專利名稱：半導(dǎo)體加工設(shè)備的抗腐蝕組件及其制造方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明大體涉及半導(dǎo)體晶片的制造，并更具體的涉及具有可在加工時減少顆粒和金屬污染的內(nèi)表面的高密度等離子刻蝕室。
相關(guān)領(lǐng)域說明在半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，真空加工室通常用于刻蝕和在襯底上化學(xué)氣相沉積(CVD)材料，這是通過向真空室通入刻蝕或沉積氣體以及對氣體施加射頻場以激發(fā)氣體成等離子態(tài)。平行板的例子如，變壓器耦合等離子體(TCPTM)也稱為感應(yīng)耦合等離子體和電子回旋加速器諧振(ECR)反應(yīng)器及其組件公開于共同所有的美國專利Nos.4,340,462；4,948,458；5,200,232和5,820,723中。由于在上述反應(yīng)器中等離子環(huán)境的腐蝕本性和使顆粒和/或金屬污染減至最小的要求，迫切需要上述設(shè)備的組件表現(xiàn)出高抗腐蝕性。
在加工半導(dǎo)體襯底時，襯底通常由襯底座如機械夾和靜電夾(ESC)固定在真空室內(nèi)部。上述夾持裝置及其組件的例子可在共同所有的美國專利Nos.5,262,029和5,838,529中找到。工作氣體可以多種方式通入真空室，如通過氣體分配盤。感應(yīng)耦合等離子體反應(yīng)器及其組件的溫控氣體分配盤的例子可在共同所有的美國專利No.5,863,376中找到。除等離子室設(shè)備外，其它用于加工半導(dǎo)體襯底的設(shè)備包括傳送機構(gòu)，氣體供應(yīng)裝置，內(nèi)襯、提升機構(gòu)，負(fù)載鎖，室門機構(gòu)，機械臂和緊固件等。上述設(shè)備的不同組件易受與半導(dǎo)體加工相關(guān)聯(lián)的腐蝕環(huán)境的侵蝕。此外，考慮到加工半導(dǎo)體襯底如硅晶片和介電材料如用于平板顯示的玻璃襯底對于高純度的要求，迫切需要在上述環(huán)境中具有改良抗腐蝕性能的組件。
鋁和鋁合金典型應(yīng)用于壁，電極，襯底臺，緊固件和等離子反應(yīng)器的其它組件。為防止上述金屬組件的腐蝕，提出多項技術(shù)在鋁表面鍍不同涂層。例如，美國專利5,641,375公開了鋁室壁經(jīng)陽極化處理以減少等離子侵蝕和壁的磨損?！?75專利陳述陽極化處理層最終會被濺射或侵蝕掉且必須更換刻蝕室。美國專利No.5,895,586公開，可從日本專利公開No.62-103379中找到在鋁材料上形成一層Al2O3，AlC，TiN，TiC，AlN等的抗腐蝕膜的技術(shù)。美國專利No.5,680,013陳述在蝕刻室金屬表面上火焰噴射Al2O3的技術(shù)公開于美國專利No.4,491,496。‘013專利陳述鋁和陶瓷如氧化鋁熱膨脹系數(shù)的差異會導(dǎo)致涂層因熱循環(huán)開裂并最終在腐蝕環(huán)境中涂層失效。美國專利No.5,879,523公開了一種濺射室，其中對一種金屬如不銹鋼或鋁施加一層熱噴敷Al2O3涂層，其間可選擇性存在NiAlx粘合層。美國專利No.5,522,932公開了在用于襯底等離子體加工的儀器金屬組件上的銠涂層，其間可選擇性的有鎳涂層。
也提出過內(nèi)襯的布置來保護等離子反應(yīng)室壁。例如，美國專利No.5,798,016公開了陶瓷材料，鋁，鋼和/或石英的內(nèi)襯。美國專利No.5,366,585公開了由固態(tài)氧化鋁制成的獨立陶瓷內(nèi)襯?！?85專利也公開了在鋁表面鍍火焰噴射和等離子噴涂的氧化鋁層。美國專利No.5,885,356公開了在化學(xué)氣相沉積室中使用的陶瓷內(nèi)襯材料。
隨著集成電路裝置持續(xù)在物理尺寸和工作電壓上的減小，其相關(guān)制造產(chǎn)量越來越易受到顆粒和金屬雜質(zhì)的污染。因此，制造更小物理尺寸的集成電路裝置要求顆粒和金屬污染水平低于原先認(rèn)可的水平。
基于上述，需要高密度等離子加工室，其暴露于等離子體的內(nèi)表面具有更高抗腐蝕性并有助于使加工的晶片雜質(zhì)(如，顆粒和金屬雜質(zhì))降至最低。
發(fā)明簡述在本發(fā)明第一個實施方案中，提供了制造半導(dǎo)體加工設(shè)備組件的方法。該方法包括在組件表面附以液晶聚合物，使液晶聚合物形成組件外表面。
在本發(fā)明第二個實施方案中，提供了半導(dǎo)體加工設(shè)備組件，其中組件包括液晶聚合物。也提供了包含至少一個上述組件的等離子室。
在本發(fā)明第三個實施方案中，提供了在上述等離子室中加工半導(dǎo)體襯底的方法。在依照本發(fā)明的方法中，襯底移至等離子室內(nèi)且用等離子體處理襯底的暴露表面。在本發(fā)明更優(yōu)選的實施方案中，該方法包括以下幾步置襯底于反應(yīng)器中襯底座上；向反應(yīng)器中通入工作氣體；向工作氣體施加射頻能量以在襯底暴露的表面附近產(chǎn)生等離子體；用等離子體刻蝕暴露的襯底表面。
附圖簡述通過參考附圖，我們將更詳盡地描述本發(fā)明。附圖中相同的元件有相同的參考標(biāo)號，其中

圖1表示了常規(guī)的等離子噴涂方法；圖2表示了依照本發(fā)明一項實施方案的多晶硅刻蝕設(shè)備的氣環(huán)裝置的橫截面圖；和圖3表示了包含依照本發(fā)明組件的高密度氧化物刻蝕室。
本發(fā)明優(yōu)選實施方案詳述在集成電路(IC)中導(dǎo)電材料第一層是與嵌入晶片表面的晶體管直接接觸的多晶硅或多晶硅化物的薄膜。多晶硅刻蝕后，僅保留操作晶體管所需的和在其間形成點到點連接的導(dǎo)電軌跡。由于多晶刻蝕在晶片表面進行，控制污染尤為重要。
典型地，用于刻蝕材料如多晶硅的加工室需要相對高的能量以獲得所需的刻蝕效果。高能量的需要源于轟擊和破壞多晶硅薄膜的強鍵和驅(qū)動化學(xué)反應(yīng)以生成揮發(fā)性刻蝕產(chǎn)物的需要。這些室因此被稱為“高密度刻蝕室”，其能夠產(chǎn)生高等離子體密度，以對襯底提供高離子通量并在低壓下獲得高刻蝕速率。
當(dāng)高密度刻蝕室刻蝕所需表面工作正常時，刻蝕室內(nèi)表面受到高離子能量影響。于是，刻蝕室內(nèi)表面材料經(jīng)物理濺射或化學(xué)濺射，因離子的轟擊而被去除，這取決于材料的組成和刻蝕氣體的組成?？紤]到半導(dǎo)體加工設(shè)備組件對高純度和抗腐蝕的需要，本領(lǐng)域需要在用于上述組件的材料和/或涂層上作改進。此外，關(guān)于反應(yīng)室的材料，任何可增加等離子體反應(yīng)室使用壽命從而減少儀器停機時間的材料，將有助于降低半導(dǎo)體襯底的加工成本。
本發(fā)明提供一種有效的方法來為半導(dǎo)體加工設(shè)備組件如等離子加工反應(yīng)室的部件表面提供抗腐蝕性。上述組件包括室壁，襯底座，氣體分配系統(tǒng)(包括噴頭，隔板，環(huán)，噴嘴等)，緊固件，加熱元件，等離子屏，內(nèi)襯，傳輸模塊組件如機械臂，緊固件，室內(nèi)外壁等等。在本發(fā)明中，組件本身可由液晶聚合物制造，或暴露于等離子體中的組件表面鍍或另覆一層液晶聚合物。
液晶聚合物是高熔點熱塑性聚合物。聚合物在熔融態(tài)典型地具有隨機分子取向，但是當(dāng)液晶聚合物熔融時，其細長、剛性分子可排列成高有序構(gòu)形，該構(gòu)形能產(chǎn)生許多獨特的性質(zhì)。這些性質(zhì)包括低結(jié)晶熱，極高流動性和優(yōu)異的熔體強度。
本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)液晶聚合物具有用于等離子體刻蝕室所需的性能。具體是，液晶聚合物提供可降低反應(yīng)室中顆粒污染水平的抗腐蝕表面。當(dāng)在等離子體中被刻蝕，濺射和/或被反應(yīng)活性組分化學(xué)侵蝕時，液晶聚合物生成揮發(fā)性副產(chǎn)物。這些揮發(fā)性副產(chǎn)物可方便地排出加工室。
依照本發(fā)明一項優(yōu)選實施方案，液晶聚合物是等離子噴涂到等離子體反應(yīng)器組件表面上的。等離子噴涂容許對室復(fù)雜內(nèi)表面或其它室組件涂層。一項等離子噴涂液晶聚合物典型技術(shù)公開于美國專利No.6,120,854。對于等離子噴涂，典型使用的是呈粒狀原料形態(tài)的液晶聚合物。
等離子噴涂方法典型地涉及噴涂熔融或受熱軟化材料到表面上。圖1表示了一種典型的等離子噴涂工藝。通常呈粉末態(tài)的涂層材料112，注入高溫等離子焰114中，在那里其被迅速加熱并加速至高速。熱材料撞擊到襯底表面116上并快速冷卻形成涂層118。從而，噴涂后的表面通常粗糙而且有紋理的。
等離子噴涂槍120典型地包括銅陽極122和鎢陰極124，兩者都是經(jīng)過水冷的。等離子氣126(氬氣，氮氣，氫氣，氦氣)在陰極周圍的流向大致由箭頭128指明并穿過陽極130，陽極為收縮嘴形狀。等離子體由高壓放電激發(fā)，其引起局域電離化并在陰極124和陽極130之間形成直流電弧的導(dǎo)電通路。電弧引起的電阻熱導(dǎo)致氣體達到極高的溫度，分離并離子化形成等離子體。等離子體以自由或中性等離子焰(不帶電流的等離子體)脫離陽極嘴130。當(dāng)將等離子體穩(wěn)定以準(zhǔn)備噴涂時，電弧向下延伸至噴嘴。粉末112通過安置在陽極嘴出口134附近的外部粉末口132送進等離子焰中。粉末112迅速加熱并加速，使得噴射距離136(噴嘴尖端和襯底表面之間距離)可在125～150mm量級。這樣通過引發(fā)熔融和受熱軟化顆粒撞擊襯底的方法制成等離子噴涂涂層。
在本發(fā)明中，可采用表面加工技術(shù)如清洗和噴砂或噴丸處理以為結(jié)合提供更具化學(xué)和物理活性的表面。涂層前，優(yōu)選地徹底清洗襯底表面以除去如氧化物或油脂的表面物質(zhì)。此外，表面可采用已知技術(shù)如噴砂處理在涂層前粗糙化。通過噴砂處理，可供結(jié)合的表面區(qū)域擴大，這可增加涂層結(jié)合強度。粗糙的表面外形可促進涂層與襯底的機械鍵鎖或互鎖。
依照本發(fā)明適和使用的液晶聚合物是VECTRALCP，其為Celanese AG的注冊商標(biāo)。VECTRALCP是聚芳酯聚合物，其為熱致變性的并在熔融態(tài)易流動。其它可用液晶聚合物包括ZENITELCP，其為E.I.Dupont de Nemours and Company的注冊商標(biāo)。其它合適的液晶聚合物公開于美國專利Nos.5,216,092和5,296,542中。
在本發(fā)明一項優(yōu)選實施方案中，液晶聚合物組件用作多晶硅高密度等離子體反應(yīng)器的組件。典型的此類反應(yīng)器為TCP9400TM等離子刻蝕反應(yīng)器，可從LAM Research Corporation of Fremont，California.得到。在TCP9400TM反應(yīng)器中，工作氣體(如Cl2，HBr，CF4，CH2F2，O2，N2，Ar，SF6和NF3)導(dǎo)入置于刻蝕室底部的氣環(huán)內(nèi)然后通過氣孔導(dǎo)入反應(yīng)室。圖2表示了依照本發(fā)明的多晶硅刻蝕反應(yīng)器的氣環(huán)裝置的橫截面圖。如圖2所示，氣環(huán)40的主體包圍襯底座44。氣環(huán)40下表面包含一環(huán)形氣體引導(dǎo)槽60。上述氣孔50延伸進入氣體引導(dǎo)槽60。
氣環(huán)典型由鋁構(gòu)成。氣環(huán)上表面直接暴露于等離子體，這樣易受腐蝕。為保護這些表面，氣環(huán)典型地覆蓋一層氧化鋁。依照本發(fā)明，氣環(huán)暴露的表面可用液晶聚合物涂層42覆蓋。液晶聚合物可涂覆于裸鋁層(除本身的氧化物外)或氧化鋁層(如有陽極化處理表面的鋁)。應(yīng)用涂層優(yōu)選采用等離子噴涂方法，但其它適用于液晶聚合物的涂層方法也可采用。當(dāng)對氣環(huán)涂層時，涂層可容許部分地滲入氣孔以鍍覆并保護其內(nèi)壁。然而，涂層材料不應(yīng)以任何方式以致阻檔開口。這樣，氣孔可在涂層過程中被塞緊或遮蓋。
可在加工過程暴露在等離子體中的多晶硅刻蝕反應(yīng)器的其它組件也可依照本發(fā)明涂覆液晶聚合物。這些組件包括室壁，室內(nèi)襯，靜電卡盤和與襯底相對的介電窗。在靜電卡盤上表面附以液晶聚合物的涂層，可在清洗周期中對卡盤提供附加保護，其中清洗周期中沒有晶片存在且卡盤上表面直接暴露在等離子體中。
本發(fā)明的反應(yīng)器組件也可用于高密度氧化物刻蝕加工。典型的氧化物刻蝕反應(yīng)器室為TCP9100TM等離子刻蝕反應(yīng)器，其可從LAMResearch Corporation of Fremont，California得到。在TCP9100TM反應(yīng)器中，氣體分配盤是置于TCpTM窗正下方的圓盤，該TCPTM窗也是在反應(yīng)器頂部在半導(dǎo)體襯底上方與其平行的平面中的真空密封面。氣體分配盤用O形環(huán)與氣體分配環(huán)密封，其置于氣體分配盤周邊。氣體分配環(huán)從供應(yīng)源輸入氣體的體積由氣體分配盤，向反應(yīng)器提供射頻能量的扁螺旋形的天線下方的窗口內(nèi)表面和氣體分配環(huán)限定。氣體分配盤包含貫穿盤的有規(guī)定直徑的孔隙的陣列。貫穿氣體分配盤孔隙的空間分布可變動以使被刻蝕層，如光阻層，二氧化硅層，和晶片下面的材料刻蝕一致性最佳。氣體分配盤橫截面的形狀可改變以控制進入反應(yīng)器等離子體中的射頻能量分布。氣體分配盤材料必須是介電的，以能耦合穿過氣體分配盤進入反應(yīng)器的射頻能量。此外，需要氣體分配盤材料在氧氣或碳氟化氫氣體離子體環(huán)境中對化學(xué)濺射刻蝕的高抵抗性，以避免破碎和與此相關(guān)的所產(chǎn)生的顆粒。
圖3表示了上述類型的等離子體反應(yīng)器。反應(yīng)器包括反應(yīng)室10，其包括襯底座12，襯底座12又包括靜電卡盤34，其提供襯底13夾持力和襯底的RF偏置。襯底可采用熱交換氣體如氦氣背冷。聚焦環(huán)14包括介電外環(huán)14a內(nèi)環(huán)14b，其限制了襯底上部區(qū)域的等離子體。在室內(nèi)維持高密度(如1011-1012離子/cm3)等離子體的能量源，例如由提供高密度等離子體的合適射頻源驅(qū)動的天線18位于反應(yīng)室10頂部。室包括合適的真空泵設(shè)備，以維持室內(nèi)在所需的氣壓(如低于50mTorr，典型為1-20mTorr)。
基本上為平面均一厚度的介電窗20配置于天線18和加工室10內(nèi)部之間，形成在加工室10頂部的真空壁。氣體分配盤22配置于窗20下方，其包含如圓孔的開口以從氣體供應(yīng)源23向室10傳輸工作氣體。圓錐形內(nèi)襯30從氣體分配盤延伸并包圍襯底座12。天線18可配以通道24，控溫液體通過進口出口25，26流過通道24。然而，天線18和/或窗20無需冷卻或通過其它技術(shù)冷卻，例如對天線和窗送風(fēng)，流過冷卻介質(zhì)或與窗和/或氣體分配盤等有熱傳導(dǎo)接觸。
在操作中，半導(dǎo)體襯底如硅晶片置于襯底座12上，并用靜電卡盤固定在合適位置。但是也可用其它夾持方法，如機械夾持機構(gòu)。此外，也可采用氦氣背冷以促進襯底和卡盤之間的熱交換。工作氣體隨后經(jīng)窗20和氣體分配盤22之間間隙通入真空加工室10。合適的氣體分配盤布置(即噴頭)公開于共同所有的美國專利Nos.5,824,605；6,048,798，和5,863,376。通過向天線18提供合適的射頻能量，在襯底和窗之間區(qū)域激發(fā)高密度等離子體。
在圖3，所示的反應(yīng)器組件內(nèi)表面，如氣體分配盤22，室內(nèi)襯30，靜電卡盤34和聚焦環(huán)14涂覆一層液晶聚合物涂層32。然而，在本發(fā)明中，任何或所有這些表面可依照本發(fā)明附以一層液晶聚合物涂層。
以上描述的高密度多晶硅和介電刻蝕室只是典型的可引入本發(fā)明組件的等離子體刻蝕反應(yīng)器。本發(fā)明的液晶聚合物組件可用于任何刻蝕反應(yīng)器(如金屬刻蝕反應(yīng)器)或其它類型有等離子腐蝕問題的半導(dǎo)體加工設(shè)備。
其它組件也可附以液晶聚合物涂層，包括室壁(典型由具有陽極化或未陽極化處理表面的鋁制成)，襯底座，緊固件等等。這些部件典型由金屬(如鋁)或陶瓷(如氧化鋁)制成。這些等離子體反應(yīng)器組件通常暴露在等離子體中并往往表現(xiàn)出腐蝕的跡象。其它依照本發(fā)明可涂覆的部件可能不直接暴露在等離子體中，而是暴露在腐蝕性氣體中，如從加工晶片中釋放的氣體等。因此，用于加工半導(dǎo)體晶片的其它設(shè)備也可依照本發(fā)明附以液晶聚合物層。這些設(shè)備包括傳送機構(gòu)，氣體供應(yīng)系統(tǒng)，內(nèi)襯，提升機構(gòu)，負(fù)載鎖，室門機構(gòu)，機械臂，緊固件等。
依照本發(fā)明可涂覆液晶聚合物的金屬和/或合金的例子包括鋁，不銹鋼，難熔金屬，如“HAYNES 242”“Al-6061”，“SS304”，“SS316”。由于液晶聚合物在組件上形成抗腐蝕涂層，其下組件不再直接暴露在等離子體中，并且鋁合金的使用無需考慮合金添加劑，晶粒結(jié)構(gòu)或表面條件。此外，多種陶瓷和聚合物材料也可依照本發(fā)明涂覆液晶聚合物。特別是，反應(yīng)器組件可由陶瓷材料如氧化鋁(Al2O3)，碳化硅(SiC)，氮化硅(Si3N4)，碳化硼(B4C)和/或氮化硼(BN)制成。
如果需要，可在液晶聚合物涂層和組件表面之間附以一層或多層中間層材料。
盡管等離子噴涂是提供具有液晶聚合物層組件的優(yōu)選方法，也可采用其它方法。如液晶聚合物可通過常規(guī)熱塑加工技術(shù)如注射成型或擠壓成形制成薄板。這些預(yù)制的薄板可塑造成所需形狀并用于覆蓋多種暴露在等離子體中的反應(yīng)器組件表面。當(dāng)液晶聚合物以預(yù)制薄板附在反應(yīng)器組件表面時，薄板可通過任何已知方法包括膠接技術(shù)或使用機械緊固件附著。當(dāng)使用緊固件時，如果夾具本身暴露于等離子體中，也應(yīng)由抗腐蝕材料如液晶聚合物制成。此外，可設(shè)計液晶聚合物涂層與下面反應(yīng)器組件互鎖。
在本發(fā)明另一個實施方案中，液晶聚合物也可采用已知技術(shù)熔融或溶液涂覆到反應(yīng)器組件的表面。
在另一個實施方案中，通過從一塊液晶聚合物材料加工出組件或由液晶聚合物材料成形組件(如注射成型)，反應(yīng)器組件可完全由液晶聚合物制成。
依照本發(fā)明液晶聚合物可包括一個或多個填料，如玻璃和礦物填料。填料的選擇應(yīng)基于其對等離子環(huán)境的適應(yīng)性。在使用中，液晶聚合物會被腐蝕而直接暴露于等離子體的填料。因此填料應(yīng)不含重金屬或引起在室內(nèi)加工的襯底受污染的其它組分。
雖然本發(fā)明參考其具體實施方案詳細說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白在不脫離附加權(quán)利要求的范圍下，可作的多種變動和調(diào)整并等同的使用。
權(quán)利要求
1.制造半導(dǎo)體加工設(shè)備組件的方法，該方法包括在組件表面附以液晶聚合物，其中液晶聚合物形成組件外表面。
2.依照權(quán)利要求1的方法，其中液晶聚合物是等離子噴涂到組件表面上。
3.依照權(quán)利要求1的方法，其中組件是等離子體室壁，室內(nèi)襯，氣體分配盤，氣環(huán)，基座，靜電卡盤和/或聚焦環(huán)。
4.依照權(quán)利要求1的方法，其中組件包括由氧化鋁制成的陶瓷部件。
5.依照權(quán)利要求1的方法，其中液晶聚合物為預(yù)制薄板，該方法包括用預(yù)制薄板覆蓋組件表面。
6.依照權(quán)利要求2的方法，進一步包括在沉積液晶聚合物涂層前使組件表面經(jīng)受表面粗糙化處理。
7.依照權(quán)利要求1涂層的方法，其中組件包括由鋁或由具有陽極化或未陽極化表面的鋁合金制成的金屬部件。
8.半導(dǎo)體加工設(shè)備的組件，該組件包括在其外表面上的液晶聚合物。
9.依照權(quán)利要求8的組件，其中液晶聚合物包括在襯底表面上的涂層。
10.依照權(quán)利要求9的組件，其中襯底包括鋁或鋁合金。
11.依照權(quán)利要求9的組件，其中襯底包括氧化鋁。
12.依照權(quán)利要求10的組件，其中襯底包括陽極化或未陽極化的表面。
13.依照權(quán)利要求9的組件，其中液晶聚合物包括等離子噴涂涂層。
14.依照權(quán)利要求8的組件，其中組件是等離子體室壁，室內(nèi)襯，氣體分配盤，氣環(huán)，基座，靜電卡盤和/或聚焦環(huán)。
15.依照權(quán)利要求8的組件，其中液晶聚合物包括覆蓋襯底表面的預(yù)制薄板。
16.依照權(quán)利要求13的組件，其中組件包括與等離子噴涂涂層接觸的粗糙表面。
17.依照權(quán)利要求8的組件，其中液晶聚合物包含填料。
18.包括至少一個依照權(quán)利要求8的組件的等離子室。
19.在權(quán)利要求18的等離子加工室中加工半導(dǎo)體襯底的方法，其中襯底移至室內(nèi)且用等離子體處理襯底的暴露表面。
20.權(quán)利要求19的方法，其中襯底表面用等離子體刻蝕。
21.權(quán)利要求20的方法，其中等離子體是高密度等離子體。
22.權(quán)利要求19的方法，進一步包括以下步驟置襯底于反應(yīng)器中的襯底座上；向反應(yīng)器中通入工作氣體；對平面天線施加射頻能量，并從天線感應(yīng)耦合射頻能量至室內(nèi)，以激發(fā)工作氣體并在襯底暴露的表面附近產(chǎn)生等離子體；和用等離子體刻蝕暴露的襯底表面。
23.權(quán)利要求22的方法，其中組件是氣體分配盤或環(huán)，該方法進一步包括經(jīng)氣體分配盤或環(huán)上的開口向反應(yīng)器通入工作氣體。
全文摘要
等離子室的抗腐蝕組件包括液晶聚合物。在優(yōu)選實施方案中，液晶聚合物(LCP)位于具有陽極化或未陽極化表面的鋁組件上。液晶聚合物也可位于氧化鋁組件。液晶聚合物可通過如等離子噴涂的方法沉積。液晶聚合物也可以預(yù)制薄板或其它適合覆蓋反應(yīng)室暴露表面的形狀配備。此外，通過從一塊固態(tài)液晶聚合物加工出組件或由聚合物材料成型組件，反應(yīng)器組件可完全由液晶聚合物制成。液晶聚合物可包含增強填料如玻璃或礦物填料。
文檔編號B05D1/08GK1487858SQ01822452
公開日2004年4月7日 申請日期2001年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月29日
發(fā)明者R·J·奧丹尼爾, C·C·常, J·E·多爾蒂, R J 奧丹尼爾, 多爾蒂, 常 申請人:蘭姆研究公司