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      拋光存儲器硬盤用基片的拋光組合物及拋光方法

      文檔序號:3803828閱讀:510來源:國知局
      專利名稱:拋光存儲器硬盤用基片的拋光組合物及拋光方法
      背景技術(shù)
      本發(fā)明涉及一種拋光組合物,該組合物用來對存儲器硬盤(即用于例如計算機的一種存儲器部件)用的磁盤基片表面進行拋光,本發(fā)明還涉及使用該組合物的拋光方法。
      具體而言,本發(fā)明涉及一種拋光組合物及使用該組合物的拋光方法。與使用常規(guī)拋光組合物拋光的基片相比,它在拋光例如由Ni-P磁盤、Ni-Fe磁盤、鋁磁盤、碳化硼磁盤和碳磁盤代表的存儲硬盤用的基片時,在周邊部分(以后稱作邊緣部分)不會增加邊緣的垂直缺損度,并且可以制造具有高容量和高記錄密度的磁盤裝置。
      背景技術(shù)
      人們一直在作不斷地努力,使存儲器硬盤(它是一種用于例如計算機的存儲介質(zhì))尺寸更小、容量更大且價格更低。目前得到非常廣泛應(yīng)用的基片是在一種坯料上形成的無電Ni-P敷鍍膜作為基片。所用坯料的制法是對作為基片基底的鋁質(zhì)或其材料的基板進行整形,具體是用金剛石車削,用SiC磨料粘合制得的PVA磨石打磨或者用其它方法,為的是得到平行度或平整度。然而,通過上述種種整形方法不可能完全除去坯料上較大的波度。這樣,無電Ni-P敷鍍的膜會按坯料上的這個波度而形成。因此,這一波度就會留在基片上。為此,需進行表面拋光,消除基片上的波度,使其表面光滑平整。
      隨著存儲器硬盤容量的增加,表面記錄密度也以每年數(shù)十百分點的速率增加。因此,在存儲器硬盤上由一預(yù)定量記錄信息所占據(jù)的空間就比以前要小,進行記錄所需的磁力也趨于變?nèi)酢K?,最近的磁盤設(shè)備需要使磁頭的浮動高度(即磁頭和存儲器硬盤之間的距離)盡量小。
      此外,在拋光之后有時會對基片進行所謂的紋理化加工,形成同心的圓劃線,其目的是防止用于讀寫信息的磁頭粘著在存儲器硬盤上,并且防止基片表面進行拋光時形成的在不同于存儲器硬盤旋轉(zhuǎn)方向的某些方向上的劃線致使存儲器硬盤的磁場變得不均勻。
      近年來,為了進一步縮短磁頭的浮動高度,人們對基片進行輕微紋理化加工來進一步減少其上面形成的劃線,或者使用未經(jīng)紋理化加工的沒有劃線的基片。人們已經(jīng)開發(fā)出使得磁頭浮動高度更低的技術(shù),所以磁頭浮動高度的縮短比以前進展得更快了。結(jié)果,磁頭浮動高度降低到不超過0.02μm。
      磁頭是在非常高速旋轉(zhuǎn)的存儲器硬盤表面這種形狀上運動的,如果在存儲器硬盤表面存在大約數(shù)微米大小的凹坑,就可能無法完整地寫下信息,由此導(dǎo)致所謂的“比特缺損”或信息讀出的失敗,發(fā)生錯誤。
      在此,“凹坑”是原來存在于基片上的凹處,或在基片表面進行拋光時形成的凹處,細(xì)小凹坑是直徑小于約50微米的凹坑。
      因此,在形成磁介質(zhì)之前的步驟即拋光步驟中使基片的表面粗糙度降至最小是很重要的,同時還必須高效地除去微凸起物、細(xì)小凹坑以及其它表面缺陷。
      為了上述目的,過去通常使用一種包含氧化鋁或其它各種磨料和水以及各種拋光促進劑的拋光組合物進行拋光。例如,JP-A-61-278587和JP-A-62-25187揭示的用于存儲器硬盤的拋光組合物,是在水和氫氧化鋁中加入如硝酸鋁、硝酸鎳或硫酸鎳作為拋光促進劑,隨后混合獲得的漿料制得。
      JP-A-2-84485也揭示了一種用于鋁磁盤的酸性拋光組合物,該組合物包含水和氧化鋁磨料粉末以及葡糖酸或乳酸作為拋光促進劑和膠體氧化鋁作為表面改進劑;JP-A-7-133477公開了一種含水拋光組合物,包含氧化鋁磨料、膠體氧化鋁和一種堿金屬亞硝酸鹽;JP-A-9-316430揭示了一種用于磁盤基片的拋光組合物,包含水、α-氧化鋁和拋光促進劑,該拋光促進劑是草酸鋁。
      然而,用上面所述的常規(guī)拋光組合物拋光基片的情況,拋光時基片的邊緣比基片的平面拋光掉較多,因此引起基片周圍部分的垂直缺損。邊緣部分出現(xiàn)垂直缺損的基片,不可能在其邊緣部分上存儲數(shù)據(jù),使數(shù)據(jù)存儲區(qū)減小。
      因此,制造高容量和高存儲密度的磁盤裝置時,邊緣部分的垂直缺損是成問題的,要求通過減少邊緣垂直缺損來增加存儲容量,以便有效地利用邊緣部分,進一步增加存儲面積。
      發(fā)現(xiàn)拋光時,拋光組合物以及拋光條件明顯影響邊緣垂直缺損度。因此,要求的拋光組合物能在拋光期間,不增加邊緣部分的邊緣垂直缺損度,制得高容量和高存儲密度的磁盤裝置。
      在此,為評價邊緣垂直缺損度,要定出形成邊緣垂直缺損的邊緣部分形狀以及深度(垂直缺損寬度),并使用兩個基本測定值。即在許多情況下是按照下面所述的兩個測定值,輾去(roll-off)值和刮去(dub-Off)值來評價邊緣垂直缺損度。然而,盡管對這兩種測定值,需測定的是同一物體,測定形狀的方法和作為該測定方法中基于該測定值容許限度的標(biāo)準(zhǔn)值,一般未作規(guī)定,而是取決于所使用裝置特性的差異,標(biāo)準(zhǔn)值在許多情況下依賴于各制造廠家的判斷。
      發(fā)明概述本發(fā)明的一個目的是解決上述問題,提供一種拋光組合物和使用該組合物的拋光方法,用這種拋光組合物,可以獲得高容量和高存儲密度的磁盤裝置,與使用常規(guī)拋光組合物相比,在拋光用于存儲器硬盤的基片中邊緣垂直缺損度沒有增加。
      本發(fā)明提供一種拋光組合物,包括下列組分(a)水,(b)至少一種選自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物,(c)至少一種選自下列的化合物硝酸、亞硝酸、硫酸、鹽酸、鉬酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸、檸檬酸以及它們的鹽,(d)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和碳化硅的磨料。
      本發(fā)明還提供一種拋組合物,其中的組分(c)是至少一種選自硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鐵(III)、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、硫酸鋁、硫酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(III)、硫酸銨、氯化鋁、氯化鐵(III)、氯化銨、鉬酸鈉、鉬酸銨、氨基磺酸鎳和氨基磺酸銨的化合物。
      本發(fā)明進一步提供一種拋光組合物,其中組分(c)是至少一種選自甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸和檸檬酸的化合物。
      本發(fā)明還提供使用包含下列組分的一種拋光組合物進行拋光的方法(a)水,(b)至少一種選自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物,(c)至少一種選自下列的化合物硝酸、亞硝酸、硫酸、鹽酸、鉬酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸、檸檬酸以及它們的鹽,(d)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、二氧化鈰、氧化鋯、二氧化鈦、氮化硅和碳化硅的磨料。
      本發(fā)明還提供使用一種拋光組合物進行拋光的方法,該拋光組合物中,組分(c)是至少一種選自硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鐵(III)、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、硫酸鋁、硫酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(III)、硫酸銨、氯化鋁、氯化鐵(III)、氯化銨、鉬酸鈉、鉬酸銨、氨基磺酸鎳和氨基磺酸銨的化合物。
      本發(fā)明還提供使用一種拋光組合物進行拋光的方法,該拋光組合物中,組分(c)是至少一種選自甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸和檸檬酸的化合物。
      附圖簡述

      圖1是表明為評價在基片邊緣部分的邊緣垂直缺損度的測定位置圖。
      較好實施方案的詳細(xì)描述本發(fā)明拋光組合物的特點是含有至少一種選自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物作為化合物(b)。該聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚具有下面的結(jié)構(gòu)式,是由環(huán)氧丙烷和環(huán)氧乙烷與一種直鏈或支鏈的高級醇的加成聚合反應(yīng)制得。
      聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚 其中,R是烷基,m和n是整數(shù),分別表示加成的丙二醇和乙二醇的摩爾數(shù)。
      聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物分類為下述的嵌段型和無規(guī)型。
      聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物具有下面結(jié)構(gòu)式表示的結(jié)構(gòu),可以通過環(huán)氧乙烷作為親水性基團加成聚合到聚丙二醇兩端而獲得,該聚丙二醇是環(huán)氧丙烷作為親液(lopophilic)基團聚合獲得的,或者通過將聚丙二醇加成聚合到聚乙二醇兩端而獲得,該聚乙二醇是聚合環(huán)氧乙烷獲得的。而聚氧乙烯聚氧丙烯無規(guī)共聚物則通過環(huán)氧乙烷和環(huán)氧丙烷的無規(guī)加成聚合獲得。還可以使用多種類型的聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物或聚氧乙烯聚氧丙烯無規(guī)共聚物,或者使用任意比例的這兩種共聚物,只要在不影響本發(fā)明效果的范圍之內(nèi)。
      聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物 或 其中l(wèi)、m和n都是任意整數(shù)。
      本發(fā)明中,聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚分子量和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的分子量沒有什么限制,但較好為1,500-100,000,更好為1,500-20,000。而且,由于僅通過分子中的親水性基團或疏水性基團不能獲得效果,加成到聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物上的親水性(環(huán)氧乙烷)或疏水性基團的摩爾數(shù)平衡很重要,親水性基團在其分子中的加成量宜為10-80%。聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚可以有不影響本發(fā)明效果的任何一種烷基。
      本發(fā)明中,以拋光組合物總重量為基準(zhǔn),聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的含量宜為0.001-2%(重量),更好的為0.005-1%(重量)。通過這兩種化合物的加入,會減小邊緣的輾去值和刮去值,但若加入量太少,不會期望有充分的作用,而若其加入量過多,有減小材料拋光除去速率之慮。
      還要求聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物能溶解在該組合物中。還可以使用多種聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物,或同時使用這兩類物質(zhì),其比例在不影響本發(fā)明效果的范圍之內(nèi)。
      本發(fā)明拋光組合物含有至少一種選自下列的化合物作為化合物(c)硝酸、亞硝酸、硫酸、鹽酸、鉬酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸、檸檬酸以及它們的鹽和衍生物(以后統(tǒng)稱為“酸化合物”)。
      具體而言,酸化合物的鹽選自硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鐵(III)、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、硫酸鋁、硫酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(III)、硫酸銨、氯化鋁、氯化鐵(III)、氯化銨、鉬酸鈉、鉬酸銨、氨基磺酸鎳和氨基磺酸銨。
      而且,本發(fā)明中,較好的酸化合物是有機酸、具體是甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸和檸檬酸。優(yōu)選采用有機酸作為酸化合物的原因是,與無機酸相比,拋光過程中拋光墊的堵塞很小,所以有機酸適合用作酸化合物。
      這種酸化合物應(yīng)溶解在組合物中。許多這樣的酸化合物可以在不影響本發(fā)明效果的任意比例范圍內(nèi)一起使用。
      本發(fā)明拋光組合物中酸化合物的合適添加量隨使用的酸化合物種類而異,但以拋光組合物總重量為基準(zhǔn),較好是0.1-20%(重量),更好是0.1-20%(重量),最好是0.2-10%(重量)。增加酸化合物的加入量,材料拋光除去速率會較高,但是,如果加入量過大,拋光組合物的化學(xué)作用會很明顯,有些情況下會形成微凸起物或細(xì)小凹坑以及其它表面缺陷。另一方面,如果加入量太小,材料拋光除去速率太低,有些情況下不能達到充分防止形成微凸起物或細(xì)小凹坑以及其它表面缺陷的作用。而且,如果加入過大的量,沒有觀察到表面垂直缺損增加的趨勢。
      本發(fā)明拋光組合物中合適的磨料是至少一種選自下列的物質(zhì),氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和碳化硅。
      作為氧化鋁,有α-氧化鋁、δ-氧化鋁、θ-氧化鋁、κ-氧化鋁和另一種形態(tài)不同的氧化鋁。從生產(chǎn)方法分類,還有一種稱作熱解法氧化鋁。作為二氧化硅,目前膠體二氧化硅、熱解法二氧化硅和許多具有不同性質(zhì)或不同方法制造的二氧化硅。
      作為氧化鈰,在價數(shù)上有三價或四價,在所屬晶系上有六方晶系、立方晶系或面心立方晶系。作為氧化鋯,在晶系上,有單斜晶系、四方晶系和無定形的。在生產(chǎn)方法上,還有熱解法氧化鋯。
      作為氧化鈦,在晶系上,有一氧化鈦、三氧化二鈦、二氧化鈦和其它的氧化鈦。在生產(chǎn)方法上,有熱解法氧化鈦。作為氮化硅,有α-氮化硅、β-氮化硅、無定形氮化硅和其它不同形態(tài)的氮化硅。
      作為碳化硅,有α-碳化硅、β-碳化硅、無定形碳化硅和其它不同形態(tài)的碳化硅。
      在此,本發(fā)明的拋光組合物中,上述種種組分都可以根據(jù)情況需要任意組合。在它們組合的情況,組合方法和使用的組分比例沒有什么特別的限制。
      上述磨料是通過磨粒的機械作用來對表面拋光的。磨粒的粒度根據(jù)磨粒的類型、需處理的表面類型、拋光條件、以及對基片的要求來選擇,并無特別的限制,但二氧化硅的粒度,按照BET法測定的表面積獲得的平均粒度,較好為0.005-0.5μm,更好為0.01-0.3μm。
      氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和碳化硅的粒度,按照激光衍射粒度分析儀LS-230(由Coulter,U.S.A.制造)測定的平均粒度,較好為0.01-2μm,更好為0.05-1.5μm。氧化鈰粒度按照掃描電子顯微鏡觀察的平均粒度,較好為0.01-0.5μm,更好為0.05-0.45μm。
      如果某種磨料的平均粒度超出上面的范圍,拋光后表面的表面粗糙度會很明顯,或形成劃痕,因此需要在拋光期間小心操作。另一方面,如果小于上面的范圍,粗材料拋光除去速率會很低,作為拋光組合物就不實用。
      以拋光組合物總重量為基準(zhǔn),拋光組合物中磨料含量一般為0.1-50%(重量),較好的為1-25%(重量)。如果磨料含量太低,在有些情況下會形成微凸起物或細(xì)小凹坑以及其它表面缺陷,而且材料拋光除去速率太低。而如果磨料含量太高,不能保持均勻分散,組合物的粘度會很高,因此其處理出現(xiàn)困難。
      對用于本發(fā)明拋光組合物的水沒有什么特別限制,但較好是雜質(zhì)很少的水,使得上述各組分精確地發(fā)揮其作用。即水宜為蒸餾水,或是通過離子交換樹脂除去雜質(zhì)離子和過濾除去懸浮物的水。
      拋光組合物本發(fā)明拋光組合物的制備一般是將預(yù)定量的上述組分,即至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅、二氧化錳的磨料(組分(d))混合并分散在水(組分(a))中,再將聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物(組分(b))和酸化合物(組分(c))溶解于其中。
      將這些組分分散或溶解在水中的方法可以任意。例如,可以采用葉片式攪拌器進行攪拌或超聲分散?;旌系拇涡蛞部梢匀我猓梢允紫冗M行磨料的分散或者聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的溶解,也可以兩步同時進行。
      制備上述拋光組合物時,為了穩(wěn)定拋光組合物或保持其質(zhì)量,或者根據(jù)需拋光的物體類型、拋光條件或其它拋光條件方面的需求,可以加入各種已知的添加劑。
      這些添加劑例子如下(i)水溶性氧化鋁溶膠,(ii)有機多陰離子物質(zhì)如木質(zhì)素磺酸鹽和聚丙烯酸酯,(iii)水溶性高聚合物(乳化劑)如聚乙烯醇,(iv)鰲合劑如二甲基乙二腭、雙硫腙、氧雜環(huán)乙二烯、乙酰丙酮、EDTA和NTA,(v)過氧化氫,(vi)殺菌劑如碳酸氫鉀。
      但是,根據(jù)這些添加劑的加入量或組合情況,會增加邊緣垂直缺損度,因此需要小心避免它。
      本發(fā)明的拋光組合物可以較高濃度的儲存液形式制備、儲存或運輸,并在實際拋光處理前稀釋。上述各組分的濃度范圍是實際拋光處理使用時的濃度。不待說,若使用時采用稀釋的方法,拋光組合物就是儲存或運輸狀態(tài)時用的較高濃度分散液。從儲存運輸效率考慮,拋光組合物制成濃液形式為宜。
      本發(fā)明拋光組合物不會增加邊緣垂直缺損度,還不清楚其詳細(xì)的機理。然而,估計不會增加邊緣垂直缺損度的原因是因為拋光時的摩擦作用減小。已發(fā)現(xiàn),使用本發(fā)明的拋光組合物還可以提高拋光性能。
      下面,參考一些實施例和比較例進一步詳細(xì)描述本發(fā)明。但是,應(yīng)理解本發(fā)明不受這些具體實施方案的限制。
      實施例1-20和比較例1-7制備拋光組合物首先,使用一攪拌器,將作為磨料的氧化鋁(平均粒度為0.8μm)分散在水中,制得磨料濃度為20%(重量)(以拋光組合物總重量為基準(zhǔn))的分散液。然后,在其中加入含水有機酸或無機酸溶液和聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物,制得實施例1-20的各個樣品。還制備比較例1-7的各樣品,其中沒有加入聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物,或加入了乙二醇。
      表1
      PEPP聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物PEPR聚氧乙烯聚氧丙烯無規(guī)共聚物PEPA聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚PG丙二醇DPG二丙二醇拋光試驗然后,使用各拋光組合物,對一基片進行拋光試驗,條件如下。
      拋光條件被拋光物體3.5”無電Ni-P敷鍍制成的基片物體數(shù)量15片拋光機雙面拋光機(臺板直徑700mm)拋光墊Kanebo 0048(由Kanebo,Ltd.制造)拋光壓力100g/cm2上臺板旋轉(zhuǎn)速度24rpm下臺板旋轉(zhuǎn)速度16rpm組合物稀釋比1∶3純水拋光組合物的施加流量150cc/min拋光量3μm作為拋光加工余量(雙面)(進行預(yù)先試驗設(shè)定拋光時間,使拋光加工余量一致)評價邊緣垂直缺損度的方法在圖1的一些位置測量基片邊緣的邊緣垂直缺損形狀,測量采用的是microXAM儀器(PhasdSift制造)。圖1是表明基片邊緣部分的截面圖,水平方向(X軸)表示基片表面的一個直徑方向,垂直方向表示基片的厚度方向。對輾去值和刮去值的測量,其測量位置和測量方法一般不作規(guī)定,而由各制造廠家人為規(guī)定。在本發(fā)明中,發(fā)明人是定出圖1中所示的各測量點來求出邊緣垂直缺損。在此,這種方法是合適的,一般在評價基片的邊緣垂直缺損度時可以采用。
      基片拋光后,清洗并干燥之。測量拋光后每個基片的重量減小值,所獲的值除以相應(yīng)拋光時間(該拋光時間預(yù)先設(shè)定),獲得材料拋光除去速率。
      拋光組合物的邊緣垂直缺損度(輾去值,刮去值)的評價標(biāo)準(zhǔn)如下。即取未加入聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的組合物的值作為標(biāo)準(zhǔn)值H0,將測量的輾去值和刮去值HR和HD分別和標(biāo)準(zhǔn)值H0比較,用下面公式獲得提高的效率A(%)A(%)=[1-(HR,HD)/H0]×100A改進效果HR,HD測量值H0標(biāo)準(zhǔn)值(比較例1中的測量值)按照下面的評價標(biāo)準(zhǔn)來評價改進效果A,評價結(jié)果列于表2?!鹬辽?0%的提高效率10%至小于20%的提高效率×小于10%的提高效率表2
      由表2的結(jié)果發(fā)現(xiàn),實施例1-20制得的本發(fā)明拋光組合物,與常規(guī)拋光組合物(不含聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物(比較例1-5),或加入了乙二醇(比較例6和7))的相比,在輾去和刮去方面的改善效果較大,即是說本發(fā)明拋光組合物能有效防止基片的邊緣垂直缺損。
      在拋光用于存儲器硬盤的基片時,本發(fā)明拋光組合物和常規(guī)拋光組合物相比,邊緣垂直缺損度沒有增加。另外,按照本發(fā)明拋光存儲器硬盤的方法,和使用常規(guī)拋光組合物的情況相比,可以制造高容量和高儲存密度的存儲器硬盤,邊緣垂直缺損度沒有增加。
      使用包含下列組分的拋光組合物,和常規(guī)拋光組合物相比,可以使拋光基片的邊緣垂直缺損度較小,所述拋光組合物包含(a)水,(b)至少一種選自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物,(c)至少一種選自硝酸、亞硝酸、硫酸、鹽酸、鉬酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸、檸檬酸以及它們的鹽的化合物,(d)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅、碳化硅的磨料。
      采用上述拋光組合物,其中組分(c)是至少一種選自硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鐵(III)、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、硫酸鋁、硫酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(III)、硫酸銨、氯化鋁、氯化鐵(III)、氯化銨、鉬酸鈉、鉬酸銨、氨基磺酸鎳和氨基磺酸銨的化合物,獲得拋光邊緣垂直缺損度極小的基片成為可能。
      采用上述拋光組合物,其中組分(c)是至少一種選自甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸、檸檬酸以及它們的鹽的化合物,獲得拋光邊緣垂直缺損度極小的基片成為可能。
      采用使用包含下列組分的拋光組合物的拋光方法,可以在存儲器硬盤邊緣輾去和刮去方面有改善效果,所述組合物包含(a)水,(b)至少一種選自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物,(c)至少一種選自硝酸、亞硝酸、硫酸、鹽酸、鉬酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸、檸檬酸以及它們的鹽的化合物,(d)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅、碳化硅的磨料。
      通過上述拋光方法,還可以在存儲器硬盤邊緣輾去和刮去方面有很大的改善效果,該方法中組分(c)是至少一種選自硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鐵(III)、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、硫酸鋁、硫酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(III)、硫酸銨、氯化鋁、氯化鐵(III)、氯化銨、鉬酸鈉、鉬酸銨、氨基磺酸鎳和氨基磺酸銨的化合物。
      按照上述拋光方法,還可以防止拋光基片過程中拋光墊的堵塞,使拋光便于進行,在基片邊緣輾去和刮去方面有很大的改善效果;該方法中組分(c)是至少一種選自甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸和檸檬酸的化合物。
      2000年11月29日提交的日本專利申請2000-362739的全部內(nèi)容參考結(jié)合于此。
      權(quán)利要求
      1.一種用于存儲器硬盤用基片的拋光組合物,包含下列組分(a)水,(b)至少一種選自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物,(c)至少一種選自下列的化合物硝酸、亞硝酸、硫酸、鹽酸、鉬酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸、檸檬酸以及它們的鹽,(d)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和碳化硅的磨料。
      2.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物,其特征在于組分(c)是至少一種選自硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鐵(III)、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、硫酸鋁、硫酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(III)、硫酸銨、氯化鋁、氯化鐵(III)、氯化銨、鉬酸鈉、鉬酸銨、氨基磺酸鎳和氨基磺酸銨的化合物。
      3.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物,其特征在于所述組分(c)是至少一種選自甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸和檸檬酸的化合物。
      4.一種拋光存儲器硬盤用基片的拋光方法,該方法使用包含下列組分的拋光組合物(a)水,(b)至少一種選自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物,(c)至少一種選自下列的化合物硝酸、亞硝酸、硫酸、鹽酸、鉬酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸、檸檬酸以及它們的鹽,(d)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和碳化硅的磨料。
      5.如權(quán)利要求4所述的拋光方法,其特征在于所述組分(c)是至少一種選自硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鐵(III)、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、硫酸鋁、硫酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(III)、硫酸銨、氯化鋁、氯化鐵(III)、氯化銨、鉬酸鈉、鉬酸銨、氨基磺酸鎳和氨基磺酸銨的化合物。
      6.如權(quán)利要求4所述的拋光方法,其特征在于所述組分(c)是至少一種選自甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸和檸檬酸的化合物。
      全文摘要
      一種用于存儲器硬盤用基片的拋光組合物,包含下列組分:(a)水,(b)至少一種選自聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物的化合物,(c)至少一種選自下列的化合物:硝酸、亞硝酸、硫酸、鹽酸、鉬酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、苯乙醇酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、二羥乙酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸、檸檬酸以及它們的鹽,(d)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和碳化硅的磨料。
      文檔編號C09K13/06GK1357586SQ0114293
      公開日2002年7月10日 申請日期2001年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月29日
      發(fā)明者杉山博保, 石橋智明, 高橋年幸 申請人:不二見株式會社
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