專利名稱：氫化嵌段共聚物和由其生產(chǎn)的光盤(pán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由乙烯基芳烴和共軛二烯烴單體生產(chǎn)的氫化嵌段共聚物。
乙烯基芳烴和丁二烯單體的氫化嵌段共聚物如苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物是本領(lǐng)域公知的，并公開(kāi)于US 3,333,024、3,431,323、3,598,886、5,352,744、3,644,588和EP-505,110中。此外，US4,911,966、US 5,178,926和JP 10-116442公開(kāi)了由乙烯基環(huán)己烷共聚物制備的光盤(pán)基材。然而，在這些申請(qǐng)中，該共聚物可僅部分氫化，生產(chǎn)的光盤(pán)具有低抗沖擊性和柔韌性、低熱變形溫度、高雙折射和作為商用光盤(pán)不可接受的其它性能。雙折射為由光通過(guò)其中的材料的折射率差確定的光學(xué)變形形式。雙折射影響用于讀取光盤(pán)的激光的相關(guān)系，導(dǎo)致光盤(pán)讀數(shù)誤差。在目前的光盤(pán)中，使用高流動(dòng)材料如聚碳酸酯，同時(shí)光盤(pán)在使材料應(yīng)力最小的條件下模塑。然而，雙折射仍然接近成問(wèn)題的程度。目前光盤(pán)市場(chǎng)的趨勢(shì)涉及更高密度盤(pán)，這種盤(pán)不能允許現(xiàn)有技術(shù)的雙折射程度。
因此，仍然需要透明聚合物和由其制備的具有改進(jìn)的抗沖擊性、柔韌性、熱變形溫度和極低雙折射，或作為商用光盤(pán)的其它可接受性能的光盤(pán)。
本發(fā)明第一方面涉及氫化嵌段共聚物和由其生產(chǎn)的光盤(pán)。該氫化嵌段共聚物為硬質(zhì)氫化嵌段共聚物，它包括至少兩個(gè)不同的氫化的聚合乙烯基芳烴單體嵌段(這里稱為氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段)，和至少一個(gè)氫化的聚合共軛二烯烴單體嵌段(這里稱為氫化共軛二烯烴聚合物嵌段)，其中該氫化共聚物的進(jìn)一步特征在于a)氫化共軛二烯烴聚合物嵌段與氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段的重量比為40∶60或更低；b)總數(shù)均分子量(Mnt)為30,000至150,000，其中各氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段(A)具有Mna6,000至60,000，各氫化共軛二烯烴聚合物嵌段(B)具有約120個(gè)單體單元或更低的聚合物長(zhǎng)度；和c)氫化程度應(yīng)使各氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段具有氫化程度大于90％和各氫化共軛二烯烴聚合物嵌段具有氫化程度大于95％。
具有這些特性的氫化嵌段共聚物對(duì)可見(jiàn)波長(zhǎng)的光透明并且非常適合用作光盤(pán)，同時(shí)在標(biāo)準(zhǔn)溫度和高溫下都具有優(yōu)良的性能。這種透明性、高玻璃轉(zhuǎn)化溫度、低吸水性、韌性、優(yōu)良的熔體加工性和令人吃驚的可以忽略的雙折射的組合，使得這些材料成為用于光盤(pán)的理想候選物。
這些氫化嵌段共聚物通過(guò)將由乙烯基芳烴單體和共軛二烯烴單體生產(chǎn)的嵌段共聚物氫化而制備。
乙烯基芳烴單體通常為如下通式的單體 其中R′為氫或烷基，Ar為苯基、鹵代苯基、烷基苯基、烷鹵苯基、萘基、吡啶基或蒽基，其中任一烷基含1至6個(gè)碳原子，它可被官能基團(tuán)如鹵素、硝基、氨基、羥基、氰基、羰基和羧基取代。Ar更優(yōu)選為苯基或烷苯基，其中最優(yōu)選苯基。典型的乙烯基芳烴單體包括苯乙烯，α-甲基苯乙烯，乙烯基甲苯的所有異構(gòu)體，特別是對(duì)乙烯基甲苯，乙基苯乙烯的所有異構(gòu)體，丙基苯乙烯，丁基苯乙烯，乙烯基聯(lián)苯，乙烯基萘，乙烯基蒽，和其混合物。該嵌段共聚物可含有一種以上的特定聚合乙烯基芳烴單體。換言之，該嵌段共聚物可含有聚苯乙烯嵌段和聚α-甲基苯乙烯嵌段。該氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段還可為乙烯基芳烴的共聚物，其中乙烯基芳烴部分至少為共聚物的50wt％。
共軛二烯烴單體可為具有2個(gè)共軛雙鍵的任何單體。這些單體包括例如1，3-丁二烯、2-甲基-1，3-丁二烯、2-甲基-1，3-戊二烯、異戊二烯和類似化合物，及其混合物。該嵌段共聚物可含有一種以上的特定聚合共軛二烯單體。換言之，該五嵌段共聚物可含有聚丁二烯嵌段和聚異戊二烯嵌段。
聚丁二烯可含有氫化后得到1-丁烯重復(fù)單元等同物的1，2-構(gòu)型，或氫化后得到乙烯重復(fù)單元等同物的1，4-構(gòu)型。通常，聚丁二烯嵌段的1，2與1，4含量比為1∶15或更大。
這里將嵌段定義為共聚物的一個(gè)聚合物鏈段，該鏈段顯示與共聚物的結(jié)構(gòu)或組成不同的聚合物鏈段的微觀相分離。微觀相分離出現(xiàn)的原因在于嵌段共聚物內(nèi)的聚合物鏈段不相容。嵌段鏈段分離可通過(guò)存在的不同玻璃轉(zhuǎn)化溫度檢測(cè)。微觀相分離和嵌段共聚物廣泛描述于“Block copolymers-Designer Soft Materials”P(pán)HYSICS TODAY，F(xiàn)ebruary，1999，p 32-38中。
硬質(zhì)氫化嵌段共聚物定義為具有氫化共軛二烯烴聚合物嵌段與氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段重量比40∶60或至5∶95，優(yōu)選35∶65至10∶90，更優(yōu)選30∶70至15∶85，按氫化共軛二烯烴聚合物嵌段和氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段的總重量計(jì)。氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段和氫化共軛二烯烴聚合物嵌段的總重量通常為氫化共聚物的至少80 wt％，優(yōu)選至少90，更優(yōu)選至少95 wt％。
本發(fā)明的氫化嵌段共聚物通過(guò)氫化包括三嵌段、多嵌段、遞變嵌段和星型嵌段共聚物如SBS、SBSBS、SIS、SISIS和SISBS(其中S為聚苯乙烯，I為聚異戊二烯和B為聚丁二烯)的嵌段共聚物生產(chǎn)。該嵌段共聚物在各末端上含至少一個(gè)由乙烯基芳烴聚合物嵌段構(gòu)成的三嵌段鏈段。然而，該嵌段共聚物可含有任何數(shù)量的另一些嵌段，其中這些嵌段可在任何點(diǎn)與三嵌段聚合物主鏈連接。因此，線性嵌段將包括例如SBS、SBSB、SBSBS和SBSBSB。該共聚物還可支化，其中聚合物鏈在沿共聚物主鏈的任何點(diǎn)連接。此外，上述嵌段共聚物的摻混物及嵌段物與它們氫化的均聚物的摻混物也可使用。換言之，氫化SBS嵌段共聚物可與氫化SBSBS嵌段共聚物和/或氫化聚苯乙烯均聚物摻混。應(yīng)注意的是，在生產(chǎn)嵌段共聚物中還可生成少量殘余二嵌段共聚物。
本發(fā)明的氫化嵌段共聚物的總數(shù)均分子量(Mnt)通常為24,000，優(yōu)選30,000，更優(yōu)選45,000，最優(yōu)選50,000至150,000，通常至135,000，一般至115,000，優(yōu)選至100,000，更優(yōu)選至90,000，最優(yōu)選至85,000。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中提及的Mn通過(guò)凝膠滲透色譜(GPC)測(cè)定。獲得的硬質(zhì)氫化嵌段共聚物的分子量和性能取決于各氫化聚合物嵌段的分子量。
應(yīng)注意，在氫化乙烯基芳烴聚合物分子量低于氫化乙烯基芳烴聚合物的纏結(jié)分子量下可獲得良好性能。聚合物的纏結(jié)分子量與給定聚合物所需的鏈長(zhǎng)度相關(guān)(因鏈纏結(jié)顯示熔體粘度顯著降低)。很多常規(guī)聚合物的纏結(jié)分子量已測(cè)量并記載于Macromolecules，1994，Vol.27，p4639中。對(duì)于玻璃態(tài)聚合物，通常注意到在約10倍纏結(jié)分子量下獲得最大強(qiáng)度和韌性值(例如，參見(jiàn)Encyclopedia of PolymerScience and Engineering，第2版，Vol.16，p 62-71，1989中的Styrene Polymers)。纏結(jié)分子量對(duì)于聚乙烯基環(huán)己烷為約38,000。我們已確定，在氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段分子量(Mna)為氫化乙烯基芳烴聚合物纏結(jié)分子量0.2至1.2倍時(shí)可獲得性能與可加工性的最佳平衡。
氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段的Mna通常為6,000，一般為8,000，優(yōu)選10,000，更優(yōu)選12,000和最優(yōu)選15,000至60,000，優(yōu)選至50,000，更優(yōu)選至40,000，最優(yōu)選至30,000。
氫化二烯烴聚合物嵌段通常為120個(gè)單體單元或更少，一般115個(gè)單體單元或更少，特征110個(gè)單體單元或更少，優(yōu)選105個(gè)單體單元或更少，更優(yōu)選95個(gè)單體單元或更少，進(jìn)一步更優(yōu)選90個(gè)單體單元或更少，最優(yōu)選85個(gè)單體單元或更少。氫化二烯烴聚合物嵌段的嵌段長(zhǎng)度是重要的，因?yàn)樗钊顺泽@地有助于明顯降低共聚物的雙折射。
重要的是，注意到本發(fā)明硬質(zhì)氫化嵌段共聚物的各個(gè)嵌段可具有其本身獨(dú)特的分子量。換言之，例如在氫化嵌段共聚物內(nèi)的兩個(gè)乙烯基芳烴聚合物嵌段各自可具有不同的分子量。
制備嵌段共聚物的方法是本領(lǐng)域公知的。通常，嵌段共聚物可通過(guò)陰離子聚合制備，其例子參見(jiàn)Anionic PolymerizationPrinciples and Practical Applications，H.L.Hsieh and R.P.Quirk，Marcel Dekker，New York，1996。在一個(gè)實(shí)施方案中，嵌段共聚物通過(guò)將單體順序加入碳陰離子引發(fā)劑如仲丁基鋰或正丁基鋰中制備。在另一實(shí)施方案中，該共聚物通過(guò)將三嵌段物質(zhì)用二價(jià)偶聯(lián)劑如1，2-二溴乙烷、二氯二甲基硅烷或苯甲酸苯基酯偶聯(lián)制備。在該實(shí)施方案中，丁二烯聚合物短鏈(低于10個(gè)單體重復(fù)單元)可與乙烯基芳烴聚合物偶聯(lián)末端反應(yīng)，以有助于偶聯(lián)反應(yīng)。乙烯基芳烴聚合物嵌段通常難以偶聯(lián)，因此，該工藝通常用于實(shí)現(xiàn)乙烯基芳烴聚合物末端偶聯(lián)。該二烯烴聚合物短鏈不構(gòu)成獨(dú)特的嵌段，因?yàn)椴粫?huì)出現(xiàn)微觀相分離。已證明可用于各種陰離子聚合的偶聯(lián)劑和工藝描述于Hsiehand Quirk，Chapter 12，pgs 307-331中。在另一實(shí)施方案中，將雙官能陰離子引發(fā)劑用于自嵌段體系中心引發(fā)聚合，其中后面加入的單體同等加成到正在生長(zhǎng)的聚合物鏈的兩個(gè)末端上。這種雙官能引發(fā)劑的一個(gè)例子是用有機(jī)鋰化合物處理的1，3-雙(1-苯基乙烯基)苯，如US 4,200,718和4,196,154中描述的。
制備嵌段共聚物后，將該共聚物氫化以除去共聚物的共軛二烯烴聚合物嵌段和乙烯基芳烴聚合物嵌段鏈段中的不飽和位?？墒褂萌我粴浠椒?，這些方法通常包括使用載在無(wú)機(jī)載體上的金屬催化劑，如載在BaSO4上的Pd(US 5,352,744)和載在硅藻土上的Ni(US-3,333,024)。此外，可溶性均相催化劑，如由2-乙基己酸的過(guò)渡金屬鹽和烷基鋰的組合制備的那些催化劑，可用于使嵌段共聚物完全飽和，如描述于Die Makromolekulare Chemie，Vol.160，pp.291，1972中的。該嵌段共聚物氫化還可用氫氣和非均相催化劑實(shí)現(xiàn)，如US5,352,744、US 5,612,422和US 5,645,253中描述的。這里描述的催化劑為由載在多孔二氧化硅載體上的金屬微晶構(gòu)成的非均相催化劑。特別適用于聚合物氫化的承載催化劑的二氧化硅的一個(gè)例子是具有表面積至少10m2/g的二氧化硅，該二氧化硅按使其含直徑3000至6000埃的微孔的方式合成。然后將該二氧化硅用能夠催化氫化聚合物的金屬如鎳、鈷、銠、釕、鈀、鉑或其它VIII族金屬、其混合物或合金浸漬。還可使用具有直徑500至3,000埃的其它非均相催化劑。氫化芳烴聚合物的方法是本領(lǐng)域公知的，如由Hahn和Hucul描述于US5,700,878中的，其中芳烴聚合物通過(guò)將芳烴聚合物與氫化試劑在具有窄孔尺寸分布和大孔的二氧化硅載體金屬催化劑存在下接觸的方式氫化。
另外，氫化可在特征在于包括至少兩種組分的混合物的混合氫化催化劑存在下進(jìn)行。第一種組分包括可提高氫化速率的任一金屬，包括鎳、鈷、銠、釕、鈀、鉑或其它VIII族金屬、或其混合物。優(yōu)選使用銠和/或鈀。然而，已知鉑為腈的不良?xì)浠呋瘎?，因此，鉑對(duì)于氫化腈共聚物不是優(yōu)選的。用于混合氫化催化劑的第二種組分包括抑制VIII族金屬暴露于極性材料中時(shí)減活化的促進(jìn)劑，這里稱為耐減活化組分。這些組分優(yōu)選包括錸、鉬、鎢、鉭或鈮或其混合物。
耐減活化組分在混合催化劑中的量為至少顯著抑制VIII族金屬組分暴露于聚合物組合物中的極性不純物下時(shí)減活化的量，這里稱為減活化抑制量。VIII族金屬組分的減活化可通過(guò)氫化反應(yīng)速率明顯降低證實(shí)。例如可對(duì)比在相同條件下在極性不純物存在下的混合氫化催化劑與僅含VIII金屬組分的催化劑，其中僅含VIII金屬組分的催化劑顯示氫化速度比混合氫化催化劑達(dá)到的速率低75％。
減活化抑制組分的量應(yīng)使VIII金屬組分與減活化抑制組分的比例為0.5∶1至10∶1，更優(yōu)選1∶1至7∶1，最優(yōu)選1∶1至5∶1。
混合催化劑可僅由這些組分構(gòu)成，但優(yōu)選該催化劑還包括其上沉積這些組分的載體。在一個(gè)實(shí)施方案中，將金屬沉積到載體如二氧化硅、氧化鋁或碳上。在一個(gè)更具體的實(shí)施方案中，使用具有窄孔尺寸分布和表面積大于10m2/g的二氧化硅載體。
載體的孔尺寸分布、孔體積和平均孔徑可通過(guò)汞孔隙率測(cè)量法按照ASTM D-4284-83獲得。
孔尺寸分布通常用汞孔隙率測(cè)量法測(cè)定。然而，該方法僅足夠測(cè)量大于60埃的孔。因此，必須用另一方法測(cè)量低于60埃的孔。其中一種方法為根據(jù)ASTM D-4641-87的用于測(cè)量低于約600埃的孔徑的氮?dú)馕椒?。因此，窄孔尺寸分布定義為要求孔體積的至少98％由具有孔徑大于300埃的孔確定，并且通過(guò)用于測(cè)量低于300埃的氮?dú)馕椒y(cè)量的孔體積低于由汞孔隙率測(cè)量法測(cè)定的總孔體積的2％。
表面積可按照ASTM D-3663-84測(cè)量。該表面積通常為10至100m2/g，優(yōu)選15至90m2/g，最優(yōu)選50至85m2/g。
用于混合催化劑的載體的合適平均孔徑取決于要?dú)浠木酆衔锖推浞肿恿?Mn)。對(duì)于具有較高分子量的聚合物優(yōu)選使用較大平均孔徑的載體。對(duì)于高分子量聚合物(例如Mn＞200,000)，典型的合適表面積可為15至25m2/g，合適的平均孔徑為3,000至4000埃。對(duì)于較低分子量的聚合物(例如Mn＜100,000)，典型的合適表面積可為45至85m2/g，合適的平均孔徑為300至700埃。
二氧化硅載體是優(yōu)選的，可通過(guò)將硅酸鉀與膠凝劑如甲酰胺在水中化合、聚合并浸提制備，例如參見(jiàn)US4,112,032。然后將二氧化硅例如按照IIer，R.K.，The Chemistry of Silica，John Wiley andSons，1979，pp.539-544中所述進(jìn)行熱水煅燒，該熱水煅燒通常由加熱二氧化硅構(gòu)成，同時(shí)將用水飽和的氣體在溫度600℃至850℃下通過(guò)二氧化硅約2小時(shí)或更長(zhǎng)。熱水煅燒導(dǎo)致孔徑分布變窄和平均孔直徑增大。此外，該載體可通過(guò)IIer，R.K.，The Chemistry of Silica，John Wiley and Sons，1979，pp.539-544中公開(kāi)的方法制備。
載在二氧化硅上的催化劑可用US 5,110,779中描述的方法制備。可將合適的金屬、金屬組分、含金屬的化合物或其混合物通過(guò)氣相沉積、水或非水浸漬接著煅燒，升華或任何其它常規(guī)方法，如在Studiesin Surface Science and Catalysis，“Successful Design ofCatalysts”V.44，pg.146-158，1989 and Applied HeterogeneousCatalysis，pg 75-123，Institute Francais du PetrolePublications，1987中列舉的那些方法，沉積到載體上。在浸漬方法中，含合適金屬的化合物可為含如上所述的金屬的任何化合物，該化合物可生產(chǎn)耐減活化的可用氫化催化劑。這些化合物可為鹽、配位配合物、有機(jī)金屬化合物或共價(jià)配合物。
通常，混合載體催化劑的總金屬組分為0.1至10wt.％，按載在二氧化硅上的催化劑的總重量計(jì)。該量?jī)?yōu)選為2至8wt％，更優(yōu)選0.5至5wt％，按催化劑的總重量計(jì)。
促進(jìn)劑如含堿金屬、堿土金屬或鑭系金屬的化合物也可用于促進(jìn)將金屬組分分散到二氧化硅載體上或在反應(yīng)期間穩(wěn)定化，盡管使用它們不是優(yōu)選的。
用于氫化方法的混合載體催化劑的量因其氫化催化劑的高活性，因此比常規(guī)不飽和聚合物氫化反應(yīng)中所需的量小得多。通常，每克不飽和聚合物使用低于1g，優(yōu)選低于0.1g，更優(yōu)選低于0.05g的載體催化劑。使用的載體催化劑量取決于方法的類型(無(wú)論該方法是否為連續(xù)、半連續(xù)或是間歇法)，和方法條件如溫度、壓力和反應(yīng)時(shí)間，其中典型的反應(yīng)時(shí)間可為5分鐘至5小時(shí)。連續(xù)操作通常相對(duì)于200,000或更多份不飽和聚合物可含有1重量份載體催化劑，因?yàn)樵撦d體催化劑在連續(xù)操作中可反復(fù)使用多次。典型的間歇方法對(duì)于5000份不飽和聚合物可使用1重量份載體催化劑。較高的溫度和壓力還可使用更少量的載體催化劑。
氫化反應(yīng)可在無(wú)溶劑下進(jìn)行，優(yōu)選在可溶解該聚合物并且不阻礙該氫化反應(yīng)的烴溶劑中進(jìn)行。溶劑優(yōu)選為飽和溶劑如環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、環(huán)辛烷、環(huán)庚烷、十二烷、二噁烷、二甘醇二甲基醚、四氫呋喃、異戊烷、十氫萘或其混合物，其中最優(yōu)選環(huán)己烷。
進(jìn)行氫化的溫度可為出現(xiàn)氫化但聚合物不明顯降解時(shí)的任何溫度。聚合物降解可通過(guò)在氫化后Mn降低、多分散度升高或玻璃轉(zhuǎn)化溫度降低檢測(cè)。具有多分散度1.0至1.2的聚合物明顯降解可定義為氫化后多分散度升高30％或更高。聚合物降解優(yōu)選應(yīng)為這樣的程度，即在氫化后發(fā)生多分散度升高低于20％，最優(yōu)選低于10％。在具有多分散度大于約1.2的聚合物中，氫化后分子量明顯降低說(shuō)明已發(fā)生降解。在此情況下的明顯降解定義為Mn降低20％或更大。氫化后Mn降低將低于10％。然而，更趨于聚合物降解的聚合物如聚-α-甲基苯乙烯或其它α取代乙烯基芳烴聚合物可允許Mn降低至多30％，典型的氫化溫度為40℃，優(yōu)選100℃，更優(yōu)選110℃，最優(yōu)選120℃至250℃，優(yōu)選至200℃，更優(yōu)選至180℃，最優(yōu)選至170℃。
氫化反應(yīng)的壓力并不重要，盡管氫化速率隨壓力升高而加快。典型的壓力為大氣壓至70MPa，優(yōu)選0.7至10.3MPa。
將氫化反應(yīng)容器用惰性氣體純化，以從反應(yīng)區(qū)除去氧氣。惰性氣體包括但不限于氮?dú)?、氦和氬氣，其中氮?dú)馐莾?yōu)選的。
氫化試劑可為有效氫化不飽和化合物的產(chǎn)生氫氣的化合物。氫化試劑包括但不限于氫氣、肼和硼氫化鈉。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，氫化試劑為氫氣。
本發(fā)明嵌段共聚物的氫化程度通常為大于95％的丁二烯聚合物嵌段和大于90％的乙烯基芳烴聚合物嵌段鏈段，一般大于99％的丁二烯聚合物嵌段和大于95％的乙烯基芳烴聚合物嵌段鏈段，優(yōu)選大于99.5％的丁二烯聚合物嵌段和大于97％的乙烯基芳烴聚合物嵌段鏈段，更優(yōu)選大于99.9％的共軛二烯烴聚合物嵌段和大于98.5％的乙烯基芳烴聚合物嵌段鏈段，進(jìn)一步更優(yōu)選大于99％的乙烯基芳烴聚合物嵌段鏈段。術(shù)語(yǔ)“氫化程度”是指氫化后變飽和的原不飽和雙鍵的百分比。氫化乙烯基芳烴聚合物中的氫化程度用UV-VIS光譜測(cè)定，而氫化丁二烯聚合物中的氫化程度用質(zhì)子NMR測(cè)定。
本發(fā)明的氫化嵌段共聚物可用于生產(chǎn)光介質(zhì)貯存器件如光盤(pán)、快擦寫(xiě)存儲(chǔ)卡、集成電路卡、智能卡和其它介質(zhì)或信息載體基材。
本發(fā)明的氫化嵌段共聚物特別適用于生產(chǎn)光儲(chǔ)存器件和其部件。光儲(chǔ)存介質(zhì)部件包括透明基材、保護(hù)層、保護(hù)殼體或信息層，它們中任何一種都可包括本發(fā)明的氫化嵌段共聚物。使用這些器件的儲(chǔ)存介質(zhì)格式的例子包括CD和DVD格式(光記錄介質(zhì))的預(yù)記錄、可記錄和可重寫(xiě)的版本，如US 4,965,114和US 5,234,792中公開(kāi)的那些，它們都是本領(lǐng)域公知的并描述于The Compact DiscHandbook(第二版，Pohlmann編著)中。
本發(fā)明的氫化嵌段共聚物可用于生產(chǎn)CD(壓縮盤(pán))和DVD(數(shù)字通用盤(pán))預(yù)記錄格式的攜帶信息的透明基材，如US5,635,114中公開(kāi)的。對(duì)于CD格式的情況，將透明基材用反射金屬層(例如鋁)，接著用保護(hù)涂層(例如UV可固化漆)涂布。DVD結(jié)構(gòu)包括例如含本發(fā)明嵌段共聚物的兩層攜帶信息的基材，將該基材用鋁反射層，或金或硅半反射層濺射。將各基材粘結(jié)在一起形成具有總厚度等于CD介質(zhì)器件的厚度的雙層盤(pán)。為生產(chǎn)高密度預(yù)記錄DVD格式，將標(biāo)記(stamper)插入具有磁道間距0.4至0.5的模子中，以獲得數(shù)據(jù)密度10至20Gb。高密度開(kāi)發(fā)格式還可使用由不含數(shù)據(jù)的基材層支撐的攜帶數(shù)據(jù)的薄薄膜層，在每一情況下其中一層或兩層介質(zhì)層可由本發(fā)明的氫化嵌段共聚物生產(chǎn)。
本發(fā)明的氫化嵌段共聚物還可用于生產(chǎn)用于可記錄光盤(pán)格式的帶有擺動(dòng)螺旋凹槽的基材。將該基材通常用吸光染料層，然后用反射層涂布。反射層的例子包括金或銀。在記錄過(guò)程期間，染料自激光束記錄器吸收熱?；摹⑷玖虾头瓷鋵訌?fù)合結(jié)構(gòu)因熱而變形，由此形成永久凹坑。信號(hào)強(qiáng)度通過(guò)染料的光學(xué)變化增強(qiáng)。雙層DVD格式介質(zhì)與CD格式的不同之處在于，兩層含凹槽的基材粘結(jié)在一起形成信息貯存于該兩層上的單一光學(xué)儲(chǔ)存器件。
在一個(gè)具體的實(shí)施方案中，本發(fā)明一方面為預(yù)記錄或可記錄光盤(pán)，包括(a′)第一基材層；(b′)非必要的第一光敏染料層；(c′)至少一組如下兩個(gè)反射或半反射次層(i′)包括金屬、無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物的第一次層；(ii′)包括保護(hù)或粘結(jié)組合物的第二次層；(d′)非必要的包括金屬、無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物的第二金屬/無(wú)機(jī)層；(e′)非必要的第二光敏染料層；
(f′)非必要的第二基材層；其中第一基材層或非必要的第二基材層中至少一層包括本發(fā)明的氫化嵌段共聚物組合物。
合適的光敏染料層包括含氮光敏化合物，如花青、酞菁染料和偶氮化合物。通常，光敏染料層為至少1微米，優(yōu)選至少10微米；通常不超過(guò)100微米，優(yōu)選不超過(guò)75微米。
合適的反射或半反射層和次層包括元素鋁、銀或金。其它合適的反射或半反射次層包括硅化合物如氮化硅和碳化硅。通常反射或半反射層或次層厚度為至少5納米，優(yōu)選至少10納米；通常不超過(guò)100納米，優(yōu)選不超過(guò)30納米。金屬層可通過(guò)本領(lǐng)域公知的陰極濺射技術(shù)涂布。
合適的保護(hù)組合物包括例如光固化丙烯酸酯(如聚甲基丙烯酸甲酯、環(huán)氧丙烯酸酯)。合適的漆包括例如導(dǎo)致漆自由基固化或陽(yáng)離子UV固化的光引發(fā)劑。
合適的粘結(jié)劑組合物包括熱熔或溶劑基粘結(jié)劑。這些粘結(jié)劑通常包括聚合物組分(例如聚乙烯、苯乙烯嵌段共聚物(包括已沿主鏈氫化的嵌段共聚物如SBS、SEBS、SPS、SEPS和SIS)、無(wú)定形聚烯烴等)，與一種或多種選自石蠟、增粘劑、增塑劑和填料的另外的組分并用。例如，該聚合物組分可非必要地官能化以促進(jìn)相鄰組分之間的連接。
在一個(gè)具體的實(shí)施方案中，本發(fā)明的氫化嵌段共聚物用于生產(chǎn)預(yù)記錄聲音壓縮盤(pán)(CD-audio)。關(guān)于壓縮盤(pán)系統(tǒng)的說(shuō)明是本領(lǐng)域公知的，并描述于The Compact Disc Handbook(第二版，Pohlmann編著)中。該盤(pán)的直徑為120mm，孔徑為15mm，厚度為1.2mm。將數(shù)據(jù)記錄在35.5mm寬的區(qū)域上。CD基材包括本發(fā)明的氫化嵌段共聚物并且是透明的。數(shù)據(jù)以物理方式含于沿其上表面刻印的凹坑內(nèi)并用極薄(50至100納米)的金屬如鋁、銀或金覆蓋。用另一10至30微米的薄塑料層保護(hù)金屬化的凹坑表面(其上印有識(shí)別標(biāo)記)。
本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施方案為預(yù)記錄CD，它包括
(a1)基材層；(b1)金屬層，其中金屬優(yōu)選選自鋁、銀或金；和(c1)漆層；其中基材包括本發(fā)明第一方面的組合物。
在另一實(shí)施方案中，光盤(pán)CD為CD-R(可記錄的)，它包括(a2)基材；(b2)光敏染料層；(c2)反射或半反射金屬層；和(d2)漆層；基材、染料層、金屬和漆為上面描述的。
在另一實(shí)施方案中，光盤(pán)為DVD，如DVD-5光盤(pán)，它包括(a3)第一基材層；(b3)金屬層，優(yōu)選選自金和銀；(c3)漆層；和(d3)第二基材層，其中第一基材層或第二基材層中至少一層包括本發(fā)明的氫化嵌段共聚物組合物。
在另一實(shí)施方案中，光盤(pán)為DVD-9光盤(pán)，它包括(a4)第一基材層；(b4)無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物層，優(yōu)選選自碳化硅和氮化硅，或金層；(c4)漆層；(d4)金屬層，通常為鋁或其合金；和(e4)第二基材層，其中第一基材層或第二基材層中至少一層包括本發(fā)明的氫化嵌段共聚物組合物。
在另一實(shí)施方案中，光盤(pán)為DVD-14光盤(pán)，它包括(a5)第一基材層；(b5)無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物層，優(yōu)選選自碳化硅和氮化硅，或金層；(c5)漆層；(d5)至少一組如下兩個(gè)次層(i5)包括金屬、無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物的第一次層，優(yōu)選在每一情況下為金屬，更優(yōu)選在每一情況下為鋁或金；(ii5)包括保護(hù)漆或粘結(jié)組合物的第二次層；和(e5)第二基材層，其中第一基材層或第二基材層中至少一層包括本發(fā)明的氫化嵌段共聚物組合物。
在另一實(shí)施方案中，光盤(pán)為DVD-18光盤(pán)，它包括(a6)第一基材層；(b6)第一無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物層，優(yōu)選選自碳化硅和氮化硅，或金層；(c6)漆層；(d5)至少一組如下兩個(gè)次層(i6)包括金屬、無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物的第一次層，優(yōu)選在每一情況下為金屬，更優(yōu)選在每一情況下為鋁或金；(ii6)包括保護(hù)漆或粘結(jié)組合物的第二次層；(e6)第二無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物層，優(yōu)選選自碳化硅和氮化硅，和(f6)第二基材層，其中第一基材層或第二基材層中至少一層包括本發(fā)明的氫化嵌段共聚物組合物。
這里所述的金屬層、漆和無(wú)機(jī)物為上面描述的。
本發(fā)明的氫化嵌段共聚物也可用于生產(chǎn)其它CD格式，包括CD-ROM、CD-I、DVI、CD-V、DVI、CD-V、CD+G/M、小盤(pán)和CD-3。CD-ROM(只讀記憶)包括非聲音數(shù)據(jù)如數(shù)據(jù)庫(kù)和軟件數(shù)據(jù)。CD-I(交互)和DVI為CD-ROM的具體應(yīng)用，其中數(shù)據(jù)儲(chǔ)存包括以用戶-交互方式儲(chǔ)存的視聽(tīng)信息。DVI(數(shù)字影像交互)為能夠通過(guò)CD-ROM驅(qū)動(dòng)器再現(xiàn)全動(dòng)作(full-motion)、全屏影像、計(jì)算機(jī)生成影像圖和數(shù)字聲音的完全數(shù)字光盤(pán)格式。CD-V為將聲音和激光視覺(jué)影像格式合并的聲音和視聽(tīng)技術(shù)的組合?？捎杀景l(fā)明組合物生產(chǎn)的其它CD格式包括CD+G/M(圖形)，它為用于圖形和非音樂(lè)數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存盤(pán)。這種格式利用數(shù)據(jù)區(qū)域的優(yōu)點(diǎn)，其中靜止的圖象、文章或其它材料儲(chǔ)存于聲音壓縮盤(pán)上并在電視監(jiān)視器顯示，同時(shí)播放音樂(lè)。另一種格式為用于需要更短的播放時(shí)間的應(yīng)用中的CD3。該數(shù)據(jù)格式與標(biāo)準(zhǔn)12cm直徑CD相同，但其直徑僅為8cm，并且還可用于CD-ROM應(yīng)用中。還可由本發(fā)明組合物生產(chǎn)照片CD和CDTV。CDTV，與CD-I類似，使用壓縮盤(pán)標(biāo)準(zhǔn)作為包括圖象、圖形、文章和動(dòng)畫(huà)的視聽(tīng)多媒體表示的基礎(chǔ)。
本發(fā)明的氫化嵌段共聚物還可用作具有一層或多層的可再寫(xiě)/可消除盤(pán)的透明基材和/或保護(hù)層。在此情況下，將記錄層夾在例如包括本發(fā)明氫化嵌段共聚物的透明基材與保護(hù)層之間。記錄層通常為約50nm厚。記錄層包括磁光和相變層。對(duì)于磁光格式，可將包括稀土過(guò)渡金屬如釓鋱鐵、鋱鐵鈷和鋱鐵的磁性材料用于記錄層。
在一個(gè)實(shí)施方案中，可再寫(xiě)/可擦除盤(pán)包括(a7)基材；(b7)可記錄金屬層；和(c7)保護(hù)層，其中基材包括本發(fā)明第一方面的組合物。
特別地，本發(fā)明的氫化嵌段共聚物可用于可再寫(xiě)/可擦光盤(pán)中，該光盤(pán)包括(a8)第一基材層；(b8)第一無(wú)機(jī)層；(c8)金屬合金層；(d8)第二無(wú)機(jī)層；(e8)金屬層；(f8)漆層；和
(g8)非必要地，非必要的第二金屬層、非必要的第三和/或第四無(wú)機(jī)層和非必要的第二金屬合金層中的一層或多層，及非必要的第二基材層，其中第一基材層和非必要的第二基材層中至少一層包括本發(fā)明的氫化嵌段共聚物。
在另一具體實(shí)施方案中，還可由本發(fā)明的氫化嵌段共聚物生產(chǎn)可再寫(xiě)/可擦CD格式。在一個(gè)實(shí)施方案中，可再寫(xiě)/可擦CD包括(a8′)基材層；(b8′)阻擋層；(c8′)磁光或相變層；(d8′)阻擋層；(e8′)反射或半反射金屬層；(f8′)漆層。
基材包括本發(fā)明的組合物。阻擋層通常為用于磁光的氮化錫或用于相變盤(pán)的ZnS-SiO2。磁光層為例如TbFeCo，相變層為例如TeGeSb合金。反射或半反射層為如上所述的，優(yōu)選鋁合金。漆通常為如上所述的可光固化丙烯酸類。
可再寫(xiě)且可擦的DVD格式包括DVD-RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、DVD-RW(可再寫(xiě))和DVD-R/W(可再寫(xiě))格式，它們都基于相變技術(shù)。相變技術(shù)采用低反射無(wú)定形或高反射晶體態(tài)的反射差?；钚韵嘧儗颖粌蓚€(gè)介電膜(ZnS-SiO2)圍繞并被合金反射物和保護(hù)涂層覆蓋。相變層的反射差通過(guò)用激光束加熱該層實(shí)現(xiàn)，由此變?yōu)閿?shù)據(jù)存儲(chǔ)表面。
此外，本發(fā)明的氫化嵌段共聚物可用于生產(chǎn)小盤(pán)。該小盤(pán)為2.5英寸的可記錄、可擦光盤(pán)格式，它儲(chǔ)存74分鐘的立體數(shù)字聲音。小盤(pán)和其制備方法是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員公知的。
在另一實(shí)施方案中，本發(fā)明的氫化嵌段共聚物用于生產(chǎn)數(shù)字商業(yè)卡，該卡包括(a9)基材層，
(b9)覆蓋至少部分第一基材層的第一金屬層，和(c9)漆層，其中，基材層包括本發(fā)明的氫化嵌段共聚物。金屬層和漆層可為如上所述的在本發(fā)明說(shuō)明書(shū)中教導(dǎo)的物質(zhì)。這些卡通常為具有厚度約1.2mm的標(biāo)準(zhǔn)商業(yè)卡的尺寸，并包含40至50兆字節(jié)信息。
在另一實(shí)施方案中，本發(fā)明的氫化嵌段共聚物用于生產(chǎn)薄薄膜盤(pán)，如US4,356,066和4,880,514(這里作為參考引入)以及EP-892,393中公開(kāi)的。US4,356,066公開(kāi)了包括在含鋁基材上的合成樹(shù)脂層和覆蓋磁層的多層磁性薄薄膜盤(pán)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，生產(chǎn)一種薄薄膜盤(pán)，該盤(pán)包括(a10)基材層，(b10)合成樹(shù)脂層(c10)可用作金屬磁性層的至少一薄金屬層，和(d10)非必要的金屬磁性層，如不包括在c9)中。
其中，基材或合成樹(shù)脂層包括本發(fā)明的氫化嵌段共聚物。
本發(fā)明另一實(shí)施方案涉及薄薄膜磁性記錄單元，如US4,880,514中公開(kāi)的。本發(fā)明的薄薄膜磁性記錄單元包括(a11)基材層，(b11)金屬層，如鉻；(c11)金屬合金記錄層，其中，基材層包括本發(fā)明第一方面的氫化嵌段共聚物。
在另一實(shí)施方案中，本發(fā)明的氫化嵌段共聚物用于生產(chǎn)例如US6,025,054和US5,955,021中公開(kāi)的智能卡。這些智能卡為其尺寸為含IC(集成電路)芯片的常規(guī)信用卡尺寸的小卡，并用作銀行卡、ID卡和電話卡。它們基于在智能卡的電子部件與卡讀機(jī)或其它接受裝置之間使用電磁耦合(通過(guò)物理接觸或電磁波)。這些卡通常通過(guò)以交錯(cuò)重疊方式組裝數(shù)層塑料片的方式制備。通常，智能卡包括(a12)第一基材層；
(b12)第二基材層；和(c12)包括熱固性聚合物材料的具有其中埋入的電子部件的中心或芯層，所述電子部件夾持于第一與第二基材層之間；其中所有三層通過(guò)用于形成芯層的熱固性聚合物材料與其外面的形成第一和第二基材層的材料之間的粘結(jié)作用而成為一個(gè)整體，且其中基材層包括本發(fā)明第一方面的氫化嵌段共聚物。此外，該智能卡可包括(a13)具有壓痕的基材層，(b13)保留在壓痕內(nèi)的包括信息的微芯片，其中基材層包括本發(fā)明的嵌段共聚物。
制備光盤(pán)的方法是本領(lǐng)域公知的并描述于The Compact DiscHandbook(第二版，Pohlmann編著)，以及US 4,911,966、US5,635,114、US5,468,324和US5,663,016中。
本發(fā)明的高數(shù)據(jù)密度光盤(pán)具有遲延25nm/0.6mm基材(雙折射低于0.000042)，和吸水率低于0.05％(根據(jù)ASTM D 570)。雙折射延長(zhǎng)通過(guò)將模塑DVD盤(pán)基材放置于交叉偏振器與四分之一板(反向取向)之間測(cè)量。延遲用來(lái)自633nm激光自盤(pán)注入門(mén)20mm測(cè)量。測(cè)量透射強(qiáng)度并用如下公式計(jì)算延遲I＝IO sin2((π/λ))其中延遲＝Δnd測(cè)量的強(qiáng)度＝I入射強(qiáng)度＝IO波長(zhǎng)＝λ雙折射由測(cè)量的延遲通過(guò)將該延遲除以基材厚度測(cè)量。對(duì)于0.6mm厚的盤(pán)延遲優(yōu)選低于20nm，更優(yōu)選低于15nm，最優(yōu)選低于10nm。吸水率優(yōu)選低于0.04％，更優(yōu)選低于0.02％，最優(yōu)選低于0.01％。
提供如下實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明。這些實(shí)施例不用于限制本發(fā)明范圍，且它們不應(yīng)被如此解釋。量按重量份或重量百分比計(jì)算，除非另有說(shuō)明。
所有實(shí)施例和比較例中的聚苯乙烯嵌段的氫化程度通過(guò)紫外吸收測(cè)量大于99％。
用具有最大合模力600KN、最大注射行程能力100mm和注射螺桿直徑32mm的注射/壓塑機(jī)，由該氫化嵌段共聚物注射壓塑DVD基材?；哪＞邽镈VD單腔基材模具。DVD基材具有直徑120mm和厚度0.6mm。加工溫度為熔體溫度290至330℃、模溫40至80℃。注射速度為25mm/s至200mm/s，隨模具填充而升高。填滿時(shí)，通過(guò)施加初始保持壓力約300巴，然后在0.8sec內(nèi)降至0巴，將該部件用聚合物進(jìn)一步填充。該聚合物的注射量為約13.5mm，以達(dá)到具有實(shí)際部件厚度0.6mm的全充滿部件。當(dāng)約85％的聚合物注射量已注射入模腔中時(shí)通過(guò)對(duì)注射模具施加55-65％的合模力，完成壓縮階段。壓縮之前，模腔厚度通常為1.0至1.2mm。包括取出部件的工藝的總循環(huán)時(shí)間為5至10秒。
按如上所述測(cè)量延遲。通過(guò)將測(cè)量的延遲除以基材厚度計(jì)算雙折射。結(jié)果在表I中給出表I
PS＝聚苯乙烯PBd＝聚丁二烯％1，2＝聚丁二烯的1，2含量百分比DP＝聚合度或單體單元penta＝苯乙烯與丁二烯的氫化五嵌段共聚物tri＝苯乙烯與丁二烯的氫化三嵌段在具有聚丁二烯長(zhǎng)度低于120個(gè)單體單元的實(shí)施例中延遲明顯降低，因此雙折射也明顯降低。CD實(shí)施例用具有最大合模力600KN、最大注射行程能力100mm和注射螺桿直徑32mm的注射/壓塑機(jī)，由樣品1的氫化嵌段共聚物注塑CD基材?；哪＞邽镃D單腔基材模具。將數(shù)據(jù)攜帶標(biāo)記(stamper)插入模具中，該數(shù)據(jù)攜帶標(biāo)記包含約0.6Gb數(shù)據(jù)和約1.6微米磁道間距。加工溫度為熔體溫度290至330℃、模溫30至80℃。注射速度為25mm/s至125mm/s，隨模具填充而升高。填滿時(shí)，通過(guò)施加初始保持壓力約600巴，然后在0.3sec內(nèi)降至0巴，將該部件用聚合物進(jìn)一步填充。該聚合物的注射量為約30mm，以達(dá)到具有實(shí)際部件厚度1.2mm的全充滿部件。包括取出部件的工藝的總循環(huán)時(shí)間為3至10秒。CD基材具有直徑120mm和厚度1.2mm。
將該CD基材進(jìn)行惰性氣體等離體濺射，由此沉積反射鋁層，接著涂布UV可固化漆保護(hù)層。
類似地，用合適形狀的數(shù)據(jù)標(biāo)記在模具中生產(chǎn)數(shù)字商業(yè)卡。DVD實(shí)施例用具有最大合模力600KN、最大注射行程能力100mm和注射螺桿直徑32mm的注射/壓塑機(jī)，由樣品1的氫化嵌段共聚物注塑DVD基材?；哪＞邽镈VD單腔基材模具。用插入模具中的數(shù)據(jù)攜帶標(biāo)記制備DVD5和DVD9光盤(pán)，該數(shù)據(jù)攜帶標(biāo)記包含約4.7Gb數(shù)據(jù)和約0.74微米磁道間距。加工溫度為熔體溫度290至330℃、模溫40至80℃。注射速度為25mm/s至200mm/s，隨模具填充而升高。填滿時(shí)，通過(guò)施加初始保持壓力約300巴，然后在0.8sec內(nèi)降至0巴，將該部件用聚合物進(jìn)一步填充。該聚合物的注射量為約13.5mm，以達(dá)到具有實(shí)際部件厚度0.6mm的全充滿部件。當(dāng)約85％的聚合物注射量已注射入模腔中時(shí)通過(guò)對(duì)注射模具施加55-65％的合模力，完成壓縮階段。壓縮之前，模腔厚度通常為1.0至1.2mm。包括取出部件的工藝的總循環(huán)時(shí)間為5至10秒。DVD基材具有直徑120mm和厚度1.2mm。
模塑后，將DVD基材用鋁反射層濺射，將兩個(gè)獨(dú)立基材粘結(jié)在一起形成雙層DVD9盤(pán)。
類似地，為生產(chǎn)高密度預(yù)記錄DVD格式，將標(biāo)記插入具有磁道間距0.4至0.5的模具中，以達(dá)到數(shù)據(jù)密度10至20Gb。可記錄DVD和CD格式除如下不同外按與預(yù)記錄格式類似的方式制備CD和DVD格式的可記錄版本。該標(biāo)記產(chǎn)生凹坑與凹槽組合的螺旋凹槽，而不是包含數(shù)據(jù)的凹坑。然后將該基材用阻擋層涂布，接著用磁光層或相變合金層涂布。在涂布反射層后涂布另一阻擋層，最后涂布保護(hù)漆層。
對(duì)于DVD可記錄格式，使用的兩層數(shù)據(jù)層具有用作一層數(shù)據(jù)層的金半反射層和用作另一數(shù)據(jù)層的鋁反射層。
權(quán)利要求
1.一種包括氫化嵌段共聚物的組合物，其中氫化嵌段共聚物包括至少兩個(gè)不同的氫化的聚合乙烯基芳烴單體嵌段，這里稱為氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段，和至少一個(gè)氫化的聚合共軛二烯烴單體嵌段，這里稱為氫化共軛二烯烴聚合物嵌段，其中該氫化嵌段共聚物的進(jìn)一步特征在于a)氫化共軛二烯烴聚合物嵌段與氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段的重量比為40∶60或更低；b)總數(shù)均分子量(Mnt)為30,000至150,000，其中各氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段(A)具有Mna6,000至60,000，各氫化共軛二烯烴聚合物嵌段(B)具有約120個(gè)單體單元或更低的聚合物長(zhǎng)度；和c)氫化程度應(yīng)使各氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段具有氫化程度大于90％和各氫化共軛二烯烴聚合物嵌段具有氫化程度大于95％。
2.權(quán)利要求1的組合物，其中乙烯基芳烴單體為苯乙烯。
3.權(quán)利要求1的組合物，其中氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段的Mna為8,000至40,000。
4.權(quán)利要求3的組合物，其中氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段的Mna為10,000至30,000。
5.權(quán)利要求4的組合物，其中氫化乙烯基芳烴聚合物嵌段的Mna為12,000至25,000。
6.權(quán)利要求1的組合物，其中氫化共軛二烯烴聚合物嵌段具有聚合物長(zhǎng)度約110個(gè)單體單元或更少。
7.權(quán)利要求6的組合物，其中氫化共軛二烯烴聚合物嵌段具有聚合物長(zhǎng)度約100個(gè)單體單元或更少。
8.權(quán)利要求7的組合物，其中氫化共軛二烯烴聚合物嵌段具有聚合物長(zhǎng)度約90個(gè)單體單元或更少。
9.一種光盤(pán)，由權(quán)利要求1的組合物生產(chǎn)。
10.權(quán)利要求9的光盤(pán)，其為可記錄或可預(yù)記錄光盤(pán)。
11.權(quán)利要求10的可記錄或可預(yù)記錄光盤(pán)，它包括a′)第一基材層；(b′)非必要的第一光敏染料層；(c′)至少一組如下兩個(gè)次層(i′)包括選自金、銀、鋁或其合金的金屬的第一次層；(ii′)包括漆的第二次層；(d′)非必要第二次層；(e′)非必要的第二光敏染料層；(f′)非必要的第二基材層；其中第一基材層或非必要的第二基材層中至少一層包括權(quán)利要求1的組合物。
12.權(quán)利要求11的光盤(pán)，其為預(yù)記錄壓縮盤(pán)，它包括(a1)基材層；(b1)金屬層，其中金屬選自鋁、銀、金或其合金；和(c1)漆層；其中基材包括權(quán)利要求1的組合物。
13.權(quán)利要求11的光盤(pán)，其為CD-R，它包括(a2)基材；(b2)光敏染料層；(c2)反射或半反射金屬層；和(d2)漆層；其中基材包括權(quán)利要求1的組合物。
14.權(quán)利要求9的光盤(pán)，其為數(shù)字通用盤(pán)(DVD)。
15.權(quán)利要求14的DVD，其為DVD-5盤(pán)，它包括(a3)第一基材層；(b3)金屬層，選自金、鋁、銀和其合金；(c3)漆層；和(d3)第二基材層，其中第一基材層或第二基材層中至少一層包括權(quán)利要求1的組合物。
16.權(quán)利要求14的DVD，其為DVD-9盤(pán)，它包括(a4)第一基材層；(b4)無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物層，選自碳化硅和氮化硅，或金層；(c4)漆層；(d4)金屬層；和(e4)第二基材層，其中第一基材層或第二基材層中至少一層包括權(quán)利要求1的組合物。
17.權(quán)利要求14的DVD，其為DVD-14盤(pán)，它包括(a5)第一基材層；(b5)無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物層，選自碳化硅和氮化硅，或金層；(c5)漆層；(d5)至少一組如下兩個(gè)次層(i5)包括金屬、無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物的第一次層；(ii5)包括保護(hù)漆或粘結(jié)組合物的第二次層；(e5)金屬層；和(f5)第二基材層，其中第一基材層和第二基材層中至少一層包括權(quán)利要求1的組合物。
18.權(quán)利要求14的DVD，其為DVD-18盤(pán)，它包括(a6)第一基材層；(b6)第一無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物層，選自碳化硅和氮化硅，或金層；(c6)漆層；(d5)至少一組如下兩個(gè)次層(i6)包括金屬、無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物的第一次層；(ii6)包括保護(hù)漆或粘結(jié)組合物的第二次層；(e6)第二無(wú)機(jī)碳化物或無(wú)機(jī)氮化物層，選自碳化硅和氮化硅，或金層；和(f6)第二基材層，其中第一基材層或第二基材層中至少一層包括權(quán)利要求1的組合物。
19.權(quán)利要求10的光盤(pán)，其為CD-ROM、CD-I、CD-V、CD-R、CD+G/M、CD-3、照片CD或CDTV。
20.權(quán)利要求9的光盤(pán)，其為可再寫(xiě)/可擦除盤(pán)，它包括(a7)基材；(b7)可記錄金屬層；和(c7)保護(hù)層，其中基材包括權(quán)利要求1的組合物。
21.一種可再寫(xiě)/可擦光盤(pán)，它包括(a8)第一基材層；(b8)第一無(wú)機(jī)層；(c8)金屬合金層；(d8)第二無(wú)機(jī)層；(e8)金屬層；(f8)漆層；和(g8)非必要地，非必要的第二金屬層、非必要的第三和/或第四無(wú)機(jī)層和非必要的第二金屬合金層中的一層或多層，及非必要的第二基材層，其中第一基材層和非必要的第二基材層中至少一層包括權(quán)利要求1的組合物。
22.一種可再寫(xiě)/可擦CD，它包括(a8′)基材層；(b8′)阻擋層；(c8′)磁光或相變層；(d8′)阻擋層；(e8′)反射或半反射金屬層；(f8′)漆層；其中基材層包括權(quán)利要求1的組合物。
23.權(quán)利要求9的光盤(pán)，其中該盤(pán)為小盤(pán)。
24.權(quán)利要求9的光盤(pán)，其中該盤(pán)為薄薄膜盤(pán)，它包括(a10)基材層，(b10)合成樹(shù)脂層(c10)也可用作金屬磁性層的至少一薄金屬層，和(d10)非必要的金屬磁性層，如不包括在c9)中。其中，基材或合成樹(shù)脂層包括權(quán)利要求1的組合物。
25.權(quán)利要求9的光盤(pán)，其中該盤(pán)為薄薄膜盤(pán)，它包括(a11)基材層，(b11)金屬層；和(c11)金屬合金記錄層，其中，基材層包括權(quán)利要求1的組合物。
26.一種數(shù)字商業(yè)卡，它包括(a9)基材層，(b9)覆蓋至少一部分第一基材層的第一金屬層，和(c9)漆層，
27.一種智能卡，它包括(a12)第一基材層；(b12)第二基材層；和(c12)包括熱固性聚合物材料的具有其中埋入的電子部件的中心或芯層，所述電子部件夾持于第一與第二基材層之間；其中基材層包括權(quán)利要求1的組合物；或(a13)具有壓痕的包括權(quán)利要求1的組合物的基材層，和(b13)保留在壓痕內(nèi)的包括信息的微芯片。
全文摘要
本發(fā)明涉及由乙烯基芳烴和共軛二烯烴單體生產(chǎn)的氫化嵌段共聚物,該共聚物生產(chǎn)具有特別低雙折射的光盤(pán)。
文檔編號(hào)C09D153/02GK1355815SQ00808810
公開(kāi)日2002年6月26日 申請(qǐng)日期2000年5月11日 優(yōu)先權(quán)日1999年6月11日
發(fā)明者J·L·翰菲爾德, G·D·帕爾森斯, S·F·哈恩, M·A·瓊斯 申請(qǐng)人:陶氏化學(xué)公司