個基團R1取代；
[0029] R\R2 在每次出現(xiàn)時相同或不同地是H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CH0，N(R3)2，C(=0)R 3，P(=0) (妒）2,5(=0)1?3,5(=0)21?3,0?3 = (：(1?3)2，^吣2,31(1?3)3,8(01?3)2,03〇21? 3,011，具有1至40個〇 原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團或具有3至40個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧 基或硫代烷基基團或具有2至40個C原子的烯基或炔基基團，它們每個可被一個或多個基團 R3取代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團可被R3C = CR3、C^C、Si(R3)2、Ge(R3) 2、Sn(R3)2、C =0丄=3丄=36工=冊3、卩（=0)(1?3)、30、302、冊 3、0、3或0)冊3代替，和其中一個或多個!1原 子可被〇、？、(：1、8^1、0~或^) 2代替，或具有5至60個芳族環(huán)原子的單或多環(huán)的芳族或雜芳族 環(huán)系，在每種情況下它們可被一個或多個非芳族基團R 3取代，或具有5至60個芳族環(huán)原子的 芳氧基或雜芳氧基基團，它們可被一個或多個非芳族基團R3取代，或這些體系的組合，其中 兩個或更多個基團R 1和/或R2可以彼此連接并可以形成單或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；
[0030] R3 在每次出現(xiàn)時相同或不同地是H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CH0，N(R4)2，C(=0)R 4，P(=0) (妒)2,3(=0)1?4,5(=0)21?4,0? 4 = (：(1?4)2，^勵2^(1?4)3,8(01?4)2,03〇21? 4,011，具有1至40個〇 原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團或具有3至40個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧 基或硫代烷基基團或具有2至40個C原子的烯基或炔基基團，它們每個可被一個或多個基團 R4取代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團可被R4C = CR4、C^c、Si(R4)2、Ge(R4) 2、Sn(R4)2、C =0丄=3丄=36工=冊4、卩（=0)(1?4)、30、302、冊 4、0、3或0)冊4代替，和其中一個或多個!1原 子可被〇、？、(：1、8^1、0~或^) 2代替，或具有5至60個芳族環(huán)原子的單或多環(huán)的芳族或雜芳族 環(huán)系，在每種情況下它們可被一個或多個非芳族基團R 4取代，或具有5至60個芳族環(huán)原子的 芳氧基或雜芳氧基基團，它們可被一個或多個非芳族基團R4取代，或這些體系的組合，其中 兩個或更多個基團R 3可以彼此連接并可以形成單或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；
[0031] R4在每次出現(xiàn)時相同或不同地是H，D，F(xiàn)，或具有1至20個C原子的脂族、芳族和/或 雜芳族有機基團，其中另外，一個或多個Η原子可被D或F代替;此處兩個或更多個相同或不 同的取代基R 4也可以彼此連接且可以形成單或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；
[0032] η在每次出現(xiàn)時相同或不同地是0或1，其中η值總和等于1或2,和其中對于n = 0,基 團R1被鍵合而不是基團Y;
[0033] ml、m2、m3在每次出現(xiàn)時相同或不同地是0或1，其中，對于ml、m2或m3 = 0,基團R1被 鍵合而不分別是基團?^Τ2或T3;
[0034] ρ 等于〇或 1;
[0035]其中排除以下結(jié)構(gòu)：
[0036]

[0038]其中不超過一個代表通式N(R3)2基團的基團R1可以與通式（I)中單個的三芳基胺 基團鍵合，其中R3是芳基基團。
【具體實施方式】
[0039] 在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，對于p = 1和ml =m3 = 0，通式（I)化合物中的基團T2 不能代表單鍵。在本發(fā)明特別的優(yōu)選實施方式中，在其中P等于1和標(biāo)記ml、m2和m3值總和等 于1的情況下，TU2和T 3不代表單鍵。在本發(fā)明另外的特別優(yōu)選實施方式中，如果ml=m3 = 0，通式(I)化合物中的基團T2不能代表單鍵。
[0040] 以下更詳細地解釋不超過一個代表通式N(R3)2基團的基團R1可以與通式（I)中單 個的三芳基氨基基團鍵合的條件，其中R 3是芳基基團。
[0041] 在上述定義的意義上，本發(fā)明化合物結(jié)構(gòu)式中的左邊部分(通式(la))和右邊部分 (通式（lb))代表單個的三芳基氨基基團。
[0042]
[0043]例如，其中R3代表芳基基團的以下指出的通式代表不落入本申請權(quán)利要求范圍內(nèi) 的化合物：
[0044]
[0045]如以上解釋的，以上顯示的通式表示的化合物中，兩個基團N(R3)2與單個的三芳基 氨基基團鍵合，其中R3是芳基基團。
[0046]該情形與以下其中R3代表芳基基團的通式的化合物相同：
[0047]
[0048]相反，其中R3代表芳基基團的以下通式的化合物被本申請權(quán)利要求保護：
[0049]
[0050] 這是因為，在這種情況下，如以上解釋的，單一基團N(R3)2與單一的三芳基氨基基 團鍵合，其中R 3代表芳基基團。
[0051] 在本發(fā)明意義上的芳基基團包含6至60個C原子;在本發(fā)明意義上的雜芳基基團包 含1至60個C原子和至少一個雜原子，條件是C原子和雜原子的總和至少是5。所述雜原子優(yōu) 選選自N、0和/或S。此處的芳基基團或雜芳基基團被認(rèn)為是指簡單的芳族環(huán)，即苯，或簡單 的雜芳族環(huán)，例如吡啶、啼啶、噻吩等，或稠合(稠）的芳基或雜芳基基團，例如萘、蒽、菲、喹 啉、異喹啉、咔唑等。
[0052] 在本發(fā)明意義上的芳族環(huán)系在環(huán)系中包含6至60個C原子。在本發(fā)明意義上的雜芳 族環(huán)系在環(huán)系中包含5至60個芳族環(huán)原子和至少一個雜原子，條件是C原子和雜原子的總和 至少為5。所述雜原子優(yōu)選選自N、0和/或S。在本發(fā)明意義上的芳族或雜芳族環(huán)系旨在被認(rèn) 為是指不必僅包含芳基或雜芳基基團的體系，而是其中另外，多個芳基或雜芳基基團可被 非芳族單元(優(yōu)選小于非Η原子的10% )連接，例如，sp3-雜化的C、N或0原子。因此，例如，體 系例如9,9'_螺二芴、9,9_二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、芪等也旨在被認(rèn)為是指本發(fā)明的 意義上的芳族環(huán)系，如其中兩個或更多個芳基基團例如通過直鏈的或環(huán)狀的烷基或通過甲 娃烷基基團間斷的體系。
[0053] 在每種情況下可被上述提到的基團取代并可以經(jīng)由任何希望的位置與芳族或雜 芳族環(huán)系連接的芳基或雜芳基基團，被認(rèn)為特別是指衍生于如下物質(zhì)的基團：苯、萘、蒽、 菲、芘、二氫芘、顏、.茈、熒蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、異苯 并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、硫芴、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并 咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5，6-喹啉、苯并-6，7-喹啉、苯并-7，8-喹啉、吩 噻嗪、吩〖搖I嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、 喹喔啉并咪唑、騸唑、苯并:卩惡唑、萘并嘯唑、蒽并If唑、菲并I!惡唑、異!J惡唑、1，2-噻唑、1，3-噻唑、苯并噻唑、噠嗪、苯并噠嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、二氮雜萘、氮雜咔唑、 苯并咔啉、菲咯啉、1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、苯并三唑、1，2，3-1?二唑、1，2，4-?惡二唑、1， 2,5-111二唑、1，3,4-躧二唑、1，2,3-噻二唑、1，2,4-噻二唑、1，2,5-噻二唑、1，3,4-噻二唑、 1，3,5-三嗪、1，2,4-三嗪、1，2,3-三嗪、四唑、1，2,4,5-四嗪、1，2,3,4-四嗪、1，2,3,5-四嗪、 嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑，或這些基團的組合。
[0054]具有5-60個芳族環(huán)原子，在每種情況下也可被如上定義的基團取代以及可以通過 任何希望的位置與芳族或雜芳族基團連接的芳族或雜芳族環(huán)系被認(rèn)為特別是指衍生于如 下物質(zhì)的基團：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、蔚、花、熒蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、聯(lián) 苯、偶苯、三聯(lián)苯、三亞苯、芴、諱并芴、諱并咔唑、螺二芴、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順式或反 式茚并芴、三聚茚、異三聚茚、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并 呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、硫芴、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、口丫 啶、菲啶、苯并-5，6-喹啉、苯并-6，7-喹啉、苯并-7，8-喹啉、吩噻嗪、吩I態(tài)I嗪、吡唑、吲唑、咪 唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、驄唑、苯并P惡 唑、萘并嗯唑、蒽并嗯唑、菲并Ρ?唑、異驅(qū)唑、1，2-噻唑、1，3-噻唑、苯并噻唑、噠嗪、苯并噠 嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1，5_二氮雜蒽、2，7_二氮雜芘、2，3_二氮雜芘、1，6_二氮雜芘、 1，8-二氮雜芘、4，5-二氮雜芘、4，5，9，10-四氮雜茈、啦嗪、吩嗪、吩_嗪、吩噻嗪、焚紅環(huán)、二 氮雜萘、氮雜咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、苯并三唑、1，2，3-H惡二唑、 1，2,4_罐二唑、1，2,5-_ 二唑、1，3,4-? 二唑、1，2,3_ 噻二唑、1，2,4_ 噻二唑、1，2,5_ 噻二 唑、1，3,4_噻二唑、1，3,5_三嗪、1，2,4_三嗪、1，2,3_三嗪、四唑、1，2,4,5_四嗪、1，2,3,4_四 嗪、1，2，3，5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑。
[0055]為了本發(fā)明目的，其中另外，單個Η原子或CH2基團可被在基團R1和R2定義下的上述 提到的基團取代的具有1至40個C原子的直鏈烷基基團，或具有3至40個C原子的支鏈或環(huán)狀 的烷基基團或具有2至40個C原子的烯基或炔基基團，優(yōu)選被認(rèn)為是指如下的基團：甲基、乙 基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、環(huán)戊基、 新戊基、正己基、環(huán)己基、新己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛基、環(huán)辛基、2-乙基己基、三氟甲基、 五氟乙基、2,2,2_三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環(huán)戊烯基、己烯基、環(huán)己烯基、 庚烯基、環(huán)庚烯基、辛烯基、環(huán)辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。具 有1至40個C原子的烷氧基或硫代烷基基團優(yōu)選被認(rèn)為是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正 丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基 丁氧基、正己氧基、環(huán)己氧基、正庚氧基、環(huán)庚氧基、正辛氧基、環(huán)辛氧基、2-乙基己氧基、五 氟乙氧基、2,2,2_三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、 仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、環(huán)己硫基、正庚硫基、環(huán)庚硫基、正辛 硫基、環(huán)辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2，2，2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙 烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環(huán)戊烯硫基、己烯硫基、環(huán)己烯硫基、庚烯硫基、環(huán)庚烯硫基、 辛稀硫基、環(huán)辛稀硫基、乙塊硫基、丙塊硫基、丁塊硫基、戊塊硫基、己塊硫基、庚塊硫基或辛 塊硫基。
[0056]如果存在基團Y，優(yōu)選每個基團Y要與在與氮原子結(jié)合的鍵的鄰位的基團Ph鍵合。 [0057]此外，如果存在基團T1、!"2和T3,優(yōu)選每個基團T 1、!"2和T3要與在與氮原子結(jié)合的鍵 的鄰位的Ar1鍵合。
[0058] 在本發(fā)明化合物的優(yōu)選實施方式中，最多存在2個代表單鍵的基團Y。特別優(yōu)選，確 切地存在一個代表單鍵的基團Y。
[0059] 在本發(fā)明另外優(yōu)選的實施方式中，η值的總和等于1。
[0060] 在本發(fā)明特別的優(yōu)選實施方式中，確切地一個基團Υ代表單鍵，確切地一個另外的 基團Υ選自 BR2、C(R2)2、Si(R2)2、C = 0、C = NR2、0、S、S0、S02、PR2、P0RqPNR2。
[0061] 此外，優(yōu)選T1、!12和T3在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自單鍵、C(R 2)2、C = 0、0、S和 NR2。在這種情況下，R2優(yōu)選選自Η，D，具有1至8個碳原子的直鏈烷基基團，具有3至8個碳原子 的支鏈烷基基團，或具有6至10個碳原子的芳基基團，其中所述基團每個可被一個或多個基 團R 3取代。
[0062]特別優(yōu)選T1、!12和T3在每次出現(xiàn)時是單鍵。此外，此處優(yōu)選，與如上提及的T 1、!12和T3 兩個優(yōu)選實施方式結(jié)合，如果Ρ = 1和ml =m3 = 0，Τ2不代表單鍵。
[0063]此外，本發(fā)明優(yōu)選
[0064] Y在每次出現(xiàn)時相同或不同地是單鍵、C(R2)2、C = 0、0、S或NR2,其中存在至少一個 代表單鍵的基團Y。
[0065] 在這種情況下，R2優(yōu)選選自Η，D，具有1至8個碳原子的直鏈烷基基團，具有3至8個 碳原子的支鏈烷基基團，或具有6至10個碳原子的芳基基團，其中所述基團每個可被一個或 多個基團R 3取代。
[0066] 在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，標(biāo)記ml、m2和m3值總和等于2。
[0067] 在這種情況下，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選確切地兩個基團T1、!12之一和T3代表單鍵，存在的 兩個基團T 1、!"2的另一個和T3代表選自以妒)2丄=0、0、5或冊 2的基團。在這種情況下，此外優(yōu) 選η值總和同時等于1。
[0068] 在本發(fā)明另外優(yōu)選的實施方式中，標(biāo)記ml、m2和m3值總和等于1。與所述的優(yōu)選實 施方式結(jié)合，在這種情況下優(yōu)選存在的單個的基團?^Τ 2或T3不代表單鍵。
[0069] 在本發(fā)明另外優(yōu)選的實施方式中，所有的標(biāo)記ml、m2和m3等于零。
[0070] 此外，R1優(yōu)選不是基團N(R3)2,其中R3是芳基基團。
[0071] R1再次進一步優(yōu)選在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自!1，0^，^51(1?3)3或具有1至 20個C原子的直鏈烷基或烷氧基基團，或具有3至20個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基 基團，它們每個可被一個或多個基團R 3取代，其中一個或多個相鄰的或非相鄰的CH2基團可 被-(：三(：-、1^ = 0?3、3丨（1?3)2丄=0丄=冊3、冊 3、0、3、0)0或0)冊3代替，或具有5至30個芳族 環(huán)原子的芳基或雜芳基基團，它們在每種情況下可被一個或多個基團R 3取代。
[0072] 基團R2優(yōu)選在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自!1，0^，^3以1?3) 34(1?3)2或具有1至 20個C原子的直鏈烷基或烷氧基基團，或具有3至20個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基 基團，它們每個可被一個或多個基團R3取代，其中一個或多個相鄰的或非相鄰的CH2基團可 被-(：三(：-、1^ = 0?3、3丨（1?3)2丄=0丄=冊3、冊 3、0、3、0)0或0)冊3代替，或具有5至30個芳族 環(huán)原子的芳基或雜芳基基團，它們在每種情況下可被一個或多個基團R 3取代。
[0073] R2特別優(yōu)選在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自H，D，具有1至8個碳原子的直鏈烷基 基團，具有3至8個碳原子的支鏈烷基基團，或具有6至18個碳原子的芳基基團，其中所述基 團每個可被一個或多個基團R 3取代。R2非常特別優(yōu)選等于H，D，甲基或苯基。
[0074] 此外優(yōu)選本發(fā)明的化合物必須包含至少一個基團R2,所述基團R2代表被一個或多 個基團R 3取代的具有6至10個碳原子的芳基基團。本發(fā)明的化合物特別優(yōu)選包含至少一個 基團R2,所述基團R 2代表被一個或多個基團R3取代的苯基基團。
[0075] 此外優(yōu)選兩個或更多個基團R2彼此形成環(huán)。特別優(yōu)選兩個基團R2的成環(huán)形成螺環(huán) 化合物。此外，兩個作為基團C(R 2)2的一部分的代表￥、1'1、1'2、1'3或1^的基團妒特別優(yōu)選形成螺 環(huán)化合物。此處L如以下部分中之一所定義的。
[0076] 本發(fā)明優(yōu)選基團R1和R2不代表以下通式(A)至(G)的結(jié)構(gòu)：
[0077]
[0078] 其中以下適用于存在的符號和標(biāo)記：
[0079] Ar2在每次出現(xiàn)時相同或不同地是具有5-30個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系， 它們可被一個或多個非芳族基團R 3取代;此處鍵合到同一 N原子或P原子上的兩個基團Ar2也 可以通過單鍵或選自N(R3)、C(R 3)2或0的橋連基彼此連接；
[0080] R3定義如上；
[0081] p代表0或 1;
[0082]符號*表示其中基團鍵合的位置。
[0083]根據(jù)本發(fā)明此外優(yōu)選基團R1和R2彼此不連接。
[0084] 基團R3優(yōu)選在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，Si(R4)3，N(R 4)2,或具有1至 20個C原子的直鏈烷基或烷氧基基團，或具有3至20個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基 基團，它們每個可被一個或多個基團R 4取代，其中一個或多個相鄰的或非相鄰的CH2基團可 被-(：三(：-、1^ = 0?4、3丨（1?4)2丄=0丄=冊4、冊 4、0、3、0)0或0)冊4代替，或具有5至30個芳族 環(huán)原子的芳基或雜芳基基團，它們在每種情況下可被一個或多個基團R 4取代。
[0085] 本發(fā)明的通式（I)的化合物也可以表示為兩個通式（II)和（III)之一：
[0086]
123 其中存在的符號和標(biāo)記如以上指出的定義。 2 對于通式(111)的化合物，如果ml =m3 = 0，優(yōu)選基團T2不代表單鍵。 3
[0089] 基團Ph的優(yōu)選實施方式符合通式(Ph-Ι)和(Ph-2):
[0090]
[0091] 通過虛線表示與兩個氮原子結(jié)合的鍵，或與氮原子和與基團Ar1結(jié)合的鍵，如果基 團Y存在，則符號#標(biāo)記與基團Y鍵合的位置，和其中該結(jié)構(gòu)可被以上定義的基團R 1在所有的 空位取代。
[0092]基團Ar1的優(yōu)選實施方式符合以下的通式(Αι^-Ι)至(Ar1-?):
[0093]
1234567 其中 2 L 在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自 BR2、C(R2)2、R2C = CR2、Si(R2)2、C = 0、C = NR2、0、 S、SO、S〇2、PR2、POR2 和 NR2; 3 其中通過虛線表示與基團Ph和與氮原子結(jié)合的鍵，如果基團T1、!"2或T3存在，則符 號#標(biāo)記與基團Τ 1、!·2或Τ3鍵合的位置，和其中所述基團可被以上定義的基團R1在所有的空 位取代。 4
[0097]在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中， 5
[0098] L在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自C(R2)2、C = 0、0、S和NR2。 6 在這種情況下，R2優(yōu)選選自Η，D，具有1至8個碳原子的直鏈烷基基團，具有3至8個 碳原子的支鏈烷基基團，或具有6至10個碳原子的芳基基團，其中所述基團每個可被一個或 多個基團R 3取代。 7 L非常特別優(yōu)選在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自C(R2)2和NR2。
[0101 ]在這種情況下，R2優(yōu)選選自Η，D，具有1至8個碳原子的直鏈烷基基團，具有3至8個 碳原子的支鏈烷基基團，或具有6至10個碳原子的芳基基團，其中所述基團每個可被一個或 多個基團R3取代。
[0102]根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選Ar1代表具有6至20個芳族環(huán)原子的被一個或多個基團R1取代的芳 族環(huán)系。Ar1特別優(yōu)選是具有6至18個芳族環(huán)原子的只包括苯基基團并被一個或多個基團R1 取代的芳族體系。在本發(fā)明特別優(yōu)選的實施方式中，Ar1是被一個或多個基團R1取代的苯基 基團。
[0103]基團Ar1特別優(yōu)選的實施方式符合以下通式(ΑγΜ)至:
[0104]
[0105]
[0106；
12 其中通過虛線表示與基團Ph和與氮原子結(jié)合的鍵，如果存在基團T1、!"2或T3,符號# 標(biāo)記與基團Τ 1、!·2或Τ3鍵合的位置，其中所述基團可被基團R1在所有的空位上取代，和所述 基團R 1可以彼此連接，且可以因此形成另外的脂族或芳族環(huán)。 2 以下通式(1-1)至(1-55)表示本發(fā)明通式(I)化合物的特別優(yōu)選的實施方式：
[0109]
[0110]
[0111]
[0112]
[0113]
[0114]
12345 其中基團L和R1如上所述定義。以上指出的通式中的L在每次出現(xiàn)時相同或不同地 非常特別優(yōu)選選自C(R 2)2和NR2。 2 在這種情況下，R2優(yōu)選選自Η，D，具有1至8個碳原子的直鏈烷基基團，具有3至8個 碳原子的支鏈烷基基團，或具有6至10個碳原子的芳基基團，其中所述基團每個可被一個或 多個基團R 3取代。 3 通常，在本申請中提及的優(yōu)選和特別的優(yōu)選實施方式能夠根據(jù)本發(fā)明依照要求彼 此結(jié)合。 4 特別是，對于所述的優(yōu)選實施方式，優(yōu)選六-乂^^^竹^和以皮此組合。 5 通式(I)的優(yōu)選化合物的例子是以下描繪的結(jié)構(gòu)。
[0120]
[0121]
[0122]
[0123]
[0124]
[0125]
[0126]
[0127]
[0128]
[0129]
[0130]
[0131]
[0132]
[0133]
[0134] 本發(fā)明的化合物能夠通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員熟知的合成步驟獲得，例如過渡金 屬催化的偶聯(lián)反應(yīng)和酸催化的閉環(huán)反應(yīng)。
[0135] 因此，例如，如果鹵素取代的基團Ar1存在于本發(fā)明化合物的前體分子中，通過 Hartwig-Buchwald偶聯(lián)能夠引入二芳基氨基基團。
[0136] 以下方案1顯示在合成本發(fā)明化合物中重要中間體的各種橋接三芳基胺單元(A-E)的合成。
[0137] 通常，以下方案中的R和R'代表如以上R1和R2所定義的基團。
[0138] 方案 1
[0139]
[0140]

[0149] 此外本發(fā)明涉及制備通式（I)化合物的方法，其特征在于進行至少一個閉環(huán)反應(yīng) 用于引入橋連基團YJ^T^T^L。
[0150] 任選閉環(huán)反應(yīng)能夠隨后為偶聯(lián)反應(yīng)，用于引入二芳基氨基基團。或者，所述二芳基 氨基基團可以已經(jīng)存在于分子中，之后引入橋連基團。
[0151] 如上所述本發(fā)明的化合物，特別是被反應(yīng)性離去基團例如溴、碘、硼酸或硼酸酯取 代的化合物，能夠用作制備相應(yīng)的低聚物、樹枝狀大分子或聚合物的單體。此處低聚或聚合 優(yōu)選通過鹵素官能團或硼酸官能團進行。
[0152] 因此，本發(fā)明還涉及包括一種或多種通式（I)化合物的低聚物、聚合物或樹枝狀大 分子，其中與聚合物、低聚物或樹枝狀大分子結(jié)合的鍵可以位于在通式（I)中被R 1或R2取代 的任何希望的位置。取決于通式(I)化合物的連接，該化合物是低聚物或聚合物的側(cè)鏈部分 或主鏈部分。在本發(fā)明意義上的低聚物被認(rèn)為是指由至少三個單體單元構(gòu)成的化合物。在 本發(fā)明意義上的聚合物被認(rèn)為是指由至少十個單體單元構(gòu)成的化合物。本發(fā)明的聚合物、 低聚物或樹枝狀大分子可以是共輒、部分共輒或非共輒的。本發(fā)明的低聚物或聚合物可以 是直鏈的、支鏈的或樹枝狀的。在以線性方式連接的結(jié)構(gòu)中，通式（I)的單元能夠彼此直接 地連接，或它們能夠通過二價基團彼此連接，例如通過取代或未取代的亞烷基基團，通過雜 原子，或通過二價芳族或雜芳族基團連接。在支鏈和樹枝狀結(jié)構(gòu)中，通式（I)的三個或更多 個單元例如可以經(jīng)由三價或多價基團連接，例如經(jīng)由三價或多價芳族或雜芳族基團連接， 以得到支鏈或樹枝狀的低聚物或聚合物。
[0153]對于低聚物、樹枝狀大分子和聚合物中的通式(I)的重復(fù)單元，適用如上所述對于 通式（I)化合物相同的優(yōu)選。
[0154]為制備低聚物或聚合物，將本發(fā)明的單體均聚或與另外的單體共聚。適當(dāng)?shù)暮蛢?yōu) 選的共聚單體選自芴（例如根據(jù)EP 842208或W0 00/22026)，螺二芴（例如根據(jù)EP 707020、 EP 894107或W0 06/061181)，對苯撐（例如根據(jù)W0 92/18552)，咔唑（例如根據(jù)W0 04/ 070772和W0 04/113468)，噻吩（例如根據(jù)EP 1028136)，二氫菲（例如根據(jù)W0 05/014689或 TO 07/006383)，順式和反式茚并芴(例如根據(jù)W0 04/041901或W0 04/113412)，酮（例如根 據(jù)TO 05/040302)，菲（例如根據(jù)W0 05/104264或W0 07/017066)或同樣這些單元的多個。聚 合物、低聚物和樹枝狀大分子通常也包含其它的單元，例如發(fā)光(熒光或磷光)單元，例如乙 烯基三芳基胺（例如，根據(jù)W0 07/068325)，或磷光金屬絡(luò)合物(例如，根據(jù)W0 06/003000)， 和/或電荷傳輸單元，特別是基于三芳基胺的那些。
[0155] 本發(fā)明的聚合物、低聚物和樹枝狀大分子具有有利的性能，特別是長壽命、高效率 和良好的彩色坐標(biāo)。
[0156] 本發(fā)明聚合物和低聚物通常通過聚合一種或多種類型的單體制備，其至少一種單 體導(dǎo)致聚合物中通式（I)的重復(fù)單元。適當(dāng)?shù)木酆戏磻?yīng)為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員熟知并描述 于文獻中。導(dǎo)致C-C或C-N連接的特別適當(dāng)?shù)暮蛢?yōu)選的聚合反應(yīng)是以下反應(yīng)：
[0157] (A)SUZUKI 聚合；
[0158] (B) YAMAMOTO 聚合；
[0159] (C)STILLE 聚合;和
[0160] (D)HARTWIG-BUCHWALD 聚合。
[0161] 通過這些方法能夠進行聚合的方式和然后聚合物從反應(yīng)介質(zhì)中分離去并提純的 方式是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員熟知的，這詳細地描述于文獻中，例如WO 03/048225、W0 04/ 037887和W0 04/037887 中。
[0162] 因此，本發(fā)明也涉及制備本發(fā)明聚合物、低聚物和樹枝狀大分子的方法，其特征在 于它們通過SUZUKI聚合、YAMAMOTO聚合、STILLE聚合或HARTWIG-BUCHWALD聚合制備。本發(fā)明 的樹枝狀大分子能夠通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員熟知的方法或與此類似的方法制備。適當(dāng)?shù)?方法描述于文獻中，例如在Frechet，Jean M.J. ; Hawker，Craig J ·，"Hyperbranched polyphenylene and hyperbranched polyesters : new soluble , three-dimensional, reactive polymers"（超支化聚苯撐和超支化聚酯：新型可溶的三維反應(yīng)性聚合物）， Reactive&Functional Polymers (反應(yīng)性和功能性聚合物）（1995)，26(1-3)，127-36; Janssen,H.M.；Meijer,E.ff.,uThe synthesis and characterization of dendritic molecules"（樹枝狀分子的合成和表征），Materials Science and Technology(材料科學(xué) 和技術(shù)）（1999)，20(Synthesis of Polymers(聚合物的合成）），403-458; Tomalia，Donald A.，"Dendrimer molecules"（樹枝狀大分子），Scientific American(科學(xué)美國人）（1995)， 272(5)，62-6;W0 02/067343A1和W0 2005/026144A1中。
[0163] 本發(fā)明通式（I)的化合物適合用于電子器件中，特別是有機電致發(fā)光器件(0LED) 中。取決于取代，化合物用于不同的功能和層中。
[0164] 因此，本發(fā)明還涉及本發(fā)明通式(I)的化合物在電子器件中的用途。此處的電子器 件優(yōu)選選自有機集成電路(0-IC)、有機場效應(yīng)晶體管(0-FET)、有機薄膜晶體管(0-TFT)、有 機發(fā)光晶體管(0-LET)、有機太陽能電池(0-SC)、有機光學(xué)探測器、有機光感受器、有機場猝 熄器件(0-FQD)、發(fā)光電化學(xué)電池(LEC)、有機激光二極管(Ο-laser)和特別優(yōu)選有機電致發(fā) 光器件(0LED)。
[0165] 本發(fā)明還涉及制劑，其包括至少一種通式(I)化合物或含有至少一種通式(I)單元 的聚合物、低聚物或樹枝狀大分子，和至少一種溶劑，優(yōu)選有機溶劑。
[0166] 此外本發(fā)明還涉及包括至少一種通式（I)化合物的電子器件。此處的電子器件優(yōu) 選選自如上提及的器件。特別優(yōu)選包括陽極、陰極和至少一個發(fā)光層的有機電致發(fā)光器件， 其特征在于至少一個有機層，可以是發(fā)光層、空穴傳輸層或另外的層，包括至少一種通式 (I)的化合物。
[0167] 除了陰極、陽極和發(fā)光層，所述有機電致發(fā)光器件也可以包括另外的層。這些例如 是在每種情況下選自一個或多個空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子 注入層、電子阻擋層、激子阻擋層、電荷產(chǎn)生層（IDMC 2003，Taiwan;Session 210LED(5)， T.Matsumoto，T·Nakada，J·Endo，K.Mori，N·Kawamura，A·Yokoi，J·Kido，Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer(具有電荷產(chǎn)生層的多光子有機EL 器件））和/或有機的或無機的p/n結(jié)。然而，應(yīng)該指出沒有必要必須存在這些層的每一個，所 述層的選擇總是取決于使用的化合物，特別是也取決于它是熒光電致發(fā)光器件還是磷光電 致發(fā)光器件。
[0168] 所述有機電致發(fā)光器件也可以包括多個發(fā)光層。在這種情況下這些發(fā)光層特別優(yōu) 選總共具有多個在380nm和750nm之間的發(fā)光峰值，導(dǎo)致總體上白色發(fā)光，即，在發(fā)光層中使 用能夠發(fā)熒光或發(fā)磷光，和發(fā)藍色和黃色、橙色或紅色光的不同的發(fā)光化合物。特別優(yōu)選三 層體系，g卩，具有三個發(fā)光層的體系，其中這些層的至少一個包括至少一種通式（I)的化合 物，其中所述三層顯示藍色、綠色和橙色或紅色發(fā)光（對于基本結(jié)構(gòu)，例如見W0 05/ 011013)。或者和/或另外，本發(fā)明的化合物也可以存在于空穴傳輸層中。同樣適合于白色發(fā) 光的是那些具有寬帶發(fā)光頻帶且因此顯示白色發(fā)光的發(fā)光體。
[0169] 在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，通式（I)的化合物用作空穴傳輸材料。因而，該化合 物優(yōu)選用于空穴傳輸層和/或空穴注入層中。在本發(fā)明意義上的空穴注入層是與陽極直接 相鄰的層。為了本發(fā)明的目的，空穴傳輸層是位于空穴注入層和發(fā)光層兩者之間的層?？昭?傳輸層能夠與發(fā)光層直接相鄰。如果通式(I)的化合物用作空穴傳輸材料，則它們優(yōu)選摻雜 有電子受體化合物，例如摻雜有F4-TCNQ或描述在EP 1476881或EP 1596445中的化合物。如 果通式（I)化合物用作空穴傳輸層的空穴傳輸材料，則該化合物能夠作為純材料使用，即， 在空穴傳輸層中比例為100%，或它能夠與其它的化合物在空穴傳輸層中結(jié)合使用。
[0170] 根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選通式（I)的化合物用于包括一種或多種磷光發(fā)光體的電子器件 中。此處的化合物可用于空穴傳輸層、空穴注入層或發(fā)光層中，特別優(yōu)選用于空穴傳輸層 中。
[0171]在本發(fā)明另外的實施方式中，通式(I)的化合物用作發(fā)光材料、優(yōu)選磷光摻雜劑的 基質(zhì)材料。在這種情況下，通式(I)化合物特別優(yōu)選用作有機電致發(fā)光器件中發(fā)光材料的基 質(zhì)材料。
[0172] 在本發(fā)明另外優(yōu)選的實施方式中，所述有機電致發(fā)光器件也可以包括多個發(fā)光 層，其中至少一個發(fā)光層包括至少一種通式(I)的化合物和至少一種發(fā)光體，優(yōu)選磷光發(fā)光 體。
[0173] 基于包括發(fā)光體和基質(zhì)材料的整個混合物，包括通式（I)化合物和用于發(fā)光層的 磷光發(fā)光體的混合物優(yōu)選包括99至50體積％、優(yōu)選98至50體積％、特別優(yōu)選97至60體積％、 特別是95至85體積％的通式（1)的化合物。相應(yīng)地，基于包括發(fā)光體和基質(zhì)材料的整個混合 物，該混合物包括1至50體積％、優(yōu)選2至50體積％、特別優(yōu)選3至40體積％、特別是5至15體 積％的所述磷光發(fā)光體。
[0174] 本發(fā)明另外的優(yōu)選實施方式是本發(fā)明的化合物與其它基質(zhì)材料結(jié)合用作磷光發(fā) 光體的基質(zhì)材料。能夠與本發(fā)明化合物組合使用的特別適當(dāng)?shù)幕|(zhì)材料是芳族酮，芳族氧 化膦或芳族亞砜或砜，例如根據(jù)WO 04/013080、W0 04/093207、W0 06/005627或申請W0 10/ 006680,三芳基胺，咔唑衍生物，例如CBP(N，N-二咔唑基聯(lián)苯）或公開在WO 05/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 08/086851 中的咔唑衍生物，吲哚并咔唑 衍生物，例如根據(jù)W0 07/063754或W0 08/056746,氮雜咔唑衍生物，例如根據(jù)EP 1617710、 EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160,雙極性基質(zhì)材料，例如根據(jù)W0 07/137725,硅 烷，例如根據(jù)W0 05/111172，氮雜硼雜環(huán)戊二烯或硼酸酯，例如根據(jù)W0 06/117052，三嗪衍 生物，例如根據(jù)申請WO 10/015306、W0 07/063754、W0 08/056746,鋅絡(luò)合物，例如根據(jù) EP652273或W0 09/062578,二氮雜噻咯或四氮雜噻咯衍生物，例如根據(jù)申請W0 10/054729， 或二氮雜磷雜環(huán)戊二烯衍生物，例如根據(jù)申請W0 10/054730，或茚并咔唑衍生物，例如根據(jù) 未公布的申請DE102009023155.2。
[0175] 適當(dāng)?shù)牧坠饣衔铮?三重態(tài)發(fā)光體)特別是經(jīng)適當(dāng)?shù)募ぐl(fā)時發(fā)光、優(yōu)選在可見區(qū) 發(fā)光的化合物，其另外包含至少一個原子序數(shù)大于20、優(yōu)選大于38且小于84、特別優(yōu)選大于 56且小于80的原子。使用的磷光發(fā)光體優(yōu)選是包含銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、 金或銪的化合物，特別是包含銥或鉑的化合物。
[0176] 上面描述的發(fā)光體例子被如下申請公開:WO 00/70655、W0 01/41512、W0 02/ 02714、W0 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、W0 05/033244、W0 05/019373 和US 2005/0258742。一般說來，如現(xiàn)有技術(shù)中用于磷光OLED的和如在有機電致發(fā)光領(lǐng)域中 的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員熟知的所有使用的磷光絡(luò)合物都是適當(dāng)?shù)?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在 不付出創(chuàng)造性勞動的情況下能夠使用其它的磷光絡(luò)合物。
[0177] 通過以下表展現(xiàn)了適當(dāng)?shù)牧坠獍l(fā)光體化合物的例子：
[0178]
[0179]
[0180]
[0181]
[0182]
[0183]
[0184]
[0185]
[0186]
[0187]
[0188]
[0189] 在本發(fā)明另外的實施方式中，通式（I)的化合物用于包括單重態(tài)發(fā)光體化合物的 發(fā)光層和包括三重態(tài)發(fā)光體化合物的發(fā)光層之間的夾層。在這一點上，參見申請W0 10/ 115498。如果本發(fā)明的化合物用于夾層，則優(yōu)選這種夾層用于包括含三重態(tài)發(fā)光體化合物 的發(fā)綠色光層和含單重態(tài)發(fā)光體化合物的發(fā)藍色光層之間的三個發(fā)光層的電子器件中。
[0190] 在本發(fā)明的另外優(yōu)選實施方式中，通式(I)的化合物用作發(fā)光層中的發(fā)光材料。如 果至少一個稠合的芳基或雜芳基基團或其它的二芳基氨基取代基存在于該分子中，則通式 (I)化合物特別適合作為發(fā)光材料。
[0191] 如果通式（I)的化合物用作發(fā)光層中的發(fā)光材料，則優(yōu)選將其與基質(zhì)材料結(jié)合使 用。在包括基質(zhì)和摻雜劑的體系中，基質(zhì)材料被認(rèn)為是指以較高的比例存在于體系中的組 分。在包括基質(zhì)和多種摻雜物的體系中，基質(zhì)被認(rèn)為是指在該混合物中比例最高的組分。
[0192] 在發(fā)光層混合物中通式（I)化合物的比例為0.1至50.0體積％，優(yōu)選為0.5至20.0 體積％，特別優(yōu)選為1. 〇至10. 〇體積％。相應(yīng)地，基質(zhì)材料的比例為50.0至99.9體積％，優(yōu)選 為80.0至99.5體積％，特別優(yōu)選為90.0至99.0體積％。
[0193] 本發(fā)明優(yōu)選的基質(zhì)材料是如下部分中列出的。
[0194] 以下提及優(yōu)選用于本發(fā)明電子器件中用于各個功能的材料。
[0195] 優(yōu)選的發(fā)光體材料選自以下類:單苯乙烯基胺、二苯乙烯基胺、三苯乙烯基胺、四 苯乙烯基胺、苯乙烯基膦、苯乙烯基醚和芳基胺。單苯乙烯基胺被認(rèn)為是指包含一個取代或 未取代苯乙烯基基團和至少一種胺優(yōu)選芳族胺的化合物。二苯乙烯基胺被認(rèn)為是指包含兩 個取代或未取代的苯乙烯基基團和至少一種胺優(yōu)選芳族胺的化合物。三苯乙烯基胺被認(rèn)為 是指包含三個取代或未取代的苯乙烯基基團和至少一種胺優(yōu)選芳族胺的化合物。四苯乙烯 基胺被認(rèn)為是指包含四個取代或未取代的苯乙烯基基團和至少一種胺優(yōu)選芳族胺的化合 物。所述苯乙烯基基團特別優(yōu)選是芪，其也可以被進一步取代。類似于胺，定義相應(yīng)的膦和 醚。在本發(fā)明意義上的芳基胺或芳族胺被認(rèn)為是指包含直接鍵合到氮上的三個取代或未取 代的芳族或雜芳族環(huán)系的化合物。至少一個這些芳族或雜芳族環(huán)系優(yōu)選是稠合的環(huán)系，其 特別優(yōu)選具有至少14個芳族環(huán)原子。其優(yōu)選的例子是芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳香芘胺、芳 族芘二胺、芳族窟胺或芳族?二胺。芳族蒽胺被認(rèn)為是指其中一個二芳基氨基基團直接與 蒽基團優(yōu)選在9-位鍵合的化合物。芳族蒽二胺被認(rèn)為是指其中兩個二芳基氨基基團直接與 蒽基團優(yōu)選在9,10-位鍵合的化合物。類似地，定義芳族芘胺、芘二胺、窟胺和鹿二胺，其中 二芳基氨基基團優(yōu)選與芘在1-位或在1，6_位鍵合。進一步優(yōu)選的發(fā)光體材料選自茚并芴胺 或茚并芴二胺，例如根據(jù)W0 06/122630,苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺，例如根據(jù)W0 08/ 006449,和二苯并茚并芴胺或二苯并茚并芴二胺，例如根據(jù)W0 07/140847。苯乙烯基胺類的 發(fā)光體材料的例子是取代或未取代的三芪胺或描述于WO 06/000388、W0 06/058737、W0 06/000389、W0 07/065549和WO 07/115610中的發(fā)光體材料。此外，優(yōu)選公開在申請WO 10/ 012328中的稠合的烴。
[0196] 此外優(yōu)選的發(fā)光體材料是本發(fā)明通式(I)的化合物。
[0197] 此外適宜的發(fā)光體材料是以下表中描繪的結(jié)構(gòu)，和公開在JP06/001973、W0 04/ 047499、TO 06/098080、TO 07/065678、US 2005/0260442和TO 04/092111 中的這些結(jié)構(gòu)的 衍生物。
[0198]
[0199]
[0200]
[0201]
[0202] 本發(fā)明電子器件中適當(dāng)?shù)幕|(zhì)材料是各種類別物質(zhì)的材料。優(yōu)選的基質(zhì)材料選自 如下的類:低聚亞芳基(根據(jù)EP 676461的例如2,2'，7,7'_四苯基螺二芴，或二萘基蒽），特 別是含有稠合芳族基團的低聚亞芳基，低聚亞芳基亞乙烯基（例如根據(jù)EP 676461的DPVBi 或螺-DPVBi )，多足金屬絡(luò)合物（例如根據(jù)W0 04/081017 )，空穴傳導(dǎo)化合物（例如根據(jù)W0 04/058911)，電子傳導(dǎo)化合物，特別是酮、氧化膦、亞砜等（例如根據(jù)W0 05/084081和W0 05/ 084082)，阻轉(zhuǎn)異構(gòu)體(例如根據(jù)W0 06/048268)，硼酸衍生物（例如根據(jù)W0 06/117052)，或 苯并蒽(例如根據(jù)W0 08/145239)。此外適當(dāng)?shù)幕|(zhì)材料也可以是本發(fā)明的化合物。除本發(fā) 明的化合物之外，特別優(yōu)選的基質(zhì)材料選自如下的類別:含萘、蒽、苯并蒽和/或芘或這些化 合物的阻轉(zhuǎn)異構(gòu)體的低聚亞芳基，低聚亞芳基亞乙烯基，酮，氧化膦和亞砜。除本發(fā)明的化 合物之外，非常特別優(yōu)選的基質(zhì)材料選自如下的類別:含蒽、苯并蒽、苯并菲和/或芘或這些 化合物的阻轉(zhuǎn)異構(gòu)體的低聚亞芳基。在本發(fā)明意義上的低聚亞芳基旨在被認(rèn)為是指其中至 少三個芳基或亞芳基基團彼此鍵合的化合物。
[0203] 適當(dāng)?shù)幕|(zhì)材料例如是在以下表中描繪的材料，和公開在W0 04/018587、W0 08/ 006449、US 5935721、US 2005/0181232、JP 2000/273056、EP 681019、US 2004/0247937和 US 2005/0211958中的這些材料的衍生物。
[0204]
[0205]
[0206]
[0207] 可用于本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的空穴注入或空穴傳輸層，或電子傳輸層中適宜 的電荷傳輸材料例如是在Y.Shirota等人在Chem.Rev.(化學(xué)綜述)2007，107(4)，953-1010 中公開的化合物，或用于這些層中現(xiàn)有技術(shù)的其它材料。
[0208] 有機電致發(fā)光器件的陰極優(yōu)選包括具有低逸出功的金屬、金屬合金或多層結(jié)構(gòu)， 其包含不同金屬例如堿土金屬、堿金屬、主族金屬或鑭系元素（例如〇&、1^、]\^、41、111、]\^、 Yb、Sm等）。同樣適當(dāng)?shù)氖前▔A金屬或堿土金屬和銀的合金，例如包括鎂和銀的合金。在多 層結(jié)構(gòu)情況下，除所述金屬之外，也可以使用具有相對高逸出功的其它金屬例如Ag或A1，在 這種情況下，通常使用金屬的組合，例如Ca/Ag或Ba/Ag。也可以優(yōu)選在金屬陰極和有機半導(dǎo) 體之間引入具有高介電常數(shù)材料的薄的夾層。適合于該目的的例如是堿金屬氟化物或堿土 金屬氟化物，但也可以是相應(yīng)的氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li 20、BaF2、Mg0、NaF、CsF，Cs2C03 等）。此外，8-羥基喹啉鋰(LiQ)能用于該目的。該層的層厚度優(yōu)選為0.5至5nm。
[0209] 所述陽極優(yōu)選包括具有高逸出功的材料。所述陽極優(yōu)選具有相對于真空大于 4.5eV的逸出功。適于該目的的一方面是具有高氧化還原電勢的金屬，例如Ag、Pt或Au。另一 方面，也可以優(yōu)選金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiO x、Al/PtOx)。對于某些應(yīng)用，至少一 個電極必須是透明的，以利于有機材料輻射(有機太陽能電池），或耦合輸出光（〇LED、〇-laser)。優(yōu)選的結(jié)構(gòu)使用透明陽極。此處優(yōu)選的陽極材料是導(dǎo)電的混合金屬氧化物。特別優(yōu) 選氧化錫銦（ΙΤ0)或氧化銦鋅（ΙΖ0)。此外優(yōu)選導(dǎo)電的摻雜有機材料，特別是導(dǎo)電的摻雜聚 合物。
[0210] 所述器件被適當(dāng)?shù)?取決于應(yīng)用）結(jié)構(gòu)化，提供以電接觸和最后被密封，因為本發(fā) 明器件的壽命在水和/或空氣存在下會縮短。
[0211]在優(yōu)選實施方式中，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件特征在于借助于升華方法施加一 個或多個層，其中在真空升華設(shè)備中，在小于1〇_5毫巴、優(yōu)選小于1〇_6毫巴的初壓下通過氣 相沉積施加所述材料。然而，此處所述初壓也可以甚至更低，例如小于1〇_ 7毫巴。
[0212] 同樣優(yōu)選如下有機電致發(fā)光器件，其特征在于通過ovro(有機氣相沉積)方法或借 助于載氣升華施加一個或多個層，其中，在1〇_ 5毫巴至1巴的壓力下施加所述材料。該方法中 的特別的例子是0VJP(有機蒸氣噴印）方法，其中所述材料通過噴管直接施加，因此是結(jié)構(gòu) 化的（例如M.S.Arnold等人，Appl.Phys.Lett.(應(yīng)用物理快報）2008，92,053301)。
[0213] 此外優(yōu)選如下有機電致發(fā)光器件，其特征在于從溶液中例如通過旋涂，或通過任 何希望的印刷方法例如絲網(wǎng)印刷、柔性版印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但是特別優(yōu)選LITI (光引發(fā)熱成像，熱轉(zhuǎn)印）或噴墨印刷產(chǎn)生一個或多個層。對于這種目的通式(I)的可溶性的 化合物是必要的。通過適當(dāng)取代所述化合物實現(xiàn)高的溶解性。
[0214] 為制造本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，此外優(yōu)選從溶液中施加一個或多個層和通過 升華方法施加一個或多個層。
[0215] 根據(jù)本發(fā)明，包括一種或多種通式(I)化合物的電子器件能夠用于顯示器中，作為 照明應(yīng)用中的光源，作為醫(yī)療和/或化妝應(yīng)用中的光源(例如光療法）。
[0216] 本發(fā)明的化合物具有優(yōu)異的空穴迀移率，因此非常高度地適合作為空穴傳輸材 料。所述高空穴迀移率能夠降低工作電壓，改進包括本發(fā)明化合物的電子器件的使用壽命。 此外，當(dāng)本發(fā)明化合物用于電子器件中時導(dǎo)致更高的器件功率效率。
[0217] 此外，通式(I)的化合物優(yōu)異之處在于在溶液中高度的氧化穩(wěn)定性，這在化合物純 化和處理期間和當(dāng)其用于電子器件中時具有有利的效果。
[0218] 此外，所述化合物高度適合用作混合基質(zhì)體系中的基質(zhì)材料，其中它們優(yōu)選導(dǎo)致 工作電壓降低，和電子器件壽命的增加。
[0219]此外，通式（I)的化合物是溫度穩(wěn)定的，因此能夠在基本上不分解的情況下升華。 因此，簡化了化合物的純化，所述化合物能夠以更高的純度獲得，這對包括所述材料的電子 器件的性能數(shù)據(jù)產(chǎn)生積極的影響。特別是，因此能夠制備具有更長使用壽命的器件。
[0220] 通過以下實施例更詳細地解釋本發(fā)明，但不希望由此限制本發(fā)明。
[0221] 實施例
[0222] A)實施例1至30本發(fā)明化合物的合成
[0223]除非另外注明，以下合成在保護氣體氣氛下進行。該原料能夠購買自ALDRICH或 ABCR(乙酸鈀（II)、三鄰甲苯基膦、無機物、溶劑）。根據(jù)文獻能夠合成8,8_二甲基吲哚并[3， 2，1-如]吖啶和7,7，11，11-四甲基-7!1，11!1-苯并[1，8]吲哚并[2,3,4,5,6-(1 6]吖啶 (Chemische Berichte(化學(xué)學(xué)報）1980，113(1)，358-84)。8!1-吲哚并[3,2，l-de]吩嗪 (Journal of the Chemical Society(化學(xué)會志）1958,4492_4)和B-[4_(l-苯基-1H-苯并 咪挫-2-基）苯基]硼酸(Advanced Functional Materials(先進功能材料）2008，18(4)， 584-590)，2_溴吲哚并[3,2，l-jk]咔唑和吲哚并[3,2,1-jk]咔唑硼酸（Chemistry A European Journal(歐洲化學(xué)期刊A)，2009,15(22) ,5482-5490)，Ν-[1，Γ-聯(lián)苯]-4-基-9， 9-二甲基-9Η-芴-2-胺(TO 2006073054)和7-溴-2，12-二甲基-10-苯基-10，12-二氫-10-氮 雜茚并[2,1-b]芴(見迄今未公開的申請DE 102009023155.2)的合成同樣是文獻中已知的。
[0224] 實施例1:3-溴-8，8-二甲基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶
[0225]
12345 2-(3-溴-9H-咔唑)苯甲酸甲酯： 2 在2000ml DMF中，將62g(207mmol)2-(9H-咔唑）苯甲酸甲酯冷卻到-10°C，分份加 入37.38(207臟〇1)呢3，將混合物在室溫下攪拌611。隨后將5001111水加入到該混合物中，然后 用CH 2C12提取。使用硫酸鎂干燥有機相，在真空下除去該溶劑。通過攪拌用熱甲苯洗滌產(chǎn)品 并用抽吸過濾。 3 產(chǎn)率:728(19〇111111〇1)，理論值的92%，根據(jù) 1!1-匪1?的純度為約98%。 4 2-[2-(3_溴咔唑-9-基)苯基]丙-2-醇： 5 將81g(213mmol)2-(3-溴-9H-咔唑）苯甲酸甲酯溶解在1500ml干燥四氫呋喃中，并 脫氣。將該混合物冷卻到-78°C，在40分鐘時間內(nèi)加入569ml (854mmo 1)甲基鋰。將該混合物 在lh時間內(nèi)放置溫?zé)岬?40°C，通過TLC監(jiān)控反應(yīng)。當(dāng)反應(yīng)完全時，在-30°C下用甲醇小心地 猝滅。將反應(yīng)溶液蒸發(fā)到1/3，加入1L CH2C12，洗滌混合物，使用硫酸鎂干燥有機相并蒸發(fā)。
[0231] 產(chǎn)率:738(193臟〇1)，理論值的91%，根據(jù) 1!1-匪1?的純度約為94%。
[0232] 6-溴-8，8-二甲基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶：
[0233] 將16.3g(44mmol)2-[2-(3-溴咔唑-9-基）苯基]丙-2-醇溶解在1200ml脫氣甲苯 中，加入40g多磷酸和28ml甲磺酸的懸浮液，將所述混合物在60°C下加熱lh。冷卻該配料，加 入水。固體沉淀出來，并將其溶解在CH 2C12/THF( 1:1)中。使用20%的NaOH小心地使溶液成為 堿性，進行相分離，并使用MgS04干燥。通過攪拌用庚烷洗滌獲得的固體。產(chǎn)率：13.5g (37mmol)，理論值的87%，根據(jù)1H-NMR的純度約為95%。
[0234] 實施例2:6-溴-8，8-二甲基-3-苯基-8H-吲哚并「3，2，1-de 1吖啶
[0235]
123456789101112 2-(3-苯基-9H-咔唑)苯甲酸甲酯： 2 將 85g(350mmol)3-苯基-9H-咔唑、63ml(262mmol)2-碘代苯甲酸甲酯、87g (631mmol)碳酸鉀和9.3g(35mmol)18-冠-6首先在保護氣體下引入1200ml的DMF中，在130°C 下加熱86h。隨后蒸發(fā)所述混合物，通過攪拌利用熱庚烷洗滌，通過色譜法(庚烷/CH2C12 1: 1)提純。通過攪拌用熱己烷洗滌產(chǎn)品并用抽吸過濾。 3 產(chǎn)率:828(219臟〇1)，理論值的62%，根據(jù) 1!1-匪1?的純度約為97%。 4 2-(3-溴-6-苯基-9H-咔唑)苯甲酸甲酯： 5 將 78.48(207111111〇1)2-(3-苯基-9!1-咔唑）苯甲酸甲酯在20001111的01^中冷卻到-10 °C，分份加入37.3 8(207臟〇1)呢3，將混合物在室溫下攪拌611。隨后將5001111水加入到該混合 物中，然后用CH 2C12提取。使用硫酸鎂干燥有機相，在真空下除去該溶劑。通過攪拌用熱甲苯 洗滌產(chǎn)品并用抽吸過濾。 6 產(chǎn)率:91.48(200臟〇1)，理論值的95%，根據(jù) 1!1-匪1?的純度約為98%。 7 2-[2-(3_溴-6-苯基咔唑-9-基)苯基]丙-2-醇： 8 將97g (213mmo 1) 2- (3-溴-6-苯基-9H-咔唑）苯甲酸甲酯溶解在1500ml的干燥四氫 9 呋喃中，并脫氣。將該混合物冷卻到-78°C，在40分鐘時間內(nèi)加入569ml (854mmol)甲基鋰。將 10 該混合物在lh時間內(nèi)放置溫?zé)岬?40°C，通過TLC監(jiān)控反應(yīng)。當(dāng)反應(yīng)完全時，在-30 °C下用甲 11 醇小心地猝滅。將反應(yīng)溶液蒸發(fā)到1/3，加入1L CH2C12，洗滌混合物，使用硫酸鎂干燥有機相 12 并蒸發(fā)。
[0244] 產(chǎn)率:93.48(204臟。1)，理論值的96%，根據(jù)1!1-匪1?的純度為約96%。
[0245] 6-溴-8，8-二甲基-3-苯基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶：
[0246] 將20g(43.6mmol)2-[2-(3-溴-6-苯基咔唑-9-基）苯基]丙-2-醇溶解在1200ml脫 氣的甲苯中，加入40g多磷酸和28ml甲磺酸的懸浮液，將所述混合物在60°C下加熱lh。冷卻 該配料，加入水。固體沉淀出來，并將其溶解在CH 2C12/THF(1:1)中。使用20%的NaOH小心地 使溶液成為堿性，進行相分離，并使用MgS0 4干燥。通過攪拌用庚烷洗滌獲得的固體。產(chǎn)率： 16.3g(37mmol)，理論值的84%，根據(jù)1H-NMR的純度約為95%。
[0247] 實施例3:3-溴-8，8_二甲基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶
[0248]
[0249] 首先將6.38(22.2臟〇1)8,8-二甲基吲哚并[3,2，卜(^]吖啶引入1501111的〇1 2(：12中。 隨后在-15°C避光下逐滴加入3.9g(22.3mmol)NBS在100ml乙腈中的溶液，將所述混合物在 室溫下攪拌另外4h。為了處理，將150ml水加入到所述混合物中，然后利用CH 2C12提取。使用 硫酸鎂干燥有機相，在真空下除去該溶劑。通過攪拌用熱己烷洗滌產(chǎn)品并用抽吸過濾。
[0250] 產(chǎn)率:4.5g( 12mmol)，理論值的57 %，根據(jù)1H-NMR的純度為約97 %。
[0251 ] 實施例4:3，6-二溴-8，8-二甲基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶
[0252]
[0253] 首先將 6.38(22.2臟〇1)8,8-二甲基吲哚并[3,2，1-(16]吖啶引入1501111的〇12(：1 2中。 隨后，在避光-15°C下逐滴加入8g(45. lmmol )NBS在100ml乙腈中的溶液，將所述混合物在室 溫下攪拌另外的4h。為了處理，將150ml水加入到所述混合物中，然后利用CH 2C12提取。使用 硫酸鎂干燥有機相，在真空下除去溶劑。通過攪拌用熱己烷洗滌產(chǎn)品并用抽吸過濾。
[0254] 產(chǎn)率:7.3g(16mmol)，理論值的75%，根據(jù)1H-NMR的純度約為97%。
[0255] 實施例5:10-溴-8,8-二甲基-3,6-二苯基-8H-吲哚并「3,2,1-del吖啶
[0256]
1234 8，8-二甲基-3，6-二苯基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶： 2 將19.8g(45mmol)3,6-二溴-8,8-二甲基-8H-吲哚并[3,2，l-de]吖啶、11.4g 3 (94mmol)苯硼酸和164ml飽和碳酸氫鈉溶液懸浮在1500ml甲苯和150ml乙醇中。將1.9g 4 (1.6mmo 1) Pd (PPh3) 4加入到該懸浮液中，將所述反應(yīng)混合物加熱回流16h。冷卻之后，分離去 有機相，將其通過硅膠過濾，用200ml水洗滌三次，隨后蒸發(fā)至干。
[0259] 產(chǎn)率:18.5g(42mmol)，理論值的95%，根據(jù)1H-NMR的純度約為98%。
[0260] 10-溴-8，8-二甲基-3，6-二苯基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶：
[0261 ]首先將9.6g(22.2mmol )8，8-二甲基-3，6-二苯基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶引入 150ml的CH2C12中。隨后在-15°C避光下逐滴加入3.9g(22.3mmol)NBS在100ml乙腈中的溶液， 將所述混合物在室溫下攪拌另外4h。為了處理，將150ml水加入到所述混合物中，然后利用 CH2C12提取。使用硫酸鎂干燥有機相，在真空下除去該溶劑。通過攪拌用熱己烷洗滌產(chǎn)品并 用抽吸過濾。
[0262] 產(chǎn)率:10.7g(20.8mmol)，理論值的94%，根據(jù)1H-NMR的純度約為97 %。
[0263] 實施例6:3-溴-8H-8，12b-二氮雜苯并[a]醋蒽烯
[0264]
123456789 氟代-9-( 2-硝基苯基)-9H_咔唑： 2 用 N2 飽和 97ml(990mmol)2-氟苯胺和 165g(862mmol)2-溴氯苯在 1000ml 的 NMP 中的 脫氣溶液lh。然后，首先向所述溶液中加入28.9g(100mmol)三氯己基膦，然后加入11.2g (50mmo 1)乙酸鈀（II)，隨后加入固態(tài)的549g(2.5mo 1)碳酸鉀。將所述反應(yīng)混合物加熱回流 18小時。冷卻到室溫之后，小心地加入1000ml水。將有機相用4 X 50ml的水洗滌，使用硫酸鎂 干燥，在真空下除去溶劑。通過重結(jié)晶獲得純產(chǎn)物。 3 產(chǎn)率:lllg(760mmol)，理論值的70%，根據(jù)1H-NMR的純度約為98%。 4 6_溴-丨-氟-9-(2-硝基苯基)-9H_咔唑： 5 首先將6.78(22.2_〇1)氟代-9-(2-硝基苯基)-9!1-咔唑引入1501111的〇1 2(：12中。隨 后在-15°C避光下逐滴加入3.9g(22.3mmol )NBS在100ml乙腈中的溶液，將所述混合物在室 溫下攪拌另外4h。為了處理，將150ml水加入到所述混合物中，然后利用CH 2C12提取。使用硫 酸鎂干燥有機相，在真空下除去該溶劑。通過攪拌用熱己烷洗滌產(chǎn)品并用抽吸過濾。 6 產(chǎn)率:8g(20mmol)，理論值的97 %，根據(jù)1H-NMR的純度約為97 %。 7 2-(6-溴-1-氟咔唑-9-基)苯胺： 8 將67g(219mmol)6-溴-1-氟-9-(2-硝基苯基）-9H-咔唑溶解在820ml的EtOH中，在 室溫下加入143g(755mm〇l)ZnCl2,將所述混合物加熱回流6h。隨后，將所述混合物在lh時間 內(nèi)溫?zé)岬绞覝兀尤?0%的NaOH，在相分離之后，除去溶劑，通過色譜法提純殘余物。 9 產(chǎn)率:44g(125mmol)，理論值的72%，根據(jù)1H-NMR的純度約為97%。
[0274] 3-溴-8H-8，12b-二氮雜苯并[a]醋蒽烯：
[0275] 將25g(72mmol)2-(6-溴-1-氟咔唑-9-基）苯胺在保護氣體下溶解在200ml的DMF 中，在室溫下加入2.8g(72mmol )NaH(在油中60 % )，將所述混合物在回流下煮沸6h。隨后，將 所述混合物在lh時間內(nèi)溫?zé)岬绞覝兀ト軇?，通過色譜法提純殘留物。
[0276] 產(chǎn)率:198(54!11111〇1)，理論值的78%，根據(jù) 1!1-匪1?的純度約為98%。
[0277] 溴代-8-苯基-8H-8，12b-二氮雜苯并[a]醋蒽烯：
[0278] 用N2飽和30g(86.6mmol)3-溴-8H-8, 12b-二氮雜苯并[a]醋蒽烯和8.8g (95.9mmol)苯胺在1000ml二嗯烷中的脫氣溶液lh。然后，首先將0.9ml(4.3mmol)P(tBu)3加 入到溶液中，然后將〇.48g(2.1mmol)乙酸鈀（II)加入到溶液中，隨后加入固態(tài)的12.6g (13lmmo 1 )Na0tBu。將所述反應(yīng)混合物加熱回流18小時。冷卻到室溫之后，小心地加入 1000ml水。用4 X 50ml的水洗滌有機相，用硫酸鎂干燥，在真空下除去溶劑。通過重結(jié)晶獲得 純產(chǎn)物。
[0279] 產(chǎn)率:27g(64mmol)，理論值的76%，根據(jù)1H-NMR的純度約為98%。
[0280] 實施例7:8，8-二甲基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶-3-硼酸
[0281]
[0282] 將 93.9g(259mmol)3-溴-8,8-二甲基-8!1-吲哚并[3,2，1-(16]吖啶溶解在150〇1111干 燥的四氫呋喃中，在_70°C下逐滴加入1351111(337111111〇1)2.51的正丁基鋰環(huán)已烷溶液，在111之 后逐滴加入37ml硼酸三甲酯（336mmol)，將所述混合物在lh時間內(nèi)溫?zé)嶂潦覝?，除去溶劑?根據(jù) 1H-NMR為均勻的殘余物無需進一步純化用于隨后的反應(yīng)中。
[0283] 產(chǎn)率:778(235臟〇1)，理論值的91%，根據(jù) 1!1-匪1?的純度約為98%。
[0284] 實施例8:8，8-二甲基-8H-吲哚并[3，2，卜de ]吖啶-6-硼酸
[0285]
123 將 93.7g(259mmol)6-溴-8,8-二甲基-8!1-吲哚并[3,2，1-(16]吖啶溶解在150〇1111的 干燥四氫咲喃中，在_70°C下逐滴加入135ml(337mmol)的2.5M正丁基鋰環(huán)已燒溶液，在lh之 后，逐滴加入37ml硼酸三甲酯(336mmol)，將所述混合物在lh時間內(nèi)溫?zé)岬绞覝兀ト軇?根據(jù) 1H-NMR為均勻的殘余物無需進一步純化用于隨后的反應(yīng)中。 2 產(chǎn)率:67g(204mmol)，理論值的80%，根據(jù)1H-NMR純度約為96 %。 3 實施例9:8，8-二甲基-6-苯基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶-3-硼酸
[0289]
[0290] 將 113.4g (259mmo 1) 6-溴-8，8-二甲基-3-苯基-8H-吲哚并[3，2，1-de ]吖啶溶解在 1500ml的干燥四氫呋喃中，在-70°C下逐滴加入135ml(337mmol)2.5M的正丁基鋰環(huán)已烷溶 液，在lh之后，逐滴加入37ml硼酸三甲酯(336mmo 1)，將所述混合物在lh時間內(nèi)溫?zé)岬绞覝兀?除去溶劑，根據(jù)h-NMR為均勻的殘余物無需進一步純化用于隨后的反應(yīng)中。
[0291] 產(chǎn)率:92g(229mmol)，理論值的89%，根據(jù)1H-NMR的純度為約98%。
[0292] 實施例10:8，8-二甲基-3，6-二苯基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶-10-硼酸
[0293]
[0294] 將 133g(259mmol)10-溴-8,8-二甲基-3,6-二苯基-8!1-吲哚并[3,2，1-(16]吖啶溶 解在1500ml的干燥四氫呋喃中，在-70°C下逐滴地加入135ml(337mmol)2.5M的正丁基鋰環(huán) 已烷溶液，在lh之后，逐滴加入37ml硼酸三甲酯（336mmo 1)，將所述混合物在lh時間內(nèi)溫?zé)?到室溫，除去溶劑，根據(jù)h-NMR為均勻的殘余物無需進一步純化用于隨后的反應(yīng)中。
[0295] 產(chǎn)率:1118(233臟〇1)，理論值的90%，根據(jù) 1!1-匪1?的純度約為98%。
[0296] 實施例11:8，8-二甲基-3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-8H_吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶 (化合物H5)
[0297] 123 〈丄丄UmmolJ?，》-一丄_cle」u| 〈丄lOmmol) 3-溴-9-苯基-9H-咔唑和9.7g(92mmol)碳酸鈉懸浮在350ml甲苯、350ml二P惡烷和500ml水 中。將913mg(3.Ommo 1)三鄰甲苯基膦和112mg(0.5mmo 1)乙酸鈀（II)加入到該懸浮液中，將 該反應(yīng)混合物加熱回流16小時。冷卻之后，分離去有機相，將其通過硅膠過濾，用200ml水洗 滌三次，隨后蒸發(fā)至干。從甲苯和CH 2C12/異丙醇中重結(jié)晶殘余物，最后在高真空中升華。 2 產(chǎn)率:52g(lOOmmol)，理論值的91 %，根據(jù)HPLC的純度為99·9%。 3 實施例12:4_(8,8-二甲基-8H-吲哚并[3,2, Ι-de]吖啶-3-基）苯基]二苯胺(化合 物HTM2)
[0301]
[0302] 通過與實施例13相同的步驟，通過使相應(yīng)的吲哚并[3，2，1-de]吖啶硼酸與35.6g (1 lOmmol )4-溴苯基二苯基胺反應(yīng)合成所述化合物。
[0303] 從甲苯和CH2CI2/異丙醇中重結(jié)晶殘余物，最后在高真空中升華。
[0304] 產(chǎn)率：51g(97mmol)，理論值的89%，根據(jù)HPLC的純度為99.9%。
[0305] 實施例 13:8,8,8'，8'_四甲基-8H，8'H-[3,3']雙（吲哚并[3,2，l-de]吖啶基）（化 合物H7)
[0306]
[0307] 通過與實施例13相同的步驟，通過使相應(yīng)的吲哚并[3,2,1-de]吖啶硼酸與39g (1 lOmmol) 3-溴-8，8-二甲基-8Η-Π 引噪并[3，2，1-de ]吖啶反應(yīng)合成所述化合物。
[0308] 從甲苯和CH2C12/異丙醇中重結(jié)晶殘余物，最后在高真空中升華。
[0309] 產(chǎn)率:558(100臟〇1)，理論值的92%，根據(jù)冊^：的純度為99.9%。
[0310] 實施例14:8,8,8'，8'_四甲基-8H，8'H-[3,6']雙（剛噪并[3,2，l-de]B丫啶基）（化 合物H8)
[0311]
通過與實施例13相同的步驟，通過使相應(yīng)的吲哚并[3,2,1-de]吖啶硼酸與39g (1 lOmmol)6-溴-8，8-二甲基-8Η-Π 引噪并[3，2，ι-de]吖啶反應(yīng)合成所述化合物。
[0313]從甲苯和CH2CI2/異丙醇中重結(jié)晶殘余物，最后在高真空中升華。
[0314] 產(chǎn)率:49.5g(90mmol)，理論值的82%，根據(jù)HPLC的純度為99.9%。
[0315] 實施例15:(8,8-二甲基-8!1-吲噪并[3,2，1-如]叮啶-3-基)二苯胺(化合物?。?)
[0316]
[0317] 用N2飽和31 g(86 · 6mmol) 3-溴-8，8-二甲基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de ]吖啶和 16g (95.9mmol)二苯胺在1000ml二醯燒中的脫氣溶液lh。然后，首先將0.9ml(4.3mmol)P(tBu)3 加入到溶液中，然后將0.48g(2 . lmmol)乙酸鈀（II)加入到溶液中，隨后加入固態(tài)的12.6g (13lmmo 1 )Na0tBu。將所述反應(yīng)混合物加熱回流18小時。冷卻到室溫之后，小心地加入 1000ml水。將有機相用4 X 50ml水洗滌，用硫酸鎂干燥，在真空下除去溶劑。通過重結(jié)晶和最 后的升華獲得純的產(chǎn)物。
[0318] 產(chǎn)率:34g(76mmol)，理論值的89%，根據(jù)HPLC的純度為99.9%。
[0319] 實施例 16:3-(9,9-二甲基-9!1-叮啶-10-基)-8,8-二甲基-8!1-吲噪并[3,2，1-(16] 吖啶(化合物HTM5)
[0320]
12345 通過如實施例18相同的步驟，通過使31g(86.6mmol)3-溴-8,8-二甲基-8H-吲哚并 [3，2，1 -de ]吖啶和20g (95.9mmo 1) 9，9 ' -二甲基-9，10-二氫吖啶反應(yīng)合成所述化合物。 2 從甲苯中重結(jié)晶殘余物，最后在高真空中升華。 3 產(chǎn)率:378(76臟〇1)，理論值的80%，根據(jù)冊^：的純度為99.9%。 4 實施例17: (8，8-二甲基-6-苯基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶-3-基)二苯胺(化合 5 物HTM6)
[0325]
[0326] 通過與實施例18相同的步驟，通過使37.6g(86.6mmol )6-溴-8，8-二甲基-3-苯基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶與相應(yīng)的胺反應(yīng)合成所述化合物。
[0327] 從甲苯中重結(jié)晶殘余物，最后在高真空中升華。
[0328] 產(chǎn)率:398(79臟〇1)，理論值的87%，根據(jù)冊^：的純度為99.9%。
[0329] 實施例18:(8,8_二甲基- 3,6-二苯基-8H-吲哚并[3,2，l-de]吖啶-10-基）二苯胺 (化合物HTM7)
[0330]
[0331] 通過與實施例18相同的步驟，通過使44g(86.6mmol) 10-溴-8，8-二甲基-3，6-二苯 基-8H-吲哚并[3,2，l-de]吖啶與相應(yīng)的胺反應(yīng)合成所述化合物。
[0332] 從甲苯中重結(jié)晶殘余物，最后在高真空中升華。
[0333] 產(chǎn)率:398(64臟〇1)，理論值的75%，根據(jù)冊^：的純度為99.9%。
[0334] 實施例19:3-咔唑-9-基-8，8_二甲基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶(化合物H9)
[0335]
12 通過如實施例18相同的步驟，通過使31g(86.0mmol)3-溴-8,8-二甲基-8H-吲哚并 [3，2，1 -de ] B丫啶和16g (95.9mmo 1)味唑反應(yīng)合成所述化合物。 2 從甲苯中重結(jié)晶殘余物，最后在高真空中升華。
[0338] 產(chǎn)率:388(64臟〇1)，理論值的85%，根據(jù)冊^：的純度為99.9%。
[0339] 實施例20:8-咔唑-9-基-2-乙-(E)-叉-3-苯基-1-丙-2-烯-(E)-叉-2,3-二氫-1H-吡嗪并[3，2，1 - j k ]咔唑(化合物HTM9)
[0340]
[0341] 通過如實施例18相同的步驟，通過使37g(86.6mmol)3-溴-8H-8，12b-二氮雜苯并 [a]醋蒽稀與16g(95.9mmol)味唑反應(yīng)合成所述化合物。
[0342] 從甲苯中重結(jié)晶殘余物，最后在高真空中升華。
[0343] 產(chǎn)率:318(60臟〇1)，理論值的70%，根據(jù)冊^：的純度為99.9%。
[0344] 實施例21: N4，N4，-雙-(8，8-二甲基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶-3-基）-N4，N4，-二苯基聯(lián)苯基-4，4 ' -二胺(化合物HTM8)
[0345]
123 用 N2 飽和 31g(86.6mmol)3-溴-8,8-二甲基-8!1-吲哚并[3,2，1-(16]吖啶和13.48 (4〇111111〇10川'-二苯基聯(lián)苯胺在1〇〇〇1111二11:烷中的脫氣溶液111。然后，首先將〇.91111 (4.3mmo 1)P(tBu)3加入到溶液中，然后將0.480g(2. lmmo 1)的乙酸鈀（II)加入到溶液中，隨 后加入固態(tài)的12.6g (13 lmmo 1) NaOtBu。將所述反應(yīng)混合物加熱回流18小時。冷卻到室溫之 后，小心地加入1 〇〇〇ml水。將有機相用4 X 50ml的水洗滌，用硫酸鎂干燥，在真空下除去溶 劑。通過重結(jié)晶獲得純產(chǎn)物。 2 產(chǎn)率:298(32臟〇1)，理論值的81%，根據(jù)冊^：的純度為99.9%。 3 實施例22:聯(lián)苯-4-基-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基）-[4-(8，8-二甲基-8H-吲哚并 [3，2，1 -de ]吖啶-3-基)苯基]胺(化合物HTM3)
[0349
[0350」 膚本-4-S-H-y旲本S，9-二中 S-9H-勿-2-?)妝：
[0351 ]用N2飽和490mg(0 · 16mmol)氣化銅（I)和906mg(5mmol) 1，10-菲略琳在100ml 甲苯 中的脫氣溶液lh，并加熱到130°C。隨后將18g(50mmOl)N-[l，Γ-聯(lián)苯]-4-基-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺和14g(50mm Ol)l-溴-4-碘苯加入到所述溶液中，然后在180°C下加熱2h。冷卻之 后，將180ml水加入到所述混合物中，分離去有機相，在真空下除去溶劑。從正己烷中重結(jié)晶 產(chǎn)物。
[0352] 產(chǎn)率:15g(29mmo 1)，理論值的58%，根據(jù)1H-NMR的純度為約98%。
[0353] 聯(lián)苯-4-基 _(9,9-二甲基-9!1-芴-2-基)-[4-(8,8-二甲基-8!1-吲哚并[3,2，1-(16] 吖啶-3-基)苯基]胺：
[0354] 通過與實施例13相同的步驟，通過使相應(yīng)的吲哚并[3，2，1 - d e ]吖啶硼酸與15 g (29mmo 1)聯(lián)苯-4-基-(4-溴苯基)-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)胺反應(yīng)合成所述化合物。
[0355] 從乙酸乙酯/庚烷中重結(jié)晶殘余物，最后在高真空下升華。
[0356] 產(chǎn)率：14.48(20臟〇1)，理論值的69%，根據(jù)冊^：的純度為99.9%。
[0357] 實施例23:3-(12，12-二甲基-10-苯基-10，12-二氫-10-氮雜-茚并[2，Ι-b]芴-7-基)-8，8-二甲基-8H-吲哚并[3，2，1 -de ]吖啶(化合物H10)
[0358]
[0359] 通過與實施例13相同的步驟，通過使相應(yīng)的吲哚并[3，2，1-de ]吖啶硼酸與48g (llOmmol )7-溴-2,12-二甲基-10-苯基-10,12-二氫-10-氮雜茚并[2,1-b]芴反應(yīng)合成所述 化合物。
[0360] 從甲苯和CH2CI2/異丙醇中重結(jié)晶殘余物，最后在高真空中升華。
[0361] 產(chǎn)率:54.58(85臟〇1)，理論值的78%，根據(jù)冊^：的純度為99.9%。
[0362] 實施例24: [4'_(8,12b-二氮雜苯并[a]醋蒽烯-8-基)聯(lián)苯-4-基]二苯胺(化合物 HTM10)
[0363]
123456 丨-氟-9-(2-氨基苯基）-9H_咔唑： 2 將50g(163mmol)l-氟-9-(2-硝基苯基)-9H-咔唑溶解在600ml的EtOH中，在室溫下 加入67g (489mmo 1) ZnCl2，將所述混合物加熱回流6h。隨后將所述混合物在lh時間內(nèi)溫?zé)岬?室溫，加入20%的NaOH，在相分離之后，除去溶劑，通過色譜法提純殘余物。 3 產(chǎn)率:338(119臟〇1)，理論值的73%，根據(jù) 1!1-匪1?的純度約為98%。 4 8H-8，12b_二氮雜苯并[a]醋蒽烯： 5 將30g(109mmol)l-氟-9-(2-氨基苯基)-9H-咔唑在保護氣體下溶解在200ml的DMF 中，在室溫下加入4.4g( 109mmol )NaH(在油中60% )，將所述混合物在回流下煮沸6h。隨后， 將所述混合物在lh時間內(nèi)溫?zé)岬绞覝?，除去溶劑，通過色譜法提純殘余物。 6 產(chǎn)率:23.4g(86mmol)，理論值的79%，根據(jù)1H-NMR的純度約為98%。
[0370] [4'_(8,12b-二氮雜苯并[a]醋蒽烯-8-基)聯(lián)苯-4-基]二苯胺：
[0371 ]用 N2 飽和 35 · 6g(89mmol) (4 ' -溴聯(lián)苯-4-基）二苯胺和 22 · 0g(81mmol )8H-8，12b-二 氮雜苯并[a]醋蒽稀在1000ml二P惡焼中的脫氣溶液lh。然后，首先將1.0ml(4mmol)P(tBu)3， 然后將0.4g(2mmo 1)乙酸鈀（II)加入到所述溶液中，隨后加入11.7g(122mmo 1)固態(tài)NaOtBu。 將所述反應(yīng)混合物加熱回流18小時。冷卻到室溫之后，小心地加入1000ml水。分離去有機 相，將其用4X50ml水洗滌，使用硫酸鎂干燥，在真空下除去溶劑。通過重結(jié)晶和最后在高真 空中升華獲得純產(chǎn)物。
[0372] 產(chǎn)率:33.48(58臟〇1)，理論值的72%，根據(jù)冊^：的純度為99.9%。
[0373] 實施例25:3-溴-8，8-二苯基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶
[0374]
[0375] 2-(3-溴-9H-咔唑)苯甲酸甲酯：
[0376] 在2000ml DMF中，將62g(207mmol)2-(9H-咔唑）苯甲酸甲酯冷卻到-10°C，分份加 入37.3g(207mmol)NBS，將混合物在室溫下攪拌6h。隨后將500ml水加入到所述混合物中，然 后用CH 2C12提取。使用硫酸鎂干燥有機相，在真空下除去該溶劑。通過攪拌用熱甲苯洗滌產(chǎn) 品并用抽吸過濾。
[0377] 產(chǎn)率:728(190臟〇1)，理論值的92%，根據(jù) 1!1-匪1?的純度為約98%。
[0378] [2-(3-溴咔唑-9-基)苯基]二苯基甲醇：
[0379] 首先將21.38(86.7111111〇1)氯化鈰（111)引入25〇1111四氫呋喃中。在室溫下將3(^ (78.9mmo 1) 2- (3-溴-9H-咔唑)苯甲酸甲酯(溶解在600ml干燥四氫呋喃中）逐滴加入該溶液 中，將所述混合物攪拌2.5小時。將所述混合物冷卻到0 °C，加入在四氫呋喃中的118.3ml (236mmol)的2M苯基溴化鎂，將所述混合物攪拌過夜。當(dāng)反應(yīng)完全時，在-30 °C下用甲醇小心 地猝滅。將反應(yīng)溶液蒸發(fā)到1/3,加入1L CH2C12,洗滌混合物。隨后使用硫酸鎂干燥所述有機 相，并蒸發(fā)。
[0380] 產(chǎn)率:38 · 7g(76 · 7mmol)，理論值的97%，根據(jù)1H-NMR的純度為約94%。
[0381 ] 溴代-8，8-二苯基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶：
[0382] 將 38.78(76.7!11111〇1)2-[2-(3-溴咔唑-9-基）苯基]丙-2-醇溶解在75〇1111脫氣的二 氯甲燒中，加入49.6g多磷酸和33ml甲磺酸的懸浮液，將該混合物在60°C下加熱lh。冷卻該 配料，加入水。固體沉淀出來，并將其溶解在CH 2C12/THF( 1:1)中。使用20 %的NaOH小心地使 溶液成為堿性，進行相分離，并使用MgS04干燥。通過攪拌用庚烷洗滌獲得的固體。產(chǎn)率:22g (45mmol)，理論值的59%，根據(jù)1H-NMR的純度為約95%。
[0383] 類似地獲得以下的化合物：
[0384]
[0385] 實施例26:8，8-二苯基-8H-吲哚并[3，2，1-de ]吖啶-6-硼酸
[0386]
123 將 125 · 9g(259mmol)溴代-8，8-二苯基-8H-吲哚并[3，2，Ι-de]吖啶溶解在 1500ml 干燥四氫咲喃中。在_70°C下逐滴加入1351111(3371111]1〇1)2.51的正丁基鋰環(huán)已燒溶液，在111之 后，逐滴加入37ml硼酸三甲酯(336mmol)。將所述混合物在lh時間內(nèi)溫?zé)岬绞覝?，除去溶劑?根據(jù) 1H-NMR為均勻的殘余物無需進一步純化用于隨后的反應(yīng)中。 2 產(chǎn)率:87.68(194臟〇1)，理論值的75%，根據(jù) 1!1-匪1?的純度為約96%。 3 類似地獲得以下的化合物：
[0390]
[0392] 實施例27:聯(lián)苯-4-基-(4-溴苯基)-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)胺
[0393]
用 N2飽和 24 · 6g(87mmol) 1-溟-4-碘苯和 28 · 8(80mmol)聯(lián)苯-4-基-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺在1000ml二H惡烷中的脫氣溶液lh。然后，首先將0 · 9ml (4 · 3mmol )P(tBu)3加 入到溶液中，然后將〇.48g(2.1mmol)乙酸鈀（II)加入到溶液中。隨后加入固態(tài)的12.6g (13lmmo 1 )Na0tBu。將所述反應(yīng)混合物加熱回流18小時。冷卻到室溫之后，小心地加入 1000ml水。將有機相用4 X 50ml水洗滌，用硫酸鎂干燥，在真空下除去溶劑。通過重結(jié)晶和最 后的升華獲得純的產(chǎn)物。
[0395] 產(chǎn)率:31.5g(61mmol)，理論值的70%，根據(jù)HPLC的純度為98%。
[0396] 實施例28:聯(lián)苯-4-基(9,9_二甲基-9H-芴-2-基)-[4-(8,8_二苯基-8H-吲哚并[3， 2，l-de]吖啶-3-基)苯基]胺(HTM14)
[0397]
[0398] 將85g (190mmo 1) 8，8-二苯基-8H-吲哚并[3，2，1 -de ]吖啶-3-硼酸、98g (190mmo 1) 聯(lián)苯-4-基-(4-溴苯基)-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺和13g(123mmol)碳酸鈉懸浮在180ml 甲苯、180ml二睡烷和60ml水中。將3·0mg(2·6mmol)Pd(PPh3)4加入到該懸浮液中，將所述反 應(yīng)混合物加熱回流16h。冷卻之后，分離去有機相，將其通過硅膠過濾，用200ml水洗滌三次， 隨后蒸發(fā)至干。從甲苯和從二氯甲烷/異丙醇中重結(jié)晶殘余物，最后在高真空中升華。純度 是99.9%。產(chǎn)率是124 8(147臟〇1)，對應(yīng)于理論值的78%。
[0399] 類似地獲得以下的化合物：
[0400]
[0401]
[0402]
[0403] 實施例29: (8，8-二苯基-8H-吲哚并[3，2，1-de]吖啶-3-基)二苯胺(HTM21)
[0404]
用N2飽和42g(86.6mmol)3-溴-8,8-二苯基-8H-吲哚并[3,2,卜de]吖啶和16g (95.9mmol)二苯胺在1000ml二釅燒中的脫氣溶液lh。然后，首先將0.9ml(4.3mmol)P(tBu)3 加入到溶液中，然后將0.48g(2 . lmmol)乙酸鈀（II)加入到溶液中，隨后加入固態(tài)的12.6g (13lmmo 1 )Na0tBu。將所述反應(yīng)混合物加熱回流18小時。冷卻到室溫之后，小心地加入 1000ml水。將有機相用4 X 50ml水洗滌，用硫酸鎂干燥，在真空下除去溶劑。通過重結(jié)晶和最 后的升華獲得純的產(chǎn)物。
[0406] 產(chǎn)率:398(69臟〇1)，理論值的80%，根據(jù)冊^：的純度為99.9%。
[0407] 類似地獲得以下的化合物：
[0408]
[0409]
[0410] 實施例30:3-(9，9-二甲基- 10-苯基-9，10-二氫吖啶-2-基)-8，8-二甲基-8H-吲哚 并[3,2，l-de]吖啶
[0411] 2-氯-9,9-二甲基-9,10-二氫叮啶
[0412]
[0413] 將30.3g(116mmol)2-[2-(4-氯苯基氨基）苯基]丙-2-醇溶解在700ml的脫氣甲苯 中，加入93g多磷酸和61.7g甲磺酸的懸浮液，在室溫下將所述混合物攪拌lh，在50°C下加熱 lh。冷卻所述配料，并將其倒在冰上，用乙酸乙酯提取三次。將合并的有機相用飽和氯化鈉 溶液洗滌，使用硫酸鎂干燥并蒸發(fā)。用庚烷/乙酸乙酯（20:1)經(jīng)過硅膠過濾粗產(chǎn)物，得到 25. lg(89% )的淺黃色晶體2-氯-9，9-二甲基-9，10-二氫吖啶。
[0414] 2-氯-9，9-二甲基-10-苯基-9，10-二氫吖啶
[0415]
[0416] 用 N2 飽和 16 · 6ml (147mmol )4_ 碘苯和 30g( 123mmol )2_ 氯-9，9-二甲基-9，10-二氫 吖啶在600ml甲苯中的脫氣溶液lh。然后，首先將2.091111(8.6111111 〇1)?(七811)3，然后將1.388 (6.1mmol)乙酸鈀（II)加入到所述溶液中。隨后將17.7g(185mm〇l)Na0tBu作為固體加入。將 所述反應(yīng)混合物加熱回流1小時。冷卻到室溫之后，小心地加入500ml水。用3 X 50ml的甲苯 洗滌水相，使用硫酸鎂干燥，在真空下除去溶劑。用庚烷/乙酸乙酯（20:1)經(jīng)過硅膠過濾粗 產(chǎn)物，得到32.2g(81 % )作為淺黃色晶體的2-氯-9，9-二甲基-10-苯基-9，10-二氫吖啶。
[0417] 3-(9，9-二甲基-10-苯基-9，10-二氫吖啶-2-基)-8，8-二甲基-8H-吲哚并[3，2，1-de]吖啶
[0418
[0419] 將 36g(110mmol)8,8-二甲基-8H-吲哚并[3,2,卜de]吖啶-3-硼酸、35.2g (llOmmol )2_ 氯-9,9-二甲基-10-苯基-9，10-二氫卩丫 啶和 9 · 7g(92mmol)碳酸鈉懸浮在 350ml 甲苯、350ml二囉:燒和500ml水中。將913mg(3 · Ommol)三鄰甲苯基勝和112mg(0 · 5mmol)乙酸 鈀（II)加入到該懸浮液中，將該反應(yīng)混合物加熱回流16小時。冷卻之后，分離去有機相，將 其通過硅膠過濾，用200ml水洗滌三次，隨后蒸發(fā)至干。從甲苯和CH 2C12/異丙醇中重結(jié)晶殘 余物，最后在高真空中升華。
[0420] 產(chǎn)率:52g(lOOmmol)，理論值的91 %，根據(jù)HPLC的純度為99·9%。
[0421] B)器件實施例C1-I63:0LED的制造
[0422] 按照W0 04/058911中的一般方法制造本發(fā)明的0LED和現(xiàn)有技術(shù)的0LED，此處將該 方法調(diào)整以適應(yīng)所述環(huán)境(層厚度的改變，使用的材料）。
[0423] 各種0LED的數(shù)據(jù)列于以下的實施例C1至163中（見表1-3)。為改進處理，將已經(jīng)涂 有厚度為150nm結(jié)構(gòu)化IT0(氧化錫銦）的玻璃板，涂覆20nm的PED0T(聚（3,4-亞乙基二氧基-2，5-噻吩），從水中旋涂施加;購買自H. C. Starck，Goslar，德國）。這些涂覆的玻璃板形成基 底，將0LED施加到所述基底上。所述0LED基本上具有以下的層結(jié)構(gòu):基底/任選的空穴注入 層(HIL)/空穴傳輸層(HTL)/任選的夾層（IL)/電子阻擋層(EBL)/發(fā)光層(EML)/任選的空穴 阻擋層(HBL)/電子傳輸層(ETL)/任選的電子注入層(EIL)和最后的陰極。所述陰極由厚度 為lOOnm的鋁層形成。所述OLED的確切的結(jié)構(gòu)顯示于表1中。制造 OLED需要的材料顯示于表4 中。
[0424] 在真空室中通過熱氣相沉積施加所有材料。此處的發(fā)光層總是由至少一種基質(zhì)材 料(主體材料)和發(fā)光摻雜劑(發(fā)光體)組成，通過共蒸發(fā)使所述一種或多種基質(zhì)材料以一定 的體積比例與所述發(fā)光摻雜劑混合。此處例如H3: CBP: TER 1 (55 % : 35 % : 10 % )的說明是指 材料H3在所述層中的體積比例為55%，CBP在所述層中的體積比例為35%，和TER1在所述層 中的體積比例為10%。類似地，所述電子傳輸層也可以由兩種材料的混合物組成。
[0425] 通過標(biāo)準(zhǔn)方法表征所述0LED。為此目的，確定電致發(fā)光光譜，電流效率（以cd/A測 定），功率效率（以lm/W測定)和外量子效率(EQE，以百分比測定），其作為發(fā)光密度函數(shù)從電 流-電壓-亮度特性線（IUL特性線)計算，和壽命。所述壽命定義為從特定的初始發(fā)光密度下 降到某一比例后所用的時間。命名LD80是指所述壽命是發(fā)光密度下降到初始發(fā)光密度80% 時的時間，即，例如從4000cd/m 2下降到3200cd/m2。類似地，LD50表示初始亮度下降到一半后 的時間。借助于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員熟知的換算公式，壽命的值能夠被轉(zhuǎn)化為對于其它的 初始發(fā)光密度的指標(biāo)。對于初始發(fā)光密度為l〇〇〇cd/m 2的壽命是此處的通常的表達。
[0426] 包括藍色熒光發(fā)光體D1的0LED從6000cd/m2的初始發(fā)光密度開始測定壽命。包括 綠色熒光發(fā)光體D2的0LED從25,000cd/m 2的發(fā)光密度開始。包括磷光發(fā)光體TER1和TEG1的 0LED 從4000cd/m2 開始。
[0427] 各種0LED的數(shù)據(jù)總結(jié)在表2和3中。實施例C1-C22是現(xiàn)有技術(shù)的對比例，實施例1I-163顯示了其中使用本發(fā)明材料的0LED的數(shù)據(jù)。
[0428] 以下更詳細地解釋一些實例以說明本發(fā)明化合物的優(yōu)點。然而，應(yīng)當(dāng)指出這僅代 表顯示于表2和3中數(shù)據(jù)的選擇。如從表中看出的，當(dāng)使用沒有更詳細地描述的本發(fā)明化合 物時同樣實現(xiàn)了優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的顯著改進，觀察到在一些情況下所有參數(shù)的改進，但在一 些情況下僅效率或電壓或壽命的改進。然而，即使所述參數(shù)之一的改進也代表了顯著的進 步。
[0429] 本發(fā)明的化合物作為空穴傳輸或電子阻擋材料的用途
[0430]根據(jù)本發(fā)明，本發(fā)明的材料能夠特別是用在0LED的空穴傳輸側(cè)上，更確切地說作 為空穴傳輸或電子阻擋材料。這參考實施例11-I26、I40-I55、I57而表明?，F(xiàn)有技術(shù)的對比 例(：1-09、(：11、(：12和(：19-022包括材料!^1和!^12作為空穴傳輸材料，和陬8』811、!^11 和HTM12作為電子阻擋材料。
[0431]如果實施例1I與實施例C3相比，能夠看出通過在空穴傳輸層中使用本發(fā)明的材料 HTM8工作電壓能夠降低0.2V，這與略微改進的量子效率相結(jié)合，導(dǎo)致功率效率從10.71m/W 到12.1 lm/W的改進，即，改進了約15%。在厚度為200nm的空穴傳輸層(實施例C5和12)情況 下，同樣觀察到類似的改進。此外，很明顯厚的HTL(200nm)和薄的HTL(llOnm)電壓之間的區(qū) 別從〇.5V(實施例C3和C5)降低到0.3V(實施例1I和12)。這是重要的方面，因為為了最優(yōu)化 光的耦合輸出通常希望較厚的空穴傳輸層。此處希望工作電壓保持盡可能低。材料HTM8的 其它優(yōu)點是壽命的增加。在厚度為ll〇nm的層的情況下，盡管改進只有10%，但與具有110nm 厚度的HTL的OLED比較，現(xiàn)有技術(shù)的材料HTM1在具有200nm厚度HTL的OLED中顯示壽命顯著 的下降到250,000h，而包括200nm本發(fā)明材料的0LED甚至顯示壽命略微的改進達到340， 〇〇〇h(實施例C3、C5、I1和12)。與現(xiàn)有技術(shù)的三芳基胺取代的化合物HTM12相比，材料HTM8顯 示甚至更顯著的性能數(shù)據(jù)的改進(實施例C19、C20、I1和12)。
[0432] 如果HTM3與熒光摻雜劑D1和D2-起用作電子阻擋材料，與NPB比較獲得了工作電 壓和效率的顯著改進(實施例(：1-3、05、13-16)。然而，更加重要的是在發(fā)藍色光的情況下通 過使用HTM3能夠增加壽命(實施例C1、C2、I3和14)達到約7700h，相比之下NPB(ETM1作為電 子傳輸材料)為5200h。這對應(yīng)于50%的顯著的增加。在綠色發(fā)光情況下，壽命的改進有些不 太大，獲得了約25 %的增加(實施例C3、C5、15和16)。通過使用本發(fā)明的化合物HTM2 (實施例 17-19)能夠?qū)崿F(xiàn)類似的改進。特別是，新穎的材料HTM8作為空穴傳輸材料和HTM3作為電子 阻擋材料的組合獲得了良好的性能數(shù)據(jù):與現(xiàn)有技術(shù)比較，壽命改進約50%，功率效率改進 約25% (實施例C2和112)。
[0433] 此外，本發(fā)明的化合物也可以用作單個的層，這代表了在加工復(fù)雜性方面優(yōu)于 HTM1和NPB組合的顯著優(yōu)勢。這通過參考與藍色熒光摻雜劑D1結(jié)合的材料HTM2和HTM3證明。 盡管雙層結(jié)構(gòu)HTM1/HTM2(實施例18)或HTM1/HTM3(實施例14)顯示比所述單個的層(實施例 110和111)更好的電壓和效率，然而，所述單個的層仍在壽命方面顯著地優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)(實 施例C2)。電壓和效率大致相同。
[0434]在磷光0LED中，本發(fā)明的化合物當(dāng)用作電子阻擋層時特別顯示顯著的壽命提高和 量子或電流效率的提高(實施例 04、06-09、(：11、(：12和113-126、141、143、144、146、150-153、 157)。例如，如果本發(fā)明的化合物HTM3用于包括綠色磷光發(fā)光體TEG1的0LED中，則與現(xiàn)有技 術(shù)的材料EBM1比較壽命增加達到大于60% (實施例C12和117)。量子效率增加約10%，由于 工作電壓基本不變，產(chǎn)生功率效率同樣增加約10%的結(jié)果。通過本發(fā)明化合物更大的三重 態(tài)間隙得以解釋所述的效率提高。與現(xiàn)有技術(shù)的材料HTM11和HTM12相比，當(dāng)HTM3用作電子 阻擋材料時同樣出現(xiàn)顯著的改進(實施例C21、C22和115)。本發(fā)明其它材料顯示與現(xiàn)有技術(shù) 相比類似的改進。在紅色發(fā)光的情況下，本發(fā)明的化合物與現(xiàn)有技術(shù)的NPB相比較特別是顯 示壽命的顯著提高(實施例C4、C6、125和126)。
[0435] 因此，在0LED的空穴傳輸側(cè)上使用本發(fā)明的化合物產(chǎn)生顯著的改進，特別是在壽 命和工作電壓、功率效率、壽命和加工復(fù)雜性方面的改進。
[0436] 本發(fā)明的化合物用作混合基質(zhì)體系中的組分
[0437] 混合基質(zhì)體系，即，具有由三種或多種組分組成的發(fā)光層的0LED，有時顯示出優(yōu)于 包括單個基質(zhì)材料體系的顯著的優(yōu)點。所述的體系詳細地描述于特別是申請W0 10/108579 中。所述化合物也可以用于本發(fā)明的這種體系中。與現(xiàn)有技術(shù)的混合基質(zhì)組分相比，在效 率、電壓和壽命方面呈現(xiàn)顯著的改進。所使用的現(xiàn)有技術(shù)的化合物是材料CBP、TCTA和FTPh (見表4)。對應(yīng)的0LED由C6、C10和C14-C18表示。本發(fā)明使用的材料是與基質(zhì)材料H3、Ketl和 DAP1結(jié)合的化合物H5-H17。相應(yīng)的0LED由127-139、156、158-163表示。
[0438] 首先，比較包括發(fā)綠色光摻雜劑TEG1的混合基質(zhì)體系。當(dāng)用本發(fā)明的化合物替換 CBP或TCTA時，觀察到工作電壓、功率效率和同樣尤其是壽命的顯著提高。當(dāng)本發(fā)明的化合 物H10與例如，H3結(jié)合使用時，與使用CBP相比功率效率增加60%，與TCTA相比增加約70% (實施例C10、C18和127)。與CBP相比壽命幾乎增加60%，與TCTA相比觀察到基本四倍于所述 的壽命。當(dāng)H10與酮基質(zhì)Ketl和二氮雜磷雜環(huán)戊二烯基質(zhì)DAP1組合時，同樣獲得類似的改進 (實施例C14-C17、I28和129)。對于化合物H12和H14也可以實現(xiàn)非常好的壽命，其中所述橋 原子被苯環(huán)取代(實施例158、160)。本發(fā)明其它的化合物同樣顯示電壓、功率效率和壽命的 顯著改進。
[0439]在發(fā)紅色光的混合基質(zhì)體系中，當(dāng)使用本發(fā)明的化合物時同樣獲得顯著的改進 (參看含有137-139、162、163的實施例C6)。當(dāng)用例如H10替換CBP時，獲得電壓提高1. IV，功 率效率增加約50%，基本上兩倍的壽命(實施例C6和137)。對于本發(fā)明的化合物H7和H9能夠 實現(xiàn)類似的良好性能數(shù)據(jù)。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比對于在所述橋原子上被苯環(huán)取代的化合 物H16和H17同樣獲得了顯著的改進(162、163)。
[0440]因此，在混合基質(zhì)體系中使用本發(fā)明材料產(chǎn)生顯著的0LED電壓、效率和尤其同樣 壽命的改進。與非常不同類別的基質(zhì)材料（酮:Ketl，螺三嗪：H3,二氮雜磷雜環(huán)戊二烯： DAP1)結(jié)合時能夠?qū)崿F(xiàn)這些改進。因此，能認(rèn)為通過使本發(fā)明的化合物與其它類別的材料組 合也可以實現(xiàn)類似的改進。
[0441] 表1:0LED的結(jié)構(gòu)
[0442]
[0443]
[0444]
[0445]
[0446]
[0447] 表2:0LED的數(shù)據(jù)
[0448]
[0450] 表3:0LED的數(shù)據(jù)
[0451]
[0453]表4:使用材料的結(jié)構(gòu)式
[0454]
[0455]
[0456]
[0457]
[0458]
【主權(quán)項】
1.通式(I)的化合物其中W下適用于存在的符號和標(biāo)記： Y在每次出現(xiàn)時相同或不同地是單鍵或C(R2)2,其中存在至少一個代表單鍵的基團Y; 陸是苯基基團，其可被一個或多個基團Ri取代； Ari是具有6至30個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，其可被一個或多個基團Ri取代； R1、R2 在每次出現(xiàn)時相同或不同地是H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CH0，N(R3)2，C(=0)R3，P(=0) (R3)2，S(=0)R3，S(=0)2R3，CR3 = C(R3)2，CN，N02，Si(R3)3，B(0R3)2,0S02R3,0H，具有l(wèi)至40個C 原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團或具有3至40個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、燒氧 基或硫代烷基基團或具有2至40個C原子的締基或烘基基團，它們每個可被一個或多個基團 R3取代，其中一個或多個非相鄰的C此基團可被R化= CR3、C三C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR3、P(=0)(R3)、S0、S02、NR3、0、S或C0NR3代替，和其中一個或多個H原 子可被D、F、C1、Br、I、CN或N02代替，或具有5至60個芳族環(huán)原子的單或多環(huán)的芳族或雜芳族 環(huán)系，在每種情況下它們可被一個或多個非芳族基團R3取代，或具有5至60個芳族環(huán)原子的 芳氧基或雜芳氧基基團，它們可被一個或多個非芳族基團R3取代，或運些體系的組合； R3 在每次出現(xiàn)時相同或不同地是H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CH0，N(R4)2，C(=0)R4，P(=0)(R 4)2，S (=0)R4，S(=0)2R4，CR4 = C(R4)2，CN，N02，Si(R4)3，B(0R4)2,0S02R4,0H，具有l(wèi)至40個C原子的 直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團或具有3至40個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫 代烷基基團或具有2至40個C原子的締基或烘基基團，它們每個可被一個或多個基團R4取 代，其中一個或多個非相鄰的C出基團可被R4C = CR4、C三C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR4、P(=0)(R4)、S0、S02、NR4、0、S或C0NR 4代替，和其中一個或多個H原子可被 D、F、C1、Br、I、CN或N02代替，或具有5至60個芳族環(huán)原子的單或多環(huán)的芳族或雜芳族環(huán)系， 在每種情況下它們可被一個或多個非芳族基團R4取代，或具有5至60個芳族環(huán)原子的芳氧 基或雜芳氧基基團，它們可被一個或多個非芳族基團R4取代，或運些體系的組合，其中兩個 或更多個基團R3可W彼此連接并可W形成單或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系； R4在每次出現(xiàn)時相同或不同地是H，D，F(xiàn)或具有1至20個C原子的脂族、芳族和/或雜芳族 有機基團，其中另外，一個或多個Η原子可被D或F代替;此處兩個或更多個相同或不同的取 代基R4也可W彼此連接并可W形成單或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系； η在每次出現(xiàn)時相同或不同地是0或1，其中η值的總和等于1或2,和其中對于η = 0,基團 Ri被鍵合而不是基團Υ; 和其中不超過一個代表通式-N(R3)2基團的基團Ri可W與通式（I)中單個的Ξ芳基胺基 團鍵合，其中R3是芳基基團。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于η值的總和等于1。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物，其特征在于確切地一個基團Υ代表單鍵，和確切地 一個另外的基團Υ是C(R2)2。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中的一項或多項所述的化合物，其特征在于Ri在每次出現(xiàn)時相同 或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，Si(R3)3，或具有l(wèi)至20個C原子的直鏈烷基或烷氧基基團或具有3至 20個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團，它們每個可被一個或多個基團R3取代，其中 一個或多個相鄰的或非相鄰的C出基團可被-C=C-、R化= CR3、Si(R3)2、C = 0、C = NR3、NR3、0、 S、COO或CONR3代替，或具有5至30個芳族環(huán)原子的芳基或雜芳基基團，它們在每種情況下可 被一個或多個基團R3取代。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中的一項或多項所述的化合物，其特征在于R2在每次出現(xiàn)時相同 或不同地選自H，D，具有1至8個碳原子的直鏈烷基基團，具有3至8個碳原子的支鏈烷基基團 或具有6至18個碳原子的芳基基團，其中所述基團每一個可被一個或多個基團R3取代。6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中的一項或多項所述的化合物，其特征在于必須存在至少一個代 表被一個或多個基團R3取代的具有6至10個碳原子芳基基團的基團R2。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中的一項或多項所述的化合物，其特征在于R3在每次出現(xiàn)時相同 或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，Si(R4)3，N(R4)2，或具有l(wèi)至20個C原子的直鏈烷基或烷氧基基團， 或具有3至20個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團，它們每個可被一個或多個基團R4取代，其中一個或多個相鄰的或非相鄰的C此基團可被-C^C-、R4C = CR4、Si(R4)2、C = 0、C = NR4、NR4、0、S、C00或CONR4代替，或具有5至30個芳族環(huán)原子的芳基或雜芳基基團，它們在每 種情況下可被一個或多個基團R4取代。8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項或多項所述的化合物，其特征在于R4在每次出現(xiàn)時相同 或不同地是H，D，F(xiàn)或具有1至20個C原子的脂族、芳族和/或雜芳族有機基團，其中另外，一個 或多個Η原子可被D或F代替。9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中的一項或多項所述的化合物，其特征在于基團Ari符合通式 (Afi-l):其中通過虛線表示與基團化和與氮原子結(jié)合的鍵，并且其中所述基團可被在權(quán)利要求 1或4中定義的基團Ri在所有的空位取代。10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中的一項或多項所述的化合物，其特征在于基團Ph符合通式 (Ph-1)和(Ph-2)之一：其中通過虛線表示與氮原子和與基團Ari結(jié)合的鍵，和如果基團Υ存在，則符號#標(biāo)記與 基團Υ鍵合的位置，和其中該結(jié)構(gòu)可被權(quán)利要求1或4中定義的基團Ri在所有的空位取代。11. 根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項或多項所述的化合物，其特征在于所述化合物符合W 下通式（1-16)至（1-20)之一：其中 L 是 C(R2)2;和 Ri如在權(quán)利要求1或4中所定義的。12. 低聚物、聚合物或樹枝狀大分子，其包括一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1至11中的一項 或多項所述的化合物，其中與所述聚合物、低聚物或樹枝狀大分子結(jié)合的鍵可W位于通式 (I)中被Ri或R2取代的任何希望的位置。13. 制劑，其包括至少一種權(quán)利要求1至11中的一項或多項所述的化合物或至少一種根 據(jù)權(quán)利要求12所述的聚合物、低聚物或樹枝狀大分子，和至少一種溶劑。14. 制備根據(jù)權(quán)利要求1至11中的一項或多項所述的化合物的方法，其特征在于至少進 行一種閉環(huán)反應(yīng)W引入橋連基團Y或L。15. 根據(jù)權(quán)利要求1至11中的一項或多項所述的化合物或根據(jù)權(quán)利要求12所述的聚合 物、低聚物或樹枝狀大分子在電子器件中、優(yōu)選在有機電致發(fā)光器件(OLED)中的用途。16. 電子器件，其包括至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至11中的一項或多項所述的化合物，或 至少一種根據(jù)權(quán)利要求12所述的聚合物、低聚物或樹枝狀大分子，其特別是選自有機集成 電路（0-IC)、有機場效應(yīng)晶體管（0-FET)、有機薄膜晶體管（0-TFT)、有機發(fā)光晶體管（0- LET)、有機太陽能電池(0-SC)、有機光學(xué)探測器、有機光感受器、有機場巧焰器件(0-F孤）、 發(fā)光電化學(xué)電池(LEC)、有機激光二極管(O-laser)和有機電致發(fā)光器件(0LED)。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于根據(jù)權(quán)利要求1至11中的一 項或多項所述的化合物或根據(jù)權(quán)利要求12所述的聚合物、低聚物或樹枝狀大分子用作空穴 傳輸層或空穴注入層中的空穴傳輸材料和/或在發(fā)光層中優(yōu)選與一種或多種另外的基質(zhì)材 料結(jié)合用作基質(zhì)材料。
【文檔編號】C07D471/06GK106083848SQ201610390933
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2010年12月17日 公開號201610390933.5, CN 106083848 A, CN 106083848A, CN 201610390933, CN-A-106083848, CN106083848 A, CN106083848A, CN201610390933, CN201610390933.5
【發(fā)明人】埃米爾·侯賽因·帕勒姆, 克里斯托夫·普夫盧姆, 康斯坦策·布羅克
【申請人】默克專利有限公司