專利名稱：磁頭與介質(zhì)界面電荷的測(cè)量與中和的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及磁硬盤驅(qū)動(dòng)器。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及磁頭與磁存儲(chǔ)介質(zhì)界面電荷的測(cè)量與中和的方法。
硬盤驅(qū)動(dòng)器是常用的信息存儲(chǔ)裝置，基本由可以被磁讀和寫元件訪問(wèn)的一系列可旋轉(zhuǎn)盤組成。一般稱為轉(zhuǎn)換器的這些數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換元件典型地由滑觸頭體攜載并被嵌入滑觸頭體，滑觸頭體被裝在磁盤上形成的離散的數(shù)據(jù)磁道上方相對(duì)近的位置以允許實(shí)現(xiàn)讀或?qū)懖僮?。為了將轉(zhuǎn)換器關(guān)于磁盤表面進(jìn)行適當(dāng)?shù)囟ㄎ唬诨|頭體上形成的空氣承載面(ABS)會(huì)受到流態(tài)空氣流的作用，流態(tài)空氣流提供足夠的提升力，使滑觸頭和轉(zhuǎn)換器“飄浮”于所述盤的數(shù)據(jù)磁道之上。磁盤的高速旋轉(zhuǎn)會(huì)在基本平行于該盤的切向速度的方向上沿著它的表面產(chǎn)生氣流或風(fēng)的流束。該氣流將與使滑觸頭能夠飄浮于旋轉(zhuǎn)的盤之上的滑觸頭體的ABS接合。實(shí)際上，通過(guò)這種自激的空氣承載，懸浮的滑觸頭與盤表面物理地分離。
ABS設(shè)計(jì)中的部分主要目標(biāo)是使滑觸頭和它的相伴的轉(zhuǎn)換器盡可能近地飄浮于旋轉(zhuǎn)盤的表面，并且無(wú)論漂浮條件如何變化，始終保持恒定接近的距離?？諝獬休d滑觸頭與自旋磁盤之間的高度或分離間隙被一般被定義為漂浮高度。通常，所安裝的轉(zhuǎn)換器或讀/寫元件漂浮于旋轉(zhuǎn)盤表面之上僅大約幾納米。滑觸頭的漂浮高度被認(rèn)為是影響所安裝的讀/寫元件的磁盤讀和記錄能力的最關(guān)鍵的參數(shù)之一。相對(duì)小的漂浮高度允許轉(zhuǎn)換器獲得盤表面上不同數(shù)據(jù)位的位置間的更高分辨率，從而，提高數(shù)據(jù)密度和存儲(chǔ)容量。隨著利用相對(duì)小而又功能強(qiáng)的盤驅(qū)動(dòng)器的輕便和緊湊的筆記本型電腦的日益流行，對(duì)逐漸更低的漂浮高度的需要已經(jīng)在不斷增長(zhǎng)。
如圖1所示，用一對(duì)沿面向盤的滑觸頭表面的外緣延伸的平行軌道2和4可以形成用于普通筏形滑觸頭5的已知的ABS設(shè)計(jì)。還開(kāi)發(fā)出了具有各種表面面積與幾何形狀的、包括3個(gè)或更多另外的軌道的其他ABS構(gòu)造。兩個(gè)軌道2和4典型地沿著滑觸頭體長(zhǎng)度從前緣6至尾緣8的至少一部分運(yùn)行。如所示的，可以使前緣6變尖，而不管與這種加工處理典型相關(guān)聯(lián)的大的不希望有的公差。轉(zhuǎn)換器或者磁元件7被典型地安裝在沿著如圖1所示的滑觸頭的尾緣8的某個(gè)位置。軌道2和4形成空氣承載面，滑觸頭飄浮在空氣承載面上，并且一旦與由自旋的盤所產(chǎn)生的氣流相接觸，就提供必要的提升力。隨著盤的旋轉(zhuǎn)，所產(chǎn)生風(fēng)或氣流沿著下面的筏形滑觸頭軌道2和4或者在筏形滑觸頭軌道2和4之間運(yùn)行。由于氣流通過(guò)軌道2和4下方，軌道與盤之間的氣壓增大，從而提供正的增壓和提升力。筏形滑觸頭通?？梢援a(chǎn)生足夠量的提升力或正的載荷力，使滑觸頭飄浮于旋轉(zhuǎn)的盤之上適當(dāng)?shù)母叨?。在沒(méi)有軌道2和4時(shí)，滑觸頭體5的大表面積將產(chǎn)生過(guò)大的空氣承載面面積。通常，隨著空氣承載面面積的增大，產(chǎn)生的提升力的量也增大。如果沒(méi)有軌道，滑觸頭將因此飄浮得離旋轉(zhuǎn)的盤太遠(yuǎn)，從而將放棄前述的具有低飄浮高度的所有所述的好處。
如圖2所示，頭部萬(wàn)向節(jié)組件40通常給滑觸頭提供多重自由度，諸如垂直間距、或傾角和旋轉(zhuǎn)角，其描述滑觸頭的飄浮高度。如圖2所示，懸架74將HGA 40保持在運(yùn)動(dòng)著的盤76(具有緣70)之上，并在由箭頭80指示的方向上運(yùn)動(dòng)。在圖2所示的盤驅(qū)動(dòng)器的操作中，致動(dòng)器72(如音圈電動(dòng)機(jī)(VCM))使HGA在弧線75上移過(guò)盤76的各種直徑(例如，內(nèi)徑(ID)、中徑(MD)和外徑(OD))。
在磁頭和盤界面的電荷會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的摩擦及可靠性問(wèn)題，諸如潤(rùn)滑退化、頭-盤間距改變、以及磁性傳感器的靜電損害。隨著為了更高的記錄密度而使頭-盤之間的間距變得更小，存在增大的頭-盤交互作用的機(jī)會(huì)，因此，由于摩擦帶電效應(yīng)在頭-盤界面會(huì)產(chǎn)生更多電荷。
考慮到上述情況，需要一種測(cè)量和減少在磁性讀/寫頭上累積的電荷的系統(tǒng)與方法。


圖1是本領(lǐng)域已知的帶有讀/寫頭的滑觸頭裝置的透視圖。
圖2是本領(lǐng)域已知的盤驅(qū)動(dòng)裝置的透視圖。
圖3提供按照本發(fā)明的實(shí)施例的頭盤界面(HDI)電荷測(cè)量設(shè)備的圖示。
圖4提供說(shuō)明按照本發(fā)明的實(shí)施例的HDI電荷測(cè)量處理的流程圖。
圖5提供說(shuō)明按照本發(fā)明的實(shí)施例的HDI電荷測(cè)量讀數(shù)的曲線圖。
圖6提供比較按照本發(fā)明的實(shí)施例的未涂覆磁頭與涂覆磁頭的HDI電荷測(cè)量讀數(shù)的曲線圖。
圖7提供按照本發(fā)明的實(shí)施例的HDI電荷防護(hù)涂層應(yīng)用的圖示。
圖8提供說(shuō)明按照本發(fā)明的實(shí)施例的供應(yīng)用HDI電荷防護(hù)涂層使用的汽相沉積處理的流程圖。
圖9提供按照本發(fā)明的實(shí)施例的供應(yīng)用HDI電荷防護(hù)涂層使用的液體浸沒(méi)系統(tǒng)的圖示。
圖10提供說(shuō)明按照本發(fā)明的實(shí)施例的供應(yīng)用HDI電荷防護(hù)涂層使用的液體浸沒(méi)處理的流程圖。
圖11提供說(shuō)明按照本發(fā)明實(shí)施例的供選擇的HDI電荷防護(hù)涂層的HDI電荷測(cè)量讀數(shù)的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
公開(kāi)了用于測(cè)量與中和在磁頭與磁性存儲(chǔ)介質(zhì)(諸如盤)的界面上的電荷的系統(tǒng)與方法。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)在讀取先前寫入盤的信號(hào)時(shí)向頭施加變化的外部電荷，可以測(cè)量頭-盤界面的電荷。在另外的實(shí)施例中，給磁頭施加表面處理材料以中和磁頭上的電荷。表面處理材料可與磁性存儲(chǔ)介質(zhì)的表面材料相匹配。在另外的實(shí)施例中，兩者的材料可以是碳氟化合物，諸如Fomblin Z-衍生物、氟化的烷基-三氯硅烷、氟化的烷基-三烷氧基硅烷和氟化的表面活性劑。在一個(gè)實(shí)施例中，表面處理材料可以通過(guò)汽相沉積處理或通過(guò)液體浸沒(méi)處理施加給磁頭。
按照本發(fā)明的實(shí)施例，用于確定頭-盤界面(HDI)電荷的處理使用通過(guò)向磁頭施加外部電壓引起的存儲(chǔ)的信號(hào)的讀數(shù)的變化。圖3說(shuō)明HDI電荷測(cè)量設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例。在一個(gè)實(shí)施例中，磁頭300從諸如盤310的磁性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)中讀取數(shù)據(jù)并向磁性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)寫入數(shù)據(jù)。在另外的實(shí)施例中，磁頭300向前置放大器320發(fā)送信號(hào)，前置放大器320在向處理單元330發(fā)送該信號(hào)以供處理數(shù)據(jù)之前對(duì)該信號(hào)進(jìn)行放大。在另一個(gè)實(shí)施例中，盤310在與地350耦合的軸340上旋轉(zhuǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，磁頭300與地350隔離。磁頭300還通過(guò)隔離的懸式裝置370耦合到可變的電荷或電壓源360。
圖4以流程圖說(shuō)明HDI電荷測(cè)量處理的一個(gè)實(shí)施例。通過(guò)相對(duì)于盤310嚙合磁頭300(塊410)處理開(kāi)始(塊400)。磁頭300向盤310上的一個(gè)或多個(gè)磁道寫入信號(hào)(塊420)。一旦被寫到表面，該信號(hào)還可以用作寫操作期間的頭-盤間距的指示器。然后，磁頭300在來(lái)自電源360的外部電壓為零的條件下從盤310讀回信號(hào)(塊430)。然后，磁頭300以由電壓源360所施加的不同外部電壓讀取在盤310上寫入的信號(hào)(塊440)。在一個(gè)實(shí)施例中，依據(jù)頭300與盤310之間的實(shí)際間距，外部電壓可以從-5至+5伏特而變化。在使用了一組外部電壓數(shù)之后，處理結(jié)束(塊450)。
圖5說(shuō)明由按照本發(fā)明的實(shí)施例的HDI電荷測(cè)量處理產(chǎn)生的HDI電荷測(cè)量的曲線圖。在曲線圖中，以微英寸計(jì)的50％脈沖寬度(PW50)對(duì)以伏特計(jì)的電壓繪圖。通過(guò)測(cè)量當(dāng)脈沖在上升坡的振幅的50％與當(dāng)脈沖在下降坡的振幅的50％之間的距離，而得到50％脈沖寬度(PW50)。在不存在HDI電荷的實(shí)施例中，由于減小了頭-盤界面的間距，向磁頭300施加正電壓或負(fù)電壓時(shí)PW50應(yīng)該降低。在一個(gè)實(shí)施例中，頭-盤界面與電荷之間的關(guān)系可以被模擬為準(zhǔn)平行電容器，其中頭-盤間距(d)、施加的電壓(V)和吸引力(f)的關(guān)系遵循方程式f＝kV2/d2，其中k為常量。這種關(guān)系的結(jié)果是，作用在頭上的力達(dá)到平衡后，間距d隨著V的增加而減小。從本實(shí)施例的曲線圖可以看出，當(dāng)施加負(fù)電壓直到達(dá)到最大點(diǎn)500，PW50增加，在最大點(diǎn)500處PW50開(kāi)始下降。由于盤表面呈現(xiàn)負(fù)電荷，最大點(diǎn)500偏移0電壓位置。這種負(fù)電荷將排斥相對(duì)的磁頭表面的相同電荷，或消除相對(duì)表面的充電效應(yīng)，從而導(dǎo)致PW50增加。當(dāng)這種負(fù)電荷被外部電荷/電壓克服后，PW50然后隨著施加的電壓再次下降。在一個(gè)實(shí)施例中，HDI電荷被作為對(duì)應(yīng)于PW50峰值的電壓而給出。在備選的實(shí)施例中，HDI電荷被作為給定的絕對(duì)電壓的PW50的增量(delta)而給出。描述PW50與電壓的曲線的不對(duì)稱性的一種方式是，將該增量任意地定義為在+2V處的PW50與-2V處的PW50之間的差。PW50增量越大，PW50對(duì)電壓的曲線越不對(duì)稱。
在一個(gè)實(shí)施例中，HDI電荷是由在盤310表面存在的為保護(hù)盤表面以防止接觸阻力和機(jī)械磨損的潤(rùn)滑劑所導(dǎo)致的。通常使用的潤(rùn)滑劑為氟化碳，諸如Fomblin Z衍生物。由于存在氟，氟化碳對(duì)電子有高親合力。在盤的制造過(guò)程中或在磁頭的卸除過(guò)程中，摩擦盤表面時(shí)，摩擦帶電過(guò)程會(huì)產(chǎn)生電子及正離子。由于它對(duì)電子的高親合力，氟化的聚合物會(huì)吸引電子，于是表現(xiàn)為負(fù)電荷/電勢(shì)。而且，由于氟化的聚合物為介電材料，聚集的負(fù)電荷無(wú)法迅速地通過(guò)盤襯底消散。而是通過(guò)來(lái)自環(huán)境中的帶有正電荷的分子的吸收而逐漸被中和。然而，飄浮在盤上方的頭產(chǎn)生子環(huán)境(sub-ambient)壓力，導(dǎo)致吸收的分子被迅速蒸發(fā)而使得恢復(fù)負(fù)電荷效應(yīng)。盤表面上的負(fù)電荷在磁頭上感應(yīng)起正電荷，形成在頭與盤之間具有吸引力的準(zhǔn)平行電容器。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)在磁頭上涂覆與盤上的涂層相同或相似的材料的薄層，當(dāng)兩個(gè)表面在盤驅(qū)動(dòng)器的HDI中聚集在一起時(shí)，使它們展示出同號(hào)的電荷，這就被抵消掉了。由于相同或相似的表面電荷，頭和盤間的引力可以被減到最小或被消除。圖6用曲線圖說(shuō)明具有涂層的磁頭600的實(shí)施例與沒(méi)有涂層的磁頭610的實(shí)施例的對(duì)比。有涂層的磁頭600在外部電壓為0時(shí)具有最大的PW50測(cè)量量。沒(méi)有涂層的磁頭610在外部電壓為-0.5伏左右時(shí)具有最大量。
在一個(gè)實(shí)施例中，諸如全氟癸基三氯硅烷(PFDTS)的氟化碳可以通過(guò)汽相沉積處理或液體浸沒(méi)處理而被施加。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，使用圖7的系統(tǒng)，在圖8的流程圖中說(shuō)明并提供用于對(duì)磁頭施加單層表面涂層的真空涂層處理。處理以將單層劑710裝入玻璃瓶720(塊810)而開(kāi)始(塊800)，然后，向涂層室740提供活性劑的低壓蒸汽730。在該例子中，玻璃瓶720中的單層劑710為純(96％或更大)PFDTS，其由加熱帶750加熱至100℃以獲得更高的蒸汽壓力。溫度控制器760可以控制對(duì)單層媒介710的加熱。磁性讀/寫頭300由支架770懸吊在涂層室中(塊820)。首先，清潔涂層室740，通過(guò)抽至低真空級(jí)再回充氮?dú)?，如此幾個(gè)循環(huán)以去除殘留的水汽(塊830)。然后，將磁性讀/寫頭300暴露在單層劑的蒸汽730中30分鐘(塊840)。在關(guān)閉活性劑閥780之后，再次清潔涂層室740，通過(guò)抽至低真空再回充氮?dú)?，如此幾個(gè)循環(huán)以去除過(guò)剩的涂層和副產(chǎn)品(塊850)。從室740取出磁性讀/寫頭300(塊860)，結(jié)束該處理(塊870)。時(shí)間長(zhǎng)度根據(jù)對(duì)室的清潔度和涂層質(zhì)量的要求而變化。在一個(gè)實(shí)施例中，室的溫度為105攝氏度。然而，在20℃至250℃之間的寬的溫度范圍內(nèi)，可在襯底上成功沉積單層涂層。
在備選的實(shí)施例中，由3M生產(chǎn)的氟化碳FC-722被用作表面涂層，F(xiàn)C-722具有與磁性介質(zhì)存儲(chǔ)器的表面涂層類似的電子親合力。在一個(gè)實(shí)施例中，使用液體浸沒(méi)處理將FC-722沉積在頭上。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，使用圖9的系統(tǒng)，提供用于將單層表面涂層施加到磁頭的液體處理，并在圖10的流程圖中對(duì)該處理進(jìn)行了說(shuō)明。處理以將溶體920裝入容器910(塊1010)而開(kāi)始(塊1000)。溶體可以是氟化的溶劑(諸如3M生產(chǎn)的PF5060)和活性劑FC-722的混合物。將磁性讀/寫頭300吊在支架930上并浸入單層溶體920中(塊1020)。10分鐘后，通過(guò)底部排放管940將單層溶體920排出，將磁性讀/寫頭300從單層溶體920中移出(塊1030)?？梢詫⒋蓬^取出并放入120攝氏度的爐中30分鐘，以去除過(guò)剩的溶劑并固化涂層(塊1040)，結(jié)束該處理(塊1050)。
圖11用曲線圖說(shuō)明第一頭1100和第二頭1110的HDI電荷測(cè)量的一個(gè)實(shí)施例，兩個(gè)頭各具有接收的FC-722的表面涂層。
雖然在此對(duì)幾個(gè)實(shí)施例進(jìn)行了具體說(shuō)明和描述，但是，要意識(shí)到上述的教導(dǎo)覆蓋了對(duì)本發(fā)明的修改和變化，并且不背離本發(fā)明的精神和預(yù)期的范圍的修改和變化是在所附的權(quán)利要求的界線內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種磁性讀/寫設(shè)備，包括從磁性存儲(chǔ)介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)和向所述磁性存儲(chǔ)介質(zhì)寫入數(shù)據(jù)的磁頭；以及與所述磁性存儲(chǔ)介質(zhì)表面上的介質(zhì)表面材料匹配的表面處理材料。
2.依照權(quán)利要求1所述的磁性讀/寫設(shè)備，其中所述表面處理材料為氟化的聚合物。
3.依照權(quán)利要求1所述的磁性讀/寫設(shè)備，其中使用汽相沉積處理施加所述表面處理材料。
4.依照權(quán)利要求1所述的磁性讀/寫設(shè)備，其中使用液體浸沒(méi)處理施加所述表面處理材料。
5.依照權(quán)利要求1所述的磁性讀/寫設(shè)備，其中所述磁頭與地電隔離。
6.依照權(quán)利要求5所述的磁性讀/寫設(shè)備，其中向所述磁頭施加外部電荷。
7.依照權(quán)利要求6所述的磁性讀/寫設(shè)備，其中所述外部電荷被用于測(cè)量界面電荷。
8.依照權(quán)利要求7所述的磁性讀/寫設(shè)備，其中通過(guò)在所述磁性存儲(chǔ)介質(zhì)上寫入信號(hào)、并以給所述磁頭施加零外部電荷讀回所述信號(hào)、以及以變化的外部電荷讀回所述信號(hào)，從而進(jìn)行所述測(cè)量。
9.依照權(quán)利要求8所述的磁性讀/寫設(shè)備，其中所述信號(hào)是寬度為高度的50％的脈沖。
10.一種系統(tǒng)，包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的磁性存儲(chǔ)介質(zhì)，所述磁性存儲(chǔ)介質(zhì)被介質(zhì)表面材料覆蓋；以及從所述磁性存儲(chǔ)介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)并向所述磁性存儲(chǔ)介質(zhì)寫入數(shù)據(jù)的磁頭，所述磁頭被與所述介質(zhì)表面材料相匹配的頭表面處理材料覆蓋。
11.依照權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中所述表面處理材料為氟化的聚合物。
12.依照權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中使用汽相沉積處理施加所述表面處理材料。
13.依照權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中使用液體浸沒(méi)處理施加所述表面處理材料。
14.依照權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中所述磁性存儲(chǔ)介質(zhì)包括通過(guò)軸而被電耦合到地的磁盤。
15.依照權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述磁頭與所述地電隔離。
16.依照權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，還包括施加到所述磁頭的外部電荷源。
17.依照權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中所述外部電荷被用于測(cè)量界面電荷。
18.依照權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中通過(guò)在所述磁性存儲(chǔ)介質(zhì)上寫入信號(hào)、并以施加到所述磁頭的零外部電荷讀回所述信號(hào)、以及以變化的外部電荷讀回所述信號(hào)，從而進(jìn)行所述測(cè)量。
19.依照權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中所述信號(hào)是寬度為高度的50％的脈沖。
20.一種方法，包括用介質(zhì)表面材料涂覆磁性存儲(chǔ)介質(zhì)；以及用與所述介質(zhì)表面材料匹配的頭表面處理材料涂覆磁頭以從所述磁性存儲(chǔ)介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)并向所述磁性存儲(chǔ)介質(zhì)寫入數(shù)據(jù)。
21.依照權(quán)利要求20所述的方法，其中所述表面處理材料為氟化的聚合物。
22.依照權(quán)利要求20所述的方法，還包括使用汽相沉積處理施加所述表面處理材料。
23.依照權(quán)利要求22所述的方法，其中所述汽相沉積處理包括在室溫下將所述磁頭懸掛于經(jīng)過(guò)氮凈化的盒子中的氟化碳液體之上；將所述磁頭移入真空爐；以及將所述磁頭在110攝氏度下烘烤一小時(shí)。
24.依照權(quán)利要求20所述的方法，還包括使用液體浸沒(méi)處理施加所述表面處理材料。
25.依照權(quán)利要求24所述的方法，其中所述液體浸沒(méi)處理包括將氟化碳劑溶解到溶劑池中，生成氟化碳液體；將所述磁頭浸沒(méi)于所述氟化碳液體；將所述磁頭從所述氟化碳液體中移出；以及清除所述磁頭上過(guò)多的涂層材料。
26.依照權(quán)利要求20所述的方法，其中所述磁性存儲(chǔ)介質(zhì)包括通過(guò)軸耦合到地的磁盤。
27.依照權(quán)利要求26所述的方法，還包括將所述磁頭與所述地電隔離。
28.依照權(quán)利要求27所述的方法，還包括向所述磁頭施加外部電荷。
29.依照權(quán)利要求28所述的方法，還包括對(duì)界面電荷進(jìn)行測(cè)量。
30.依照權(quán)利要求29所述的方法，其中進(jìn)行測(cè)量包括向所述磁性存儲(chǔ)介質(zhì)寫入信號(hào)；以施加到所述磁頭的零外部電荷讀回所述信號(hào)；以及以變化外部電荷讀回所述信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了用于測(cè)量和中和磁頭與諸如盤的磁性存儲(chǔ)介質(zhì)界面的電荷的系統(tǒng)與方法。給磁頭施加表面處理材料。所述表面處理材料與磁性存儲(chǔ)介質(zhì)表面上的介質(zhì)表面材料相匹配。在磁性讀/寫頭上的表面處理材料可以是氟化碳，諸如Fomblin Z－衍生物、全氟烷基三氯硅烷、FC－722、或氟化的聚合物。所述表面處理材料可通過(guò)汽相沉積處理或液體浸沒(méi)處理施加到磁頭上。頭－盤界面上的電荷可以通過(guò)在讀取先前寫入該盤的信號(hào)時(shí)施加到該頭的變化的外部電荷進(jìn)行測(cè)量。
文檔編號(hào)B05D5/12GK1830027SQ200480019055
公開(kāi)日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2004年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月7日
發(fā)明者Z·馮, E·查, X·張 申請(qǐng)人:新科實(shí)業(yè)有限公司