專利名稱：在圖案化材料上形成高分子層的方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種用在半導體基底的絕緣結構，且特別是有關于一種使用等離子體增強型化學氣相沉積的方法以在集成電路上形成薄膜。
已知的無機材料二氧化硅(SiO2)為具有最低的介電常數(shù)的材料之一，二氧化硅常于集成電路上當作主要的絕緣材料，而且在二氧化硅薄膜添加相當少量的氟被發(fā)現(xiàn)能降低其介電常數(shù)。欲更降低介電常數(shù)典型地需要使用更先進的有機材料，在有機材料的主題上，公知技術中氟碳基聚合物為具有潛力的低介電常數(shù)材料。
等離子體反應器能用在集成電路表面上沉積介電薄膜，等離子體反應器使用能量典型地是在等離子體反應室以無線電頻率(RF)的型式離子化一種或多種氣體，或是將無線電頻率等離子體源導入等離子體反應室，或是通過電極導入能源。此離子化氣體在等離子體反應室內(nèi)會沉積于集成電路的表面，因而在集成電路上形成介電膜，此技術通常應用在等離子體增強型化學氣相沉積(CVD)的程序，例如是在等離子體反應器內(nèi)通過離子化氟碳氣體，然后在集成電路沉積已離子化的氣體以產(chǎn)生一層氟碳膜。
無論如何，等離子體增強型化學氣相沉積是較難控制的。特別是形成適當厚度且最適合分布均勻的氟碳層在介電材料上是困難的。在介電材料上沉積氟碳膜時，氟碳等離子體會與原先預定沉積在其上的介電材料反應，例如，當介電材料包括圖案化的氧化物或氮化物材料時，此圖案化的氧化物或氮化物材料將會被等離子體蝕刻，而取代了涂布一層介電膜的機制。
本發(fā)明的不同實施例可以包括或說明下列目的，本發(fā)明的另一目的是提供一種在基底材料表面沉積一層薄的且低介電常數(shù)的高分子膜的改良方法，例如是在圖案化的介電材料上使用保護層，如此等離子體就不會與基底產(chǎn)生不利的反應。
為實現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點及依據(jù)本發(fā)明的一個目的，具體且廣泛地說明，本發(fā)明提供一種在圖案化材料上形成高分子層的方法，其包括以下步驟提供一基底；在一雙等離子體源反應室內(nèi)，于基底上形成一保護層；以及使用同步程序在保護層上形成一層高分子層。在此基底上可以形成有一圖案化材料，此保護層可以形成在圖案化的材料上，此圖案化的材料可以包括氧化硅或氮化硅，或包括尤其是硅層，而此保護層是使用幾乎為零的偏壓功率所形成，其厚度是介于約10至約50埃，此保護層直接吸附在圖案化材料的表面但不吸附在暴露出的基底表面，然后在雙無線電頻率(dual-RF)源等離子體反應室內(nèi)使用氟碳(CFx)氣體而形成高分子層。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種半導體結構，包括一基底；在基底上所形成的一圖案化的材料；在圖案化的材料上所形成的一薄保護層，其中此薄保護層吸附在圖案化材料的表面；以及在保護層上形成的一高分子層。圖案化的材料可以包括在基底上所形成一圖案化的介電材料。
依據(jù)本發(fā)明的另一目的，還提供一種在圖案化材料沉積高分子層的方法，其包括下列步驟將已形成有一圖案化材料的一基底放入一雙等離子體源反應室內(nèi)；將一反應氣體導入反應室內(nèi)；使用第一等離子體源離子化此反應氣體以形成一保護層；使用第二等離子體源于基底增加偏壓；以及在保護層上沉積一氟碳膜。此保護層可以形成在圖案化材料暴露的表面上，且高分子層也可以形成在保護層暴露的表面上。
圖3為本發(fā)明的沉積方法，依次在基底上沉積保護層，在保護層上沉積高分子層的流程圖。附圖標記說明100反應室101第一等離子體源102電極103反應氣體104高分子層105基底106墊塊/電極107第二等離子體源108圖案化材料200保護層300、301、302、303、304、400、401步驟以下詳盡地描述的目的在于，雖然所討論的實施例在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可被推斷以涵蓋實施例所有的修正、替代及均等性，因此本發(fā)明的保護范圍應當視后附的權利要求所界定的為準。需要說明的是此處所描述的制造工藝及結構并不會涵蓋沉積制造工藝完整的流程，例如在使用第一等離子體源及第二等離子體源的集成電路的基底形成保護層及氟碳膜，本發(fā)明的實施結合不同的等離子體增強型化學氣相沉積技術及集成電路制造方法，所以只需要提供這些共通性的制造工藝以說明本發(fā)明，在一些例子中，將不會特別描述知名的機臺及制造工藝，以避免對本發(fā)明發(fā)生不必要的限制。
特別對附圖做更多的說明，本發(fā)明的制造工藝可實施在基底沉積薄的高分子膜，所使用的裝置如

圖1及圖2所示。本發(fā)明的制造工藝可實施于可控制的環(huán)境，如在反應室100內(nèi)產(chǎn)生，此反應室100可由例如是不銹鋼建造，且以氣密者為佳。在實施例中，反應室100包括適用于操作化學氣相沉積制造工藝的雙等離子體蝕刻器。
反應室100的結構包括，諸如真空馬達及壓力控制器(未畫出)，以在反應室100內(nèi)產(chǎn)生一預定的壓力。如本實施例，反應室100的內(nèi)壁及兩電極102、106的表面涂布有一層膜，其適用于操作等離子體增強型化學氣相沉積制造工藝。
反應室100構造更包括，諸如槽及管件(未畫出)，適用于以控制的速率而高效率地抽入一種或多種的氣體103至反應室100。此氣體103通過一個或多個孔洞結構(未畫出)而導入反應室100中，此一個或多個孔洞結構諸如環(huán)狀的分散器或散器頭組合或任何其它適合的結構，在操作等離子體增強型化學氣相沉積制造工藝時，以分散的型式導入氣體。在一實施例中，每一孔洞結構的位置鄰近電極102，而每一孔洞結構通常放至于電極102及基底105之間，如此氣體103進入反應室100后遇到由第一等離子體源101所產(chǎn)生的無線電頻率等離子體能量，便會在電極102及墊塊/電極106之間離子化。反應室100可額外地包括泄氣口(未畫出)，用以去除反應室100中殘留的等離子體及氣體。
依據(jù)實施例，第一等離子體源101是用來產(chǎn)生能量，已知的如等離子體能源，以充分的在反應室100中離子化一種或多種氣體103。依據(jù)本發(fā)明所述的方法，利用操作第一等離子體源101(如其功率的不同)可以控制離子化氣體103的濃度，第一等離子體源101可以與電極102電性連接，而電極102包括例如導電性材料例如鋁，如圖1所示。
在另一實施例，等離子體能量可被誘導傳送至反應室100內(nèi)的氣體103，將能量誘導傳送進入反應室100的方式可以在反應室100四周包裹導電性線圈，并且施加一無線電頻率等離子體能量至線圈，等離子體區(qū)域將因此形成于在反應室100內(nèi)，即使線圈是位于反應室外面。
如優(yōu)選實施例所述，等離子體能量包括無線電頻率(RF)等離子體能量，特別是第一等離子體源101包括無線電頻率(RF)調幅器，其可產(chǎn)生高頻的無線電頻率訊號，而從反應室100內(nèi)的第一電極102傳送至接近氣體103。在實施例中，無線電頻率以13.56百萬赫茲傳送，這是等離子體增強型化學氣相沉積反應室產(chǎn)生等離子體能量的工業(yè)標準。在實施例中，無線電頻率等離子體能量可以任何其它的頻率供應，在適當?shù)臈l件下，當暴露至氣體103，無線電頻率等離子體能量便能將氣體103離子化，而產(chǎn)生高分子自由基沉積在基底105上。
第二等離子體源107可以用來控制沉積的過程。例如，自偏壓基底105。第二等離子體源107與墊塊/電極106電性(如電容地)連接為佳，且在沉積操作時，墊塊/電極106依次接觸基底105從而自偏壓基底105。特別地，第二等離子體源107最好包括無線電頻率(RF)，且調幅器可產(chǎn)生高頻的無線電頻率訊號，以傳送至墊塊/電極106并從墊塊/電極106輻射，無線電頻率以13.56百萬赫茲傳送為佳，但在實施例中，無線電頻率等離子體能量可以其它頻率供應。
請繼續(xù)參照圖1、圖2以及圖3中的流程，以下將說明最佳的制造工藝，本發(fā)明沉積制造工藝的起始步驟300，是將基底105放入反應室100內(nèi)且放在墊塊/電極106之上，基底以具有圖案化材料108的半導體晶圓為佳，墊塊/電極106保持及/或支持著基底105，且其在沉積制造工藝時可以作為一熱控制系統(tǒng)(未畫出)的一部分，以控制基底的溫度?；?05如圖1所示，在其制造工藝時的中間步驟，可以包括圖案化材料層108，其例如是由二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅所組成。將基底105放入反應室100之后，密封反應室100，然后使用真空馬達以使一種或多種反應氣體加壓至一適當壓力及溫度。當維持在預定的壓力及溫度，將特定比例及流量的一種或多種反應氣體103導入反應室100中，如步驟301所示。在實施例中，壓力的設定可以設在氣體流量設定之前、期間(反復的)或之后。在一最佳的方法，反應氣體包括氟碳(CFx)，此反應氣體可以例如CH2F2、C4H8是且后續(xù)形成的氟碳層可包括CFx。
氣體103以一流量導入反應室100，在使用足夠的能量下，氟及碳氣體等離子體將于反應室100內(nèi)形成。在步驟302中，第一等離子體源101是用來離子化氣體103，其通過由施加頻率約13.56百萬赫茲及能量約在800至1500瓦的無線電頻率等離子體能量至電極102鄰近氣體103，無線電頻率等離子體能量可交替地誘導耦接至反應室100而離子化氣體103，從而產(chǎn)生例如自由基物種包括單體、低聚物(oligomer)及/或高分子自由基，而沉積至圖案化材料層108的表面。例如，氟碳氣體導入反應室100后可以離子化成自由基，其包括氟碳自由基(如CF或CF2)及氟原子/氟分子(F或F2)。
傳送至反應室100的氣體103的量可以調整以控制沉積制造工藝，例如于等離子體增強型氣相沉積制造工藝，氣體103的流量需要在設定在一適當?shù)姆秶跃S持反應室內(nèi)的壓力。在本發(fā)明的一些實施例，沉積速率及制造工藝可通過改變一種或多種氣體的流量、氣體103的組成、反應室內(nèi)的壓力、第一等離子體源101及/或第二等離子體源107的能量輸出及基底105的溫度而選擇性地控制，只要在至少一等離子體源可能是第一等離子體源101及/或第二等離子體源107的影響下維持等離子體增強型氣相沉積。在實施例中，其它的氣體諸如其它含碳的氣體及/或含氟的氣體可以單獨供應或與上述的氣體一起供應，反應氣體可更包括一氧化碳、氬氣、氮氣及/或氧氣。在一實施例中，用以形成高分子層(及/或保護層)的反應氣體包括以下全部氣體一氧化碳、氬氣、氮氣及氧氣。
本發(fā)明的一個目的，是使用一特定比率的一氧化碳及氬氣有助于控制在圖案化材料上的高分子層剖面。例如，于形成高分子層時，一氧化碳的供應流量范圍可控制在從0至約150sccm，在一優(yōu)選實施例，范圍從85至約115sccm，控制在約100sccm更佳；及氬氣的供應流量范圍可控制在從0至約300sccm，控制在約150至300sccm更佳。在其它的實施例，相似的流量或不同的流量可用來形成保護層。
本發(fā)明的一個特色，上述說明曾提及在特定條件下，被涂布的基底105及/或圖案化材料層108會被非預定的化學反應損壞，這些反應在某些偏壓條件下使用某些圖案化材料層108可能會發(fā)生，更特定地，氟碳氣體103，例如由偏壓條件所引起的電場可能會引起氣體等離子體離子轟擊圖案化材料層108，而導致未飽和鍵結的形成，而未飽和鍵結會快速地與離子化氟碳氣體反應而形成揮發(fā)性(氣體)產(chǎn)物，此圖案化材料層108與離子化氟碳氣體的反應會導致蝕刻(例如移除)部分的圖案化材料層108。
例如當圖案化材料層108，其包括介電層及第二等離子體源107產(chǎn)生本質的偏壓條件，從沉積在圖案化材料層108以作區(qū)別，等離子體可能會蝕刻圖案化材料層108。一個實例，圖案化材料層108是包括例如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)，在此實例中，假如圖案化材料層108主要是由二氧化硅所組成，則蝕刻所產(chǎn)生的揮發(fā)性產(chǎn)物，則依照下列的方程式方程式1假如圖案化材料層108主要是由氮化硅所組成，蝕刻所產(chǎn)生揮發(fā)性產(chǎn)物，則依照下列的方程式方程式2由以上的方程式證實，要開啟非預定的蝕刻反應需要活化能ΔE，假如基底105含有硅，基于活化能的導入，硅可與氟碳氣體的氟離子反應而形成揮發(fā)性的氟化硅(SiFx)。在另一實例中，圖案化材料層108包括多晶硅層，基于活化能的導入，硅可與氟碳氣體的氟離子反應而形成揮發(fā)性的氟化硅。
本發(fā)明尋求能維持低于基底105及/或圖案化材料層108上活化能的能階，如此蝕刻反應將不會發(fā)生。無論如何，依照本發(fā)明的一個目的，由本質的偏壓引起的離子轟擊能增加基底105及/或圖案化材料層108上的能階，而不會降低基底105及/或圖案化材料層108上的能階。
增加圖案化材料層108的能階，將更容易達到活化能ΔE，而導致圖案化材料108的鍵結更易被打斷而產(chǎn)生蝕刻反應。因此當圖案化材料層108有相對低的活化能，將更容易與離子化氣體103進行非預定的反應。所以可以通過降低偏壓條件以減弱非預定的反應的進行，且最好是能消除非預定的反應為佳。
上述的問題可以依照本發(fā)明作說明，首先依步驟303，在基底105維持幾近于零的偏壓，依步驟400使用等離子體增強型化學氣相沉積法在基底形成薄保護層200，而將偏壓功率保持在低功率，較佳的是幾近于零(例如在0與200W之間)，以避免形成保護層時所用的離子化氣體103會轟擊并蝕刻基底105及/或圖案化材料108；等離子體源功率可維持在約800瓦至約1500瓦，由于只有少數(shù)或無離子轟擊會打斷圖案化材料108的鍵結且形成揮發(fā)性氣體產(chǎn)物，因此離子化氣體103及圖案化材料108之間的反應所需的活化能必須維持在相對的高值，而幾近于零的偏壓功率可以使保護層200直接吸附在圖案化材料108表面。在一優(yōu)選實施例，氟碳氣體被用來形成保護層200，其厚度在10埃與50埃之間。
圖案化材料108與基底105的第一部分接觸，但不接觸基底105的第二部分(例如暴露的表面)。保護層200形成于基底105的第二部分及圖案化材料108暴露的表面，上述的名詞如″第二部分″、″凹部″及″基底暴露的表面″有時是說明圖案化材料108側壁之間的表面，但有時是說明例如圖案化材料108側壁之間的高分子層104，對于這些名詞，應該結合上下文的意思理解其涵義。
依據(jù)本發(fā)明目的之一，對于偏壓電壓主要是用來當形成具有特點或區(qū)塊的基底時，在凹部沉積材料，如此的凹部包括例如是前段文字所定義的″第二部分″。假如基底是平的，沉積制造工藝將可不用偏壓電壓，因此依據(jù)本發(fā)明目的之一，幾近于零的偏壓可用來填凹部，且同時可以控制能階在蝕刻反應發(fā)生的活化能之下。在實施例中，保護層200沉積至凹部，偏壓功率保持在約200瓦之下，但無論如何，在沉積進行時，偏壓功率可依基底材料及表面高低形狀不同而改變。
于步驟401，使用等離子體增強型化學氣相沉積法形成高分子層，在實施例中存在圖案化材料108，增加第二等離子體源107的功率有助于高分子層104的沉積(圖2)。通過在頻率例如是約13.56百萬赫茲，使用功率至第二等離子體源107，可以達成制造工藝上附加的控制。由第二等離子體源107至墊塊/電極106使用無線電頻率等離子體能量，使用直接電流(DC)電壓自偏壓至基底105及圖案化材料108，其電壓可以適當?shù)姆赜嬜髁繙y。
至于高分子層104的形成，使用蝕刻器及配方可控制反應中沉積/蝕刻比率，而在圖案化材料108(保護層200之上)的側壁及/或上表面形成高分子層104。關于控制在圖案化材料108及基底105表面的每一部分的高分子層104厚度，微調反應的配方包括改變功率，在其它實施例中還包括改變一種或多種氣體的流量、氣體的組成、反應室內(nèi)的壓力、第一等離子體源101及/或第二等離子體源107相對的能量輸出及基底105的溫度。
高分子層104可選擇性地形成在圖案化材料108(保護層200之上)的表面，其是使用例如于2001年10月18日在美國提出申請的專利，申請?zhí)枮?9/978,546，所揭露的全部或部分的方法及裝置，以及于2002年6月24日在美國提出申請的專利，其標題為氟碳膜沉積的方法。綜合說明以上兩篇專利的內(nèi)容，假如上表面沉積的厚度較側壁沉積的厚度，于蝕刻時高分子層可被當作保護層以避免圖案化材料108的剖面被損壞，假如沉積在側壁的厚度相對的厚，高分子層會減弱圖案化材料108特征之間凹部的臨界尺寸，通過微調反應的配方，圖案化材料108間的表面(如第二部分)可沉積高分子層104，其厚度較在圖案化材料108間的表面薄，或不沉積高分子層104。在不同的實施例中，其中的高分子層104不沉積在第二部分，在第二部分的保護層200可以整個地被蝕刻移除或只輕微地蝕刻移除，在實施例中的圖2，在第二部分的保護層200只輕微地被蝕刻移除。
在未使用保護層的情況下，且例如是當形成高分子層104的配方不易控制時，第二部分及/或圖案化材料108于高分子層104化學氣相沉積形成過程中可能被損壞(蝕刻)。因此使用保護層200有助于高分子層104形成在不同的圖案化材料108上，由此來增加高分子層104在圖案化材料108的附著性并減弱蝕刻反應，此圖案化材料108例如是圖案化光阻。
在實施例中，步驟304，使用偏壓功率約700瓦及1300瓦的等離子體源功率所形成的保護層200，可以使高分子層104沉積在圖案化材料108上，有這一層保護層200，高分子層104吸附在保護層200時會減弱或是消除蝕刻反應。在實施例中，高分子層104沉積在保護層200暴露的表面而不沉積在基底105暴露的表面，離子化氣體103或等離子體沉積或附著至被保護層200所覆蓋的圖案化材料108上的表面而形成高分子層104。在實施例中，保護層及高分子層中的元素組成大致上是相同的，但元素的比例不同而組成不同的兩層。
為節(jié)省制造工藝的時間，高分子層104以氟碳高分子層為佳，可以在被用來形成保護層的相同的雙無線電頻率源等離子體室中產(chǎn)生。依據(jù)步驟304，當薄膜達到預定的厚度，制造工藝可被終止且使用傳統(tǒng)的方法例如是自動把手移開基底105。另外，可以測試高分子層104以取得適當?shù)某练e特性，其包括介電常數(shù)、不同位置的厚度及/或不同位置的分布均勻性。
根據(jù)以上的說明，任何本領域的技術人員都可明了本發(fā)明的方法有助于形成較公知技術具有改良特性的介電層，雖然本發(fā)明已以一優(yōu)選實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域內(nèi)的技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作一些更動與潤飾。本發(fā)明為在材料層上形成高分子層，例如是圖案化材料108。通過保護層亦可應用至其它材料，其與反應氣體等離子體反應的活化能不夠高。有如此多的變異及修正都落在本發(fā)明的范圍內(nèi)，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權利要求所界定的為準。
權利要求
1.一種在圖案化材料上形成高分子層的方法，包括下列步驟a)提供一基底；b)進行一等離子體增強型化學氣相沉積法，以于該基底上形成一保護層；以及c)使用一同步程序在該保護層上形成一高分子層。
2.如權利要求1所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于該基底上已形成有一圖案化材料；以及于該圖案化材料上形成該保護層。
3.如權利要求2所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于該圖案化材料包括氧化硅層、氮化硅層兩者之一。
4.如權利要求2所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于該圖案化材料包括硅層。
5.如權利要求2所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于該保護層是使用氟碳氣體而形成。
6.如權利要求5所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于該高分子層是使用一氟碳氣體而形成；至少該保護層與該高分子層其中之一是使用一氣體所形成，該氣體包括一氧化碳、氬氣、氮氣及氧氣；以及一氧化碳的供給流量介于0與150sccm之間，氬氣的供給流量介于0與300sccm之間。
7.如權利要求6所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于一氧化碳供給流量介于85與115sccm之間，該氬氣供給流量介于150與300sccm之間。
8.如權利要求2所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于該保護層是使用一幾近于0的偏壓功率所形成。
9.如權利要求2所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于該保護層是直接吸附在該圖案化材料的表面。
10.如權利要求2所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于該高分子層包括一氟碳高分子層。
11.如權利要求2所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于該保護層的厚度介于10至50埃之間。
12.如權利要求10所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于形成該高分子層的步驟包括下列步驟提供一反應氣體，該反應氣體包括一氟碳氣體；以及提供一第一等離子體源及一第二等離子體源并使用該氟碳氣體在該保護層上沉積一氟碳膜。
13.如權利要求12所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于該第二等離子體源包括一無線電頻率等離子體源，其是用以提供該基底一自偏壓。
14.如權利要求2所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于該保護層在步驟b)中是形成于該基底及該圖案化的材料所暴露的表面。
15.一種半導體結構，包括a)一基底，該基底中已形成有一圖案化的材料；b)一保護層，配置在該基底上，其中該保護層吸附在該圖案化的材料表面上，且該保護層的材質包括氟碳化合物；c)一高分子層，位于該保護層上。
16.如權利要求15所述的半導體結構，其特征在于該圖案化的材料包括電介質。
17.如權利要求15所述的半導體結構，其特征在于該保護層是形成于該基底及該圖案化的材料所暴露的表面。
18.如權利要求17所述的半導體結構，其特征在于該高分子層是形成于該圖案化的材料的表面，而該圖案化的材料被保護層覆蓋。
19.如權利要求18所述的半導體結構，其特征在于該圖案化的材料是接觸該基底的一第一部分但不接觸該基底的一第二部分；以及該高分子層不形成于該基底的該第二部分。
20.如權利要求19所述的半導體結構，其特征在于該圖案化的材料是接觸該基底的該一第一部分但不接觸該基底的該一第二部分；以及該保護層是形成在暴露的該圖案化的材料表面但不形成于該基底的該第二部分。
21.一種在圖案化的材料上沉積高分子層的方法，包括下列步驟將一基底放入一雙等離子體源反應室，該基底具有一圖案化材料形成在其上；于該反應室導入一反應氣體；使用一第一等離子體源以離子化該反應氣體，而形成一保護層；使用一第二等離子體源以增加該基底的偏壓；以及于該保護層上沉積一氟碳膜。
22.如權利要求21所述的在圖案化的材料上沉積高分子層的方法，其特征在于該保護層是形成于該基底及該圖案化的材料的暴露的表面。
23.如權利要求22所述的在圖案化的材料上沉積高分子層的方法，其特征在于該高分子層形成于被該保護層所覆蓋的該圖案化材料上，但不形成于被該保護層所覆蓋的該基底上。
24.如權利要求22所述的在圖案化的材料上沉積高分子層的方法，其特征在于該保護層及該高分子層是使用一氣體而形成，該氣體包括氟碳、一氧化碳、氬氣、氮氣及氧氣；以及一氧化碳的供給流量介于0與150sccm之間，氬氣的供給流量介于0與300sccm之間。
25.如權利要求14所述的在圖案化材料上形成高分子層的方法，其特征在于該高分子層是在步驟c)中形成于被該保護層所覆蓋的該圖案化材料的表面上，但不形成于被該保護層所覆蓋的該基底表面上。
全文摘要
一保護層沉積在一基底的表面上，其是由等離子體增強型化學氣相沉積制造工藝而形成，然后在保護層上沉積一高分子層。此基底放置在一反應室內(nèi)的墊塊上，接著在至少一等離子體源影響下，氟碳氣體導入反應室中，此氟碳氣體可以是CF
文檔編號B05D5/08GK1467798SQ0312298
公開日2004年1月14日 申請日期2003年4月23日 優(yōu)先權日2002年6月24日
發(fā)明者陳中泰, 梁明中, 蔡信誼 申請人:旺宏電子股份有限公司