專(zhuān)利名稱(chēng)：通過(guò)等離子體沉積的、包括一個(gè)界面層的封隔涂層,以及得到這種涂層的方法和有這樣涂 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用低壓等離子體沉積薄層狀的封隔涂層，為了得到這種涂層，把一種反應(yīng)流體在低壓下注入到一個(gè)處理區(qū)中。這種流體達(dá)到使用壓力時(shí)一般為氣體。在這個(gè)處理區(qū)中建立一個(gè)電磁場(chǎng)，以便使該流體達(dá)到等離子狀態(tài)，即導(dǎo)致該流體至少部分離子化。這種按離子化機(jī)理產(chǎn)生的顆?？梢猿练e在位于處理區(qū)中的物體的壁上。
這種沉積技術(shù)用于各種應(yīng)用中。這些應(yīng)用之一涉及把功能涂層沉積在薄膜或容器上，特別是為了降低它們對(duì)氣體，如氧氣和二氧化碳的滲透性。
特別是，最近出現(xiàn)一種這樣的技術(shù)，可以用于對(duì)包裝易氧化和產(chǎn)品-如啤酒、果汁、碳酸產(chǎn)品如汽水-的塑料瓶覆蓋封隔材料。
文獻(xiàn)WO 99/49991描述了一種可以給一塑料瓶的內(nèi)表面或外表面覆蓋封隔涂層的裝置。
文獻(xiàn)US-A-4,830,873描述了一種為其耐磨性而使用的涂層。這種涂層是一種通式為SiOx氧化硅，其中x在1.5到2之間。為了改進(jìn)SiOx在塑料基件上的附著性，該文獻(xiàn)提出沉積一種通過(guò)以等離子狀態(tài)涂上一種沒(méi)有氧的有機(jī)硅氧烷而得到的SiOxCyHz化合物層，然后逐漸改變這個(gè)附著層的成分，逐步減少碳和氫的量，這同時(shí)逐漸把氧滲入達(dá)到等離子狀態(tài)下的混合物中。
試驗(yàn)表明，當(dāng)含有SiOx的涂層用于降低聚合物基件的滲透率時(shí)，這個(gè)附著層也是有用的。但是，盡管用SiOxCyHz附著層得到的結(jié)果比單層SiOx涂層的結(jié)果好，但是不如用其他氣體封隔涂層，如含氫無(wú)定形碳得到的結(jié)果好。實(shí)際上，需要指出的是，在文獻(xiàn)US-A-4,830,873中，涂層的功能是一種耐磨功能。因此，沒(méi)有考慮氣體穿過(guò)不同涂層擴(kuò)散的機(jī)理。
為了這個(gè)目的，本發(fā)明首先提出一種利用低壓等離子體在一個(gè)要處理的基件上沉積一個(gè)封隔涂層的方法，其中，等離子體通過(guò)在一個(gè)電磁場(chǎng)的作用下把一種低壓注入到一個(gè)處理區(qū)的反應(yīng)流體部分離子化得到，該方法的特征在于，其至少包括一個(gè)把一界面層沉積在基件上的步驟，所述界面層通過(guò)使一種至少包括一有機(jī)硅化合物和一含氮化合物的混合物達(dá)到等離子狀態(tài)得到，并包括一個(gè)在界面層上沉積一主要由一種SiOx形式的氧化硅組成的封隔層的步驟。
根據(jù)符合本發(fā)明的方法的其他特征—含氮化合物為氣態(tài)氮；—用于沉積成界面層的混合物另外包括一種用于作為氣體載體的稀有氣體，以便造成有機(jī)硅化合物的汽化；—用氮作為氣體載體，以便造成有機(jī)硅化合物的汽化；—界面層的厚度在2到10納米之間；—封隔層通過(guò)用低壓等離子體沉積一種存在富余氧的有機(jī)硅化合物得到。
—有機(jī)硅化合物為一種有機(jī)硅氧烷；—封隔層的厚度在8到20納米之間；—各步驟連續(xù)銜接，使得2個(gè)步驟過(guò)渡時(shí)反應(yīng)流體在處理區(qū)中保持等離子狀態(tài)；—該方法包括一個(gè)第三步驟，在這個(gè)步驟中，封隔層被一個(gè)含氫無(wú)定形碳的保護(hù)層覆蓋；—保護(hù)層的厚度小于10納米；—保護(hù)層通過(guò)用低壓等離子體沉積一種碳?xì)浠衔锏玫剑?
—基件由一種聚合物材料組成；—該方法用于把一個(gè)封隔涂層沉積在一個(gè)聚合物材料容器的內(nèi)表面上；本發(fā)明還涉及一種通過(guò)低壓等離子體沉積在一個(gè)基件上的封隔涂層，其特征在于，該涂層包括一個(gè)主要由一種SiOx形式的氧化硅組成的封隔層，涂層并且在基件與封隔層之間包括一個(gè)主要由硅、碳、氧、氮、氫組成的界面層。
根據(jù)符合本發(fā)明的涂層的其他特征—界面層通過(guò)使一種至少包括一有機(jī)硅化合物和一含氮化合物的混合物達(dá)到等離子狀態(tài)而得到；—含氮化合物為氣態(tài)氮；—界面層的厚度在2到10納米之間；—封隔層通過(guò)用低壓等離子體沉積一種存在富余氧的有機(jī)硅化合物得到。
—有機(jī)硅化合物為一種有機(jī)硅氧烷；—封隔層的厚度在8到20納米之間；—封隔層被一個(gè)含氫無(wú)定形碳的保護(hù)層覆蓋；—保護(hù)層的厚度小于10納米；—保護(hù)層通過(guò)用低壓等離子體沉積一種碳?xì)浠衔锏玫剑弧繉映练e在一個(gè)聚合物基件上。
本發(fā)明還涉及一種聚合物容器，其特征在于，它的至少一個(gè)表面覆蓋一個(gè)上面描述的封隔涂層。例如這個(gè)容器的內(nèi)表面覆蓋一個(gè)封隔涂層，并且容器可能是一個(gè)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯制成的瓶子。
唯一的附圖
表示一個(gè)可以使用本發(fā)明所述方法的處理站10的一個(gè)實(shí)施例的軸向剖面示意圖。這里將在處理塑料容器的范圍內(nèi)描述本發(fā)明。更確切地說(shuō)，將描述一種可以把一個(gè)封隔涂層沉積在一個(gè)塑料瓶的內(nèi)表面的方法和裝置。
處理站10包括一個(gè)由一種導(dǎo)電材料例如金屬制成的外殼14，外殼14由一個(gè)以A1為垂直軸的管形柱形壁18形成。外殼14的下端被一個(gè)底部下壁20封閉。
在外殼14以外，一個(gè)箱體22固定在外殼14上，箱體22帶有一些裝置(圖中未示)，以便在外殼14內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)能夠形成等離子體的電磁場(chǎng)。在這種情況下，可以是一些能夠產(chǎn)生UHF范圍，即微波范圍內(nèi)的電磁射線的裝置。在這種情況下，箱體22可以裝有一個(gè)磁控管，磁控管的天線24通到一個(gè)波導(dǎo)26中。例如這個(gè)波導(dǎo)26是一個(gè)截面為矩形的隧道，該隧道沿一個(gè)相對(duì)于軸A1的半徑延伸并穿過(guò)側(cè)壁18直接通到外殼14內(nèi)。但是，本發(fā)明也可以在一個(gè)設(shè)有一射頻型射線源的裝置的范圍內(nèi)使用，并且/或者所述射線源也可以有不同的安排，例如安排在外殼14的下軸向端。
在外殼14內(nèi)有一個(gè)用一種透明材料制成的以A1為軸的管子28，用于通過(guò)波導(dǎo)26使電磁波進(jìn)入到外殼14中。例如管子28可以用石英制成。管子28用于接受一個(gè)要處理的容器30。因此它的內(nèi)徑應(yīng)與容器的直徑相適應(yīng)。另外，應(yīng)該形成一個(gè)空腔32，容器一旦處于外殼內(nèi)，空腔內(nèi)將產(chǎn)生一個(gè)負(fù)壓。
正如圖中可以看到的，外殼14的上端被一個(gè)上壁36部分封閉，上壁36設(shè)有一個(gè)直徑與管子28的直徑基本相等的中心開(kāi)口，使管子28向上完全開(kāi)放，以便可以把容器30放到空腔32中。相反，金屬下壁20形成空腔32的底部，管子28的下端以密封的方式與金屬下壁20連接。
為了關(guān)閉外殼14和空腔32，處理站10包括一個(gè)可以在一個(gè)高位(未示)和一個(gè)圖中所示關(guān)閉低位之間軸向活動(dòng)的蓋子34。在高位，蓋子充分地偏離，使容器30可以放到空腔32中。
在關(guān)閉位置，蓋子34以密封方式貼靠外殼14的上壁36的上表面。
特別有利的是，蓋子34不是只有保證空腔32密封關(guān)閉一個(gè)功能。實(shí)際上，它還帶有一些補(bǔ)充的機(jī)構(gòu)。
首先，蓋子34帶有容器支撐裝置。在所示的例子中，要處理的容器為一些熱塑材料的瓶子，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)。這些瓶子包括一個(gè)在它們的頸部的基礎(chǔ)上徑向凸出的凸緣，使得可以借助于一個(gè)帶爪鐘形體54抓住瓶子，鐘形體54正好貼合或卡合在頸部周?chē)?，并最好在凸緣以下。瓶?0一旦被帶爪鐘形體54支承，就向上貼靠在帶爪鐘形體54的一個(gè)支承表面上。這種支承最好是密封的，使得當(dāng)蓋子處于關(guān)閉位置時(shí)，空腔32的內(nèi)部空間被容器壁分為兩個(gè)部分容器內(nèi)部和容器外部。
這個(gè)裝置可僅處理容器壁的兩個(gè)表面之一(內(nèi)表面或外表面)。在所示的例子中要求僅處理容器的內(nèi)表面。
因此，這種內(nèi)處理要求能夠同時(shí)控制容器內(nèi)氣體的壓力和組分。為此，容器內(nèi)部應(yīng)該能夠與一個(gè)減壓源和一個(gè)提供反應(yīng)流體的裝置12連通。因此，反應(yīng)流體供應(yīng)裝置包括一個(gè)反應(yīng)流體源16，反應(yīng)流體源通過(guò)一個(gè)管子38與一個(gè)沿軸A1的注入器62連接，注入器62可以在一個(gè)可回縮的高位(未示出)和一個(gè)低位之間移動(dòng)，在低位，注入器62穿過(guò)開(kāi)口34深入到容器30內(nèi)。一個(gè)控制閥40位于管子38內(nèi)，在流體源16與注入器62之間。注入器62可以是一個(gè)帶有孔隙壁的管子，孔隙壁可以?xún)?yōu)化注射的反應(yīng)流體在處理區(qū)的分布。
為了使注入器62注入的氣體能夠離子化，并且在外殼中產(chǎn)生的電磁場(chǎng)的作用下形成等離子體，需要使容器中的壓力小于大氣壓，例如約為10-4bar。為了使容器內(nèi)部與一個(gè)減壓源(例如一個(gè)泵)連通，蓋子34包括一個(gè)內(nèi)通道64，它的一個(gè)主要末端通到蓋子的下表面，更確切地說(shuō)，是通到瓶子30的頸部貼靠的支承表面的中心。
可注意到，在提出的實(shí)施例中，支承表面不是直接在蓋子的下表面上形成，而是在帶爪鐘形體54的一個(gè)環(huán)形下表面上形成，鐘形體固定在蓋子34下。因此，當(dāng)容器頸部上端貼靠支承表面時(shí)，容器頸部上端形成的容器30的開(kāi)口完全包圍噴嘴，主要末端通過(guò)這個(gè)噴嘴通到蓋子34的下表面中。
在所示的例子中，蓋子34的內(nèi)通道64包括一個(gè)結(jié)合端66，并且機(jī)器的真空線路包括一個(gè)固定端68，使得當(dāng)蓋子處于關(guān)閉位置時(shí)，這兩個(gè)端部66、68互相相對(duì)。
所示機(jī)器的設(shè)置是為了處理由比較容易變形的材料制成的容器的內(nèi)表面。這種容器不能承受瓶子的內(nèi)外壁之間約為1bar壓差。因此，為了在瓶子內(nèi)得到一個(gè)大約為10-4bar的壓力而又不使瓶子變形，空腔32在瓶子外的部分必須至少部分減壓。因此，蓋子34的內(nèi)通道64除了主要末端外還包括一個(gè)輔助末端(未示出)，這個(gè)末端也穿過(guò)蓋子的內(nèi)表面，但是徑向通到容器頸部貼靠的環(huán)形支承表面外。
因此，同樣的泵吸裝置同時(shí)在容器內(nèi)外產(chǎn)生真空。
為了限制泵吸的體積并避免在瓶子外出現(xiàn)無(wú)用的等離子體，對(duì)約為10-4bar的內(nèi)部壓力，外部的壓力最好不要降到0.05到0.1bar以下。人們還發(fā)現(xiàn)，即使瓶壁很薄，但仍可以承受這樣的壓差，而沒(méi)有明顯的變形。由于這個(gè)原因，蓋子設(shè)有一個(gè)能夠堵塞輔助末端的受控閥門(mén)。
剛才描述的裝置的運(yùn)行如下一旦將容器裝載到帶爪鐘形體54上，蓋子就向它的關(guān)閉位置下降。同時(shí)，注入器下降，穿過(guò)通道64的主要末端，但是沒(méi)有堵塞末端。
當(dāng)蓋子處于關(guān)閉位置時(shí)，空腔32中所含的空氣可以被抽出，空腔32通過(guò)蓋子34的內(nèi)通道64與真空線路連接。
在第一時(shí)刻控制閥門(mén)，使其打開(kāi)，使空腔32內(nèi)的壓力與容器內(nèi)外同時(shí)下降。當(dāng)容器外的真空達(dá)到一個(gè)足夠的水平時(shí)，系統(tǒng)控制閥門(mén)的關(guān)閉。因此可以專(zhuān)門(mén)繼續(xù)容器30內(nèi)的泵吸。
一旦達(dá)到處理壓力，可以根據(jù)本發(fā)明的方法開(kāi)始進(jìn)行處理。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選變型中，沉積方法包括一個(gè)直接在基件上沉積的第一步驟，在這種情況下是在瓶子的內(nèi)表面上沉積一個(gè)主要由硅、碳、氧、氮和氫組成的界面層。界面層當(dāng)然可以包括少量或痕量狀態(tài)的其他元素，因此這些其他化合物來(lái)自使用的反應(yīng)流體中含有的雜質(zhì)，或者就是由于泵吸結(jié)束時(shí)的殘余空氣中存在的雜質(zhì)。
為了得到這個(gè)界面層，需要在處理區(qū)中注入一種包括一種有機(jī)硅化合物的混合物，即主要包括碳、硅、氧、和氫的化合物以及一種含氮化合物的混合物。
例如，有機(jī)硅化合物可以是一種有機(jī)硅氧烷，含氮化合物可以是氮?？梢钥紤]使用一種含有至少一個(gè)氮原子的有機(jī)硅氮烷(organosilazane)作為有機(jī)硅化合物。
有機(jī)硅氧烷，如六甲基二硅氧烷(hexamethydisiloxane)(HMDSO)或四甲基二硅氧烷(tetramethyldsiloxane)(TMDSO)在常溫下一般為液體。因此，為了把它們注入到處理區(qū)中，可以使用一種氣體載體，這種氣體載體在氣泡發(fā)生器(bulleur)中與有機(jī)硅氧烷蒸汽結(jié)合，或者就在有機(jī)硅氧烷的飽和蒸汽壓力下工作。
如果使用一種氣體載體，這種氣體載體可以是一種稀有氣體，例如氦或氬。但是，可以簡(jiǎn)單地使用氣態(tài)氮(N2)作為氣體載體。
根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，在一個(gè)500ml塑料瓶?jī)?nèi)部容積的情況下，該界面層是通過(guò)向處理區(qū)以4sccm(標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘)的流量注入HMDSO并使用流量為40sccm的氣態(tài)氮作為氣體載體來(lái)得到。所使用的微波功率例如為400W，處理時(shí)間約為0.5秒。這樣，在一個(gè)上述類(lèi)型的裝置中得到一個(gè)厚度只有幾個(gè)納米的的界面層。
各種分析可以證明，這樣沉積的界面層當(dāng)然含有硅，但是還富含碳和氮。它還含有氧和氫。分析表明還存在許多N-H型的化學(xué)鍵。
作為示例，一個(gè)在上述條件下產(chǎn)生的界面層樣品含有約12％的硅原子、35％的碳原子、30％的氧原子和23％的氮原子，且沒(méi)有計(jì)算為了達(dá)到這種定量分析所使用的分析方法(ESCA)中看不見(jiàn)的氫原子。在組成界面層的所有原子中，氫原子例如可能占20％。
但是，這些數(shù)據(jù)只有一個(gè)相當(dāng)于沉積方法的具體參數(shù)的例值。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，另外在與上面描述的條件相同的條件下，氮的流量可以在10到60sccm之間變化，而不會(huì)明顯改變得到涂層的封隔特性。
試驗(yàn)表明，在沉積界面層的這個(gè)步驟中可以用空氣(在提出的例子中，始終在40sccm的流量下)代替氣態(tài)氮(N2)，眾所周知空氣由大約80％的氮組成。
可以在這個(gè)界面層上沉積一個(gè)SiOx材料的封隔層。有許多用低壓等離子體沉積這種材料的技術(shù)。例如，可以把80sccm的氣態(tài)氧(O2)加到一種上面描述的HMDSO/N2混合物中。這種加入可以同時(shí)進(jìn)行或逐步進(jìn)行。
等離子體中大大過(guò)剩的氧幾乎完全消除了HMDSO或作為氣體載體使用的氮攜帶的碳、氮和氫原子。因此得到一種SiOx材料，其中x表示氧的量與硅的量的比，x的值根據(jù)使用的操作條件在1.5到2.2之間。在上面給出的條件下，可以得到一個(gè)大于2的x值。當(dāng)然，和在第一步驟中一樣，由于制取方式而存在的雜質(zhì)可能少量加入到該層中，但不會(huì)明顯改變性質(zhì)。
例如第二處理步驟的持續(xù)時(shí)間可以在2到4秒之間變化。這樣得到的封隔層的厚度約為6到20納米。
沉積方法的兩個(gè)步驟可以在兩個(gè)完全分開(kāi)步驟的形式下進(jìn)行，或者相反，在兩個(gè)連貫步驟的形式下進(jìn)行，等離子體在兩個(gè)步驟之間不會(huì)消失。
這樣得到的封隔涂層的性能特別好。因此，一個(gè)其上涂有根據(jù)本發(fā)明所述沉積涂層的500ml的PET標(biāo)準(zhǔn)瓶子具有一滲透率，其相當(dāng)于每天有不到0.002立方厘米的氧進(jìn)入瓶子。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)變型，可以通過(guò)低壓等離子體沉積使一個(gè)含氫無(wú)定形碳保護(hù)層覆蓋封隔層。
從文獻(xiàn)WO99/49991了解到，也可以用含氫無(wú)定形碳作為封隔層。但是，為了得到良好的封隔值，需要沉積大約80到200納米的厚度，碳層從這個(gè)厚度起具有不可忽略的鍍積顏色。
在本發(fā)明的范圍內(nèi)，沉積碳層的厚度最好小于20納米。在這個(gè)厚度水平上，涂覆這種補(bǔ)充層，對(duì)氣體的封隔方面來(lái)說(shuō)，也不是決定性的，即使存在這種涂覆。
增加這個(gè)厚度也很小的含氫無(wú)定形碳層的主要好處是，可發(fā)現(xiàn)這樣受到保護(hù)的SiOx層能更好地抵抗塑料基件的各種變形。因此，一個(gè)裝有一種碳酸飲料如汽水或啤酒的塑料瓶承受幾個(gè)bars的內(nèi)壓，在瓶子最輕的情況下，這可能導(dǎo)致塑料的蠕變，表現(xiàn)為瓶子的體積略有增加?？砂l(fā)現(xiàn)，通過(guò)低壓等離子體沉積的致密材料，如SiOx的彈性比塑料基件小得多。因此，盡管對(duì)基件附著力非常強(qiáng)，基件的變形導(dǎo)致涂層中出現(xiàn)微裂縫，這會(huì)破壞封隔特性。
相反，使用含氫無(wú)定形碳作為保護(hù)層時(shí)，可發(fā)現(xiàn)，基件變形時(shí)，這樣構(gòu)成的涂層的封隔特性的破壞要小得多。
作為示例，氣態(tài)乙炔以大約60sccm的流量進(jìn)入處理區(qū)中可以在大約0.2秒的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生這種含氫無(wú)定形碳層。這樣沉積的保護(hù)層足夠薄，肉眼很難看出它的顏色，同時(shí)又明顯提高了涂層的整體強(qiáng)度。
符合本發(fā)明的界面層能以氮含量比較高為特征，例如占該層原子總數(shù)的10％到25％之間。該層還含有比較高比例的氫原子。界面層中同時(shí)存在這兩種成分可以得到一種除了與基件有良好的附著性外還具有非常好的封隔氣體特性的涂層，例如界面層沉積時(shí)無(wú)氮就不是這種情況。
如果符合本發(fā)明的界面層實(shí)際上本身不具有任何氣體封隔特性，并且不具有耐磨和耐化學(xué)腐蝕的良好特性，這種現(xiàn)象就更加明顯。
權(quán)利要求
1.一種利用低壓等離子體把一封隔涂層沉積在一要處理的基件上的方法，其中，所述等離子體是通過(guò)在一電磁場(chǎng)的作用下使一種低壓注入到處理區(qū)的反應(yīng)流體部分離子化來(lái)得到的，所述方法的特征在于，其包括至少一個(gè)把一界面層沉積在所述基件上的步驟，所述界面層是通過(guò)使一種至少包括一有機(jī)硅化合物和一含氮化合物的混合物達(dá)到等離子狀態(tài)來(lái)得到的，所述方法還包括一個(gè)在所述界面層上沉積一個(gè)主要由SiOx形式的氧化硅組成的封隔層的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氮化合物為氣態(tài)氮。
3.如權(quán)利要求1或2之一所述的方法，其特征在于，用于沉積所述界面層的混合物另外包括一種稀有氣體，所述稀有氣體用于作為導(dǎo)致有機(jī)硅化合物汽化的氣體載體。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，氮作為導(dǎo)致有機(jī)硅化合物汽化的氣體載體。
5.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述界面層的厚度在2到10納米之間。
6.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述封隔層通過(guò)用低壓等離子體沉積一種存在富余氧的有機(jī)硅化合物得到。
7.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述有機(jī)硅化合物為一種有機(jī)硅氧烷；
8.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述封隔層的厚度在8到20納米之間；
9.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，各步驟連續(xù)銜接，使兩個(gè)步驟過(guò)渡時(shí)處理區(qū)中的反應(yīng)流體仍處于等離子狀態(tài)。
10.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述方法包括一個(gè)第三步驟，在這個(gè)步驟，所述封隔層被一個(gè)含氫無(wú)定形碳的保護(hù)層覆蓋。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度小于10納米。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層通過(guò)用低壓等離子體沉積一種碳?xì)浠衔锏玫健?br> 13.如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述基件由一種聚合物材料構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法用于在一個(gè)聚合物容器的內(nèi)表面上沉積一個(gè)封隔涂層。
15.通過(guò)低壓等離子體沉積在一個(gè)基件上的封隔涂層，其特征在于，所述涂層包括一個(gè)主要由一種SiOx形式的氧化硅組成的封隔層，并且所述涂層在所述基件與所述封隔層之間包括一個(gè)主要由硅、碳、氧、氮、和氫組成的界面層。
16.如權(quán)利要求15所述的涂層，其特征在于，所述界面層是通過(guò)使一種至少包括一有機(jī)硅化合物和一含氮化合物的混合物達(dá)到等離子狀態(tài)而得到。
17.如權(quán)利要求15或16之一所述的涂層，其特征在于，所述含氮化合物為氣態(tài)氮。
18.如權(quán)利要求15-17之一所述的涂層，其特征在于，所述界面層的厚度在2到10納米之間。
19.如權(quán)利要求15-18之一所述的涂層，其特征在于，所述封隔層通過(guò)用低壓等離子體沉積一種存在富余氧的有機(jī)硅成分得到。
20.如權(quán)利要求15-19之一所述的涂層，其特征在于，所述有機(jī)硅化合物為一種有機(jī)硅氧烷；
21.如權(quán)利要求15-20之一所述的涂層，其特征在于，所述封隔層的厚度在8到20納米之間；
22.如權(quán)利要求15-21之一所述的涂層，其特征在于，所述封隔層被一個(gè)含氫無(wú)定形碳的保護(hù)層覆蓋。
23.如權(quán)利要求22所述的涂層，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度小于10納米。
24.如權(quán)利要求22所述的涂層，其特征在于，所述保護(hù)層通過(guò)用低壓等離子體沉積一種碳?xì)浠衔锏玫健?br> 25.如權(quán)利要求15-24之一所述的涂層，其特征在于，所述涂層沉積在一種聚合物材料的基件上。
26.一種聚合物材料的容器，其特征在于，它的至少一個(gè)表面覆蓋一種符合權(quán)利要求15至25之一的封隔涂層。
27.符合權(quán)利要求26的容器，其特征在于，它的內(nèi)表面覆蓋一個(gè)封隔層。
28.符合權(quán)利要求26或27之一的容器，其特征在于，所述容器是一種聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯制成的瓶子。
全文摘要
本發(fā)明特別涉及一種利用低壓等離子體把一個(gè)封隔涂層沉積在一個(gè)要處理的基件上的方法，其中，等離子體通過(guò)在一個(gè)電磁場(chǎng)的作用下使一種低壓注入到處理區(qū)的反應(yīng)流體部分離子化得到，該方法的特征在于，其包括一個(gè)把一界面層沉積在基件上的步驟，界面層通過(guò)使一種包括至少一種有機(jī)硅化合物和一種含氮化合物的混合物達(dá)到等離子狀態(tài)得到，還包括一個(gè)在界面層上沉積一個(gè)主要由一種SiO
文檔編號(hào)B05D3/04GK1446124SQ0181373
公開(kāi)日2003年10月1日 申請(qǐng)日期2001年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月1日
發(fā)明者納賽爾·貝爾迪, 埃里克·阿德里安森斯 申請(qǐng)人:西德?tīng)柟?br>