專利名稱：顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器的制作方法，特別是一種電激發(fā)光元件的顯示器利用可交聯(lián)的碟狀液晶作為高分子電洞傳輸材料，以黃光制程導入小分子電激發(fā)光現(xiàn)有制式制程中，在不增加制程的復雜性的前題下，而可提高電激發(fā)元件電洞傳輸層的分子物性強度的制作方法。
背景技術(shù)：
一般電激發(fā)光元件的顯示器，因其輕薄短小與廣視角等優(yōu)點而受到重視，該電激發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，如圖4所示，其是于一玻璃基板8上疊設(shè)有一陽極導電層81，該陽極導電層81上疊設(shè)有一電洞傳輸層82，該電洞傳輸層82上疊設(shè)有一層電子傳輸層83，該電子傳輸層83上設(shè)有一陰極電極層84，并于該陰極電極層84上設(shè)有絕緣封裝層(圖中未示)，由電路提供驅(qū)動通導電流時，而使該電激發(fā)光元件發(fā)光。
該電激發(fā)光元件制作方法為有機小分子蒸鍍與金屬蒸鍍，目前小分子電激發(fā)光元件制程，是先以黃光制程蝕刻ITO基板，再以黃光制程制作絕緣層與陰極隔壁于基板上，接下來再蒸鍍小分子的電洞傳輸層、電子傳輸層與金屬陰極，最后再加以封裝一封裝層，而該小分子電洞傳輸層的材料有Cupc、NPB等材料，其中該Cupc材料由于軟化點高，最早為業(yè)界所采用，然而該Cupc材料卻具有吸收紅光的缺失，在全彩面板制作上會影響光色，而其他如NPB材料等化合物仍受限于較容易結(jié)晶的缺失，因此，就現(xiàn)有電激發(fā)光元件制作方法仍有改善的空間。
故，前述電激發(fā)光元件的有機小分子蒸鍍制作方法，所造成物理強度不足等缺失，是為本發(fā)明欲改善之處。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在于解決上述的問題而提供一種顯示器的制作方法，主要是于一形成有ITO導電層的透明基板上，以黃光制程于該ITO導電層上形成多數(shù)條的陽極，再以三道黃光制程分別于該些陽極電極上形成多數(shù)交叉的絕緣層及該些絕緣層上分別形成一向上延伸的陰極隔壁以及以碟狀液晶為高分子電洞傳輸材料于該些絕緣層間的陽極電極上分別交聯(lián)形成一高分子電洞傳輸層，再于該高分子電洞傳輸層上分別蒸鍍一小分子電子傳輸層，再于該些小分子電子傳輸層上分別蒸鍍一金屬陰極，并于該些金屬陰極上設(shè)有一供封裝的封裝層。
由于該高分子電洞傳輸層的碟狀液晶分子為高分子電激發(fā)光元件的電洞注入、傳輸兼緩沖層材料，其高分子具有較小分子高的物理強度，該高分子交聯(lián)之后不會溶解于溶劑或是洗劑中，而具有較高的物理強度，以高分子電洞傳輸層取代現(xiàn)有小分子電洞傳輸層，而可提高電激發(fā)光元件的電洞傳輸層的分子物性強度，以解決現(xiàn)有小分子電洞傳輸層所造成物理強度不足等缺失。
本發(fā)明的次一目的，是在于該高分子電洞傳輸層是以黃光制程形成于該些陽極電極上，有別于現(xiàn)有的蒸鍍方式，而可導入前段絕緣層及陰極隔壁的黃光制程，而不會增加制程的復雜性，對量產(chǎn)純化制程有極大的效益。
本發(fā)明的上述及其他目的與優(yōu)點，可以從下述所選用實施例的詳細說明與附圖中，獲得深入了解。
當然，本發(fā)明在某些零件上，或零件的安排上容許有所不同，但所選用的實施例，則于本說明書中，予以詳細說明，并于附圖中展示其構(gòu)造。


圖1是本發(fā)明制作方法的流程圖；圖2是本發(fā)明電激發(fā)光元件的側(cè)視圖；圖3是本發(fā)明電激發(fā)光元件的立體結(jié)構(gòu)圖；圖4是現(xiàn)有電激發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實施例方式
請參閱圖1至圖3，圖中所示為本發(fā)明所選用的第一實施例結(jié)構(gòu)，此僅供說明之用，在專利申請上并不受此種結(jié)構(gòu)的限制。
本實施例的顯示器的制作方法，其步驟包含有制作陽極圖案1，其是于一形成有可透光的陽極導電層的透明基板11上，以黃光制程于該陽極導電層上蝕刻出陽極圖案，以形成多數(shù)條的陽極12，在本實施例中，該陽極導電層是以ITO導電層為例。
制作絕緣層2，其是以黃光制程于該些陽極電極12上形成多數(shù)交叉的絕緣層21。
制作陰極隔斷層3，其是以黃光制程于該些絕緣層21上分別形成一向上延伸的陰極隔壁31。
制作高分子電洞傳輸層4，其是以高分子電洞傳輸材料以黃光制程于該些絕緣層21間的陽極電極12上分別交聯(lián)形成一高分子電洞傳輸層41，在本實施例中，該高分子電洞傳輸材料是為可與該陽極電極12交聯(lián)的碟狀液晶(Discotic Liquid Crystals)，而黃光制程的照光總能量在5MJ-1J，且黃光制程的溶劑為Tetra Hydro Furan或甲苯。
制作小分子電子傳輸層5，其是于該些高分子電洞傳輸層41上分別蒸鍍一小分子電子傳輸層51。
制作金屬陰極及封裝6，其是于該些小分子電子傳輸層51上分別蒸鍍一金屬陰極61，該些金屬陰極61是與該些陰極隔壁31同方向延伸，以供與該些陽極12形成交叉狀排列，并于該些金屬陰極61上設(shè)有一供封裝的封裝層(圖中未示)。
通過此，本發(fā)明的制作方法，主要是于一形成有ITO導電層的透明基板11上，以黃光制程于該ITO導電層上形成多數(shù)條的陽極12，再以三道黃光制程分別于該些陽極電極12上形成多數(shù)交叉的絕緣層21及該些絕緣層21上分別形成一向上延伸的陰極隔壁31以及以碟狀液晶為高分子電洞傳輸材料于該些絕緣層21間的陽極電極12上分別交聯(lián)形成一高分子電洞傳輸層41，再于該些高分子電洞傳輸層41上分別蒸鍍一小分子電子傳輸層51，再于該些小分子電子傳輸層51上分別蒸鍍一金屬陰極61，并于該些金屬陰極61上設(shè)有一供封裝的封裝層。
由于該高分子電洞傳輸層41的碟狀液晶分子為高分子電激發(fā)光元件的電洞注入、傳輸兼緩沖層材料，其高分十具有較小分子高的物理強度，該高分子交聯(lián)的后不會溶解于溶劑或是洗劑中，而具有較高的物理強度，以高分子電洞傳輸層取代現(xiàn)有小分子電洞傳輸層，而可提高電激發(fā)光元件的電洞傳輸層的分子物性強度，以解決現(xiàn)有小分子電洞傳輸層所造成物理強度不足等缺失。
再者，該高分子電洞傳輸層41是以黃光制程形成于該些陽極電極12上，有別于現(xiàn)有的蒸鍍方式，而可導入前段絕緣層21及陰極隔壁31的黃光制程，而不會增加制程的復雜性，對量產(chǎn)純化制程有極大的效益。
上所述實施例的揭示是用以說明本發(fā)明，并非用以限制本發(fā)明，故舉凡數(shù)值的變更或等效元件的置換仍應(yīng)隸屬本發(fā)明的范疇。
權(quán)利要求
1.一種顯示器的制作方法，其特征在于步驟包含有制作陽極圖案，其是于一形成有可透光的陽極導電層的透明基板上，以黃光制程于該陽極導電層上蝕刻出陽極圖案，以形成多數(shù)條的陽極；制作絕緣層，其是以黃光制程于該些陽極電極上形成多數(shù)交叉的絕緣層；制作陰極隔斷層，其是以黃光制程于該些絕緣層上分別形成一向上延伸的陰極隔壁；制作高分子電洞傳輸層，其是以高分子電洞傳輸材料以黃光制程于該些絕緣層間的陽極電極上分別交聯(lián)形成一高分子電洞傳輸層；制作小分子電子傳輸層，其是于該些高分子電洞傳輸層上分別蒸鍍一小分子電子傳輸層；制作金屬陰極及封裝，其是于該些小分子電子傳輸層上分別蒸鍍一金屬陰極，并于該些金屬陰極上設(shè)有一供封裝的封裝層。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器的制作方法，其特征在于，制作高分子電洞傳輸層的步驟中，該高分子電洞傳輸材料是為可與該陽極電極交聯(lián)的碟狀液晶。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示器的制作方法，其特征在于，制作高分子電洞傳輸層的步驟中，黃光制程的照光總能量在5MJ～1J。
4 如權(quán)利要求1所述的顯示器的制作方法，其特征在于，制作高分子電洞傳輸層的步驟中，黃光制程的溶劑為Tetra Hydro Furan或甲苯。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示器的制作方法，其特征在于，制作陽極圖案的步驟中，該陽極導電層是為一IT0導電層。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示器的制作方法，其特征在于，制作金屬陰極及封裝的步驟中，該些金屬陰極是與該些陰極隔壁同方向延伸，以供與該些陽極形成交叉狀排列。
全文摘要
一種顯示器的制作方法，主要是在一形成有ITO導電層的透明基板上，以黃光制程于該ITO導電層上形成多數(shù)條的陽極，再以三道黃光制程分別于該些陽極電極上形成多數(shù)交叉的絕緣層及該些絕緣層上分別形成一向上延伸的陰極隔壁以及以碟狀液晶為高分子電洞傳輸材料于該些絕緣層間的陽極電極上分別交聯(lián)形成一高分子電洞傳輸層，再于該些高分子電洞傳輸層上分別蒸鍍一小分子電子傳輸層，再于該些小分子電子傳輸層上分別蒸鍍一金屬陰極，并于該些金屬陰極上設(shè)有一供封裝的封裝層。
文檔編號C09K11/06GK1719954SQ20041006290
公開日2006年1月11日 申請日期2004年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月6日
發(fā)明者張書文, 廖文瑞 申請人:勝華科技股份有限公司