專利名稱：電場(chǎng)發(fā)光元件以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平面光源以及平面顯示裝置中所使用的電場(chǎng)發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
平面光源以及平面顯示裝置中所使用的以往的發(fā)光裝置中，使用發(fā)光二極管或電場(chǎng)發(fā)光元件(稱作EL元件)等。
發(fā)光二極管在亮度以及發(fā)光效率較高這一點(diǎn)上比較優(yōu)秀，但需要形成在化合物半導(dǎo)體基板上，而將1個(gè)半導(dǎo)體基板大面積化是較困難的。另外，為了實(shí)現(xiàn)平面顯示裝置的大型化，需要將多個(gè)發(fā)光二極管二維排列。
對(duì)照?qǐng)D5對(duì)EL元件的構(gòu)造進(jìn)行說明。圖5為說明EL元件的構(gòu)成的剖面圖。EL元件50，是通過2片電極52、55夾持發(fā)光層54的單元構(gòu)造，如圖5所示，在基板51上依次形成有電極52、絕緣層53a、發(fā)光層54、絕緣層53b、電極55。發(fā)光層54由ZnS等熒光體構(gòu)成，其厚度例如為0.5μm～1μm。另外，在EL元件50的外部，在電極52與電極55之間連接有交流電源56，通過該交流電源56對(duì)電極52與電極55之間加載電壓來使EL元件50發(fā)光。EL元件50不容易受到基板51的材料的限制，能夠由單一基板實(shí)現(xiàn)大面積化。
但是，使用上述發(fā)光二極管的平面發(fā)光裝置，為了進(jìn)行大型化，需要多個(gè)發(fā)光二極管，存在成本與其元件數(shù)成比例增長(zhǎng)這一問題。
另外，使用了上述EL元件的平面發(fā)光裝置，雖然在大型化方面不存在問題，從薄型化、高速應(yīng)答性、寬視角、高對(duì)比度等方面來看也總體上優(yōu)于其他顯示器，但發(fā)光效率以及亮度較低，壽命也只有大約1萬小時(shí)左右，實(shí)用上還有問題。另外，通常需要以數(shù)kHz的高頻加載數(shù)百V的交流電壓，不容易進(jìn)行使用通用的薄膜晶體管的有源矩陣方式的驅(qū)動(dòng)，還存在驅(qū)動(dòng)電路高價(jià)化這一問題。
另外，一般EL元件中所使用的CaS:Eu或Y2O3:Mn等無機(jī)熒光體，是在CaS等硫化物或Y2O3等氧化物等無機(jī)化合物的結(jié)晶中，添加Mn等過渡金屬或Eu等稀土類金屬等發(fā)光中心的熒光體。因此，雖然實(shí)現(xiàn)了基于紫外光激勵(lì)的發(fā)光，但另一方面，即使加載電場(chǎng)，電子也難以浸透無機(jī)熒光體中，帶電排斥也強(qiáng)，因此必須使利用高電場(chǎng)被加速的高速電子進(jìn)行沖擊，激勵(lì)無機(jī)熒光體中的發(fā)光中心。因此，通常需要以數(shù)kHz的高頻加載數(shù)百V的交流電壓，存在驅(qū)動(dòng)電路成本增高這一問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于以上問題，目的在于提供一種能夠以數(shù)V～數(shù)十V的低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)(低消耗功率化)，發(fā)光效率較高，能夠通過低成本來大面積化的發(fā)光元件。
本發(fā)明的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件，具有相對(duì)置的一對(duì)電極、以及形成在上述一對(duì)電極之間的一層或多層發(fā)光層，其中至少一層上述發(fā)光層，含有熒光體與寬能帶隙的半導(dǎo)體。
另外，上述發(fā)光層，可以具有熒光體層與寬能帶隙半導(dǎo)體層的層疊結(jié)構(gòu)。
另外，還可以具有夾在上述一對(duì)電極之間的至少一層透明導(dǎo)電體層。上述透明導(dǎo)電體層，可以是層的一部分不連續(xù)的不連續(xù)層。或者也可以是連續(xù)層。
構(gòu)成上述發(fā)光層的上述熒光體層與上述半導(dǎo)體層的至少一層，可以是層的一部分不連續(xù)的不連續(xù)層。這種情況下，可以是半導(dǎo)體層以及熒光體層均是不連續(xù)層的情況、半導(dǎo)體層是連續(xù)層而熒光體層不連續(xù)的情況、半導(dǎo)體層是不連續(xù)層而熒光體層是連續(xù)層的情況、或半導(dǎo)體層以及熒光體層均是連續(xù)層的情況。
另外，上述發(fā)光層可以具有如下的熒光體粒子，即，該熒光體粒子表面的至少一部分被具有寬能帶隙的半導(dǎo)體所覆蓋。
另外，上述發(fā)光層可以具有如下的熒光體粒子，即，該熒光體粒子的大致全表面被具有寬能帶隙的半導(dǎo)體所覆蓋。
另外，上述發(fā)光層，可以是表面的至少一部分被具有寬能帶隙的半導(dǎo)體所覆蓋的上述熒光體粒子分散在基體材料(matrix material)中的發(fā)光層。
另外，上述發(fā)光層，可以是大致全表面被具有寬能帶隙的半導(dǎo)體所覆蓋的上述熒光體粒子分散在基體材料中的發(fā)光層。
另外，上述基體材料可以是透明導(dǎo)電體。
另外，最好使包含在上述發(fā)光層中的上述半導(dǎo)體，具有通過加載電場(chǎng)而產(chǎn)生比藍(lán)色短的波長(zhǎng)區(qū)域的光的能帶隙。上述半導(dǎo)體，可以使用能帶隙為2.0eV以上，更為理想的是2.5eV以上的化合物半導(dǎo)體。例如，第13族—第15族化合物半導(dǎo)體，或它們的混晶，或可以將這些物質(zhì)部分偏析而形成的混合物；第12族—第16族化合物半導(dǎo)體，或它們的混晶，或可以將這些物質(zhì)部分偏析而形成的混合物；第2族—第16族化合物半導(dǎo)體，或它們的混晶，或可以將這些物質(zhì)部分偏析而形成的混合物；第12族—第13族—第16族化合物半導(dǎo)體，或它們的混晶，或可以將這些物質(zhì)部分偏析而形成的混合物；第11族—第13族—第16族化合物半導(dǎo)體，或它們的混晶，或可以將這些物質(zhì)部分偏析而形成的混合物；第12族—第14族—第15族化合物半導(dǎo)體，或它們的混晶，或可以將這些物質(zhì)部分偏析而形成的混合物等中的任一種。
另外，為了使發(fā)光體層中的電子的流動(dòng)更好，最好將Alq3等8-羥基喹啉的金屬配位化合物或噻吩化合物的BMB-2T等非結(jié)晶材料等的電子輸送層，設(shè)置在發(fā)光層與至少一方的電極之間。
為了使通常的EL元件發(fā)光，需要使高加速度電子沖擊熒光體，激勵(lì)起電子束，需要加載數(shù)百V的高電壓。另外，本發(fā)明的電場(chǎng)發(fā)光元件中，首先在低電壓下，能帶隙較大的半導(dǎo)體層或半導(dǎo)體覆蓋層，在波長(zhǎng)300～350nm的紫外區(qū)域到500nm帶的藍(lán)綠色區(qū)域進(jìn)行發(fā)光。更為理想的是在波長(zhǎng)300～350nm的紫外區(qū)域到400nm帶的藍(lán)色區(qū)域進(jìn)行發(fā)光。通過該光激勵(lì)其熒光體層或熒光體粒子，發(fā)光層全體進(jìn)行發(fā)光，因此能夠得到高亮度與高發(fā)光效率。另外，電子流到相鄰的透明導(dǎo)電體層中，誘發(fā)下一次的發(fā)光。由于反復(fù)進(jìn)行該發(fā)光機(jī)制，因此電子的流動(dòng)持續(xù)，實(shí)現(xiàn)了低電壓驅(qū)動(dòng)(低消耗功率)與長(zhǎng)壽命化。
另外，上述一對(duì)電極可以是陽電極與陰電極。這種情況下，在一對(duì)陽電極與陰電極之間加載直流電壓。另外，可以使構(gòu)成發(fā)光層的半導(dǎo)體層的至少一層，比熒光體層更靠近陰電極側(cè)。
另外，本發(fā)明的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件，還可以具有與上述一對(duì)電極中的一方電極相連接的薄膜晶體管。本發(fā)明的電場(chǎng)發(fā)光元件中，由于如上所示驅(qū)動(dòng)電壓為數(shù)V左右的低電壓，因此能夠使用薄膜晶體管。
本發(fā)明的相關(guān)顯示裝置，具有二維排列有上述電場(chǎng)發(fā)光元件的電場(chǎng)發(fā)光元件陣列；在平行于上述電場(chǎng)發(fā)光元件陣列的面的第1方向上互相平行延伸的多個(gè)x電極；以及在平行于上述電場(chǎng)發(fā)光元件陣列的面的與上述第1方向相垂直的第2方向上平行延伸的多個(gè)y電極；上述電場(chǎng)發(fā)光元件陣列的上述薄膜晶體管，與上述x電極以及上述y電極分別相連接。
如上所述，本發(fā)明的電場(chǎng)發(fā)光元件，通過低電壓使能帶隙較大的半導(dǎo)體發(fā)出紫外區(qū)域或藍(lán)色光，該短波長(zhǎng)的光將熒光體激勵(lì)起來，發(fā)光層全體進(jìn)行發(fā)光，因此能夠得到高亮度與高發(fā)光效率。另外，由于基體材料是由透明導(dǎo)電體形成，因此電子的流動(dòng)持續(xù)，實(shí)現(xiàn)了低電壓驅(qū)動(dòng)(低消耗功率)與長(zhǎng)壽命化。另外，由于大面積化也容易實(shí)現(xiàn)，因此還具有低成本的效果。


下面對(duì)照附圖對(duì)本發(fā)明的相關(guān)理想實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，附圖中同一符號(hào)表示同一部件。
圖1為表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件的構(gòu)造的剖面圖。
圖2為表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件的構(gòu)造的剖面圖。
圖3為表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件的構(gòu)造的剖面圖。
圖4為表示本發(fā)明的實(shí)施方式4的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件的構(gòu)造的剖面圖。
圖5為表示以往的電場(chǎng)發(fā)光元件的構(gòu)造的剖面圖。
圖6為表示本發(fā)明的實(shí)施方式5的相關(guān)發(fā)光元件的立體圖。
圖7為使用了本發(fā)明的實(shí)施方式6的相關(guān)發(fā)光元件的顯示裝置的平面概要圖。
圖8為表示本發(fā)明的實(shí)施方式7的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件的構(gòu)造的剖面圖。
圖9表示實(shí)施方式7的另一例，是表示大致全表面被能帶隙較大的半導(dǎo)體所覆蓋的熒光體粒子的剖面構(gòu)造的剖面圖。
圖10為表示本發(fā)明的實(shí)施方式8的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件的構(gòu)造的剖面圖。
圖11為表示本發(fā)明的實(shí)施方式9的相關(guān)發(fā)光元件的立體圖。
圖12為使用了本發(fā)明的實(shí)施方式10的相關(guān)發(fā)光元件的顯示裝置的平面概要圖。
圖13為表示本發(fā)明的實(shí)施方式11的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件的構(gòu)造的剖面圖。
圖14為表示本發(fā)明的實(shí)施方式12的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件的構(gòu)造的剖面圖。
圖15為表示本發(fā)明的實(shí)施方式13的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件的構(gòu)造的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面對(duì)照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件進(jìn)行說明。另外，附圖中給實(shí)質(zhì)上相同的部件標(biāo)注相同的符號(hào)。
(實(shí)施方式1)對(duì)照?qǐng)D1對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件進(jìn)行說明。圖1為說明實(shí)施方式1的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件10的構(gòu)造的剖面圖。該電場(chǎng)發(fā)光元件10為多層結(jié)構(gòu)，在基板11上具有相對(duì)置的一對(duì)陽電極12與陰電極13。另外，在該陽電極12與陰電極13之間，經(jīng)透明導(dǎo)電體層17重復(fù)層疊有由半導(dǎo)體層15與熒光體層16所構(gòu)成的發(fā)光層14。構(gòu)成該發(fā)光層14的半導(dǎo)體層15與熒光體層16是不連續(xù)層，在各個(gè)發(fā)光層14之間的不連續(xù)部分中，填充有透明導(dǎo)電體層17。另外，圖1中發(fā)光層14只顯示了2組，但并不僅限于此，也可以是1組或3組以上。另外，由直流電源在陽電極12與陰電極13之間加載數(shù)V～數(shù)十V的低電壓，通過這樣使電場(chǎng)發(fā)光元件10發(fā)光。另外，陽電極12是透明電極，來自發(fā)光層14的發(fā)光從陽電極12一側(cè)取出。
接下來，對(duì)構(gòu)成該電場(chǎng)發(fā)光元件的各個(gè)部件進(jìn)行說明。
首先，基板11最好是透光性好的石英、玻璃、陶瓷。另外，陽電極12形成在基板11上。作為該陽電極12，最好是透明導(dǎo)電體ITO(在In2O3中摻雜SnO2而得到)、InZnO、氧化錫、氧化鋅等。另外，與陽電極12相對(duì)置設(shè)有陰電極13。陰電極13可以使用Pt或Ir等。另外，還可以是功函數(shù)較低的材料，例如Al、In、Mg、Ti、MgAg、AlLi等。
另外，在陽電極12與陰電極13之間，經(jīng)透明導(dǎo)電體層17重復(fù)層疊有由半導(dǎo)體層15與熒光體層16所構(gòu)成的發(fā)光層14。構(gòu)成該發(fā)光層14的半導(dǎo)體層15與熒光體層16是不連續(xù)層，各個(gè)發(fā)光層14之間的不連續(xù)部分中，填充有透明導(dǎo)電體層17。
上述透明導(dǎo)電體層17最好是ITO、InZnO、氧化錫等。通過這樣能夠防止帶電，防止后繼的電子的排斥，并且不會(huì)遮擋發(fā)光層14中所發(fā)出的光，能夠取光到外部。另外，其他的理想例子，還可以列舉出ZnO、In2O3、Ga2O3等金屬氧化物，以及含有它們的復(fù)合氧化物。另外，作為透明導(dǎo)電體層17還可以使用透明導(dǎo)電性樹脂材料。該透明導(dǎo)電性樹脂材料的理想例子，可以列舉出以聚乙炔類、聚對(duì)亞苯基(polyparaphenylene)、聚亞苯基亞乙烯基(polyphenylenevinylene)、聚苯硫、聚苯醚為代表的聚亞苯基類，以聚吡咯、聚噻吩、聚呋喃、聚硒吩、聚碲吩代表的雜環(huán)聚合物類，以聚苯胺為代表的離子性聚合物類，多并苯類、聚噁二唑類、金屬酞菁類、聚乙烯基類或它們的衍生物、共聚物、混合體等。另外，更為理想的可以列舉出聚-N-乙烯基咔唑(PVK)、聚乙二氧撐噻吩(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸(PPS)、聚甲基苯基硅烷(PMPS)、聚-[2-甲氧基-5-(2-乙基己基氧)-1，4-(1-氰基亞乙烯基)亞苯基](CN-PPV)、喹喔啉等。為了調(diào)整上述材料的導(dǎo)電性，還可以進(jìn)行H2SO4等的摻雜。另外，還可以采用在上述導(dǎo)電性樹脂或非導(dǎo)電性樹脂中，分子分散有后述的低分子類電子輸送性材料的形態(tài)，或?qū)⑵錁?gòu)造組合在分子鏈中的形態(tài)。另外，還可以采用在上述導(dǎo)電性樹脂或非導(dǎo)電性樹脂中分散上述金屬氧化物或復(fù)合金屬氧化物等導(dǎo)電性或半導(dǎo)電性無機(jī)材料，來賦予導(dǎo)電性的形態(tài)。
上述能帶隙較大的半導(dǎo)體層15，最好具有通過加載電場(chǎng)而產(chǎn)生比藍(lán)色短的波長(zhǎng)區(qū)域的光的能帶隙。具體的說，能夠使用能帶隙為2.0eV以上的化合物半導(dǎo)體，更為理想的是能夠使用能帶隙為2.5eV以上的化合物半導(dǎo)體。上述半導(dǎo)體，更理想的是使用例如以下任一種第13族—第15族化合物半導(dǎo)體AlN(能帶隙5.7eV)、AlP(2.4eV)、AlAs(2.2eV)、GaN(3.4eV)、GaP(2.3eV)等，以及它們的混晶(例如AlGaN、AlGaP、AlGaAs、GaInN、GaInP、InGaAlN、InGaAlP等)，或可以部分偏析的上述物質(zhì)的混合物，以及第12族—第16族化合物半導(dǎo)體ZnO(3.2eV)、ZnS(3.7eV)、ZnSe(2.6eV)、ZnTe(2.3eV)、CdO(2.1eV)、CdS(2.5eV)、HgS(2.0eV)等，以及它們的混晶(例如ZnCdS、ZnCdSe、ZnCdTe、ZnSSe、ZnCdSSe、ZnCdSeTe等)，或可以部分偏析的上述物質(zhì)的混合物，以及第2族—第16族化合物半導(dǎo)體BeSe(3.8eV)、BeTe(3.4eV)、MgS(4.5eV)、MgSe(3.6eV)、MgTe(3.2eV)等，以及它們的混晶(例如ZnMgSSe、ZnMgBeSe等)，或可以部分偏析的上述物質(zhì)的混合物，以及作為另例的3元類化合物的，以ZnGa2O4(4.4V)為代表的(Zn、Cd)-(Al、Ga、In)-(O、S、Se)等第12族—第13族—第16族化合物半導(dǎo)體，以及它們的混晶，或可以部分偏析的上述物質(zhì)的混合物，以及第11族—第13族—第16族化合物半導(dǎo)體CuAlS2(3.5eV)、CuAlSe2(2.7eV)、CuAlTe2(2.1eV)、CuGaS2(2.4eV)、AgAlS2(3.1eV)、AgAlSe2(2.6eV)、AgAlTe2(2.3eV)、AgGaS2(2.7eV)等，以及它們的混晶，或可以部分偏析的上述物質(zhì)的混合物，以及第12族—第14族—第15族化合物半導(dǎo)體ZnSiP2(3.0eV)、ZnSiAs2(2.1eV)、ZnGeP2(2.3eV)、CdSiP2(2.5eV)、以及它們的混晶，或可以部分偏析的上述物質(zhì)的混合物。另外，上述化合物只是一例，并不能據(jù)此對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限定。另外，還可以通過在這些化合物半導(dǎo)體中摻雜成為施主與受主的1種或多種雜質(zhì)元素，來調(diào)整能帶隙。例如可以從Li、Na、Cu、Ag、Au、Be、Mg、Zn、Cd、B、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn、Pb、N、P、As、O、S、Se、Te、F、Cl、Br、I、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni等金屬以及非金屬元素、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm等稀土類元素、TbF3、PrF3等氟化物、ZnO以及CdO等氧化物中選擇。
另外，熒光體層16，可以列舉出以上述CaS:Eu為代表的CaS、SrS、CaSe、SrSe等第2族—第16族化合物熒光材料、ZnS、CdS、ZnSe、CdSe、ZnTe等第12族—第16族化合物熒光材料、ZnMgS、CaSSe、CaSrS等上述化合物的混晶、或可以部分偏析的這些物質(zhì)的混合物、以及CaGa2S4、SrGa2S4、BaGa2S4等硫代鎵酸鹽類熒光材料，以及CaAl2S4、SrAl2S4、BaAl2S4等硫代鋁酸鹽類熒光材料，以及Ga2O3、Y2O3、CaO、GeO2、SnO2、ZnO等金屬氧化物熒光材料、以及Zn2SiO4、Zn2GeO4、ZnGa2O4、CaGa2O4、CaGeO3、MgGeO3、Y4GeO8、Y2GeO5、Y2Ge2O7、Y2SiO5、BeGa2O4、Sr3Ga2O6、(Zn2SiO4-Zn2GeO4)、(Ga2O3-Al2O3)、(CaO-Ga2O3)、(Y2O3-GeO2)等多元氧化物熒光材料等。這些熒光材料中，可以將從Mn、Cu、Ti、Cr、Fe、Ni、Ag、Au、Al、Ga、Sn、Pb、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb等中所選擇出的至少一種元素作為活化劑來進(jìn)行活化。另外，該活化劑可以是Cl、I等非金屬元素或TbF3、PrF3等氟化物，另外還能夠?qū)⑵渲械膬煞N以上同時(shí)活化。另外，如果是EL元件中所使用的熒光體，則沒有特別的限定。
如上所述，本實(shí)施方式的電場(chǎng)發(fā)光元件，在低電壓下使能帶隙較大的半導(dǎo)體發(fā)出紫外區(qū)域或藍(lán)色光，該短波長(zhǎng)的光將熒光體粒子激勵(lì)起來，發(fā)光層全體進(jìn)行發(fā)光，因此能夠得到高亮度與高發(fā)光效率。另外，由于基體材料是透明導(dǎo)電體，因此電子的流動(dòng)持續(xù)，實(shí)現(xiàn)了低電壓驅(qū)動(dòng)(低消耗功率)與長(zhǎng)壽命化。另外，由于大面積化也容易實(shí)現(xiàn)，因此還具有低成本的效果。
(實(shí)施方式2)對(duì)照?qǐng)D2對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件20進(jìn)行說明。該電場(chǎng)發(fā)光元件20與實(shí)施方式1的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件相比，不同點(diǎn)在于，構(gòu)成發(fā)光層24的能帶隙較大的半導(dǎo)體層25是連續(xù)層。
(實(shí)施方式3)對(duì)照?qǐng)D3對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式3的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件30進(jìn)行說明。該電場(chǎng)發(fā)光元件30與實(shí)施方式1的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件相比，不同點(diǎn)在于，構(gòu)成發(fā)光層34的能帶隙較大的半導(dǎo)體層35以及熒光體層36均是連續(xù)層。
(實(shí)施方式4)對(duì)照?qǐng)D4對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式4的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件40進(jìn)行說明。該電場(chǎng)發(fā)光元件40與實(shí)施方式1的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件相比，不同點(diǎn)在于，發(fā)光層14與陽電極12之間還設(shè)有電子輸送層18，發(fā)光層14與陰電極13之間還設(shè)有電子輸送層19。通過設(shè)置該電子輸送層，能夠使發(fā)光層中的電子的流動(dòng)更好。
該電子輸送層18、19中，可以使用三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)等8-羥基喹啉的金屬配位化合物或噻吩化合物的5，5’-雙(二基硼烷基)-2，2’-聯(lián)噻吩(BMB-2T)等非晶形材料。另外，作為其他理想例子，低分子材料可以列舉出噁二唑衍生物、三唑衍生物、1，10-菲繞啉衍生物、芴衍生物、醌衍生物、苯乙烯苯衍生物、噻咯衍生物(silolederivative)等，以及它們的二聚體和三聚體。其中優(yōu)選使用2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、2，5-雙(1-萘基)-1，3，4-噁二唑(BND)、2，5-雙[1-(3-甲氧基)-苯基]-1，3，4-噁二唑(BMD)、1，3，5-三[5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(TPOB)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(p-EtTAZ)、4，7-二苯基-1，10-菲繞啉(Bphen)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲繞啉(BCP)、3，5-二甲基-3’，5’-二叔丁基-4，4’-二苯酚合苯醌(MBDQ)、2，5-雙[2-(5-叔丁基苯并噁唑基)]-噻吩(BBOT)、三硝基芴酮(TNF)等。另外，作為高分子類材料，可以列舉出上述的CN-PPV、聚喹喔啉、或在分子鏈中具有顯示電子輸送性的分子結(jié)構(gòu)的低分子類聚合物。也可以是上述這些物質(zhì)的一種或多種混合物，但并不僅限于這些材料。另外，還可以使用n型化合物半導(dǎo)體或及n型氧化物半導(dǎo)體等無機(jī)材料的單晶體、多晶體、以及其粒子粉末的樹脂分散層等。另外，設(shè)置在陽電極12側(cè)的電子輸送層18，還起到空穴阻塞層(holeblock layer)的作用。
另外，上述實(shí)施方式1至4中對(duì)在電極12、13之間加載直流電壓的情況進(jìn)行了說明，但并不僅限于此，還可以加載交流電壓或脈沖電壓。
另外，上述實(shí)施方式1至4中，從發(fā)光元件所獲得的發(fā)光顏色，由構(gòu)成發(fā)光層14的半導(dǎo)體層15與熒光體層16決定，但為了多色顯示、白色顯示、RGB各色的顏色純度調(diào)整，還可以在發(fā)光層14的光取出方向的前方設(shè)置顏色變換層，或在透明導(dǎo)電體層17內(nèi)混合顏色變換材料。顏色變換層以及顏色變換材料，只要能夠以光為激勵(lì)源進(jìn)行發(fā)光就可以，而不管是有機(jī)材料還是無機(jī)材料，可以使用公知的熒光體、顏料、染料等。如果是無機(jī)材料，則可以使用用作上述熒光體層16的材料。另外，作為有機(jī)材料，可以使用萘、苝、紅熒烯、蒽、芘、并四苯等多環(huán)芳香族烴系化合物及其衍生物，香豆素、喹啉、噁二唑、洛芬堿、尼羅紅、4H-亞吡喃基丙二腈、吩噁嗪酮等雜環(huán)芳香族類化合物及其衍生物。另外，作為其他的發(fā)光材料，可以使用花青、氧雜環(huán)戊二烯(oxole)、奧鎓(azulenium)、吡喃鎓等聚甲炔類化合物，雙-(二苯基乙烯基)聯(lián)苯等苯乙烯苯類化合物，葉綠素等卟啉類化合物，羥基喹啉鋁配位化合物、羥基苯基噁唑鋅配位化合物、羥基苯基噻唑鋅配位化合物、甲亞胺金屬配位化合物等鰲合金屬配位化合物，鰲合鑭系元素配位化合物，酚酞、孔雀綠、熒光素、若丹明B、若丹明G等呫噸類化合物，喹吖酮，二酮基吡咯并吡咯，鎂酞菁及其衍生物，但并不限于這些。
另外，上述實(shí)施方式1至4的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件，可以通過刮刀法、熱壓法、HIP法、溶膠凝膠法等陶瓷形成法，或蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、分子束外延(MBE)法等薄膜形成法，以及濕蝕刻或離子蝕刻法等薄膜加工法，或旋涂法，噴墨法等制作。
(實(shí)施方式5)對(duì)照?qǐng)D6對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式5的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件60進(jìn)行說明。圖6為說明該電場(chǎng)發(fā)光元件60的電極構(gòu)成的立體圖。該發(fā)光元件60，還具有與實(shí)施方式1的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件10的陽電極12相連接的薄膜晶體管62。薄膜晶體管62中，連接有x電極64與y電極66。該發(fā)光元件60中，由于寬能帶隙的半導(dǎo)體層15與熒光體層16相鄰層疊，因此即使低電壓驅(qū)動(dòng)，也能夠由半導(dǎo)體層15的藍(lán)色發(fā)光或紫外線發(fā)光對(duì)熒光體層16進(jìn)行激勵(lì)，因此能夠使用薄膜晶體管62。另外，通過使用薄膜晶體管62，能夠使電場(chǎng)發(fā)光元件60具有存儲(chǔ)器功能。該薄膜晶體管62，可以使用低溫多晶硅或非晶硅薄膜晶體管等。另外，還可以是由含有有機(jī)材料的薄膜所構(gòu)成的有機(jī)薄膜晶體管。
(實(shí)施方式6)對(duì)照?qǐng)D7對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式6的相關(guān)顯示裝置進(jìn)行說明。圖7為表示由該顯示裝置70的互相垂直的x電極64與y電極66所構(gòu)成的有源矩陣的概要俯視圖。該顯示裝置70，是具有薄膜晶體管的有源矩陣式顯示裝置。該有源矩陣式顯示裝置70，具有由設(shè)有圖6中所示的薄膜晶體管62的多個(gè)電場(chǎng)發(fā)光元件60二維排列而成的發(fā)光元件陣列、在平行于該電場(chǎng)發(fā)光元件陣列的面的第1方向上互相平行延伸的多個(gè)x電極64、以及與該發(fā)光元件陣列的面平行的垂直于第1方向的第2方向上平行延伸的多個(gè)y電極66。該發(fā)光元件陣列的薄膜晶體管62，分別與x電極64以及y電極66相連接。由一對(duì)x電極64與y電極66所確定的發(fā)光元件為1個(gè)像素。根據(jù)該有源矩陣式顯示裝置70，如上所述，構(gòu)成各個(gè)像素的發(fā)光元件的熒光體層16，與具有寬能帶隙的半導(dǎo)體層15相鄰層疊。通過這樣，即使低電壓驅(qū)動(dòng)，也能夠使具有寬能帶隙的半導(dǎo)體層15發(fā)出藍(lán)色光或紫外線，從而使熒光體層16發(fā)光。由于能夠像這樣低電壓驅(qū)動(dòng)，因此能夠使用薄膜晶體管62，利用存儲(chǔ)器效果。另外，由于低電壓驅(qū)動(dòng)，因此能夠得到一種壽命長(zhǎng)的顯示裝置。另外，在為彩色顯示裝置的情況下，可以將發(fā)光層以RGB各色按顏色區(qū)分并成膜?；蛘咭部梢詫盈B被電極所夾持的RGB各色的每一個(gè)發(fā)光單元。另外，在另一例彩色顯示裝置的情況下，可以在通過單色或2色發(fā)光層制作出顯示裝置之后，使用彩色濾光片和/或顏色變換濾光片，顯示RGB各色。
(實(shí)施方式7)對(duì)照?qǐng)D8對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式7的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件80進(jìn)行說明。圖8為說明該電場(chǎng)發(fā)光元件80的構(gòu)造的剖面圖。該電場(chǎng)發(fā)光元件80為多層結(jié)構(gòu)，在基板81上具有相對(duì)置的一對(duì)陽電極82與陰電極87，以及形成在該陽電極82與陰電極87之間的一層發(fā)光層83。由直流電源在陽電極82與陰電極87之間加載數(shù)V～數(shù)十V的低電壓。另外，陽電極82是透明電極，來自發(fā)光層83的發(fā)光從陽電極82側(cè)取出。
另外，陽電極82上形成有發(fā)光層83。該發(fā)光層83，是在透明導(dǎo)電體84所構(gòu)成的基體材料中分散有熒光體粒子86的材料。熒光體粒子86，其表面的至少一部分被能帶隙較大的半導(dǎo)體85所覆蓋，最好是化學(xué)吸附。另外，如圖9所示，用上述半導(dǎo)體85將熒光體粒子86的大致全表面覆蓋則更加理想。通過像這樣覆蓋大致全表面，在熒光體粒子86的防濕中有很好效果。另外，關(guān)于構(gòu)成該電場(chǎng)發(fā)光元件80的透明導(dǎo)電體84、熒光體粒子86、覆蓋熒光體粒子86的半導(dǎo)體85，分別與構(gòu)成實(shí)施方式1的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件10的透明導(dǎo)電層17、熒光體層16、半導(dǎo)體層15實(shí)質(zhì)上相同，省略其詳細(xì)說明。另外，關(guān)于該電場(chǎng)發(fā)光元件80的其他構(gòu)成部件，也與實(shí)施方式1的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件10實(shí)質(zhì)上相同，省略詳細(xì)說明。
如上所述，本實(shí)施方式的電場(chǎng)發(fā)光元件，用低電壓使能帶隙較大的半導(dǎo)體發(fā)出紫外區(qū)域或藍(lán)色光，該短波長(zhǎng)的光將熒光體粒子激勵(lì)起來，發(fā)光層全體進(jìn)行發(fā)光，因此能夠得到高亮度與高發(fā)光效率。另外，由于基體材料是透明導(dǎo)電體，因此電子的流動(dòng)持續(xù)，實(shí)現(xiàn)了低電壓驅(qū)動(dòng)(低消耗功率)與長(zhǎng)壽命化。另外，由于大面積化也容易實(shí)現(xiàn)，因此還具有低成本的效果。
(實(shí)施方式8)對(duì)照?qǐng)D10對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式8的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件100進(jìn)行說明。圖10為說明該電場(chǎng)發(fā)光元件的構(gòu)造的剖面圖。該電場(chǎng)發(fā)光元件100與實(shí)施方式7的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件80相比，不同點(diǎn)在于，發(fā)光層83與陽電極82之間還設(shè)有電子輸送層88，發(fā)光層83與陰電極87之間還設(shè)有電子輸送層89。該電子輸送層88、89，是為了使發(fā)光層83中的電子的流動(dòng)更好而設(shè)置的。另外，構(gòu)成該電場(chǎng)發(fā)光元件100的電子輸送層88、89，與構(gòu)成實(shí)施方式4的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件40的電子輸送層18、19實(shí)質(zhì)上相同，省略詳細(xì)說明。
另外，上述實(shí)施方式7以及8中對(duì)在電極82、87之間加載直流電壓的情況進(jìn)行了說明，但并不僅限于此，還可以加載交流電壓或脈沖電壓。
另外，上述實(shí)施方式7以及8的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件，可以通過刮刀法、熱壓法、HIP法、溶膠凝膠法等陶瓷形成法，或蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、分子束外延(MBE)法等薄膜形成法，或旋涂法，噴墨法等制作。
(實(shí)施方式9)對(duì)照?qǐng)D11對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式9的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件110進(jìn)行說明。圖11是表示該電場(chǎng)發(fā)光元件110的電極構(gòu)造的立體圖。該電場(chǎng)發(fā)光元件110，還具有與實(shí)施方式7的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件80的陽電極82相連接的薄膜晶體管112。薄膜晶體管112中，連接有x電極114與y電極116。該發(fā)光元件110中，由于用寬能帶隙的半導(dǎo)體層85覆蓋熒光體粒子86，因此能夠低電壓驅(qū)動(dòng)，能夠使用薄膜晶體管112。另外，通過使用薄膜晶體管112，能夠使電場(chǎng)發(fā)光元件110具有存儲(chǔ)器功能。該薄膜晶體管112，可以使用低溫多晶硅或非晶硅薄膜晶體管等。另外，還可以是由含有有機(jī)材料的薄膜所構(gòu)成的有機(jī)薄膜晶體管。
(實(shí)施方式10)
對(duì)照?qǐng)D12對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式10的相關(guān)顯示裝置120進(jìn)行說明。圖12為表示由該顯示裝置120的互相垂直的x電極114與y電極116所構(gòu)成的有源矩陣的概要俯視圖。該顯示裝置120，是具有薄膜晶體管的有源矩陣式顯示裝置。該有源矩陣式顯示裝置120，具有由設(shè)有圖11中所示的薄膜晶體管112的多個(gè)電場(chǎng)發(fā)光元件110二維排列而成的發(fā)光元件陣列、在平行于該電場(chǎng)發(fā)光元件陣列的面的第1方向上互相平行延伸的多個(gè)x電極114、以及與該發(fā)光元件陣列的面平行且垂直于第1方向的第2方向上平行延伸的多個(gè)y電極116。該發(fā)光元件陣列的薄膜晶體管112，分別與x電極114以及y電極116相連接。由一對(duì)x電極114與y電極116所確定的發(fā)光元件為1個(gè)像素。根據(jù)該有源矩陣式顯示裝置120，如上所述，構(gòu)成各個(gè)像素的發(fā)光元件的發(fā)光層83中，在表面上覆蓋了具有寬能帶隙的半導(dǎo)體85的熒光體粒子86分散在透明導(dǎo)電體84的基體材料中。通過這樣，即使低電壓驅(qū)動(dòng)，也能夠使具有寬能帶隙的半導(dǎo)體層85發(fā)出藍(lán)色光或紫外線，從而使熒光體粒子86發(fā)光。由于能夠像這樣低電壓驅(qū)動(dòng)，因此能夠使用薄膜晶體管，能夠利用存儲(chǔ)器效果。另外，由于低電壓驅(qū)動(dòng)，因此能夠得到一種長(zhǎng)壽命的顯示裝置。另外，在為彩色顯示裝置的情況下，可以將發(fā)光層以RGB各色按顏色區(qū)分并成膜?；蛘呖梢詫盈B被電極所夾持的RGB各色的每一個(gè)發(fā)光單元。另外，在另一例彩色顯示裝置的情況下，可以在通過單色或2色發(fā)光層制作出顯示裝置之后，使用彩色濾光片和/或顏色變換濾光片，顯示RGB各色。
(實(shí)施方式11)對(duì)照?qǐng)D13對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式11的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件130進(jìn)行說明。圖13為表示該電場(chǎng)發(fā)光元件130的構(gòu)造的剖面圖。該電場(chǎng)發(fā)光元件130為多層結(jié)構(gòu)，在基板131上具有相對(duì)置的一對(duì)第1電極132與第2電極137，以及形成在該第1電極132與第2電極137之間的一層發(fā)光層133。由交流電源在第1電極132與第2電極137之間加載數(shù)十V的低電壓。
另外，發(fā)光層133，是在由透明導(dǎo)電體134所構(gòu)成的基體材料中分散有熒光體粒子136的材料。熒光體粒子136，最好其表面的至少一部分被能帶隙較大的半導(dǎo)體135所覆蓋，最好是化學(xué)吸附。另外，用上述半導(dǎo)體135將熒光體粒子136的大致全表面覆蓋則更加理想。通過像這樣覆蓋大致全表面，在熒光體粒子136的防濕中有很好效果。
另外，構(gòu)成該電場(chǎng)發(fā)光元件130的透明導(dǎo)電體134，可以使用透明導(dǎo)電性樹脂。透明導(dǎo)電性樹脂，雖然與上述透明導(dǎo)電體層17以及作為透明導(dǎo)電體84之一例的ITO、InZnO、氧化錫等相比導(dǎo)電性較差，但不容易產(chǎn)生針孔等缺陷，耐壓性很理想。即使作用數(shù)十V～百數(shù)十V的交流電壓，也能夠得到穩(wěn)定的元件特性。另外，該透明導(dǎo)電性樹脂的理想例子，由于與實(shí)施方式1的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件10的透明導(dǎo)電體層17所使用的材料實(shí)質(zhì)上相同，因此省略了詳細(xì)說明。另外，關(guān)于該電場(chǎng)發(fā)光元件130的其他構(gòu)成部件，分別與實(shí)施方式7的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件80實(shí)質(zhì)上相同，省略詳細(xì)說明。另外，該電場(chǎng)發(fā)光元件130的構(gòu)成中，第1電極132是透明電極，從該第1電極132側(cè)取出光。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的電場(chǎng)發(fā)光元件，使能帶隙較大的半導(dǎo)體發(fā)出紫外區(qū)域或藍(lán)色光，該短波長(zhǎng)的光將熒光體粒子激勵(lì)起來，發(fā)光層全體進(jìn)行發(fā)光，因此能夠得到高亮度與高發(fā)光效率。另外，由于大面積化也容易實(shí)現(xiàn)，因此還具有低成本的效果。
(實(shí)施方式12)對(duì)照?qǐng)D14對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式12的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件140進(jìn)行說明。圖14為表示該電場(chǎng)發(fā)光元件140的構(gòu)造的剖面圖。該電場(chǎng)發(fā)光元件140與實(shí)施方式11的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件130相比，不同點(diǎn)在于，在基體材料中還分散有由能帶隙較大的半導(dǎo)體所構(gòu)成的微粒子138。因此，與上述實(shí)施方式一樣，能夠提供一種高亮度且高發(fā)光效率的電場(chǎng)發(fā)光元件。另外，由于大面積化也容易，因此還具有低成本的效果。另外，在發(fā)光層133內(nèi)，還可以含有表面的至少一部分被能帶隙較大的半導(dǎo)體135所覆蓋的熒光體粒子136。另外，關(guān)于該電場(chǎng)發(fā)光元件140的各個(gè)構(gòu)成部件，與實(shí)施方式11的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件130實(shí)質(zhì)上相同，省略詳細(xì)說明。
另外，上述實(shí)施方式11以及12中對(duì)在電極132、137之間加載交流電壓的情況進(jìn)行了說明，但并不僅限于此，還可以加載直流電壓或脈沖電壓。
另外，上述實(shí)施方式11以及12的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件，可以通過刮刀法、熱壓法、HIP法、溶膠凝膠法等陶瓷形成法，或蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、分子束外延(MBE)法等薄膜形成法，或旋涂法，噴墨法等制作。
(實(shí)施方式13)
對(duì)照?qǐng)D15對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式13的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件150進(jìn)行說明。圖15為表示該電場(chǎng)發(fā)光元件150的構(gòu)造的剖面圖。該電場(chǎng)發(fā)光元件150為多層結(jié)構(gòu)，在基板151上具有相對(duì)置的一對(duì)陽電極152與陰電極154，以及形成在該陽電極152與陰電極154之間的一層發(fā)光層153。由直流電源在陽電極152與陰電極154之間加載數(shù)V～數(shù)十V的低電壓。另外，陽電極152是透明電極，來自發(fā)光層153的發(fā)光從陽電極152側(cè)發(fā)出。
另外，發(fā)光層153，由熒光體材料與能帶隙較大的半導(dǎo)體材料構(gòu)成，通過共蒸鍍進(jìn)行成膜。因此，如上述實(shí)施方式一樣，能夠提供一種高亮度且高發(fā)光效率的電場(chǎng)發(fā)光元件。另外，由于大面積化也容易，因此還具有低成本的效果。另外，關(guān)于該電場(chǎng)發(fā)光元件150的各個(gè)構(gòu)成部件，與實(shí)施方式1的相關(guān)電場(chǎng)發(fā)光元件10實(shí)質(zhì)上相同，省略詳細(xì)說明。
另外，上述實(shí)施方式13中對(duì)在電極152、154之間加載直流電壓的情況進(jìn)行了說明，但并不僅限于此，還可以加載交流電壓或脈沖電壓。
另外，上述實(shí)施方式7、8以及11至13中，從發(fā)光元件所取出的發(fā)光顏色，是由發(fā)光層83、133以及153中的熒光體材料與半導(dǎo)體材料所決定，但為了多色顯示、白色顯示、RGB各色的顏色純度調(diào)整等，還可以在該發(fā)光層的光取出方向的前方設(shè)置顏色變換層，或在該發(fā)光層中混合顏色變換材料。
以上通過理想的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，但本發(fā)明并不僅限于此，在技術(shù)方案所記載的本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)，可以有很多理想的變形例以及修正例，這一點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是不言而喻的。
權(quán)利要求
1.一種電場(chǎng)發(fā)光元件，具有相對(duì)置的一對(duì)電極，與形成在上述一對(duì)電極之間的一層或多層發(fā)光層，其中至少一層上述發(fā)光層中含有熒光體與寬能帶隙的半導(dǎo)體。
2.如權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述發(fā)光層，具有熒光體層與寬能帶隙半導(dǎo)體層的層疊結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中還具有夾在上述一對(duì)電極之間的至少一層透明導(dǎo)電體層。
4.如權(quán)利要求3所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述透明導(dǎo)電體層，是層的一部分不連續(xù)的不連續(xù)層。
5.如權(quán)利要求2～4中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中構(gòu)成上述發(fā)光層的上述熒光體層與上述半導(dǎo)體層的至少一層，是層的一部分不連續(xù)的不連續(xù)層。
6.如權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述發(fā)光層具有熒光體粒子，且該熒光體粒子表面的至少一部分被具有寬能帶隙的半導(dǎo)體所覆蓋。
7.如權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述發(fā)光層具有熒光體粒子，且該熒光體粒子的大致全表面被具有寬能帶隙的半導(dǎo)體所覆蓋。
8.如權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述發(fā)光層中，表面的至少一部分被具有寬能帶隙的半導(dǎo)體所覆蓋的上述熒光體粒子分散在基體材料中。
9.如權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述發(fā)光層中，大致全表面被具有寬能帶隙的半導(dǎo)體所覆蓋的上述熒光體粒子分散在基體材料中。
10.如權(quán)利要求8或9所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述基體材料是透明導(dǎo)電體。
11.如權(quán)利要求1～10中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中構(gòu)成上述發(fā)光層的上述半導(dǎo)體，具有通過加載電場(chǎng)而產(chǎn)生比藍(lán)色短的波長(zhǎng)區(qū)域的光的能帶隙。
12.如權(quán)利要求1～10中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中構(gòu)成上述發(fā)光層的上述半導(dǎo)體，具有2.0eV以上的能帶隙。
13.如權(quán)利要求1～10中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中構(gòu)成上述發(fā)光層的上述半導(dǎo)體，具有2.5eV以上的能帶隙。
14.如權(quán)利要求11～13中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述半導(dǎo)體，以第13族-第15族化合物半導(dǎo)體、或它們的混晶、或可以將這些物質(zhì)部分偏析而形成的混合物作為主要成分。
15.如權(quán)利要求11～13中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述半導(dǎo)體，以第12族-第16族化合物半導(dǎo)體、或它們的混晶、或可以將這些物質(zhì)部分偏析而形成的混合物作為主要成分。
16.如權(quán)利要求11～13中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述半導(dǎo)體，以第2族-第16族化合物半導(dǎo)體、或它們的混晶、或可以將這些物質(zhì)部分偏析而形成的混合物作為主要成分。
17.如權(quán)利要求11～13中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述半導(dǎo)體，以第12族-第13族-第16族化合物半導(dǎo)體、或它們的混晶、或可以將這些物質(zhì)部分偏析而形成的混合物作為主要成分。
18.如權(quán)利要求11～13中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述半導(dǎo)體，以第11族-第13族-第16族化合物半導(dǎo)體、或它們的混晶、或可以將這些物質(zhì)部分偏析而形成的混合物作為主要成分。
19.如權(quán)利要求11～13中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述半導(dǎo)體，以第12族-第14族-第15族化合物半導(dǎo)體、或它們的混晶、或可以將這些物質(zhì)部分偏析而形成的混合物作為主要成分。
20.如權(quán)利要求1～19中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中在上述發(fā)光層與至少一方的上述電極之間，還設(shè)有電子輸送層。
21.如權(quán)利要求1～20中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中上述一對(duì)電極是陽電極與陰電極。
22.如權(quán)利要求21所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中構(gòu)成上述發(fā)光層的至少一層上述半導(dǎo)體層，比上述熒光體層更靠近上述陰電極側(cè)。
23.如權(quán)利要求1～22中任意一項(xiàng)所述的電場(chǎng)發(fā)光元件，其中還具有與上述一對(duì)電極中的一方電極相連接的薄膜晶體管。
24.一種顯示裝置，其中，具有二維排列有權(quán)利要求23所述的電場(chǎng)發(fā)光元件的電場(chǎng)發(fā)光元件陣列；在平行于上述電場(chǎng)發(fā)光元件陣列的面的第1方向上互相平行延伸的多個(gè)x電極；以及在平行于上述電場(chǎng)發(fā)光元件陣列的面且與上述第1方向相垂直的第2方向上平行延伸的多個(gè)y電極，上述電場(chǎng)發(fā)光元件陣列的上述薄膜晶體管，與上述x電極以及上述y電極分別相連接。
全文摘要
電場(chǎng)發(fā)光元件(10)，具有相對(duì)置的一對(duì)陽電極(12)以及陰電極(13)，以及形成在上述一對(duì)陽電極與陰電極之間的一層或多層發(fā)光層(14)，至少一層上述發(fā)光層，由熒光體層(16)與寬能帶隙的半導(dǎo)體層(15)構(gòu)成。構(gòu)成上述發(fā)光層的上述半導(dǎo)體層或上述熒光體層，可以是層的一部分不連續(xù)的不連續(xù)層。
文檔編號(hào)C09K11/00GK1817065SQ20048001878
公開日2006年8月9日 申請(qǐng)日期2004年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月2日
發(fā)明者名古久美男, 小田桐優(yōu), 小野雅行, 堀賢哉 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社